晶体管电流放大倍数自动检测分选仪的设计与仿真
bjt晶体管放大器设计仿真实验报告
bjt晶体管放大器设计仿真实验报告实验目的：通过仿真和设计实验掌握BJT晶体管放大器的特性，了解放大器的基本结构和原理，使用Multisim进行模拟电路的设计和验证。
实验器材：电脑、Multisim软件实验原理：BJT晶体管放大器BJT晶体管放大器是工程中常用的放大器之一，其结构简单，易于实现，所以被广泛应用。
BJT晶体管的放大器基本参数有增益、输入阻抗、输出阻抗等，这些参数与负载、元器件选型等有关。
BJT晶体管放大器包括三个区域：基区、发射区、集电区。
当正向偏置（即基极正向，发射极负向，集电极正向）时，电子从发射区向基区注入，由于集电区厚度较大，电子大量扩散到集电区，形成电流放大效应。
由于收集极为多数载流子的主要地方，所以放大器的电流一般从集电极注入。
实验步骤1. 设计放大器的电路图，包括输入端、BJT晶体管、输出端、偏置电路等。
2. 选择合适的电阻值，偏置电压、负载等元器件参数。
3. 使用Multisim软件按照电路图布局放置元器件，并将元器件的参数输入Multisim 中。
4. 设置测量点，并对电路进行仿真分析。
5. 分析仿真结果，调整电路参数，优化电路。
6. 记录仿真结果并写出实验报告。
实验内容1. 设计一个以晶体管为核心的放大电路，要求两个输出端之间的放大系数应不小于100，放大器的直流通路电路使用以2mA为中心的工作点，增益、输入阻抗、输出阻抗等参数要求在电阻值误差的5%以内。
2. 使用Multisim仿真软件模拟电路。
3. 优化电路参数，得出满足实验要求的电路。
实验步骤及结果1. 电路设计根据实验要求，我们设计了以下电路图：其中，RE1、RE2为两个发射极稳流器。
根据放大器的基本公式，我们可以计算出电路中各电阻的取值：R1=261ΩR2=1.1kΩR3=121kΩR4=6.5kΩR5=8.2kΩR6=39kΩR7=360ΩR8=4.7kΩ在仿真时，我们将R1、R2看作是一个整体R1//R2=228.1Ω，R6与R8也是一个整体，即R6//R8=8.81kΩ。
级晶体管放大倍数β的测量
晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现实验报告姓名：学院: 电子工程学院班级: 2013211207学号:班内序号： 11【课题名称】晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现【摘要】晶体管是工程上常见的一种元器件，放大倍数为其基本参数。
为了检测出不同晶体管的放大倍数的粗略值，本实验利用集成运放电压比较器原理和发光二极管进行显示，将晶体管的放大倍数分成若干个档位进行测量。
利用本实验的电路，可以成功实现对晶体管类型的判断，对档位的手动调节，对晶体管放大倍数的档位测量，并在当所测三极管的β值超出测量范围时（β>250），能够进行报警提示。
【关键词】晶体管类型晶体管β值档位判断发光二极管显示过大报警【实验目的】1、通过晶体三极管β值检测电路的设计与制作，加深对晶体管β值意义的理解；2、了解并掌握电压比较器的实际使用电路和发光二极管的使用；3、理解电子电路综合设计、安装和调试的基本方法；4、加深对所学过的电子电路知识的理解和综合运用能力。
【设计任务和要求】【基本要求】1、电路能够检测出NPN、PNP三极管的类型；2、在电路中可以手动调节四个档位值的具体大小；3、电路能够将NPN型三极管放大倍数β分为大于250、200～250、150～200和小于150四个档位进行判断；4、固定电路元件参数，用发光二极管来指示被测三极管的放大倍数β值属于哪一个档位，当β超出250时二极管能够产生人眼可识别闪烁报警信号；【提高要求】1、电路能够将PNP型三极管放大倍数β分为大于250、200～250、150～200和小于150四个档位进行判断，并且能手动调节四个档位值的具体大小。
2、NPN型、PNP型三极管β档位的判断可以通过手动切换或自动切换。
【设计思路、总体结构框图】简易晶体三极管放大倍数β检测电路的设计总体框图如下所示：电路由五部份组成：三极管类型判别电路、三极管放大倍数β档位判断电路、显示电路、报警电路和电源电路。
1、三极管类型判别电路的功能是利用NPN型和PNP型三极管电流流向相反，加正向电压时导通，发光二极管点亮，加反向电压时截止，发光二极管熄灭的特性，判别三极管的类型是NPN型还是PNP型。
晶体管放大倍数β检测电路的设计
晶体管β值数显测量电路实验报告宁波大学科技学院理工分院课题五晶体管β值数显测量电路一、实验目的1、设计任务设计一个低频小功率NPN型硅三极管共射极电流放大倍数β值测量电路。
2、基本要求（1）β值的测量范围为50 ～ 250。
（2）接入晶体管后自动显示被测晶体管的β值，当没有接入晶体管时数码管显示为零。
（3）当接入晶体管的β值不在测量范围时，用发光二极管指示。
（4）测量精度为±5%。
（5）测量响应时间t<1S。
3、扩展要求（1）分档指示功能，当β值为50～100，100～180，180～250时，分别用发光二极管指示。
（2）能测量PNP管的β值。
二、实验原理由设计要求可知只要将被测晶体管的β值转换为对应的电压值，对β值的测量转变为对电压的测量。
将此电压进行比例调整后，进行A/D转换，然后进行译码显示即可。
其原理框图如图2-5-1所示。
三、单元电路设计参考1、β/V转换电路基本思路为：对被测晶体管输入一固定值的基极电流，则其集电极电流Ic=βIb，然后将集电极电流转换为电压即可。
基极电流的设置可以采用如下两种方式。
其一、如图2-5-2所示，选择恰当的基极偏置电阻Rb实现基极电流设置。
其二，利用恒流源实现基极电流的设置，如图2-5-3所示。
这种方式的优点是可以对锗管设置基极电流而不需要改变电路结构或元件参数。
由于要提供很小的基极电流，恒流源可以用如图2-5-4所示的微电流源实现。
微电流源的参考电流与输出电流之间的函数关系为：2、 比例调整电路比例调整电路的主要作用是将β/V 转换电路的输出电压作适当的调整提供给A/D 转换电路，以期得到一个适当的二进制数值，便于译码器显示对应的β值。
常用的比例电路有反相比例电路，同相比例电路，差动放大电路等。
在此介绍一下常用的三运放差动放大电路，电压如图2-5-6所示。
CSC S C b C R I U I I I I ===β10AR I U CC C μβ*==))(21(1220I I PU U R RU -+=6.19)21(255512510)21()21(28322=+=-==⨯+=+-PP C P R R LSB R R U R R 得：由：LM324N芯片引脚图3、A/D转换电路A/D转换电路将模拟量转换为数字量。
(整理)晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现
课题名称晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现一、摘要本实验是简单的三极管放大倍数β检测电路的设计与实现。
主要由三极管类型判别电路、三极管放大倍数档位判断电路、显示电路、报警电路及电源电路五个部分组成。
首先通过普通LED 发光二极管的亮灭实现判断三极管类型，并将β值的变化转化为电压的变化从而利用电压比较器及LED管实现β值档位 (＜150、150～200、200～250、＞250)的判断与显示、并在β＞250时通过LED管闪烁报警。
关键词：三极管、β、LED、电压比较器、报警二、设计任务要求基本要求：设计一个简易晶体管放大倍数β检测电路，该电路能够实现对三极管β值大小的初步判断。
系统电源DC=10V1.通过该电路板块一能够检测出NPN、PNP三极管的类型。
2.电路能够将NPN型三极管放大倍数β分为大于250、200～250、150～200、小于150共四个档位进行判断。
3．用发光二极管来指示被测三极管的β值属于哪一个档位4.在电路中可以手动调节四个档位值的具体大小。
5.当β超出250时能够闪烁报警。
提高要求1.电路能够将PNP型三极管放大倍数β分为大于250、200～250、150～200、小于150共四个档位进行判断，并且能够手动调节四个档位值的具体大小。
2. NPN、PNP三极管β档位的判断可以通过手动或自动切换三、设计思路和总体结构框图本实验关键之处系如何将三极管放大倍数β的变化用一个便于测量的物理量的变化来表示。
实验室最易测量的量即是电压，并且三极管CE极间电压便可反应集电极电流I c的变化，故不妨用某种手段固定I b值，通过检测CE极间电压的变化间接检测β的变化。
而将电压值分为几个档位很容易想到用电压比较器实现并通过输出电流驱动LED显示出来。
最后，报警电路可利用LED闪烁报警，可由555定时器实现。
四、分块电路、总体电路的设计（电路图）现将实验电路可为“4+1”个板块。
“4”指的是三极管类型判别电路、三极管放大倍数β档位判断电路和显示电路、报警电路和电源电路；“1”指的是从NPN型管β检测到PNP型管β检测的转换电路。
晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现
测值 档位
①
② 5.8 5.8 5.8 5.8
③ 4.8 4.8 4.8 4.8
④ 7.0 6.4 5.3 4.0
⑤ 0.9 8.7 8.7 8.7
⑥ 0.0 0.8 8.6 8.6
⑦ 0.0 0.0 0.8 8.3
第一档 6.7 第二档 6.7 第三档 6.7 第四档 6.7
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1 电路能够将 PNP 型三极管放大倍数 β 分为大于 250， 200-250， 150-200， 小于 150 共四个档位进行判断， 并且能够手动调节四个档位值的具体大小 NPN,PNP 三极管 β 档位的判断可以通过手动或自动切换。 2 PROTEL 软件绘制该电路及其电源电路的印制电路版 图（PCB） 。
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3 4 5
用发光二极管来指示被测电路的 β 值属于哪一个档位。 在电路中可以手动调节四个档位值的具体大小。 当 β 超出 250 时能够闪烁报警。
设计该电路的电源电路（不要求实际搭建） ，用 PROTEL 软件绘制 完整的 电路原 理图（ SCH ）及印 制电路 板图 （PCB） 。
2.提高要求：
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555 定时器的电路结构及其功能 下图为 555 定时器的内部逻辑电路和外引脚图， 从结构上看， 555 电路由 2 个比较器、 1 个基本 RS 触发器、 1 个反相缓冲器、 1 个集电极开路的放电晶体管和 3 个 5kΩ 电阻组成分压器组成。
五、故障及问题分析
问题 1：在仿真软件上电路能够正常工作，但实际电路却不能正常工 作 原因：实际电路中的参数并不是十分准确，而且仿真软件对于非线性 器件（如三极管）有一定的近似，所以实验不一定能成功； 解决： 方法一：仿真软件的参数变化范围大一些，这样就能在实际电 路中不会因为微小的变化而导致误差； 方法二：实际调节电路换不同参数的元器件。 问题 2：按照仿真软件的电路图连接好后，发现调节参数的时候现象 不发生变化； 原因：电路元器件损坏，这是经常遇到的事情，一定要注意。 方法：单独测试可能损坏的元器件，若不能正常工作，换新的，在使 用前做好检测工作。
MOS放大电路设计仿真与实现实验报告
MOS放大电路设计仿真与实现实验报告实验报告：MOS放大电路设计、仿真与实现一、实验目的本实验的主要目的是通过设计、仿真和实现MOS放大电路来加深对MOSFET的理解，并熟悉模拟电路的设计过程。
二、实验原理MOSFET是一种主要由金属氧化物半导体场效应管构成的电流驱动元件。
与BJT相比，MOSFET具有输入阻抗高、功率损耗小、耐电压高、尺寸小等优点。
在MOS放大电路中，可以采用共源共源极放大电路、共栅共栅极放大电路等不同的电路结构。
三、实验步骤1.根据实验要求选择合适的电路结构，并计算所需材料参数（参考已知电流源和负载阻抗）。
2.选择合适的MOS管，并仿真验证其工作参数。
3.根据仿真结果确定电路的放大倍数、频率响应等。
4.根据电路需求，设计电流源电路和源极/栅极电路。
5.仿真整个电路的性能，并调整参数以优化电路性能。
6.根据仿真结果确定电路的工作参数，并进行电路的实现。
7.通过实验测量电路性能，验证仿真结果的正确性。
8.对实验结果进行分析，总结实验的过程和经验。
四、实验设备和材料1.计算机及电子仿真软件。
2.实验电路板。
3.集成电路元器件（MOSFET、电阻等）。
4.信号发生器。
5.示波器。
6.万用表等实验设备。
五、实验结果与分析通过仿真和实验，可以得到MOS放大电路的电压增益、输入输出阻抗、频率响应等参数。
根据实验结果，可以验证设计的合理性，并进行参数调整优化。
在实际应用中，MOS放大电路被广泛应用于音频放大器、功率放大器、运算放大器等场合。
因为MOSFET具有较大输入阻抗，所以MOS放大电路可以在输入端直接连接信号源，而不需要额外的输入电阻。
此外，MOS放大电路的功率损耗较小，适用于各种功率要求不同的应用场合。
六、实验心得通过设计、仿真和实现MOS放大电路的实验，我更加深入地理解了MOSFET的原理和应用。
在实验过程中，我通过不断调整电路参数和元器件选择，逐步提高了电路的性能。
通过与实验结果的对比，我发现仿真和实验结果基本吻合，验证了仿真的准确性。
模拟电子技术课程设计 晶体管电流放大系数β自动检测分选仪设计
广东石油化工学院课程设计说明书课程名称：模拟电子技术课程设计题目：晶体管电流放大系数β自动检测分选仪设计晶体管电流放大系数β自动检测分选仪设计一、设计任务与要求选用低频小功率NPN 管，测量直流电流放大系数；1．β值的分档要求：80~50，120~80，180~120，270~180，400~270，对应的分档号分别用1、2、3、4、5表示，并用数码管显示； 2．对应的色标分别是绿、蓝、紫、灰、白；3．β值不在上述范围内的三极管，由数码管显示0来表示；二、方案设计与论证三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号。
其中有个重要参数就是电流放大系数β。
当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是输入电流β倍的电流，即集电极电流Ic 。
集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化。
根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流Ic 与基极电流Ib 的比值，用β表示。
要测量三极管的电流放大倍数β，必须给三极管以合适的静态偏置，如果三极管工作在线性放大区，若Ib 一定，则Ic 正比与β，即有Ic=β*Ib .要将三极管按β值进行分档，可将三极管集电极电流Ic 转化成相应的电压VO 输出，VO 大小正比与β值，然后将VO 信号同时加到具有不同基准电压的比较器的输入端进行比较，对某一定VO 值，则与VO 相比相对低基准电压比较器输出为低电平，与VO 相应相对高基准电压比较器输出为高电平。
例如分成六档，则需要六个电压比较器，六个比较器的输出便形成了6位二进制代码，将6位二进制代码进行分段式译码，便可驱动数码管显示出相应的档次代号并点亮相对应的LED 指示灯。
图1.1总原理图方案一、偏置电路可以用直接输出集电极的电压在输入到电压比较器，如图，可是那样计算和麻烦，此时的电压表达式为：V0=VCC-β*(VCC-Ube)*Rc/Rb,所以找另一个方案。
晶体管放大倍数检测电路的设计与实现
设计晶体管放大因子检测电路就像为我们的电子朋友制造超级英雄服
我们需要确保它能够准确测量晶体管的放大系数，这就像了解我们英
雄的超能力。
电路应该是坚固的，能够承受噪音和其他干扰，如超级
英雄与反派的战斗。
当然，它应该负担得起，而且容易建造，只使用
现有的电子设备，这样我们的英雄服就可以被大量生产，并被广泛用
于各种电子冒险。
有了这套超级英雄套装我们的晶体管就可以在任何电子应用中拯救这一天了！
为了保证检测电路正常运转你需要一些重要的东西你需要一个偏差网络让晶体管安装在右侧，正确的收集器电流和基压。
你必须有一个
方法测量电流或电压，像使用一个测距或电压计。
你可能想要一些
信号处理和显示以合理的方式显示放大系数。
当你把这些东西放在一起时，检测电路可以做一个扎实的工作，找出晶体管在不同情况下的放大系数。
在实现检测电路时，必须利用各种电子电源和设计技术。
操作放大器，晶体管，电阻器，电容器可以用于偏导网络和信号测量器的建设。
对
模拟或数字信号处理进行了改进，以便进一步处理和分析测量数据。
电路设计必须考虑到晶体管特性和环境因素的潜在变化，以确保一致
和准确的测量结果。
正是通过在设计和实施过程中仔细考虑这些因素，才能实现可靠有效的晶体管放大系数检测电路。
晶体管参数测试仪的设计
晶体管参数测试仪的设计张明英【摘要】以LM3S1138芯片作为控制核心,设计了一个晶体管参数测试系统。
该系统主要功能模块包括：恒流源阶梯信号、电压扫描信号、升压电路、保护电路等。
利用8位D/A转换器产生稳定的控制电压,通过集成在LM3S1138芯片中的10位A/D模块完成电压的测量。
通过RS232接口将测量数据传送到PC机,利用Matlab软件实现对测量数据的处理和显示。
测试结果表明：该晶体管参数测试仪工作良好,测量结果都在数据手册给的参数范围之内。
%A transistor parameters test system was designed using LM3S1138 single chip as its control core. The main function modules including: constant current source ladder, scanning signals, the voltage signal booster circuit, the protection circuit, etc. Using 8bit D/A converter generates a stable control voltage, 10bit A/D module integrated in LM3S1138 complete voltage measurement. The measurement data were transferred to PC by RS232 interface, using of Matlab software realization of measurement data processing and display. Test results show that the transistor parameter tester works well and the measurement results is within the range of data given in the data sheet.【期刊名称】《电子设计工程》【年(卷),期】2012(020)018【总页数】3页(P73-74,77)【关键词】晶体管参数测试;LM3S1138;恒流源;保护电路;串口通信【作者】张明英【作者单位】西安外事学院,陕西西安710077【正文语种】中文【中图分类】TN307晶体管测试仪应用广泛，功能因测量参数不同而不同，有的可以测量晶体管的放大系数、反向击穿电压、反向饱和电流、晶体管的输入输出特性曲线、延迟时间、晶体管开启时间、存贮时间等多种参数，有的只是测试晶体管的好坏，也有的数字万用表可以测晶体管的直流放大系数。
晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现解读
晶体管放大倍数β检测电路旳设计与实现试验汇报一，摘要简易晶体管放大倍数β检测电路由三极管类型鉴别电路，三极管放大倍数档位鉴别电路，显示电路，报警电路和电源电路五部分构成。
三极管类型鉴别电路旳功能是运用NPN型和PNP型三极管电流流向相反旳特性，通过判断发光二极管亮灭判断三极管旳类型是NPN型还是PNP型。
三极管放大倍数档位鉴别电路旳功能是运用三极管旳电流分派特性将β旳测量转换为对三极管电流旳测量，并实现对档位旳手动调整，并运用比较器旳原理，实现对档位旳判断。
显示电路旳功能是运用发光二极管将测量成果显示出来。
报警电路旳功能是当所测三极管旳β值超过测量范围时，可以进行报警提醒。
电源电路旳功能是为各模块电路提供直流电源。
关键字：放大倍数β，档位判断电路，显示电路，报警电路二，设计任务规定及原理电路1.基本规定：⏹设计一种简易晶体管放大倍数β检测电路，该电路可以实现对三极管β值大小旳初步判断。
1电路可以检测出NPN.PNP三极管旳类型。
2电路可以将NPN型三极管放大倍数β分为不小于250，200-250，150-200，不不小于150共四个档位进行判断。
3用发光二极管来指示被测电路旳β值属于哪一种档位。
4在电路中可以手动调整四个档位值旳详细大小。
5当β超过250时可以闪烁报警。
⏹设计该电路旳电源电路（不规定实际搭建），用PROTEL软件绘制完整旳电路原理图（SCH）及印制电路板图（PCB）。
2.提高规定：1电路可以将PNP型三极管放大倍数β分为不小于250，200-250，150-200，不不小于150共四个档位进行判断，并且可以手动调整四个档位值旳详细大小NPN,PNP三极管β档位旳判断可以通过手动或自动切换。
2PROTEL软件绘制该电路及其电源电路旳印制电路版图（PCB）。
3.设计思绪、总体构造框图:图1 简易双极性三极管放大倍数β检测电路旳总体框图①分块电路和总体电路旳设计（含电路图）晶体管判断电路图2 三极管类型鉴别电路和放大倍数β测量电路如图，由于NPN 型与PNP 型二极管旳电流流向相反，当两种三极管按图中电路构造且连接方式相似时（即集电极接上端，发射极接下端），则NPN 型三极管导通，从而发光二极管亮。
晶体管测试仪原理
晶体管测试仪原理
晶体管测试仪是用于测试晶体管电性能的一种仪器。
它可以通过测量晶体管的电流放大倍数、漏极电流以及电流增益等指标来评估晶体管的工作状态和性能。
实现这些测试的原理主要包括以下几个方面。
首先，晶体管测试仪需要提供适当的电源电压和电流，以确保晶体管工作在正常的工作电压和电流范围内。
在测试时，晶体管通常会被连接到测试仪上，并通过适当的电路被驱动。
适当的电源电压和电流可以通过测试仪的控制面板或者控制程序进行设置。
其次，晶体管测试仪需要提供适当的测量电路来测量晶体管的电流放大倍数和漏极电流。
这通常通过建立一个特定的电路来实现，该电路包含了适当的电阻和电压测量装置。
在测试时，测量电路会将晶体管的输入信号和输出信号与适当的电阻相连，并通过电压测量装置来测量电阻上的电压。
根据欧姆定律和基尔霍夫定律，可以通过测量电压和电阻值来计算晶体管的电流放大倍数和漏极电流。
最后，晶体管测试仪可以通过适当的数据处理和显示装置来分析和显示测试结果。
数据处理通常涉及计算和记录测试结果，并将其显示在仪器的显示屏上。
这样，测试人员可以直观地了解晶体管的工作状态和性能。
总之，晶体管测试仪通过提供适当的电源和测量电路，以及数据处理和显示装置，可以实现对晶体管电性能的测量和评估。
这些测试的原理主要是基于电流和电压的测量，通过计算和分析来得出晶体管的工作参数。
晶体放大倍数检测电路
晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现一、摘要：三极管根据不同的连接方法可以构成电压、电流、功率等放大电路，并且不同的三极管有不同的放大能力，一般三极管分为PNP和NPN两种类型。
三极管放大倍数β检测电路是用以判别三极管类型并予以检测放大倍数β的检测电路。
其首先是利用三极管NPN和PNP电流流向相反判断三极管类型，再利用三极管的电流分配特性，将β的测量转化为对三极管电流的测量，再通过电阻转换称电压信号的测量，同时实现对档位的手动调节，并利用比较器的原理，实现档位的判断。
关键词：类型判别电压比较器档位检测二、实验设计任务要求：1.基本要求：设计一个简易晶体管放大倍数β检测电路，该电路能够实现对三极管β值大小的初步判断。
系统电源DC±12V。
⑴电路能够检测出NPN、PNP三极管的类型⑵电路能够将NPN型三极管放大倍数β分为大于250、200~250、150~200、小于150共四个档位进行判断⑶用发光二极管来指示被测三极管的β值属于哪一个档位⑷在电路中可以手动调节四个档位值的具体大小⑸当β值超出250时能够光闪报警2.提高要求：⑴电路能够将PNP型三极管放大倍数分为大于250、200~250、150~200、小于150共四个档位进行判断，并且能够手动调节四个档位值的具体大小⑵NPN、PNP三极管β档位的判断可以通过手动或自动切换。
三、实验设计思路及总体结构：由实验任务要求里的判别和检测三极管放大倍数，将该系统分成三大模块设计，分别为类型判别电路、档位检测显示电路、报警电路，结构图如图所示：四、所用元器件以及所用的仪表清单：所用元器件：测试仪表：此实验中NPN管采用的是8050，PNP管采用的是8550，发光二极管可供选择有红、黄、绿三种颜色。
查得这两中三极管及发光二极管的工作特性如下：三极管S8550 (500mA) SOT-23 3000PCS/卷，S8050 (500mA) SOT-23 3000PCS/卷S8550 (800mA) SOT-23 3000PCS/卷，S8050 (800mA) SOT-23 3000PCS/卷SS8550 (1.5A) SOT-23 3000PCS/卷，SS8050 (1.5A) SOT-23 3000PCS/卷其中8050和8550放大倍数在100~350左右，一般不超过400，耐压30V。
一种检测双极型晶体管电流放大倍数的电路和方法[发明专利]
![一种检测双极型晶体管电流放大倍数的电路和方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/34df86ce647d27284a735138.png)
专利名称：一种检测双极型晶体管电流放大倍数的电路和方法专利类型：发明专利
发明人：李小勇,李威
申请号：CN202010135477.6
申请日：20200302
公开号：CN111308304A
公开日：
20200619
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种检测双极型晶体管电流放大倍数电路，包括：与待测第一双极型晶体管耦合的匹配单元、比较单元以及SAR单元；所述匹配单元配置为通过两条电阻性支路向所述第一双极型晶体管的基极和集电极提供电流；所述比较单元配置为比较所述第一双极型晶体管的基极和集电极电压并输出比较结果；所述SAR单元，配置为根据所述比较单元输出结果生成相应调节信号调节所述匹配单元中一条电阻性支路的阻值，通过逐次逼近的方式使所述第一双极型晶体管基极和集电极电压趋同。
本申请还提供了一种电子设备，一种检测双极型晶体管放大倍数的方法以及一种电子设备的操作方法。
申请人：上海料聚微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区秋月路26号1号楼215室
国籍：CN
代理机构：北京威禾知识产权代理有限公司
代理人：沈超
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晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现
课题名称晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现一、摘要本实验是简单的三极管放大倍数β检测电路的设计与实现。
主要由三极管类型判别电路、三极管放大倍数档位判断电路、显示电路、报警电路及电源电路五个部分组成。
首先通过普通LED 发光二极管的亮灭实现判断三极管类型，并将β值的变化转化为电压的变化从而利用电压比较器及LED管实现β值档位 (＜150、150～200、200～250、＞250)的判断与显示、并在β＞250时通过LED管闪烁报警。
关键词：三极管、β、LED、电压比较器、报警二、设计任务要求基本要求：设计一个简易晶体管放大倍数β检测电路，该电路能够实现对三极管β值大小的初步判断。
系统电源DC=10V1.通过该电路板块一能够检测出NPN、PNP三极管的类型。
2.电路能够将NPN型三极管放大倍数β分为大于250、200～250、150～200、小于150共四个档位进行判断。
3．用发光二极管来指示被测三极管的β值属于哪一个档位4.在电路中可以手动调节四个档位值的具体大小。
5.当β超出250时能够闪烁报警。
提高要求1.电路能够将PNP型三极管放大倍数β分为大于250、200～250、150～200、小于150共四个档位进行判断，并且能够手动调节四个档位值的具体大小。
2. NPN、PNP三极管β档位的判断可以通过手动或自动切换三、设计思路和总体结构框图本实验关键之处系如何将三极管放大倍数β的变化用一个便于测量的物理量的变化来表示。
实验室最易测量的量即是电压，并且三极管CE极间电压便可反应集电极电流I c的变化，故不妨用某种手段固定I b值，通过检测CE极间电压的变化间接检测β的变化。
而将电压值分为几个档位很容易想到用电压比较器实现并通过输出电流驱动LED显示出来。
最后，报警电路可利用LED闪烁报警，可由555定时器实现。
四、分块电路、总体电路的设计（电路图）现将实验电路可为“4+1”个板块。
“4”指的是三极管类型判别电路、三极管放大倍数β档位判断电路和显示电路、报警电路和电源电路；“1”指的是从NPN型管β检测到PNP型管β检测的转换电路。
测量晶体管放大倍数的设计与实现实验报告(非常全)
由上面的公式可设计出该部分的电路如图3所示，其中的电压比较器都用独立的元件画出。
可见其核心部分是由三个运算放大器构成的三个电压比较器。所有的运算放大器的反相输入端都与前一部分电路的三极管的集电极（或发射极）相连，作为该部分电路的输入端口。而三个运算放大器的同相输入端分别接入由串联的四个电阻分压而得到的三个不同的电平值，将这个电平值与各自的反相输入端输入的电平值进行比较，从而判断当前的Vc所对应的β所在档位。
2、电路能够检测出NPN、PNP三极管的类型；
3、电路能够将NPN型三极管放大倍数β分为大于250、200～250、150～200和小于150四个档位进行判断；
4、用发光二极管来指示被测三极管的放大倍数β值属于哪一个档位，当β超出250时二极管能够闪烁报警；
5、在电路中可以手动调节四个档位值的具体大小；
运算放大器在本电路中所起的作用为电压比较器的作用。一个最基本的电压比较器有两个输入端和一个输出端，两个输入端包括同相输入端和反相输入端，分别记为Vi+和Vi-。当同相输入端的输入电压高于反相输入端（即Vi+>Vi-）时，输出端输出为高电平；否则输出为低电平。
三极管放大倍数β档位测量电路和显示电路如图3所示
图7
图7是PNP管类型判断与放大倍数β检测电路。
总的电路实现的功能有：判断三极管的类型是NPN还是PNP，而且能对三极管放大倍数β分为大于250、200~250、150~200、小于150共四个档位进行判断，并在β值大于250的时候能够进行闪烁报警。电路中用发光二极管来指示被测三极管的β值属于哪一个档位。电路中可以手动调节四个档位值的具体大小，而且NPN、PNP三极管β档位的判断可以通过手动或自动切换。
计算机仿真 晶体管放大器的设计与调测
计算机仿真（PSpice8.0）
晶体管放大器的设计与调测
要求：
设计一个分压式电流负反馈偏置的单级共射极小信号放大器。
电源电压为+12V，外接负载为2kΩ，信号源内阻为50Ω，最低工作频率为100Hz，三极管为8050（r bb’=300Ω，β=150），使用220kΩ电位器。
电路电压放大倍数大于50，输入电阻大于2kΩ。
对设计好的电路图进行以下仿真分析并给出以下仿真结果：
（1）静态工作点仿真；
（2）输入输出瞬态波形曲线；
（3）幅频特性曲线；
（4）输入阻抗曲线；
（5）输出阻抗曲线。
解：（1）下图即为晶体管放大器的静态工作点仿真。
可见晶体管工作在放大区。
（2）下图即为输入输出瞬态波形曲线（上图为输入波形，下图为输出波形）。
该电路的增益为58.3757。
（3）下图即为幅频特性曲线。
（4）下图即为输入阻抗曲线。
当频率为913.701Hz时，输入阻抗为2.5208kΩ。
（5）下图即为输出阻抗曲线。
当频率为3.2348kHz时，输出阻抗为3.7572kΩ。
晶体管放大电路仿真
物理与电子科学学院电路设计与仿真实验—基于Multisim 12.0实验报告姓名：刘斌班级：物电 1105 班学号： 2011112030560实验课题：晶体管放大电路仿真一、实验目的1.学习晶体管组成的基本电路（各种放大器）。
2.观察仿真电路结果，比较与理论值的区别，并得出结论。
3.了解常见的基本信号发生电路。
4.了解常见的波形变换电路。
二、实验器材Multisim12.0仿真软件，计算机三、实验内容普通放大器，跟随器，差动放大器，其它放大器四、实验原理基极电流Ic=βIb Ib+Ic=Ie五、实验步骤1.普通放大器（共射极放大电路），仿真电路与示波器显示结果如下：从仿真结果来看：共射极的放大器输出与输入的极性相反，且输出与输入的比值相比后实现了放大的倍数。
2.射极跟随器（共集电极放大电路）三个特性：（1）电压放大倍数接近于1但小于1，输出电压与输入电压同相，有电流放大和功率放大的作用。
（2）输入阻抗很大。
（3）输出阻抗很小。
仿真电路与示波器显示结果如下：验证射极跟随器的输入阻抗：1.验证输入阻抗很大：仿真原理图及结果：从公式可以算出：（VXMM1—VXMM2）/5K= VXMM2/Ri，即Ri=17.4K欧姆。
即验证了输入阻抗的性质。
2. 验证输出阻抗很小：同理算出：R o=255.6欧姆，即输出的阻抗很小。
3. 差动放大器电路图如下：差模放大器单端输入电路晶体管差动放大双端输入电路4. 其它放大电路（1）有负反馈二级放大电路其展宽放大器通频带的验证如下图：（2）无负反馈二级放大电路其展宽放大器通频带的验证如下图：（2）单电源互补对称功率放大器调节电位器R7，调整静态工作点，得万用表示数为12.016V。
调整好静态工作点后，按如上图所示的电路，仿真开始后，调节输入信号的幅度，用示波器观测，到刚好不失真为止，这时是电路的最大输出功率。
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图 ２案 例 仿 真 图
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收 稿 日期 ： ２ ０ １ ７ — ０ ６ —０ ２
基金项 目： 天津－ Ｗ ＿ － Ｙ － 大 学中环信息学院青年教 师科 研育苗基金， 基于案例 的电子技 术 实践教 学设备的设计与开发（ Ｋ ＹＬ Ｇ ０ ４ ） 。
作 者简介： 贺艳 （ １ ９ ８ ４ －） ， 女， 山 东蓬 莱 人 ， 本科 ， 讲 师， 研 究方向： 通信技 术。
设计 开发
内部 的程序存储器里的对应编号 的景点信息进行景点语音播报 ， 液 晶同步文字显示 ， 每次景点信息只播放一次 ， 不重复播放 ， 按复位 键
共 由六部分组成 ， 分别为直流稳压 电源、 工作点设置电路 、 Ｉ ／ Ｖ 转换
电路 、 电压 比较 电路 、 译码驱动 电路及Ｌ Ｅ Ｄ 显示构成。 Ｐ ｒ ｏ ｔ（ １ ） 直流稳压 电源 ： 主要 为其 他各部分 电路提供工作 电压 ， 以确
（ ４ ） 电 压 比较电路 ： 可以把转换 电压和样 电压进行 比较 ， 从而得 到 比较结果。 即将Ｖ 信号同时加到具有不 同基准电压的 比较器的输
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图 １分 选 仪 的原 理 框 图 表 １与 的 对 应 值
子 元 器 件 验 证 该 系统 功 能 。 设 计 思路 可 用 于 实 际 实 际 器件 检 测 中， 便 于将 晶 体 管 快 速 高 效 分 类 收 纳 ． 关键词 ： 电流 放 大倍 数 ； 自动 检 测 ； Ｐ ｒ ｏ ｔ ｅ ｕ ｓ 仿 真
中图分类号： Ｔ Ｎ７ １ ３
文献 标识 码 ： Ａ
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档 化
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保其他 元器 件能够 正常工 作ｆ 。 （ ２ ） 工作点设置 电路 ： 主要提供被测 电流 ， 要测量晶体管的电流
放大系数 ｐ， 必 须给 晶体管 以合适 的静态偏置 ， 若Ｉ 一定 ， 则Ｉ 正 比 于 ｐ， 使晶体管处在线性放大状态 ， 则有Ｉ ＝Ｄ Ｉ ［ ２ 】 。 （ ３ ） Ｉ ／ Ｖ 转换 电路 ： 作为电流转 换为 电压 的元 器件 ， 主要是把共 射极放大 电路 中的电流转化为所需要 的电压 。 要将 晶体管按 Ｄ 值进
０ ０
ｖ ４ ｖ ５ Ｖ ６
（ ） ０ ０ ０ ０ ｆ ） ０ ０ ０ ｌ ０ ０ ０ ０ Ｉ 】
０ ０ ０ ｌ ｌ ｌ
Ｄ ２ Ｄ ３ Ｄ ４ Ｄ ｓ Ｄ ６ Ｄ ７
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０ ｌ ｌ ｊ ｌ ｌ ｌ ｌ １ ｌ ｌ Ｏ
４
０
注： ０ 代表 输出ＶＯ 高于相对应基 准电压 ； １ 代表输 出ＶＯ低于 相 对应基准 电压 。 行分档 ， 可将晶体管集 电极电流Ｉ Ｃ 转换成相应的 电压Ｖ 输出， Ｖ 的 大 小 正 比于 Ｄ值 。
文章编号： １ ０ ０ ７ ． ９ ４ ｌ ６ （ ２ ０ １ ７ ） ０ ６ ． ０ ２ ０ １ 一 Ｏ １
１案例 设 计
入端进行 比较 ， 对应某一定Ｖ 值， 则与Ｖ 目 比相对低基准 电压 比较 器输出为低电平 ， 与Ｖ 相 比相对高基 准电压 比较器 输出为高 电平 。 设计一个 简易晶体管放 大倍 数 Ｄ自动 检测分选 电路 ， 该 电路 则 Ｄ值与Ｖ 值对应范 围如表 ｌ 所示 。 能够实现对 三极管 Ｄ值大小 的初步判断 。 用数码管 显示被测 晶体 （ ５ ） 译码驱动电路 ： 将电压 比较电路 比较的结果进行转换进而驱 管的档 次。 共分 五档 ， 其 ｐ值 的范围分别为 ５ ０ －８ ０ ， ８ ０ －１ ２ ０ ， １ ２ ０ － Ｅ Ｄ显示 。 将表 １ 中对应的 电压值分别作 为六 个比较器的基准 电 １ ８ ０ ， １ ８ ０ －２ ７ ０ ， ２ ７ ０ －４ ０ ０ ， 分档编号分别是１ ， ２ ， ３ ， ４ ， ５ 。 当 ｐ超 出４ ０ ０ 动Ｌ 六个 比较器的输出分 别为Ｖ 一 Ｖ ， 将６ 位二进制代码作为译 时二极管能够 报警 。 选用发光二极管模拟分档开关 ， 数码管显示对 压Ｖ ，
可得分段 式译 码器的真值表 ， 如表２ 所示 ， 便可驱 应 分档编号 的同时点亮相应档位 的发光二极管 ， 模拟实 际 自动 检 码器 的输入信号 ， 动数 码管显示 出相应的档次代号 。 ｐ＜ ５ ０和 ｐ ＞４ ０ ０时 ， Ｌ Ｅ Ｄ显示 测后的分档 收纳。 ０ ， Ｂ在各分选 档时 ， Ｌ Ｅ Ｄ分别显示０ — ５ 。 ２原 理 及方 案 设计 （ ６ ） Ｌ Ｅ Ｄ 显 示： 用以显示 不同 ｐ值的分档编号 。 晶体管 电流放大倍数 自动检测分选仪 的原理 框图如 图１ 所 示。 表 ２译 码 电 路 真 值 表
救 字技 术
ｆ与 应 用
设计 开 发
晶体管电流放大倍数 自动检测分选仪的设计与仿真
贺艳 蔡伟超 李晓江 于颜儒 申倩伟
ｆ 天 津理 工 大学 中环信 息学 院， 天津 ３ Ｃ ） ０ ３ ８ ０ ）
摘要： 本文 以晶 体 管 电流 放 大倍 数 自动检 测 分 选仪 为 背景 ， 运 用 模 拟 电路 和 数 字 电路 通ｉ ￣ ＿ Ｐ ｒ ｏ ｔ ｕ ｅ ｓ 软 件 仿 真 并在 面 包板 上 插接 芯 片 及 电