1.《电子技术基础》复习题-电子元件

电子元件

一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内

1

（ b ）

2、图 中已标出各硅晶体管电极的 电 位， 判断处于截止状态的晶体管是（ d ）。

1V

3V

-3V 0V

0.5V

4V

9.7V

6V

(a )(b)(c )

(d)

3、 当 晶 体 管 的 集 电 极 电 流 I C 超 过 其 最 大 允 许 值 I CM 时， 其 后 果 为（ b ） (a) 晶体管一定损坏 (b) 不一定损坏、但 β 要下降 (c) 不一 定损坏、但 β 要升高

4、电 路 如 图 所 示，二 极 管 D 的 正 向 压 降 为 0.6V ，反 向 工 作

峰 值 电 压U RWM =1

00V ，反 向峰值电流 I RM =10μA ，电源U S =100V ，负 载电阻R L =10 k Ω，则 电 压

u O 为（c ）。 (a) 0.6 V (b) 10 V (c) 0.1 V

D

O

图4

R

12V

图8

5、测得某一PNP 硅管三个极的电位是：V B = -3.2V ，V E = -2.5V ，V C = -7V ，则该管工作在（ a ）。

(a) 线 性 放 大 状 态 (b) 饱 和 工 作 状 态 (c) 截 止 工 作 状 态

6、 低 频 小 功 率 晶 体 管 的 输 入 电 阻 r be 等 于（ b ）。

(a)

U I BE

B

(b)

300126Ω++()

β mV

E

I (c)

30026Ω+

mV

C

I

7、PNP 型 和 NPN 型 晶 体 管， 其 发 射 区 和 集 电 区 均 为 同 类 型 半 导 体（N 型 或P 型 ）。 所 以 在 实 际 使 用 中 发 射 极 与 集 电 极（ b ）。 (a) 可 以 调 换 使 用 (b) 不 可 以 调 换 使 用

(c) PNP 型 可 以 调 换 使 用，NPN 型 则 不 可 以 调 换 使 用

8、电路如图所示，设电压表V 的内阻为无穷大，R =10k Ω，二极管D 的型号为 2CP10，则V 的读数 约为（ b ）。

(a)

0.7V (b) 0.3V (c) 1V

9、 电 路 如 图 所 示，二 极 管 为 同 一 型 号 的 理 想 元 件，电 阻 R = 4 k Ω，电 位 u A =

1V ， u B =3V ，则 电 位 u F 等 于（ a ）。 (a) 1 V

(b) 3 V

(c) 12 V

u A u B

u F

10、 电 路 如 图 1 所 示， 二 极 管 D 为 理 想 元 件，u i = 6sin ωt V 如 图 2 所 示，U = 3V ， 则 输 出 电 压 u O 的 波 形 为 图 3 中（ c ）。

图1

(d)

(c )

(b)

(a)

10 10k Ω

20k Ω

15k Ω

15k Ω

图11

11、电路如图 所 示，D 为 硅 二 极 管，根 据 所给 出 的 电 路 参 数 判 断 该 管 为 ( b )。 正 偏 (b) 反 偏 (c) 零 偏

12、 工 作 在 饱 和 状 态 的PNP 型 晶 体 管， 其 三 个 极 的 电 位 应 为（ b ）。 (a) V E >V B ，V C >V B ，V E >V C (b) V E >V B ，V C < V B ，V E >V C (c) V B >V E ，V B < V C ，V E >V C

二、填空题：

1、稳 压 管 电 路 如 图 所 示，稳 压 管 D Z1 的 稳 定 电 压 U Z1 =12V ，D Z2 的 稳 定 电 压 为U Z2= 6V ， 则 电 压U O 等 于 6V 。

R

图1

10V

1k Ω

β=50

图2

2、电路如图所示， 已知 u I = 3V ，则晶体管T 此时工作 在 截 止 状 态状态 状态。

3、电 路 如 图 所 示，二 极 管 为 理 想 元 件，u i =3sin ωt V ，U =3V ，当ωt = 0 瞬 间， 输 出 电 压 u O 等 于 0v

。

u O

图30V

+6V

图4

4、 电 路 如 图 所 示， 全 部 二 极 管 均 为 理 想 元 件，输 出 电 压 u O 为 8v 。

5、电 路 如 图 所 示 ， 设 二 极 管D 1，D 2为 理 想 元 件， 试 计 算 电 路 中 电 流I 1= 0 ，I 2

= 5mA 。

2

12V 3k

+-

图5 D 2

5k Ω

图7

6、晶 体 管 处 于 截 止 状 态 时， 集 电 结 和 发 射 结 的 偏 置 情 况 为 发 射 结 反偏 ，集 电 结 反偏 。

7、电路如图所示， D 1 ，D 2 均为硅管（正向压降 0.7V ），D 为锗管（正向压降 0.3V ）， U ＝6V ， 忽 略二极管的反向电流 ， 则 流 过 D 1、D 2 的 电 流分别为 0 和 2mA 。

8、晶体管的电流放大系数β是指 工 作 在 放 大 区 时 的 电 流 放 大 系 数 。 9、已 知 某 晶 体 管 的 穿 透 电 流 I CEO = 0.32mA ， 集 基 反 向 饱 和 电 流 I CBO = 4μA ，如要获 得 2.69 mA 的 集 电 极 电 流，则基极电流 I B 应为 0.03mA

。

10、电路如图所示，稳压管的稳定电压 U Z = 6 V ，电源 U S = 4 V ，则负载R L 两端电压U L 为 0V 。

O

图10

图11