晶体缺陷
材料科学 晶体缺陷
FS/RH 规则
44
各种位错的柏氏矢量
45
柏氏矢量的物理意义
1。反映位错周围点阵畸变的总积累(包括强度 和取向) 2。 该矢量的方向表示位错运动导致晶体滑移 的方向, 而该矢量的模表示畸变的程度称为位 错的强度。 (strength of dislocation)
46
柏氏矢量的守恒性
柏氏矢量的守恒性:与柏氏回路起点的选择无关, 也与回路的具体途径无关 1。一根位错线具有唯一的柏氏矢量, 其各处的柏氏矢量都相同, 且当Байду номын сангаас错 运动时 , 其柏氏矢量也不变。 2。位错的连续性:位错线只能终止在晶体表面或界面上, 而不能中止于晶体 内部;在晶体内部它只能形成封闭的环线或与其他位错相交于结点上。
8
有序合金中的错位
9
置 换 式
填 隙 式
化学缺陷
10
正离子
负离子
11
离子晶体中的点缺陷
1-大的置换原子 2-肖脱基空位 3-异类间隙原子
4-复合空位 5-弗兰克尔空位 6-小的置换原子
12
2. 点缺陷与材料行为
结构变化:晶格畸变(如空位引起晶格收缩,间隙
原子引起晶格膨胀,置换原子可引起收缩或膨胀)。
B
29
30
螺位错的运动
31
螺位错与刃位错的主要区别:
刃型位错线与晶体滑移方向垂直,位错线的移动方向与 晶体滑移方向互相平行。 螺型位错线与晶体滑移方向平行,且位错线的移动方向与 晶体滑移方向互相垂直。 刃型位错滑移面只有一个。 纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位错线 的平面都可以作为它的滑移面。但实际上,滑移通常是 在那些原子密排面上进行。
晶体的点缺陷类型
晶体中的点缺陷包括以下类型:
1. 空位(Vacancy):晶体中原本应该存在的原子位置上没有原子,称为空位。空位可以通过电子缺陷或位错移动形成,它的晶格符号是V。
2. 间隙原子(Interstitial):晶体中存在原子的位置上没有原子,而是存在一个额外的原子,称为间隙原子。间隙原子可以通过原子扩散或晶体生长过程中的缺陷移动形成,它的晶格符号是I。
3. 置换原子(Substitution):晶体中原本存在的原子被另一种原子替代,称为置换原子。置换原子可以通过化学反应或高温高压下形成,它的晶格符号是X。
4. 原子缺失(Missing atom):晶体中原本存在的原子缺失,形成一个空位,称为原子缺失。原子缺失可以通过缺陷迁移、缺陷产生和晶体生长过程中的缺陷形成,它的晶格符号是V。
5. 缺陷线(Dislocation):晶体中原本存在的原子排列被破坏,形成一条线状的缺陷,称为缺陷线。缺陷线可以通过晶体生长、外力作用和高温高压等因素形成,它的晶格符号是D。
6. 位错(Dislocation):晶体中原本存在的原子排列被扭曲,形成一条线状的缺陷,称为位错。位错可以通过外力作用和晶体生长过程中的缺陷形成,它的晶格符号是D。
7. 扭曲(Twist):晶体中原本存在的原子排列被扭曲,形成一条线状的缺陷,称为扭曲。扭曲可以通过外力作用和晶体生长过程中的缺陷形成,它的晶格符号是T。
8. 晶界(Grain Boundary):晶体中两个或多个晶粒的交界面,称为晶界。晶界可以通过晶体生长过程中的缺陷形成,它的晶格符号是GB。
常见的晶体缺陷
常见的晶体缺陷
晶体是由原子或分子按照一定规律排列组成的固体物质,而晶体缺陷是指在晶体结构中出现的缺陷或不完美的区域。晶体缺陷可以是自然形成的,也可以是在制备或处理过程中产生的。
常见的晶体缺陷有以下几种:
1. 位错:指晶体中原子或分子的错位或扭曲现象,是一种线性缺陷。位错可以分为边缘位错和螺旋位错两种,它们的存在会导致晶体的弹性性质发生变化。
2. 点缺陷:指晶体中某些原子或分子的缺失或替代,是一种点状缺陷。点缺陷包括空位、附加原子、缺失原子和间隙原子等。
3. 晶界:指晶体中不同晶粒之间的交界面。由于晶界的存在,晶体中的原子排列方式和性质会发生变化,对材料的力学性能和电学性能等都有很大影响。
4. 色心:指晶体中某些原子或分子的缺失或替代,导致能量带结构的改变。颜色的形成就是由于色心的存在导致。
5. 位隙:指晶体结构中一些原子或分子的位置被其他原子或分子占据,从而形成的空隙。位隙也会影响晶体的物理性质。
以上就是常见的晶体缺陷,它们的存在会对晶体的性质和应用产生影响。在材料科学和工程领域中,对晶体缺陷的研究和控制具有重要的意义。
- 1 -
材料科学基础-第2章晶体缺陷
4
4
图Fig2-u1re点2缺-陷1 :P(oai)nt空d位efe(bc)t间s:隙(a原)子v(acc)a小n置cy换, 原(b子) in(dt)e大rs置ti换tia原l子ato(em) ,弗(c兰)克sm空a位ll (sfu)bs肖t脱itu基ti空on位al atom, (d) large substitutional atom, (e) Frenkel defect, (f) Schottky defect. All of these defects disrupt the perfect arrangement of the surrounding atoms.
线缺陷—在两个方向上尺寸很小,而另一个方向尺寸很 长的缺陷,即一维缺陷。也就是“位错”.这是本章要 重点讨论的。
面缺陷—在一个方向尺寸很小,而另两个方向尺寸很大 的缺陷,即二维缺陷。如相界面、晶界、亚晶界,还有 孪晶界、堆垛层错等。
3
3
Section 2.1 Point Defects 点缺陷
在一定温度下,存在一个使系统自由能最低的空位浓度, 称为该温度下的空位平衡浓度。空位形成能UV愈小,空 位平衡浓度愈大;温度愈高,空位平衡浓度也愈大。例如 纯Cu在接近熔点1000℃时,空位浓度为10-4 ,而在常 温下(~20℃)空位浓度却只有10-19 。
12
12
2.1.4 过饱和点缺陷
第三章晶体缺陷
(1)MX2型晶体肖特基缺陷浓度的计算
CaF2晶体形成肖特基缺陷反应方程式为:
O V 2V
'' Ca
. F
动态平衡
'' . 2 [VCa ][VF ] 4[VCa'' ]3 K [O] [O]
G=-RTlnK 又[O]=1, [V ] 2[V ]
. F '' Ca
注意:
则
1 G [V ] 3 exp( ) 3RT 4
• 螺型位错
C
D
C
D
B
A
(a )
B
A
(b) 螺型位错示意图
(a)立体模型 ;(b)平面图
螺型位错示意图
刃型位错结构的特点: 1).刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面上边 的称为正刃型位错,记为“┻”;而把多出在下边的称为负刃型位错,记为 “┳”。其实这种正、负之分只具相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界线。它不一定是 直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移方向相垂直,也垂直于滑移矢量。 3).滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面,在其他面上不能滑 移。由于在刃型位错中,位错线与滑移矢量互相垂直,因此,由它们所构成 的平面只有一个。 4).晶体中存在刃型位错之后,位错周围的点阵发生弹性畸变,既有切应变, 又有正应变。就正刃型位错而言,滑移面上方点阵受到压应力,下方点阵受 到拉应力:负刃型位错与此相反。 5).在位错线周围的过渡区(畸变区)每个原子具有较大的平均能量。但该 区只有几个原子间距宽,畸变区是狭长的管道,所以刃型位错是线缺陷 。
晶体缺陷
一、概述
1、晶体缺陷:晶体中原子(离子、分子)排列的不规则性及不完整性。种类:点缺陷、线缺陷、面缺陷。
1) 由上图可得随着缺陷数目的增加,金属的强度下降。原因是缺陷破坏了警惕的完整性,降低了原子间结合力,从宏观上看,即随缺陷数目增加,强度下降。
2) 随着缺陷数目的增加,金属的强度增加。原因是晶体缺陷相互作用(点缺陷钉扎位错、位错交割缠结等),使位错运动的阻力增加,强度增加。
3) 由此可见,强化金属的方向有两个:一是制备无缺陷的理想晶体,其强度最高,但实际上很难;另一种是制备缺陷数目多的晶体,例如:纳米晶体,非晶态晶体等。
二、点缺陷
3、点缺陷:缺陷尺寸在三维方向上都很小且与原子尺寸相当的缺陷(或者在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构正常排列的一种缺陷),称为点缺陷或零维缺陷。分类:空位、间隙原子、杂质原子、溶质原子。
4、肖特基空位:原子迁移到晶体表面或内表面正常结点位置使晶体内形成的空位。
5、弗仑克尔空位:原子离开平衡位置挤入点阵间隙形成数目相等的空位和间隙原子,该空位叫做弗仑克尔空位。
6、空位形成能EV:在晶体中取出一个原子放在晶体表面上(不改变晶体表面积和表面能)所需的能量。间隙原子形成能远大于空位形成能,所以间隙原子浓度远小于空位浓度。
7、点缺陷为热平衡缺陷,淬火、冷变形加工、高能粒子辐照可得到过饱和点缺陷。
8、复合:间隙原子和空位相遇,间隙原子占据空位导致两者同时消失,此过程成为复合。
9、点缺陷对性能的影响:点缺陷使得金属的电阻增加,体积膨胀,密度减小;使离子晶体的导电性改善。过饱和点缺陷,如淬火空位、辐照缺陷,还可以提高金属的屈服强度。
第一章-第二节 晶体缺陷
三、面缺陷
1、面缺陷 是指两个维度尺寸很大而在另一个维度上尺寸
很小的缺陷,金属晶体中的面缺陷主要是指晶
界、亚晶界、孪晶界、堆垛层错和相界等。
晶界:不同位向晶粒与晶 粒之间的界面(过渡区) 叫“晶粒间界”—简称晶 界。
亚晶界:每个晶粒内的晶格 位向在不同区域上有微小差 别的界面(过渡区),由一 系列刃型位错组成。
第二节 晶体缺陷
理想晶体—— 若整个晶体完全是晶胞规则重复 排列的,这种晶体为理想晶体。 晶体缺陷—— 实际晶体中,由于各因素的影响, 总会存在一些不完整、原子排列 偏离理想状态的区域,这些区域 称为晶体缺陷。 点缺陷 线缺陷 面缺陷
按几何形态分为
一、点缺陷
1、点缺陷 在三维尺度上都很小,不超过几个原子直径的缺陷。 例如:空位、间隙原子、置换原子。
负刃型位错
EF线为 位错线 立体模型
平面示意图
刃型位错示意图
2、线缺陷的运动 位错滑移:在受到外力时,晶体中的位错会沿 一定的方向,在一定的晶面上滑动。
位错攀移:刃型位错攀移的实质是多余的半原 子面通过空位(原子)扩散而扩大或缩小。
螺型位错和刃型位错
螺型位错
刃型位错
位错产生的原因及作用 塑性变形过程中滑移
间隙原子、空位
置换原子
点缺陷示意图
点缺陷破坏了原子的平衡状态,使晶格发生了扭 曲——晶格畸变,使金属的电阻率、屈服强度增 加,金属的密度发生变化。
晶体缺陷类型
晶体缺陷类型
晶体缺陷是指晶体中存在的原子或离子排列不规则或异常的现象。晶体缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三种类型。
一、点缺陷
点缺陷是晶体中原子或离子位置的局部不规则,主要包括空位、间隙原子和杂质原子。
1. 空位
空位是指晶体中原子或离子在其晶体格点上的位置空缺。晶体中的空位可以通过热处理、辐射或化学反应形成。空位的存在会降低晶体的密度和电子迁移率,影响材料的性能。
2. 间隙原子
间隙原子是指晶体中原子或离子占据晶体格点之间的空隙位置。间隙原子的存在会导致晶体的畸变和疏松,影响材料的机械性能和导电性能。
3. 杂质原子
杂质原子是指晶体中非本原子或离子替代晶体中的原子或离子。杂质原子的存在会改变晶体的导电性、光学性质和热稳定性。常见的杂质原子有掺杂剂、杂质原子和缺陷聚集体。
二、线缺陷
线缺陷是晶体中原子或离子排列沿着一条线或曲线出现的不规则现象,主要包括位错和螺旋线缺陷。
1. 位错
位错是晶体中原子或离子排列的一种不规则现象,可以看作是晶体中某一面上原子排列与理想晶体的对应面上的原子排列不匹配。位错的存在会导致晶体的畸变和塑性变形,影响材料的力学性能。2. 螺旋线缺陷
螺旋线缺陷是晶体中原子或离子排列呈螺旋状的一种不规则现象。螺旋线缺陷的存在会导致晶体的扭曲和磁性变化,影响材料的磁学性能。
三、面缺陷
面缺陷是晶体中原子或离子排列在一定平面上不规则的现象,主要包括晶界和堆垛层错。
1. 晶界
晶界是晶体中两个晶粒之间的交界面,是晶体中最常见的面缺陷。晶界的存在会影响晶体的力学性能、导电性能和晶体的稳定性。2. 堆垛层错
晶体缺陷ppt
高温超导材料中的晶体缺陷
高温超导材料的超导性能受到晶体缺陷的影响,如 磁通线、位错等。
高温超导材料中的晶体缺陷会破坏材料的超导态, 降低超导材料的临界温度和临界磁场。
在高温超导材料制备和使用过程中,应尽量减少 晶体缺陷的产生,以提高材料的超导性能。
晶体缺陷的重要性
材料性能影响
晶体缺陷对材料的物理和化学性能具有重要影响,如导电性、导热性、强度 等。
工业应用
在工业上,晶体缺陷的应用也十分广泛,如半导体器件、激光器、太阳能电 池等。
晶体缺陷的产生与演变
产生原因
晶体缺陷的产生主要有两种原因,一是材料制备过程中引入的缺陷,如熔炼、铸 造、热处理等过程中产生;二是晶体生长过程中形成的缺陷,如位错、层错等。
2023
晶体缺陷ppt
contents
目录
• 晶体缺陷概述 • 晶体缺陷的类型 • 晶体缺陷的检测方法 • 晶体缺陷的建模与模拟 • 晶体缺陷的应用 • 未来展望与挑战
01
晶体缺陷概述
定义与分类
晶体缺陷定义
晶体缺陷是指晶体内部原子的不规则排列,也称为晶体缺陷 。
晶体缺陷分类
根据缺陷范围和形成机制,晶体缺陷主要分为点缺陷、线缺 陷、面缺陷和体缺陷。
演变过程
晶体缺陷在温度、压力等外部因素的作用下会发生变化,如点缺陷的迁移、位错 的滑移、晶界的迁移等。这些演变过程会影响晶体的性能和结构。
3 晶体缺陷
out
位错移动一个原子间距, 而附近原子只移动很小 距离.因此,位错运动只需 很小的切应力. 这就是整 33 体移动理论与实际相差 甚远的原因.
注意: 滑移时,刃型位错的运动方向始终垂直位错 线而平行柏氏矢量。刃型位错的滑移面就是由位错线 与柏氏矢量所构成的平面,因此刃型位错的滑移限于 单一的滑移面上。
刚性相对滑动模型 位错滑动模型
out
实验测得的实际晶体的屈服强度要比理论值 低3—4个数量级。
14 1934年Taylor,Orowan和Polanyi几乎同时提出了晶体中位错的概念
3.2.1 位错的基本类型和特征
位错是晶体原子排列的一种特殊组态。 从几何结构来看,可分为两种基本类型: 刃型位错 螺型位错
26
混合位错的柏氏矢量既不垂直也不平行于位
错线,而与它相交成φ 角(0<φ <90)
用矢量图解 法可形象地概括 三种类型位错的 主要特征.
out 物理含义
27
b
柏氏矢量的特性
反映位错周围点阵畸变总累积的物理量。矢量的方
向表示位错运动导致晶体滑移的方向;矢量的模表 示畸变的程度(位错强度)。 可把位错定义为柏氏矢量不为零的晶体缺陷。
out
31
3.2.3 位错的运动
晶体宏观的塑性变形是通过位错运动来实现的.
晶体的缺陷
许多物理、化学性质及力学性质都有很大影响。因此
位错理论是材料科学基础中一个重要内容。
刃型位错
位错
位错线垂直于滑移的方向。刃型位错的构成就象是用刀劈 柴那样,把晶面挤到一组平行晶面之间,这个半截晶面的 下端宛如刀刃。 位错线:晶体中已滑移区和未滑移区之间的分界线
正刃型位错
EF线为 位错线
负刃型位错
螺位错
掺杂对电学性质的影响
引入杂质可改变半导体的能带结构,所以杂质 对半导体材料电学性能的影响十分显著。
掺杂对力学性质的影响
合金
离子晶体的导电性
离子晶体中点缺陷的特点是带有一定的电荷。在没有外 电场时,这些作无规布朗运动的缺陷不产生宏观电流。但 是当外电场存在时,由于库仑力的影响,带电缺陷产生一 定的沿外电场方向的定向运动,从而引起宏观电流。
缺陷存在的比例只是一个很小的量(通常情况)。例如20℃ 时,Cu的空位浓度为3.8×10-17
※ 缺陷对金属晶体性质的影响 ?
点缺陷对晶体性质的影响
晶体缺陷引起晶格局部弹性变形称晶格畸变。 点缺陷引起的三种晶格畸变
杂质粒子缺陷
空位缺陷
间隙粒子缺陷
Байду номын сангаас
晶格畸变引起晶体结构的变化,对晶体性质如机械强度、 导电性、耐腐蚀性和化学反应性能都有较大影响。
位错
位错线平行于滑移的方向。当晶体中存在螺旋位错时,原来 的一族平行晶面就变成为象是单个晶面所组成的螺旋阶梯。
晶体的缺陷名词解释
晶体的缺陷名词解释
晶体学是研究晶体内部结构和缺陷的科学,晶体的缺陷是晶体中不规则排列的
原子或离子,其存在对晶体的性质和性能产生重要影响。本文将对晶体的缺陷名词进行解释和探讨。
一、位错
位错是晶体中最常见的缺陷之一。位错是晶体中原子或离子的断裂、错位或在
晶体内偏离理想位置的缺陷。位错分为直线位错、面内位错和体位错。直线位错是沿着某个方向延伸的位错线,用于解释晶体中的滑移和塑性行为。面内位错是紧邻平面的晶格原子错位,可以影响晶体的断裂和强度。体位错是晶体中多个面内位错重叠形成的三维位错结构。
二、点缺陷
点缺陷是晶体中存在的原子或离子缺陷,其大小仅为一个晶胞的量级。点缺陷
包括原子间隙、自间隙、离子空位和杂质原子。原子间隙是晶体中某些原子的理想位置为空出的空间,可以容纳其他原子。自间隙则是由原来的晶格原子跑到别处形成的间隙,导致了晶体中的晶格畸变。离子空位是离子晶体中缺失的离子,结果是电荷不平衡。杂质原子是非晶体中掺入的其他原子,可以显著改变晶体的化学和物理性质。
三、线缺陷
线缺陷是晶体中存在的缺陷行,其宽度明显大于点缺陷。线缺陷包括晶格扭曲、晶格错位带、螺旋位错带和阵列位错。晶格扭曲是晶格不一致引起的畸变,主要表现为晶格常数的变化。晶格错位带是晶格中原子错位所形成的缺陷带,常见于金属材料。螺旋位错带是由于晶体中原子扭曲形成的螺旋线结构,可以影响晶体的力学性能。阵列位错是沿某个方向连续形成的位错,会导致晶体的局部应力集中。
四、界面缺陷
界面缺陷是晶体内部不同晶体区域之间的缺陷,包括晶界和相界。晶界是晶体中两个晶粒之间的边界,常见于多晶材料中,可以影响晶体的导电性和力学性能。相界则是晶体内部不同相之间的边界,会导致晶体中的相变和形态变化。
材料科学基础第二章晶体缺陷
(5) 点缺陷及对性能的影响
高能射线辐射、严重变形、 高温淬火等可以获得过饱和 缺陷。
空位引起点阵畸变,使传导 电子受到散射,存在过饱和 缺陷提高电阻;
存在过饱和缺陷降低密度;
对室温力学性能影响”不大”来自百度文库
空位对材料的高温蠕变、沉 淀、回复、表面氧化、烧结 有重要影响。
c
m
13.25
9
点缺陷的运动是一个热激活的过程。 运动频率与温度有关。例如Cu中的空位, 300K时运动频率为10-5/s,1300K 时 运动频率为108/s。 空位移动所造成的粒子迁移,即晶体中 的自扩散。(以后会学到)自扩散激活 能相当于空位形成能与移动能的总和。
10
点缺陷的动态平衡
点缺陷并不是固定不动的,而是处于不 断的产生和消失过程中。 在一定温度下,晶体中点缺陷的数目是 一定的,保持动态平衡。
第二章 晶体缺陷 crystal defect
理想晶体:原子完全规则地排列的晶体。 晶体缺陷:晶体中部分原子排列偏离理想状态,
局部产生不规则、不完整的原子排列。 晶体缺陷产生的原因:原子的热振动、晶体形成
条件限制、施加的外部条件等。
2
晶体缺陷的分类
实际晶体存在晶体缺陷,按照几何特点这些缺 陷可以分为三大类 点缺陷—缺陷在各方向的延伸都很小,亦称零维 缺陷。如空位、间隙原子、杂质原子等。 线缺陷—缺陷只在一个方向延伸或称一维缺陷。 如位错。 面缺陷-缺陷在二个方向延伸,或称二维缺陷。 如表面、晶界、相界等。
第三章晶体缺陷
点缺陷的存在
造成点阵畸变,系统内能升高,降低晶体的热力学稳定性
增大原子排列的混乱程度,并改变周围原子的振动频率, 系统组态熵和振动熵升高,增加晶体的热力学稳定性
在一定温度下具有一定的平衡浓度
2. 点缺陷的平衡浓度
15
点缺陷的平衡浓度
恒温下,系统的自由能
F U TS
其中U为内能,S为总熵值(包括组态熵Sc和振动熵Sf),T为绝对温度
变程度要比空位引起的畸变大的多,因此,形成能
大,在晶体中的浓度很低。
11
C. 置换原子 substitutional atoms
取代原来原子位 置的外来原子
小置换原子 大置换原子
12
点缺陷对晶体性能的影响
点缺陷破坏了原子的平衡状态,使晶格发生扭曲, 称晶格畸变。
从而使强度、硬度提高,塑性、韧性下降;电阻
挤入间隙位置,在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子。 弗兰克尔(Frenkel)缺陷
还可以跑到其他空位中,使空位消失或者空位移位。 10
B. 间隙原子 interstitial atoms
挤进晶格间隙中的原子, 可以是基体金属原子,也
可以是外来原子。
间隙原子
间隙原子同样会使周围点阵产生弹性畸变,而且畸
N' k kT
kT
17
Example 1
晶体的缺陷与影响因素
晶体的缺陷与影响因素
一、晶体的基本概念
1.晶体的定义:晶体是原子、分子或离子按照一定规律在三维空间作有规律的周期性重复排列所形成的物质。
2.晶体的特点:具有规则的几何形状、透明的光学性质、各向异性的物理性质等。
二、晶体的缺陷
1.晶体缺陷的定义:晶体缺陷是指晶体结构中周期性重复排列的失去或破坏。
2.晶体缺陷的类型:
a.点缺陷:原子、分子或离子在晶体中的位置上缺失或被其他粒
子所替代。
b.线缺陷:晶体中若干个连续的原子、分子或离子排列发生偏离,
形成缺陷线。
c.面缺陷:晶体中一个或多个平面上原子、分子或离子的排列发
生偏离,形成缺陷面。
三、晶体缺陷的影响因素
1.温度:温度对晶体缺陷的影响主要表现在原子、分子或离子的运动上,温度升高,运动加剧,晶体缺陷增多。
2.压力:压力对晶体缺陷的影响主要体现在晶体结构的稳定性上,压力增大,晶体结构稳定性降低,缺陷增多。
3.材料的制备方法:不同的制备方法会导致晶体结构的差异,从而影响晶体缺陷的生成。
4.杂质:杂质的存在会影响晶体中原子、分子或离子的排列,容易产生缺陷。
四、晶体缺陷对材料性能的影响
1.点缺陷对材料性能的影响:
a.空位缺陷:会使材料的硬度、强度降低,熔点升高。
b.替位缺陷:会使材料的熔点、电导率等发生变化。
2.线缺陷对材料性能的影响:
a.位错:会使材料的塑性变形能力增强,强度降低。
b.裂纹:会使材料的强度、韧性降低,易断裂。
3.面缺陷对材料性能的影响:
a.晶界:会影响材料的力学性能、扩散性能等。
b.相界面:会使材料的物理性能、化学性能发生变化。
五、晶体缺陷的控制与利用
晶体学基础第五章-晶体缺陷
1. 滑移机制 ¾ 一般情况下,滑移总是沿着原子最密集的方向进
行,滑移面是原子面密度最大的晶面。
¾ fcc结构,滑移沿着{111}晶面上的<110>方向进行。
2. 位错模型 位错 —— 晶体中已滑移区和未滑移区的交界线
位错在晶体中构成一个闭合的环或终止于晶体表面
3. 位错的分类
•若阴、阳离子作为间隙离子同时
成对出现,则称为肖特基缺陷的反
离子晶格点缺陷示意图
型体。
A —弗伦克尔缺陷;B—肖特基缺陷;
C—肖特基缺陷的反型体
•
非化学计量缺陷。
二、线缺陷:位错,缺陷链
• 线缺陷是指在晶体内部结构中沿某条线(行列) 方向上的周围局部范围内所产生的晶格缺陷。
• 在应力作用下晶格中的一部分沿一定的面网相对 于另一部分的局部滑移而造成的结果。滑动部分 和未滑动部分的分界线称位错线。
• 界面原子同时属于相邻两相晶格所共有。
保持共格的2个条件
• 两相之间应具有特殊的取向关系; • 必须产生一定的弹性畸变。
(2) 半共格界面
• 界面是由共格区和非共格区相间组成。
刃型 位错
半共格界面
• 形成一组刃型位错以弥补原子间距差 别,降低弹性应变能,维持部分共格。
• 共格区的界面能以应变能为主; 非共格区以化学键能为主。
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Reprinted with permission from: A.K. Schmid, N.C. Bartelt, and R.Q. Hwang, "Alloying at Surfaces by the Migration of Reactive TwoDimensional Islands", Science, Vol. 290, No. 5496, pp. 1561-64 (2000). Field of view is 1.5 mm and the temperature is 290K.
面缺陷 (plane defect) 在一个方向上尺寸很小
二维缺陷 (two-dimensiBaidu Nhomakorabeanal defect)
2
点缺陷
• 点缺陷:空位、间隙原子、溶质原子、和杂质原子、 +复合体(如:空位对、空位-溶质原子对)
点缺陷的形成 (The production of point defects) 原因:热运动:强度是温度的函数 能量起伏=〉原子脱离原来的平衡位置而迁移别处 Schottky 空位,-〉晶体表面 =〉空位(vacancy) Frenkel 空位,-〉晶体间隙
• 热力学稳定的缺陷: 产生与消亡达致平衡
*过饱和空位: 高温淬火、冷加工、辐照
1。电阻增大 2。提高机械性能 3。有利于原子扩散
5
*对性能的影响
4。体积膨胀,密度减小
平衡浓度的推导
• 板书!
6
空位平衡浓度的最新实验观察
• 下面三张幻灯片的来源:
Prof. Peter M. Anderson in Department of Materials Sci&Eng. The Ohio State University
刃型位错应力场的特点
同时存正、切应力分量, 正比于Gb 各应变、应力只是(x, y)的函数,平面应变 多余半原子面所在平面为对称平面 滑移面上无正应力、切应力达最大值 上压下拉 Anywhere 特征分界线 x = +-y, txy, tyy 在其两侧变号, 其上则为零 注意:前述为无限长直位错在无限 大均匀各向同性介质中的应力场 • • • • • • •
证明? 板书!
张量: sIJ’ = SSLIi*LJj*sjj; i,j=1,2,3
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本周作业
• • • • • • • 习题集 3-16 3-20 3-22 3-23 3-24 3-25
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上周主要内容回顾
• • 缺陷在材料中有重要意义,在材料科学中占有重要地位。晶体中的缺陷: 点缺陷、线缺陷、面缺陷 点缺陷是由于原子的热运动并存在能量起伏而产生的。平衡浓度:
3
与点缺陷有关的能量与频率
• 空位形成能:DEv
原子-〉晶体表面 =电子能+畸变能
• 空位迁移能:DEm • 空位迁移频率:
0zexp(DEm / kT)exp(DSm / k)
一般金属的自扩散激活能= DEv+DEm
N0: Z: K: T: DSm: 空位迁移熵
4
平衡浓度及对性能的影响
• 只有切应力分量,无体积变化 • 应变、应力场为轴对称 • 1/r 规律;r->0, 应力无穷大,不合实际情况, 不适合中心严重畸变区。此规律适用于所 有位错!
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刃型位错的应力场
连续介质模型: 1。切开,插入半原子面大小的弹性介质 2。中空圆柱,径向平移
1 切开 插入
b
直角坐标 圆柱坐标
2
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• Solid solution of B in A plus particles of a new phase (usually for a larger amount of B)
Second phase particle --different composition --often different structure --e.g., Cu in Al.
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螺型位错的应力场
连续介质模型:
中空圆柱(不考虑位错 中心区) 圆柱坐标:方便(利用 其轴对称特性!) 直角坐标
位移:uz, 其余分量为零 应变:gqz=b/2pr=gzq, 其余分量为零 应力:tqz = tzq = Ggqz = Gb/2pr, 虎克定律;其余分量为零
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螺型位错的应力场的特点
Ev n c A exp( ) N kT
• 线缺陷:位错,已滑动区域与未滑动区域的边界 • 位错最初作为一种理论的提出有两方面的原因:实验观察和理论 计算 • 位错分为:螺型、刃型、混合位错 • 柏氏矢量反应了位错周围点阵畸变的总合,也反映了晶体两部分 相对滑动的方向和大小 • 柏氏矢量的确定:FS/RH 规则,表示:晶体学表示 • 应力作为张量的物理意义 • 在经过坐标系旋转后,矢量、二阶张量在新坐标系下的数值的计 算方法
位错的运动(逐步传递)=>晶体的逐步滑移
小宝移大毯!
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刃型位错 edge dislocation
其形状类似于在晶体中插入一把刀刃而得名。
特征: 1)有一额外原子面, 额外半原子面刃口处的原子列称 为位错线 2)位错线垂直于滑移矢量,位错线与滑移矢量构成的面是 滑移面, 刃位错的滑移面是唯一的。 3) 半原子面在上,正刃型位错 ┻ ; 在下, 负刃型位错 ┳ 4)刃位错的位错线不一定时直线, 可以是折线, 也可以 是曲线, 但位错线必与滑移矢量垂直。 5)刃型位错周围的晶体产生畸变,上压, 下拉, 半原子 面是对称的, 位错线附近畸变大, 远处畸变小。 6)位错周围的畸变区一般只有几个原子宽(一般点阵畸变 程度大于其正常原子间距的1/4的区域宽度, 定义为位错宽度, 约2~5个原子间距。)
Engineering
平衡状态: or
应力二阶张量 的意义
T [s ] n
力
矢量 二阶张量 矢量
T
n
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失量与张量的坐标转换
3’ 3 P(P’) 2’ 1’ 2 2’ 3’ 1 1’ 夹角余弦矩阵
1
L11 L21 L31
2
L12 L22 L32
3
L13 L23 L33
矢量: Pi’ = SLij*Pj, j=1,2,3
宏观缺陷:孔洞,裂纹,氧化,
材料中 的缺陷
腐蚀,杂质…
晶体缺陷
微观缺陷:
非晶体缺陷
1
实际晶体中的缺陷
• 晶体缺陷:晶体中各种偏离理想结构的区域
根 据 几 何 特 征 分 为 三 类
点缺陷 (point defect) 三维空间的各个方向均很小 零维缺陷 (zero-dimensional defect) 线缺陷 (line defect) 在二个方向尺寸均很小 一维缺陷 (one-dimensional defect)
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混合位错
混合位错:滑移矢量既不平行业不垂直于位错线, 而是与位 错线相交成任意角度, 。 一般混合位错为曲线形式, 故每一点的滑移矢量 式相同的, 但其与位错线的交角却不同。
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柏氏矢量的确定 Burgers Vector
1。首先选定位错的正向 ;
2。然后绕位错线周围作右旋闭合回路-------柏氏回路;在不含有 位错的完整晶体中作同样步数的路径, 3。由终点向始点引一矢量, 即为此位错线的柏氏矢量, 记为 b
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习题
• • • • • • 习题集:3-2, 3-6 3-8 3-9 3-11 3-14
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位错概念的提出(一)
• 实验观察:位错的“线索”或“影子”
变形晶体表面的滑移
二维球泡阵列中的位错
晶体中的生长螺旋
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位错概念的提出(二)
• • • • 单晶体强度:理论与实验之间的巨大误差 理论值:tc=103~104MPa 实验值:tc=1~10 MPa 理论值的推导: 板书! 存在着某种缺陷-------位错(dislocation)
Course web site: http://www.osu.edu/mse/mse205/
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OBSERVING EQUIL. VACANCY CONC.
• Low energy electron microscope view of a (110) surface of NiAl. • Increasing T causes surface islands of atoms to grow. • Why? The equil. vacancy
位错强度
a b u 2 v 2 w2 n
位错合并
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位错的应力场:应力张量
• 应力张量:二阶张量 s xx s xy s xz or s yx s yy s yz s zx s zy s zz
Scientific
t xx t xy t xz t yx t yy t yz t zx t zy t zz
1。一根位错线具有唯一的柏氏矢量, 其各处的柏氏矢量都相同, 且当位错 运动时 , 其柏氏矢量也不变。 2。位错的连续性:位错线只能终止在晶体表面或界面上, 而不能中止于晶体 内部;在晶体内部它只能形成封闭的环线或与其他位错相交于结点上。 20
柏氏矢量的表示法
• 柏氏矢量的大小和方向可用它在晶轴上的分量------点阵矢量, 来表示 • 在立方晶体中, 可用于相同的晶向指数来表示:
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POINT DEFECTS IN ALLOYS
Two outcomes if impurity (B) added to host (A):
• Solid solution of B in A (i.e., random dist. of point defects)
OR
Substitutional alloy (e.g., Cu in Ni) Interstitial alloy (e.g., C in Fe)
第三章 晶体缺陷
Imperfections (defects) in Crystals
“It is the defects that makes materials so interesting, just like the human being.”
“Defects are at the heart of materials science.”
conc. increases via atom motion from the crystal to the surface, where they join the island.
Reprinted with permission from Nature (K.F. McCarty, J.A. Nobel, and N.C. Bartelt, "Vacancies in Solids and the Stability of Surface Morphology", Nature, Vol. 412, pp. 622-625 (2001). Image is 5.75 mm by 5.75 mm.) Copyright (2001) Macmillan Publishers, Ltd.
* 畸变区是狭长的管道, 故位错可看成是线缺陷。
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螺型位错 screw dislocation
特征: 1)无额外半原子面, 原子错排是轴对称的 2)位错线与滑移矢量平行,且为直线 3)凡是以螺型位错线为晶带轴的晶带由所有晶面都可以为滑移面。 4)螺型位错线的运动方向与滑移矢量相垂直 5) 分左螺旋位错 left-handed screw 符合左手法则 右 right-handed screw 右 6)螺型位错也是包含几个原子宽度的线缺陷
FS/RH 规则
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各种位错的柏氏矢量
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柏氏矢量的物理意义
1。反映位错周围点阵畸变的总积累(包括强度 和取向) 2。 该矢量的方向表示位错运动导致晶体滑移 的方向, 而该矢量的模表示畸变的程度称为位 错的强度。 (strength of dislocation)
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柏氏矢量的守恒性
柏氏矢量的守恒性:与柏氏回路起点的选择无关, 也与回路的具体途径无关
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ALLOYING A SURFACE
• Low energy electron microscope view of a (111) surface of Cu. • Sn islands move along the surface and "alloy" the Cu with Sn atoms, to make "bronze". • The islands continually move into "unalloyed" regions and leave tiny bronze particles in their wake. • Eventually, the islands disappear.