模拟电子技术基础pdf

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（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案

（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案

电⼦技术课程组

2018.8.15

⽬录

第1章习题及答案 (1)

第2章习题及答案 (14)

第3章习题及答案 (36)

第4章习题及答案 (45)

第5章习题及答案 (55)

第6章习题及答案 (70)

第7章习题及答案 (86)

第8章习题及答案 (104)

第9章习题及答案 (117)

第10章习题及答案 (133)

模拟电⼦技术试卷1 (146)

模拟电⼦技术试卷2 (152)

模拟电⼦技术试卷3 (158)

第1章习题及答案

1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。

A. 五价

B. 四价

C. 三价

（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。

A. 增⼤

B. 不变

C. 减⼩

（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。

A. 正向导通

B.反向截⽌

C.反向击穿

解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C

1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）

图P1.2.1

解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V

1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）

图P1.2.2

解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V

1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

模拟电子技术基础pdf

本书是参照1977年11月全国高校工科基础电气与无线电教材会议编制的《电子技术基础》（自动化）教材的教学大纲，以及其他人提出的修改建议编写而成。兄弟院校。出版了《模拟电子技术基础知识》和《数字电子技术基础知识》两本书。本课程的基础部分可用于高校自动化专业“电子技术基础”课程的两个学期。

在编写过程中，我们尽量注重分析问题和解决问题的能力的培养。我们认为自动化专业的毕业生应该有预见能力，二次计算，三选四。会读是指能够理解本专业典型电子设备的原理图，了解各部分的组成和工作原理；会计算是对各环节的性能进行定性或定量的分析和估算；能够选择和能在满足专业一般任务时大致选择方案和选择相关元器件和设备，通过安装调试，基本可以开发。为了提高对电路设计的基本概念和基本方法的阅读能力，我们应该在课程中加强对基本概念和基本方法的阅读能力，其中还包括一些设计实例和一些关于实际问题的章节。电子设备。

在处理新技术日益增多与空间有限的矛盾时，我们采取措施使学生适应上世纪80年代电子技术发展的需要，同时保证基本概念、基本原理和基本分析方法。因此，一些

由分立元件组成的单元，如调制放大器、功率放大器、门电路和触发电路的内容大大减少，而与线性集成电路和数字集成电路有关的单元也相应地增加了。此外，小写字母（更深入的部分）、星号（其他内容）和投注（附加说明和参考资料）也用于满足不同的要求。在总结了《模拟电子技术》的基本章节后，还附上了一个思路流程图，以帮助读者理解编写的意图和基本内容，并用粗线条勾勒出来。）

童世白、金国芬、严实、吴百春、孙家新、张乃国参加了模拟电子技术基础课程的编写。童世白负责组织定稿。马忠普、董红芳、杨苏兴、王汉伟、孙长岭、胡东城、游素英等参加讨论整理。朱亚尔、蔡文华、朱占星、杨、胡二山等同志参加讨论整理。李世新同志协助了部分绘图工作。

童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详波形的发生器和信号的转换)【圣才出

第

8章　波形的发生器和信号的转换

8.1　复习笔记

一、正弦波振荡电路1．产生正弦波振荡的条件

（

1）振幅平衡条件：

（2）相位平衡条件：

（3）起振条件：

2．正弦波振荡电路的组成

（1）放大电路：保证电路有从起振到动态平衡的过程，使电路获得一定幅值的输出量，实现能量的控制。

（2）选频网络：确定电路的振荡频率，使电路产生单一频率的振荡，即保证电路产生正弦波振荡。

（3）正反馈网络：引入正反馈，使放大电路的输入信号等于反馈信号。

（4）稳幅环节：也是非线性环节，使输出信号幅值稳定。

在不少实用电路中，常将选频网络和正反馈网络“合二而一”，且对于分立元件放大电路，也不再另加稳幅环节，而依靠晶体管特性的非线性来起到稳幅作用。

3．判断电路能否震荡的方法

（1）观察电路是否包含了放大电路、选频网络、正反馈网络和稳幅环节四个组成部分。

（2）判断电路是否有合适的静态工作点且动态信号是否能够输入、输出和放大。

（3

）判断电路是否满足振荡的相位条件、幅值条件。3．RC 正弦波振荡电路

（1）振荡条件：反馈系数

，电压放大倍数。

（2）起振条件：

，即。

12f R R （3

）振荡频率：。（4）典型的RC 正弦波振荡电路：文氏电桥正弦波振荡电路，如图8.1所示。

图

8.1 RC 文氏电桥正弦波振荡电路4．LC

正弦波振荡电路（1）谐振时，回路等效阻抗为纯阻性，阻值最大，值为：

其中，为品质因数；

为谐振频率。

（2）如图8.2所示，LC

并联谐振回路等效阻抗为：

图8.2 LC 并联网络

（3）变压器反馈式振荡电路的振荡频率为：

（4）三点式LC 正弦波振荡器（1MHz 以上频率），典型电路如图8.3所示。

模拟电子技术基础基本单元电路

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模拟电子技术基础基本单元电路
作者:申光臣
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说明
掌握好最基本的模拟单元电路对学好模拟电子技术有很大的帮助,本文的50多个单元电路来自童诗白教授《模拟电子技术基础(第三版)》.经作者补充后整理成本篇文章.整理时还参考了康华光先生的《电子技术基础模拟部分(第四版)》. 由于作者的知识水平和能力有限,文正肯定有很多不足和错误指出,还望各位老和同学给予批评和指正,以便我进一步完善和改进. 我的联系方式:E-mail:guangchen_99@sohu.com 作者:申光臣 2007年8月于邯郸学院

模拟电子技术第五版pdf下载

模电童诗白第五版pdf是一套最新版的高等物理学习电子课本。本书籍在继承了第四版内容的基础上，新增了不少的物理学重点教程知识。内容讲解的比较通俗化，可以适用于学生、教师用户学习。网友们下载后请使用pdf阅读器进行浏览！

电子图书内容介绍

《模拟电子技术基础（第5 版十二五普通高等教育本科***规划教材）》是普通高等教育“十二五”***规划教材，是总结首届 ***精品课程——清华大学“电子技术基础”的十年教学实践和资源共享课的建设工作，在第四版的基础上修订而成的。

主要内容包括:绪论、常用半导体器件、基本放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路中的反馈、信号运算与处理、波形产生与信号变换、功率放大电路、DC电源和模拟电子电路阅读。

模拟电子技术第五版pdf图书目录：

第0章绪论

第1章常用半导体器件

第2章基本放大电路

第3章集成运算放大电路

第4章放大电路的频率响应

第5章放大电路中的反馈

第6章信号的运算和处理

第7章波形的发生和信号的转换

第8章功率放大电路

第9章直流电源

第10章模拟电子电路读图

附录

部分自测题和习题答案

参考文献

索引

电子书内容特色

全书以导言开篇，以读图结尾；每章以本章讨论的问题开始，以小结结束；基本知识内容系统、精炼、深入。力图使读者站在电子系统的高度认识电路，以便学以致用；从设计的角度讲述部分电路，以便学习科学的思维方法；从结构特点阐明基本电路，以便掌握其精髓和“根本”；从具体电子电路应用的局限性获得重构电路的思路，以便学会自己发现问题、研究问题和解决问题；例题、思考题、自测题、习题层次分明，具有基础性、启发性、灵活性和实践性，特别增加了故障诊断和具有设计性质的问题，以提高综合应用基本知识的能力及理论指导实践的能力。

模拟电子技术基础实验预习报告-音频功率放大器Multisim仿真

模拟电子技术基础实验预习——音频功率放大器Multisim仿真

实验目的：

1.掌握OTL功率放大器的工作原理和基本概念；

2.熟悉集成功率放大器的安装和OTL电路参数测试方法；

3.了解功率放大器的应用。

实验内容：

1.静态工作点的测试

表2-8-1I E=5.963mA,U A=2.5V

VT1VT2VT3

U B/V0.80 3.15 1.86

U C/V 1.86 5.00 1.86

U E/V0.16 2.49 2.49

2.噪声电压的测试

3.OTL电路性能指标测试

从21mV加大后开始失真：

表2-8-3U A=2.5V,R L=8Ω

华中科技大学模拟电子技术基础课件ch01

华中科技大学电信系
1.4 放大电路模型
2. 放大电路模型
放大电路是一个双口网络。从端口特性来研究放大电路，可将其等效成具有某种端口特性的等效电路。输入端口特性可以等效为一个输入电阻输出端口可以根据不同情况等效成不同的电路形式
华中科技大学电信系张林
1.4 放大电路模型
2. 放大电路模型
A. 电压放大模型 Avo ——负载开路时的
电压增益
+ vs – Rs + vi – Ri – + Avo vi Ro + vo – RL
Ri —— 输入电阻 Ro —— 输出电阻
由输出回路得
RL vo = Avo vi Ro + RL
RL ↓
则电压增益为
vo RL = Avo Av = vi Ro + RL
由此可见
Av ↓
Ro << RL
即负载的大小会影响增益的大小
B.频率失真（线性失真）
幅度失真：对不同频率的信号增益不同，产生的失真。相位失真：对不同频率的信号相移不同，产生的失真。
O O
vI
信号基波二次谐波
t
vO
信号基波二次谐波
t
华中科技大学电信系
张林
1.5 放大电路的主要性能指标
5. 非线性失真

模拟电子技术基础课件(康华光)第八章

功放管的散热
功率器件－VVMOS
end
由NPN管与乙类互补功放组成的功率放大器.分析方法同上. 此电路存在的问题： K点电位受到限制
理想情况：输入负半周最大时T1饱和、T2截止输出近似等于VCC；输入正半周最大时T2饱和、T1截止输出近似等于0。交流输出电压幅值Vom≈VCC/2。，Vom明显小于VCC/2。除非提高VD
（3）功率放大电路的特点： •要求输出功率尽可能大：输出信号电压和电流大，使放大管工作在极限状态，因此必须保证放大管的安全工作。 •要求效率高：效率——负载得到的有用信号功率与电源提供的直流功率之比。 •要求非线性失真小：由于功率放大电路是大信号运用，接近晶体管的截止区和饱和区，容易产生非线性失真。可见，输出功率与非线性失真是功率放大电路的一对主要矛盾。 •功放管的散热:有相当大的功率消耗在管子上，引起温升
乙类互补功放电路的管耗
• 考虑到当T2导通时，-vCE2≈0,此时vCE1具有最大值，且等于2VCC。因此，应选用|V（BR） CEO|>2VCC
• 通过BJT的最大集电极电流为VCC/RL，所选BJT 的ICM一般不宜低于此值。
end
8.4 甲乙类互补对称功率放大电路
8.4.1 甲乙类双电源互补对称电路 8.4.2 甲乙类单电源互补对称电路 8.4.3 带自举电路的单电源功放

模拟电子技术基础(第四版)_华成英_518页

反向饱和电流
开启电压
温度的电压当量
反向饱和电流 1µA以下几十µA
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn
利用Multisim测试二极管伏安特性
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn
从二极管的伏安特性可以反映出： 1. 单向导电性 u UT i I ( e 1) 正向特性为 S
大功率二极管
稳压二极管
发光二极管
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn
一、二极管的组成
点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。
面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。
平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。
• 广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机 • 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 • 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 • 交通：飞机、火车、轮船、汽车 • 军事：雷达、电子导航 • 航空航天：卫星定位、监测 • 医学：γ刀、CT、B超、微创手术 • 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn

模拟电子技术基础-知识点总结 (1)

二. 半导体二极管该式与伏安特性曲线

微变等效电路法

3.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性正常工作时处在PN

2. 三极管内各极电流的分配

表明三极管是电流控制器件式子

* 输出特性曲线

(饱和管压降，用U表示

）改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。

）改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。

）改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。

（1）截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。

*当（U CEQ－U CES）＜（V CC’ － U CEQ）时，受饱和失真限制，

*当（U CEQ－U CES）＝（V CC’ － U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。

六. 放大电路的等效电路法

（2）Q点在放大区的条件

βRc。

放大倍数

输入电阻

* 输出电阻

7.分压式稳定工作点共射

在R e两端并一电解电容C e后输入电阻

3. 电路特点

2. 输出特性曲线

（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）

二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）

分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。

结构示意图和电路符号

2. 特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

* N-EMOS的转移特性曲线

时所对应的i D值。

注意：u GS可正、可零、可负。转移特性曲线上i D=0型场效应管一致。

三. 场效应管的主要参数

四. 场效应管的小信号等效模型

---

若带有C s，则

2.分压式偏置放大电路

，则

或

第四章多级放大电路

波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数，相频曲线是

三. 分压式稳定工作点电路的频率1．下限频率的估算

模拟电子技术基础pdf

模电往高大上讲，就是电子器件和电子线路及其应用的一门专业基础课。往通俗点说就是，高中理想的二极管贴近现实，甚至长了一个“脚”，三极管诞生了，各种功率等数据嫌小，找放大电路来帮忙，还有对看不见摸不着的信号进行各种处理。

模拟电子技术以晶体管、场效应管等电子器件为基础，以单元电路、集成电路的分析和设计为主导，研究各种不同电路的结构、工作原理、参数分析及应用。通过本课程的学习，使学生掌握模拟电路的基本原理及分析方法，深刻认识单元电路、集成电路在实际电路中的应用。

学习后，您将会做什么：

能熟练掌握阅读和分析电路图的方法，具备查阅电子器件和集成电路手册的能力，学会常用电子仪器的使用，掌握电路的设计、安装及调试方法

适用人群：

从事电子技术使用以及现场维修的技术人员。PLC使用人员，中级或以上的电工。

课程特色：

以实际材料为例，迅速讲解相关知识，举例大量的实际电路知识，图示性强。能使人很清晰的看懂知识点。

第一章：直流稳压电源的制作与调试（第1-12课时）

第二章：分立元件放大电路分析与调试（第12-30课时）

第三章：集成运算放大器基础及负反馈电路（第31-37课时）第四章：集成运算放大器的应用（第38-49课时）

第五章：功率放大电路（第50-58课时）

第六章：正弦波振荡电路（第59-63课时）

第七章：光电子器件及其应用（第64-68课时）

第八章：晶闸管及其应用电路（第69-76课时）

模拟电子技术基础

2022 模拟电子技术基础

一、常用半导体器件

1.1本征半导体

纯净的，具有晶体结构的半导体

1.1.1本征激发：

自由电子导电；价电子依次填补空穴，形成了空穴的移动，空穴也能导电本征激发越多，导电能力越好

复合：自由电子与空穴相撞，重新变成价电子

1.1.2载流子的浓度

载流子的浓度与本征激发，复合相关。

本征激发的速率与温度有关，温度越高，本征激发的速率越快。

复合的速率与载流子的浓度有关

1.2杂质半导体

在本征半导体掺入少量杂质元素

1.2.1N型半导体

掺入少量P(磷)

多子→自由电子

少子→空穴

温度对N型半导体的多子影响不大，对少子浓度影响巨大

施主原子：贡献载流子的原子

1.2.2P型半导体

掺入少量B(硼)

多子→空穴

少子→自由电子

温度对P型半导体的少子影响不大，对多子浓度影响巨大

1.3PN结

由于扩散运动形成的空间电荷区，也称耗尽层(PN结)(阻挡层) 1.3.1基本概念

漂移运动：少子在空间电荷区的运动

漂移运动阻挡了因扩散运动而消耗势垒的可能

多子的扩散运动与少子的漂移运动就会达到动态平衡

空间电荷区的宽度与掺杂浓度有关，浓度高的区域PN结窄。

1.3.2单向导电性

外电场削弱了内电场的作用，使得扩散运动得以重新恢复

R限定了外电场通过的最大电流，防止PN结烧毁

反向电压会增强内电场的作用，抑制扩散运动，促进漂移运动；但是漂移运动属于少子，且与温度相关，漂移运动形成的电流称为反向饱和电流。

1.4PN结的伏安特性曲线

1.4.1正向特性：

存在死区，有导通电压：

PN结的电流方程

Is为反向饱和电流

U T为温度当量，仅跟温度相关。在室温下U T=26mV U为PN结上外加电压

模拟电子技术PDF.pdf

判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）

1．组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（√）。

2．有源器件是指：为满足晶体管正常工作条件，需加上直流电源（×）。

2．为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。（×）

3．直流放大器必须采用直接耦合方式（√），

所以它无法放大交流信号。（×）

3．放大电路的静态是指：（1）输入端开路时的电路状态。（×）

（2）输入信号幅值等于零时的电路状态。（√）

（3）输入信号幅值不变化时的电路状态。（×）

（4）输入信号为直流时的电路状态。（×）

5．H参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。（×）

6．H参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。（×）

7．晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。（×）

8．在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降，（√）

输出电阻也减小。（×）

9．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。（×）

10．图判断题10所示放大电路具备以下特点：（1）电压放大倍数接近于1，负载RL是否接通关系不大；（√）（2）输出电阻比2k小得多，（√）

（3）与晶体管的β大小无关；（×）

（3）输入电阻几乎是ber的β倍。（×）

11．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。（√）

12. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减小。（×）

13．MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大（×）14．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（√），输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。（×）

电子技术基础模拟部分.pdf

电子技术基础模拟部分第一章绪论

1、写出下列正弦电压信号的表达式（设初始相角为零）：（1）峰-峰值10V ，频率10 kHz; （2）有效值220 V ，频率50 Hz; （3）峰-峰值100 mV ，周期1 ms ；（4）峰-峰值0.25 V ，角频率1000 rad/s;

解:正弦波电压表达式为 )t sin(V = (t)m θω+v ，由于0=θ，于是得到：（1） V )105sin(2 = (t)4t v π⨯；（2） V 001sin 2220 = (t)t v π；（3） V 00020.05sin = (t)t v π；（4） V 00010.125sin = (t)t v ；

2、电压放大电路模型如图( 主教材图 1.4. 2a ) 所示，设输出开路电压增益10=vo A 。试分别计算下列条件下的源电压增益s vs A υυο=:

( 1 ) si i R R 10= ，οR R L 10=； ( 2) si i R R = ，οR R i =； ( 3) 10si i R R = ，10οR R L =； ( 4 ) si i R R 10= ，10οR R L =。

电压放大电路模型

解：由图可知，)(i si i

i s R R R v v +=

，i v L L

A R R R v νοοο⋅+=

，所以可得以下结果: （1）si i R R 10=，οR R L 10=时，i i si i i s v R R R v v 1011)(=+=，i i v L L v A R R R v 1011

模拟电子技术基础(完整课件)

T＝300K（室温)或有外界刺激时，本征半导体的价电子获得足够能量挣脱共价键的束缚，成为自由电子— —本征激发
返回
自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，这个空位为空穴。
本征激发
或热激发 +4 空穴 +电4 子空穴+对4
+4
+4 自由电子 +4
+4
+4
+4
+4
Baidu Nhomakorabea+4
+4
动画1-1
1959年2月6日，基尔比向美国专利局申报专利，这种由元件组合的微型固体被叫做“半导体集成电路”（Integrated Circuit），缩写IC。
在基尔比发明集成电路不久后的1961年，德州仪器公司研制出第一台用集成电路组装的计算机，标志着电脑从此进入它的第三代历史。该机共有587块集成电路，重不过300克，体积不到100立方厘米，功率只有16瓦。——基尔比是发明人之一。
NPN Ge晶体管
W. Schokley J. Bardeen W. Brattain
获得1956年 Nobel物理奖
从结型晶体管诞生到第一个晶体管商用产品的推出只有3年的时间——助听器。
1954年10月18日，有了第一台投入市场晶体管收音机Regency TR1，这个产品采用了 4只晶体管。