电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1.pdf
电路与模拟电子技术习题解答
作业习题解答在题图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此P 1=-U 1×3= -（-5）×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ； P 3=U 3×（-1）=-3×（-1）=3W ； P 4=-U 4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。
元件2、4是电源，元件1、3是负载。
在题图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。
解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=0 求题图中的U 1、U 2和U 3。
解：此题由KVL 求解。
对回路Ⅰ，有： U 1-10-6=0，U 1=16V 对回路Ⅱ，有：U 1+U 2+3=0，U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ，有：U 2+U 3+10=0，U 3=-U 2-10=19-10=9V验算：对大回路，取顺时针绕行方向，有：-3+U 3-6=-3+9-6=0 ，KVL 成立+U 4-题1.1图题1.4图+U 3--3V ++6V -题1.6图求题图中a 点的电位V a 。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。
6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。
９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。
电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1
洛阳理工学院模拟电子技术试卷（总）一、单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D其它2.稳压二极管稳压时应工作在（C）状态。
A．正向导通；B．反向截止；C．反向电击穿；D．反向热击穿3. N型半导体是在本征半导体中掺入（C）；P型半导体是在本征半导体中掺入（A）。
A.三价元素，如硼等；B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN结加正向电压时，有（A）形成电流，其耗尽层（D）；加反向电压时，由（B）形成电流，其耗尽层（C）。
A.扩散运动；B.漂移运动；C. 变宽；D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A）。
A.增大；B.不变；C.减小6.一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（ B）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流7.晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（ B ）。
A.增加；B.下降；C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A）。
A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态9.双极型三极管用于放大时，应使（B）。
A．发射结正偏、集电结反偏； B．发射结、集电结均正偏；C．发射结反偏、集电结正偏； D．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B）造成的。
A．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A）组态。
A．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN型三极管各电极对地的电位分别为V e=2.1V，V b=2.8V，V c=4.4V，说明此三极管工作在（A）。
A．放大区；B．饱和区；C．截止区；D．反向击穿区13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B）。
A．共射电路；B．共集电路；C．共基电路；D．共源极电路14.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D）型。
模拟电子技术基本练习题(解)
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。
6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。
7．某三极管工作在放大区时，当I B从20µA增大到40µA，I C从1mA变成2mA。
则该管的β约为 50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。
14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。
电路与模拟电子技术答案(查丽斌)第一章习题
习 题 11－1在题图1－1所示电路中，（1）选d 为参考点，求a V 、b V 和c V ；（2）选c 为参考点，求a V 、b V 和d V 。
题图1－1解 （1） 当选d 为参考点时， V 3ad a ==u VV 112cd bc bd b =-=+==u u u V ；V 1cd c -==u V（2） 当选c 为参考点时， 4V 13dc ad a =+=+=u u VV 2bc b ==u V ；V 1dc d ==u V1－2求题图1－2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
题图1－2解 A 2=I ；V 13335=+-=I I U电流源功率 W 2621-=⋅-=U P （产生）电压源功率 W 632-=⋅-=I P （产生）1－3 试求题图1－3 (a)（b ）所示电路的电流I 及受控源功率。
(a) (b)题图1－3解 （a ）0642=++I I ；A 1-=I受控电压源功率 W 44-=⋅=I I P （产生）（b ）A 236==I受控电流源功率 W 40)223(2-=+⨯-⋅=I I P （产生）1－4 求题图1－4中的I 、S U 。
题图1－4解 2(23)25237A 1I ⨯-+⨯=-+=S 22(23)521421022V U I =+⨯-+⨯=-+=1－5 试求题图1－5中的I 、X I 、U 及X U 。
题图1－5解 A 213=-=I ；A 31X -=--=I IV 155X -=⋅=I UV 254325X X -=-⨯-⋅=I U1－6 电路如题图1－6所示，求图(a)中的ab 端等效电阻及图（b ）中电阻R 。
(a) (b)题图1－6解 (a) Ω=+=+++⨯+⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛+⨯+=1046418666661866666R (b) Ω=--=712432383R 1－7 电路如题图1－7所示，求图（a ）中的电压S U 和U 及图（b ）中V 2=U 时电压S U 。
模拟电子技术试题.(答案)
模拟电子技术试题（答案）一．判断题1.N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
（×）2.点接触型晶体二极管因其结电容很小，因此工作频率也很小，比较适用于做小信号检波。
（×）3.室温下，当锗晶体二极管导通后，在正常使用的电流范围内，管压降一般取0.7V。
（×）4.最大整流电流是指二极管运行时允许承受的最大正向平均电流。
（√）5.正常情况下，二极管的正向电阻阻值小于反向电阻阻值。
（√）6.晶体二极管的阳极电位是10V，阴极电位是20V，则该晶体二极管处于导通状态。
（×）7.稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向导通来实现的。
（×）8.若把二个稳压值相同的稳压二极管正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值为二个稳压值相加。
（×）9.变容二极管是一只工作在正向偏压下的二极管，只是在制造工艺上采取了某些措施，以保证它的结电容能随外加电压显著地改变。
（×）10.发光二极管是利用PN结内电光效应发光的，当有电流流过时，就能发出光来。
（√）11.光电二极管PN结工作在反向偏置状态，在光的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升。
（√）12.三极管工作于饱和状态时，其外加偏置电压为发射结正偏，集电结正偏。
（√）13.在三极管放大电路放大区，基极电流与集电极电流的比值保持不变，为一常数。
（√）14.根据输出特性曲线，三极管的工作区域可以分为截止区和饱和区，相当于一个开关。
（×）15.晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV<sub>ceo</sub>的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。
（√）16.用直流电压表测量某放大电路中的一只PNP型晶体三极管，各电极对地的电位是：U<sub>1</sub>=-2.7V，U<sub>2</sub>=-6V，U<sub>3</sub>=-2V，则该晶体三极管各管脚分别为1脚为b、2脚为c、3脚为e。
模拟电子技术第一章 习题与答案
第一章习题与答案1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。
二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。
把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。
2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。
硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。
硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。
3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。
而普通二极管反向击穿后就损坏了。
这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。
5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术习题答案
模拟电⼦技术习题答案模拟电⼦技术习题答案电⼯电⼦教学部第⼀章绪论⼀、填空题：1. ⾃然界的各种物理量必须⾸先经过传感器将⾮电量转换为电量，即电信号。
2. 信号在频域中表⽰的图形或曲线称为信号的频谱。
3. 通过傅⽴叶变换可以实现信号从时域到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的振幅随⾓频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的相位随⾓频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由直流分量、基波分量以及⽆穷多项⾼次谐波分量组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。
9. 放⼤电路分为电压放⼤电路、电流放⼤电路、互阻放⼤电路以及互导放⼤电路四类。
10. 输⼊电阻、输出电阻、增益、频率响应和⾮线性失真等主要性能指标是衡量放⼤电路的标准。
11. 放⼤电路的增益实际上反映了电路在输⼊信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量的能⼒。
12. 放⼤电路的电压增益和电流增益在⼯程上常⽤“分贝”表⽰，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益、dB lg 20i A =电流增益。
13. 放⼤电路的频率响应指的是，在输⼊正弦信号情况下，输出随输⼊信号频率连续变化的稳态响应。
14. 幅频响应是指电压增益的模与⾓频率之间的关系。
15. 相频响应是指放⼤电路输出与输⼊正弦电压信号的相位差与⾓频率之间的关系。
⼆、某放⼤电路输⼊信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少属于哪⼀类放⼤电路解：Ω105A10V50pA 10mV 5001011i o r ?====-.i v A 属于互阻放⼤电路三、某电唱机拾⾳头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少如果在拾⾳头与扬声器之间接⼊⼀个放⼤电路，它的输⼊电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
《电路与模拟电子技术》课后习题答案
U=IR+US=2×1+4=6V
PI=I2R=22×1=4W，
US与I为关联参考方向，电压源功率：PU=IUS=2×4=8W，
U与I为非关联参考方向，电流源功率：PI=-ISU=-2×6=-12W，
验算：PU+PI+PR=8-12+4=0
1.5求题1.5图中的R和Uab、Uac。
解：对d点应用KCL得：I=4A，故有
RI=4R=4，R=1Ω
Uab=Uad+Udb=3×10＋（-4）=26V
Uac=Uad-Ucd=3×10-(-7)×2=44V
1.6求题1.6图中的U1、U2和U3。
解：此题由KVL求解。
对回路Ⅰ，有：
U1-10-6=0，U1=16V
对回路Ⅱ，有：
U1+U2+3=0，U2=-U1-3=-16-3=-19V
UT=4IT+2I1-2I1=4IT
因此，当RL=R0=4Ω时，它吸收的功率最大，最大功率为
第三章正弦交流电路
3.1两同频率的正弦电压， ，求出它们的有效值和相位差。
解：将两正弦电压写成标准形式
，
其有效值为
，
3.2已知相量 ，试写出它们的极坐标表示式。
解：
3.3已知两电流 ,若 ，求i并画出相图。
解： ，两电流的幅值相量为
解：以结点a，b，c为独立结点，将电压源变换为电流源，结点方程为
解方程得
Ua=21V,Ub=-5V,Uc=-5V
2.12用弥尔曼定理求题2.12图所示电路中开关S断开和闭合时的各支路电流。
解：以0点为参考点，S断开时，
， ，
，IN=0，
S合上时
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
新版模拟电子技术 部分参考答案(一)
习 题 11.1． 当负载开路（R L =∞）时测得放大电路的输出电压o u'=2V ；当输出端接入R L =5.1kΩ的负载时，输出电压下降为u o =1. 2V ，求放大电路的输出电阻R o 。
解：'L o o L o R u u R R =•+，'o o(1) 3.4k o L u R R u =-=Ω 1.2 当在放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s =1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ，求放大电路的输入电阻 R i 。
解：ii s i s R u u R R =•+， ∴()2k i i s s iu R R u u ==Ω-1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s = 1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ；放大电路输出端接 R L = 3k Ω的负载，测得输出电压为u o =1.5V ，试计算该放大电路的电压增益 A u 和电流增益 A i ，并分别用 d B （分贝）表示。
解：oi150u u A u ==，dB A dB A u u 5.43lg 20)(== 100()o o Li i s i sI u R A I u u R ===-，dB A dB A i i 40lg 20)(== 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示，试求电路的中频增益A um 、下限截止频率f L 、上限截止频率f H 和通频带f BW 。
解：dB dB A um 40)(= ∴100=umAHz f H 510= Hz f L 20= ∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图1.5 电路如图1.2所示，已知：当输入电压为0.4V 时，要求输出电压为4V 。
试求解R 1和R 2的阻值。
模拟电子技术习题集(一)
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
图解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P C M＝200mW ，试画出它的过损耗区。
模拟电子技术习题(2020年7月整理).pdf
模拟电子技术练习题一、单选题(每题1分)1. 基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是____A______电路。
A.共发射极B.共集电极C. 共基极D. 不能确定2. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（D ）。
A．不变B．提高一倍C．提高两倍D．减小为原来的一半3. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A．增大差模输入电阻B．提高共模增益??C．提高差模增益D．提高共模抑制比4. 选用差分放大电路的主要原因是（A ）。
A．减小温漂B．提高输入电阻C．稳定放大倍数D．减小失真5. 对恒流源而言，下列说法不正确的为（D）。
A．可以用作偏置电路B．可以用作有源负载C．交流电阻很大D．直流电阻很大6. 放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明A的（B）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D.输出电阻小7. 深度电流串联负反馈放大器相当于一个（D）。
A. 压控电压源B. 压控电流源C. 流控电压源D. 流控电流源8. 负反馈放大电路中，反馈信号（A）。
A. 仅取自输出信号B. 取自输入信号或输出信号C. 仅取自输入信号D. 取自输入信号和输出信号9. 引入（C）反馈，可稳定电路的增益。
A. 电压B. 电流C. 负D. 正10. 构成反馈通路的元器件（A）。
A. 只能是电阻元件B. 只能是三极管、集成运放等有源器件C. 只能是无源器件D. 可以是无源器件，也可以是有源器件二、判断题(每题1分)1. 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
（）2. 差分放大电路中单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降。
（）3. 差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。
（）4. 单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。
模拟电子技术（模电课后习题含标准答案）（第三版）
模拟电⼦技术（模电课后习题含标准答案）（第三版）第1章常⽤半导体器件1.1选择合适答案填⼊空内。
(l)在本征半导体中加⼊( A )元素可形成N 型半导体，加⼊( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增⼤ B.不变 C.减⼩(3)⼯作在放⼤区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增⼤到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增⼤；B.不变；C.减⼩ 1.3电路如图P1.2 所⽰，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设⼆极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所⽰。
1.4电路如图P1.3所⽰，已知t u i ωsin 5=(V )，⼆极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
1.6电路如图P1.4所⽰, ⼆极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问⼆极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：⼆极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到⼏种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则⼜可得到⼏种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管⼦都正接。
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57.RC 串并联网络在
f
=
f0
=
1 2RC 时呈
（B
）。
A.感性；
B.阻性 ； C 容性
58.直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（A）。
Ａ.好； Ｂ.差； Ｃ.相同
59.工作在线性区的运算放大器应置于（A）状态。
Ａ.深度反馈； Ｂ.开环；
Ｃ.闭环
60.产生正弦波自激震荡的稳定条件是（C）。
学海无涯 A.共射；B.共集；C.共基 18．为了提高差动放大电路的共模抑制比，可用（B）替代公共发射极电阻 Re。 A.恒压源；B.恒流源；C.大电容
19．为了减小零点漂移，集成运放的输入级大多采用（C）。
A．共射电路；B．共集电路；C．差分放大电路；D．乙类放大电路
-
20．减小零点漂移最有效的方法是采用（C）。 A．共射电路；B．共集电路；C．差分放大电路；D．乙类放大电路
26.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（C）
A.电阻阻值有误差；B. 晶体管参数的分散性； C. 晶体管参数受温度的影响
27.互补输出级采用共集接法是为了使（D）。
A.电压放大倍数增大； B.抑制共模信号能力增强； C.最大不失真输出电压增大；D. 带负载能力强
28.功率放大电路与电压放大电路的共同之处是（C）。
A.0.45； B.0.9 C.1.2
54.振荡器的输出信号最初由（ C）而来的。
A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号
55.三端集成稳压器 CXX7805 的输出电压是（ A）
A. 5v； B. 9v； C. 12v
56.三端集成稳压器 CW7906 的输出电压是（ A ）
A. -6V ； B. -9v； C. -12v
43. 已知输入信号的频率为 10kHz～20kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用（C）滤波器。
A．低通；B.高通；C.带通；D.带阻
44. 欲将矩形波变换成三角波，应选用（C）电路。 A．比例运算电路；B.求和电路；C.积分电路；D.微分电路
45. 能将输入的模拟信号转换为矩形波的电路是（A）。
40.欲将方波转换成三角波，应选用（C）。 A.比例运算电路；B.求和运算电路；C.积分电路；D.模拟乘法器
41．为了防止 50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应选用（D）滤波电路。 A．低通；B．高通；C．带通；D．带阻
42. 欲将正弦电压叠加上一个直流电压，应选用（B）电路。
A．比例运算电路；B.求和电路；C.积分电路；D.微分电路
A.都放大电压； B.都放大电流；C.都放大功率
29.当集成运放线性工作时，有两条分析依据（A ）（B ）。 A.U-≈U+ B.I-≈I+≈0 C. U0=Ui D.Au=1
30. 为了稳定静态工作点，应引入（B）。
A.交流负反馈；B. 直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈
31.为了展宽频带，应引入（A）。
9. 双极型三极管用于放大时，应使（B）。
A．发射结正偏、集电结反偏； B．发射结、集电结均正偏；
C．发射结反偏、集电结正偏； D．发射结、集电结均反偏
10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B）造成的。
A．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低
11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A）组态。
20．集成运算放大器引入深度负反馈时，工作在 线性 区；处于开环或引入正反馈时，工作在 非线性 区。
21．乙类互补对称功率放大电路中功放管静态电流 ICQ= 0 ，此时，虽然效率高，但输出波形存在 交越 失真。
22．直流稳压电源由 变压器 、 整流电路 、 滤波电路 及 稳压电路 四个部分组成。
23.三端集成稳压器 W7912 的输出电压是 -12 V。
A．电压比较器； B.乘法器； C. 除法电路； D.平方电路
46. 抑制频率高于 20MHz 的噪声，应选用（A）滤波器。
A．低通； B.高通； C.带通； D.带阻
47. RC 桥式正弦波振荡电路的起振条件是（C）。 A． Au 1 B． Au 2 C． Au >3 D． Au = 3 48．在下列比较器中，抗干扰能力强的是（C）。
14.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D） 型。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 15.三极管的反向电流 ICBO 是由（B ）组成的。
A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 16.射极跟随器具有（C）特点。 Ａ、电流放大倍数高 Ｂ、电压放大倍数高 Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低 17．为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入（A）电路。
，等效成
15.在三极管多级放大电路中，已知 Au1＝20，Au2＝－10，Au3＝1，则可知其接法分别为：Au1 是 共基 放大器，
Au2 是
共射
放大器，Au3 所示负反馈放大电路的级间反馈组态是电压串联，该负反馈能 提高 （提高；降低）输入电阻，降低 （提
高；降低）输出电阻，在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数 Auf
51. 在桥式整流电容滤波电路中，若变压器副边电压有效值 U2=20V，则正常情况下，输出的直流电压为（C）V。
A．9V； B.18V； C.24V； D. 28V
52.三端集成稳压器 CW7812 的输出电压是（ A ）。
A.12V ； B.5V ； C.9V
53.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值 Uo=（ C ）Uz
A．电压串联；B.电压并联；C.电流串联；D.电流并联
35.为了使放大器带负载能力强，一般引入（A）负反馈。
A.电压； B.电流；
C.串联
36. 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入（A）；为了展宽频带，应在放大电路中引入（D）。
A.电流负反馈；B.电压负反馈；C.直流负反馈； D.交流负反馈
37.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（B） 。
学海无涯
洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷（总）
一、单选题
1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B）。 A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D 其它
2. 稳压二极管稳压时应工作在（C）状态。 A．正向导通；B．反向截止；C．反向电击穿 ；D．反向热击穿
+15V + 3.3V
+ 2.6V
图 1.1
= Uo Ui
= 13
。
Rb1
560k
Rc1
24k
+ 12V
Rc2
6.8k
+C2
C1+
+
VT2
VT1 RF1
U−i
12k
Re1
Re2
+
Uo
1k
2k −
17.正弦波振荡电路的起振条件是 A F 1。 18．抑制零点漂移最有效的方法是采用 差动放大电路 电路。
图 2.1
19．集成运算放大器工作在非线性区时，输出只有两个状态，即 高电平 和 低电平 。
3. N 型半导体是在本征半导体中掺入（C）；P 型半导体是在本征半导体中掺入（A）。 A.三价元素，如硼等； B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等
4.PN 结加正向电压时，有（A）形成电流，其耗尽层（D）；加反向电压时，由（B）形成电流，其耗尽层（C）。 A.扩散运动； B.漂移运动； C. 变宽； D.变窄
24.希望从输入信号中获得低于 500Hz 的音频信号，应选择 低通 滤波器。 25.已知输入信号的频率为 20Hz～20kHz，为防止干扰信号的混入，应选用 带通 滤波器 26.负反馈放大电路和放大倍数 AF= A/1+AF ，对于深度负反馈放大电路的放大倍数 AF= 1/F 。 27.差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为 共模 信号，而加上大小相等、极性相反的两 个信号，称为 差模 信号。 28.为了消除乙类互补功率放大器输出波形的 交越 失真，而采用 甲乙 类互补功率放大器。 29.OCL 电路是 双 电源互补功率放大电路； OTL 电路是 单 电源互补功率放大电路。 30.差分放大电路能够抑制 零点 漂移，也称 温度 漂移，所以它广泛应用于 集成 电路中。
5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A）。 A.增大； B.不变； C.减小
6.一个平衡 PN 结，用导线将 P 区和 N 区连起来，而导线中（ B）。
A.有微弱电流 B.无电流 C.有瞬间微弱电流
7.晶体管在大电流工作时，随 Ic 的增加β值将（ B ）。
A.增加；
B.下降； C.不变
8.某三极管各电极电位如图 1.1 所示，由此可判断该三极管处于（A）。 A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态
A.交流负反馈；B. 直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈
32.为了稳定输出电压，应引入（C）.
A.交流负反馈；B. 直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈
33. 为了稳定输出电压，应引入（D）.
学海无涯
A.交流负反馈；B. 直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈
34．欲减小放大电路向信号源的索取流电，增大带负载能力，应在放大电路中引入（A）负反馈。
A.电流负反馈；B.电压负反馈；C.直流负反馈；D.交流负反馈
38.为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入（C）。
A．电压串联负反馈；B.电压并联负反馈；C.电流串联负反馈；D.电流并联负反馈