基于0_13_mCMOS工艺的低电压高速1_2分频器设计_夏辉

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0.13μm CMOS超宽带低噪声放大器的设计

0.13μm CMOS超宽带低噪声放大器的设计
维普资讯
01 .3

mC 0 超宽带低噪声放大器的设计 M S
■ 北京理工大学信息科学与技术学院 申华 吕昕
中芯 国际集成电路制造( 上海) 有限公司 多新 中 杨立吾
l 厂。 摘要

I 流反馈 ̄4源共栅超宽带 t . - 低噪声 放大器, 并采用中 际 01 m I 芯国 . 3
优 化 窄带 放 大 器 ,然 后 通 过适 当选
择 电 阻R 角定 小 信 号 等 效 输入 电路 的一d 3 B带 宽 。根 据 带 宽 的值 , 电 阻
电 阻R 和 L NA输入 阻抗 的 匹 配 。 图
1b所 示 为 整 个 LNA输 入 部 分 的 小 ()
波器 的一 部 分 ,实现 较 好 的性 能 并
且 功 耗 较 低 。 但 为 了 降 低 插 入 损 耗 ,滤 波 器 通 常 由 片 外 元 件 实 现 ,
增 加 了P CB的 复杂 性 和 成 本 ;其 二 是 电阻 并联 交 流反 馈 式 拓 扑结 构 。 这 种结 构 将 窄 带 低噪 声 放 大器 和 传 统 的 电 阻 并 联 反 馈 式 放 大 器 相 结
以 , 图 2a 中 反 馈 电 阻 R 的 主 要 作 () 用 之 一 是 减 小 输 入 电 路 的 Q值 。 图
带 宽 和 Q值 成 反 比 关 系 ,通 过 适 当
调 节 电阻R ,窄 带 L NA能够 转 换 为
宽 带L NA,如 图 2a所 示 。 () 总之 ,为 设 计 覆 盖 一 定 带 宽 的 宽 带 放 大器 ,首 先 应 在 中心 频率 处
() 入端 等 效 电路 b输
图 1窄带共源共栅低噪声低噪声放大器
66 080电子设计 20. 1 应用 w wa.m删 w.wo. e c

基于0.18μm CMOS标准单元的可编程分频器设计

基于0.18μm CMOS标准单元的可编程分频器设计

基于0.18μm CMOS标准单元的可编程分频器设计何小虎;胡庆生【期刊名称】《东南大学学报(英文版)》【年(卷),期】2007(023)001【摘要】设计实现了一种应用于IEEE 802.11a收发信机的PLL频率综合器中的可编程分频器.介绍了逻辑综合、版图规划、布局布线等VLSI设计流程的关键步骤,通过将后端信息返标到前端设计工具,生成自定义线负载模型,优化了深亚微米工艺下的设计流程.可编程分频器采用Artisan TSMC 0.18 μm CMOS标准单元库设计并流片.芯片内核面积为1 360.5 μm2,可工作在100~200 MHz的频率范围.测试结果表明芯片能够完成精确的分频比.%The design of a programmable frequency divider,which is one of the components of the phase-locked loop (PLL) frequency synthesizer for transmitter and receiver in IEEE 802.11a standard,is investigated.The main steps in very large-scale integration (VLSI) design flow such as logic synthesis,floorplan and placement & routing (P & R) are introduced.By back-annotating the back-end information to the front-end design,the custom wire-load model is created and used for optimizing the design flow under deep submicron technology.The programmable frequency divider is implemented based on Artisan TSMC (Taiwan Semicoductor Manufacturing Co. Ltd.)0.18 μm CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor) standard cells andfa bricated.The chip area is 1 360.5 μm2 and can work in the range of 100to 200 MHz.The measurement results indicate that the design conforms to the frequency division precision.【总页数】4页(P31-34)【作者】何小虎;胡庆生【作者单位】东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096【正文语种】中文【中图分类】TN453因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

低电压高速CMOS全差分运算放大器设计双

低电压高速CMOS全差分运算放大器设计双
l运放结构分析和选择
运算放大器的设计首先要根据其用途选择一种合适 的电路结构,从运放的建立时问、开环增益、单位增益带 宽、相位裕度、输入共模范围、输出摆幅、功耗等方面性能 的限制进行结构设计。常见的全差分运算放大器有下面 几种类型:两级(two—stage)式、套筒共源共栅(telescopic) 式、折叠共源共栅(fold—cascade)式。
4‘结语
本文使用TSMC公司的CM025工艺
设计并实现了一个低压高速全差分运算放
大器。采用折叠共源共栅结构,在达到较高
的带宽同时,增大了输出摆幅。连续时间共
模反馈电路以及低压宽摆幅偏置电路,实现
(1)信置电路OO半电路小信号等效模型
图3偏置电路及半电路小信号等效模型
了电路的高稳定性。该运放在2.5 V电源 电压下,’单位增益带宽可以达到501 MHz, 直流增益71.6 dB,相位裕度51。,功耗
P。《P,,更接近于原点,因此P2为折叠共源共栅运放的 主极点,P。为次极点。
要提高开环增益A。,可以采取增加M8,M9的跨导和
1 5】
沟逝长度,但将引起其源极寄生电容的增加和漏源饱和电 正减小,从而降低运放的次极点频率。同样增加M10, M11的沟道长度,会使A。增加而次极点频率减小。考虑 到M4,M5,M6,M7不在信号通路上,因此可以增加其沟 道长度球增加输出阻抗,而不降低工作速度。
△gM9(r2//rlo)r9 R。。“M7一r4+r7[1+(gM7+gM7b)^]
△gM7 r7 r4 r为MOS管的小信号输出电阻。负载电容C。远大于MOS 管各端的寄生电容,CL△cD瞰+CD曲+CD酊。。
节点1对应的极点P。:
P-=一石万勿习丽i1冠i而△一等
节点2对应的极点P。:

基于0.13 μm CMOS工艺的低电压高速1:2分频器设计

基于0.13 μm CMOS工艺的低电压高速1:2分频器设计

基于0.13 μm CMOS工艺的低电压高速1:2分频器设计夏辉
【期刊名称】《电子测试》
【年(卷),期】2011(000)001
【摘要】在光纤传输系统中,分频器是工作在最高频率的电路之一,起着至关重要的作用,本文就采用了由锁存器构成的数字1:2分频器.采用UMC 0.13μm CMOS工艺,设计了电源电压为1V,工作频率范围为5~20GHz的1:2分频器电路.该电路由基本分频器单元以及输入输出缓冲组成.基本分频器单元采用单端动态负载锁存器.整体电路功耗小于17mW,核心功耗为2mW,芯片面积为0.412mm × 0.337mm.通过系统测试表明,该设计能够达到设计要求.
【总页数】4页(P83-86)
【作者】夏辉
【作者单位】92728部队,200436
【正文语种】中文
【中图分类】TN77
【相关文献】
1.基于0.13μm CMOS工艺的功率放大器设计 [J], 张博;原亚运;贺刚
2.基于0.13μm SOI CMOS工艺的高性能LDO设计 [J], 李雅淑;高超嵩;孙向明;杨苹
3.基于0.13μm CMOS工艺的毫米波宽带LNA设计 [J], 陶路; 王军
4.基于0.13μm CMOS工艺2GHz高速并行结构DDFS的设计 [J], 万书芹;于宗
光;季惠才;张涛;陈珍海
5.基于0.13μm CMOS工艺的
6.25Gb/s高速串行数据接收器的设计 [J], 李路;王子男;盖伟新
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一种高性能低功耗CMOS分频器电路设计

一种高性能低功耗CMOS分频器电路设计

一种高性能低功耗CMOS分频器电路设计
殷树娟
【期刊名称】《北京信息科技大学学报(自然科学版)》
【年(卷),期】2015(030)003
【摘要】对低功耗CMOS数字系统设计中分频器电路设计问题,基于中芯国际0.18 μm混合工艺,设计了一个基于真单相时钟结构的二分频单元,并通过将二分频单元多级串联实现26分频比的分频器电路.对电路的瞬态仿真结果表明:在500 MHz输入频率下,分频器可以分别实现2分频、4分频、8分频、16分频、32分频、64分频的信号输出,对应电路静态功耗为23.7 μW.由于版图的电源线VDD、GND采用了双U型结构,避免了芯片面积浪费,每个二分频单元的版图面积仅为
18×5.4 μm2.基于版图的后仿真结果验证了该电路的功能正确性.
【总页数】5页(P15-19)
【作者】殷树娟
【作者单位】北京信息科技大学理学院,北京100192
【正文语种】中文
【中图分类】TN4
【相关文献】
1.一种新的低功耗CMOS三值电路设计 [J], 杭国强;徐月华
2.一种低功耗CMOS晶振电路设计 [J], 彭伟娣;张文杰;谢亮;金湘亮
3.一种新型高速低功耗BiCMOS分频器 [J], 李勇;许永生;赖宗声;金玮;陶永刚;洪亮;
景为平
4.一种BiCMOS 11-GHz低功耗静态分频器 [J], 王永禄;杨毓军
5.一种2.4G的低功耗BiCMOS预置数分频器 [J], 汪猛;丁瑞雪;杨银堂
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一种新型高速低功耗BiCMOS分频器

一种新型高速低功耗BiCMOS分频器

一种新型高速低功耗BiCMOS分频器李勇;许永生;赖宗声;金玮;陶永刚;洪亮;景为平【期刊名称】《电子器件》【年(卷),期】2006(029)003【摘要】本文设计了一种基于BiCMOS技术的分频器,结合了双极(Bipolar)和CMOS技术的优点.作为分频器的基本单元,锁存器的工作速度直接影响了分频器的性能.通过分离跟踪差分对与交叉耦合对,并减小后者的偏置电流可以提高锁存器的工作速度.同时,合并两个锁存器的跟踪差分对可以减小分频器的功耗.采用0.8μm BiCMOS模型在CadenceSPECTRE中仿真,可以得到这种新型高速低功耗分频器的工作频率上限可以达到2.4 GHz,功耗为-1.61 dBm.【总页数】5页(P701-705)【作者】李勇;许永生;赖宗声;金玮;陶永刚;洪亮;景为平【作者单位】华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062;南通大学专用集成电路设计重点实验室,江苏,南通,226007【正文语种】中文【中图分类】TN77【相关文献】1.一种高速低功耗BiCMOS脉冲式触发器的通用结构 [J], 赵祥红;姚茂群2.一种BiCMOS 11-GHz低功耗静态分频器 [J], 王永禄;杨毓军3.一种新型高速低抖动低功耗双模预分频器及其在PLL频率综合器中的应用 [J], 徐勇;王志功;李智群;熊明珍4.6GHz新型高速低功耗分频器 [J], 左红建;郭阳;马卓5.一种2.4G的低功耗BiCMOS预置数分频器 [J], 汪猛;丁瑞雪;杨银堂因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

基于0.13μm CMOS工艺的低电压高速1:2分频器设计

基于0.13μm CMOS工艺的低电压高速1:2分频器设计


t i p p u e h g r sfo t e h c o s t t : ii e Th sp p rd sr e : r q e c i i e h s a e s st e f u e r m h t h c n t u e a 12 dv d r i i i a e ec i sa 12 f u n y d vd r wh c b e ih
分频器结 构。 常见 的锁 存 器 结构 有 : MOS准 静态 逻 辑 阻 C 、 SF C L逻 辑 、动 态 负 载 锁 存 器 、单 端 动 态 负
电路 结构的选 择以及参数 的合理 取值 都提 出了很 高
的要求 。
2 锁 存器 结构 选 择
载 锁存 器 等 。C MOS准静 态逻 辑 的特 点是 功耗
2"年 1 o 月 簟 1期
电 子Байду номын сангаас测

Ja 2D1 n. 1 No 1 .
EL ECT RONI TEST C
基 于 01 C . Im MOS . 的低 电压 高 速 12 3 x T艺 :分
频器设 计
夏辉
( 2 2 部队 , 2 03 ) 97 8 04 6
摘 要: 在光纤传输系统中 ,分频器是工作在最高频率的电路之一 ,起 着至关重要的作用 本文就采用了 由锁存

( 22 Ar ,2 0 3 9 7 8 my 04 6)
Ab t a t n o t a f e a s s o y tm s r c :I p i l b rt n mi i n s se c i r s

i w or ng a he h ghe tf 。 ue i i e i c i 。n 1y ia 。e s ki tt i s r q n y d v d r c r u t e p a sav tlr 1,

BiCMOS高速低功耗2分频器[发明专利]

BiCMOS高速低功耗2分频器[发明专利]

专利名称:BiCMOS高速低功耗2分频器专利类型:发明专利
发明人:许永生,李勇,钱惠富,赖宗声
申请号:CN200510030477.5
申请日:20051013
公开号:CN1787377A
公开日:
20060614
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种BiCMOS高速低功耗2分频器,属于集成电路设计及信号处理的技术领域,由第一锁存器L1和第二锁存器L2组成,两锁存器是Bipolar器件和CMOS器件相结合的电路,两锁存器的Bipolar 器件,即晶体管的有源负载是PMOS管,锁存器的Bipolar器件,即晶体管的恒流源是NMOS管,两锁存器的交叉耦合对是小偏置电流的偏置电路,旨在提高锁存器的工作速度,兼有Bipolar器件和CMOS器件的优点:工作频率高、功耗低和制备集成电路时占用的芯片面积小,特别适于作高速低功耗的N级级联的2分频器。

申请人:华东师范大学,上海惠丹高科技发展有限公司
地址:200062 上海市中山北路3663号
国籍:CN
代理机构:上海德昭知识产权代理有限公司
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基于0.13 μm CMOS工艺的LDO研究与设计

基于0.13 μm CMOS工艺的LDO研究与设计

基于0.13 μm CMOS工艺的LDO研究与设计基于0.13 μm CMOS工艺的LDO研究与设计摘要:低压差稳压器(Low Dropout Regulator,简称LDO)是集成电路(IC)中常用的一种电压稳定器。

本文基于0.13 μm CMOS工艺,对LDO进行研究与设计。

首先介绍了LDO的原理和基本结构,然后分析了LDO电路中的关键参数和影响因素。

随后,我们详细探讨了设计过程中的各个步骤,包括电压参考电路的设计、误差放大器的设计、功率放大器的设计以及输出电容的选择。

最后,我们通过实验验证了设计的可行性,并对实验结果进行了分析和讨论。

实验结果表明,所设计的LDO具有良好的稳定性和性能指标。

关键词:低压差稳压器;CMOS工艺;LDO电路;设计步骤;实验验证1. 引言随着电子产品的不断发展,要求集成电路具有更高的稳定性和更低的功耗。

而电源管理中的关键环节之一就是电压稳定器。

低压差稳压器(LDO)作为一种常用的电压稳定器,具有响应速度快、电源噪声小、占用面积小等优势,被广泛应用于各种集成电路中。

本文将基于0.13 μm CMOS工艺,对LDO进行研究与设计。

首先介绍LDO的基本原理和结构,然后详细分析LDO电路中的关键参数和影响因素。

接下来,我们将详细探讨设计过程中的各个步骤,包括电压参考电路的设计、误差放大器的设计、功率放大器的设计以及输出电容的选择。

最后,我们将通过实验验证所设计的LDO的可行性,并对实验结果进行分析和讨论。

2. LDO的原理和基本结构LDO是一种基于反馈原理的电压稳定器,其基本结构包括参考电压源、误差放大器、控制电路和功率放大器。

参考电压源用于产生稳定的参考电压,误差放大器用于放大输入电压和参考电压之间的差值,控制电路根据误差放大器的输出来调整功率放大器的输出电压,功率放大器用于输出稳定的电压。

3. LDO电路中的关键参数和影响因素在设计LDO电路时,需要考虑一些关键参数和影响因素。

0.18μm CMOS高集成度可编程分频器的设计

0.18μm CMOS高集成度可编程分频器的设计

0.18μm CMOS高集成度可编程分频器的设计郑立博;张长春;郭宇锋;方玉明;刘蕾蕾【期刊名称】《南京邮电大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2014(034)003【摘要】采用标准0.18 μm CMOS工艺,提出了一种高集成度可编程分频器.该电路所采用技术的新颖之处在于:基于基本分频单元的特殊结构,对除2/除3单元级联式可编程分频器的关键模块进行改进,将普通的CML型锁存器集成为包含与门的锁存器,从而大大提高了电路的集成度,有效地降低了电路功耗,提升了整体电路速度,并使版图更紧凑.仿真结果表明,在1.8V电压、输入频率Fin=1 GHz的情况下,可实现任意整数且步长为1的分频比,相位噪声为-173.1 dBc/Hz@1 MHz,电路功耗仅为9 mW.【总页数】5页(P75-79)【作者】郑立博;张长春;郭宇锋;方玉明;刘蕾蕾【作者单位】南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;东南大学毫米波国家重点实验室,江苏南京210096【正文语种】中文【中图分类】TN453【相关文献】1.0.18μm CMOS 1:20分频器电路设计 [J], 邢立冬;朱刘松;蒋林2.基于0.18μm CMOS标准单元的可编程分频器设计 [J], 何小虎;胡庆生3.基于0.18μm CMOS工艺的ZigBee分频器设计 [J], 蒋雪琴4.应用于DVB-T的0.18μm CMOS工艺数字可编程分频器芯片设计 [J], 景永康;陈莹梅;章丽5.0.18μm CMOS PLL频率综合器中可编程分频器的设计与实现 [J], 何小虎;胡庆生;肖洁因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

基于0.18μm CMOS工艺的ZigBee分频器设计

基于0.18μm CMOS工艺的ZigBee分频器设计

基于0.18μm CMOS工艺的ZigBee分频器设计蒋雪琴【摘要】为了降低ZigBee分频器的能量消耗,提出一种适用于2.45 GHz频率的超低功率COMS分频器,可以用于2.45 GHz整数分频锁相环频率合成器中,适用于ZigBee标准网络。

提出的分频器在吞脉冲分频器的基础上,通过一个简单的数字电路取代吞咽计数器,从而降低了功率消耗和设计复杂性。

该分频器的模量可以在481~496之间调整。

所有的电路设计都基于0.16μm的TSMC CMOS技术,使用1.8 V直流电压供电。

仿真结果显示,在2.45 GHz ISM频段中4 b分频器的功耗为420μW,相比之前类似分频器减少了40%。

%To reduce the energy consumption of ZigBee frequency divider,an ultra⁃low power CMOS frequency divider is proposed,which can be used in the frequency synthesizer of 2.45 GHz integer frequency division phase locked loop and ZigBee standard network. Based on the swallow pulse divider,a swallow counter is replaced by a simple digital circuit to reduce the power consumption and design complexity. The modulus of the divider can be adjusted from 481 to 496. All circuits design is based on TSMC CMOS technology of 0.16 μm,in which the circuit is supplied with 1.8 V DC voltage. The simulation results show that the power consumption of the 4 bits divider is 420 μW in 2.45 GHz ISM band,and reduced by 40% i n comparison with that of the previous similar frequency divider.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2015(000)023【总页数】5页(P71-75)【关键词】吞咽分频器;整数分频锁相环;双模量前置分频器;ZigBee【作者】蒋雪琴【作者单位】四川信息职业技术学院,四川广元 628017【正文语种】中文【中图分类】TN926+.23-34图1显示了基于传统脉冲吞咽分频器的可编程分频器的简单示意图。

一种用于CIS的快速低噪声CMOS缓冲器

一种用于CIS的快速低噪声CMOS缓冲器

一种用于CIS的快速低噪声CMOS缓冲器
杨洁;李梓钰
【期刊名称】《电子产品世界》
【年(卷),期】2012(19)11
【摘要】基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种用于CMOS图像传感器(CIS)的快速低噪声缓冲器.该缓冲器的面积相对较低,输出级采用改进式AB类输出级,不仅保证了建立速度,而且还能抑制由于电路结构不对称而带来的噪声.采用调零电阻补偿保证不同corner下的稳定性.仿真结果表明:在室温tt工艺下功耗为10μW,建立时间为8ns,低频输出噪声100dB,适用在各种高速度低功耗场合.【总页数】3页(P45-46,54)
【作者】杨洁;李梓钰
【作者单位】华南农业大学工程学院广东广州510641;遵义师范学院物理与机电工程学院贵州遵义563002
【正文语种】中文
【相关文献】
1.一种用于数字集成系统的新型CMOS三态缓冲器的设计 [J], 彭科;杨海钢
2.一种高电源抑制比低噪声快速启动的CMOS带隙基准电路设计 [J], 来新泉;刘鸿雁;魏荣峰
3.一种应用于CMOS图像传感器的快速自动曝光控制方法 [J], 戈志伟;姚素英;徐江涛;宿晓慧
4.一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计 [J], 廖友春;唐长文;闵昊
5.一种应用于GPS接收机的全单片CMOS低噪声放大器 [J], 铁宏安
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MOS电流模逻辑分频器设计

MOS电流模逻辑分频器设计

MOS电流模逻辑分频器设计
梁蓓;马奎;傅兴华
【期刊名称】《微电子学与计算机》
【年(卷),期】2012(29)10
【摘要】用参数已经优化的MCML(MOS电流模逻辑)电路设计了锁存器,对锁存器的功耗及延迟进行了仿真分析;基于该锁存器分别设计了一个二分频和四分频电路,二分频电路的最高工作频率达到7.7GHz.四分频电路采用两个二分频电路直接级联,由于无缓冲连接,不仅减小了第一级的输出节点电容,同时减小了芯片的面积.电路仿真均在SMIC 0.13μmCMOS工艺下完成.
【总页数】5页(P157-160)
【关键词】MCML;锁存器;分频器;源耦合逻辑
【作者】梁蓓;马奎;傅兴华
【作者单位】贵州大学科技学院;贵州大学微纳电子技术重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN403
【相关文献】
1.基于MOS电流模逻辑的4/5双模前置分频器设计 [J], 朱艳霞;梁蓓;杨发顺
2.高性能低功耗逻辑电路—MOS电流模逻辑 [J], 梁蓓;傅兴华
3.MOS电流模逻辑标准单元设计方法 [J], 黄健声;梁蓓
4.MOS电流模逻辑电路的设计方法和流程 [J], 廖安平;梁蓓
5.MOS电流模逻辑加法器结构设计 [J], 梁蓓;马奎;傅兴华
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一种基于0.5 μm CMOS工艺的补偿型电流控制振荡器设计

一种基于0.5 μm CMOS工艺的补偿型电流控制振荡器设计

一种基于0.5 μm CMOS工艺的补偿型电流控制振荡器设计李波;吕坚;蒋亚东【期刊名称】《电子器件》【年(卷),期】2009(032)001【摘要】提出了一种基于比较器的CMOS电流控制振荡器电路,该振荡器采用偏置电流对电容充放电,产生精准锯齿波,比较器及后续电路产生时序方波作为比较器输入,从而产生周期振荡.自偏置电路利用电阻和PNP管相反的温度系数产生PTAT、NTAT两路电流,叠加得到一路与温度无关的基准电流、实现了温度补偿;高摆幅共源共栅电流镜结构具有高PSRR实现了电源电压补偿.本设计采用0.5 μmCMOS工艺,典型情况下,振荡器频率为1.224 MHz,占空比为50%,通过spectre仿真结果表明:该振荡器在3.3 V~5 V的工作电压下、-40~120℃温度范围内都具有较好的工作频率.【总页数】4页(P49-52)【作者】李波;吕坚;蒋亚东【作者单位】电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054【正文语种】中文【中图分类】TN432【相关文献】1.一种基于CMOS工艺的高稳定片内振荡器的设计 [J], 陈崴;施隆照2.一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制环形振荡器 [J], 李凡阳;杨涛3.一种基于CMOS工艺的91.6~93.2 GHz压控振荡器设计 [J], 李嵬;刘杰;吕金杰;刘军;苏国东4.一种基于标准CMOS工艺的低成本振荡器的设计 [J], 李俊宏;李平;胥锐5.一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器 [J], 李永峰;李卫民因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

音频子系统中的I2C接口电路设计

音频子系统中的I2C接口电路设计

音频子系统中的I2C接口电路设计
谭昭禹;颜永红;马勋
【期刊名称】《微计算机信息》
【年(卷),期】2008(024)026
【摘要】在对I2C总线数据传输协议进行分析的基础上,设计了一个兼容I2C协议的两线输入接口电路,其中时钟线是单向传输的,数据线是双向传输的,另外增加了防止芯片地址冲突的地址选择位并优化了地址比较器和主寄存器输出.仿真结果显示电路性能优良,在-40℃~85℃温度范围内都可以正常工作.该电路已在0.6μm N阱CMOS工艺线上流片成功,测试功能正常.
【总页数】3页(P252-254)
【作者】谭昭禹;颜永红;马勋
【作者单位】410082,湖南,长沙,湖南大学,物理与微电子科学学院,微电子研究所;410082,湖南,长沙,湖南大学,物理与微电子科学学院,微电子研究所;314000,浙江,嘉兴,中科院嘉兴中心电子设计与应用分中心
【正文语种】中文
【中图分类】TP331.2
【相关文献】
1.移动数字电视调谐芯片中I2C接口电路设计 [J], 殷谦;杨拥军;文光俊
2.基于I2C总线控制的音频处理电路设计 [J], 孙金中;冯炳军
3.I2C接口在音频控制器中的实现 [J], 张涛;王婧;郑冬军
4.一种串行时钟芯片的I2C总线接口电路设计 [J], 应建华;石枝林;夏晓明
5.基于I2C总线的CMOS图像传感器接口电路设计 [J], 逯梅昌
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高性能流水线ADC中低抖动时钟占空比稳定器的设计

高性能流水线ADC中低抖动时钟占空比稳定器的设计

高性能流水线ADC中低抖动时钟占空比稳定器的设计张明文;林权;陈红梅;尹勇生;邓红辉【摘要】基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种适用于高性能流水线ADC 中低抖动时钟占空比稳定器,并分析了内部电路参数变化对时钟电路性能的影响.在Cadence Spectre下仿真表明:该稳定器可实现20~250 MHz的有效方波输出,时钟占空比精度为(50±0.25)%,在250 MHz输入信号频率下,其均方根值抖动为56 fs,对输入时钟信号的要求低,可根据需要选择信号传输路径来节省功耗,非交叠时间可控.【期刊名称】《怀化学院学报》【年(卷),期】2018(037)005【总页数】6页(P66-71)【关键词】高性能流水线ADC;50%占空比;占空比检测;时钟抖动;非交叠时钟【作者】张明文;林权;陈红梅;尹勇生;邓红辉【作者单位】武夷学院机电工程学院, 福建武夷山 354300;武夷学院机电工程学院, 福建武夷山 354300;合肥工业大学微电子所, 安徽合肥 230009;合肥工业大学微电子所, 安徽合肥 230009;合肥工业大学微电子所, 安徽合肥 230009【正文语种】中文【中图分类】TN432.11 时钟电路介绍时钟电路对ADC性能有十分重要的影响,时钟抖动、时钟偏斜等都将影响采保电路采样的均匀性,进而影响 ADC的信噪比(signal noise ratio,SNR).在采样速率低于200 Ms/s时,外部噪声将成提高ADC性能的制约因素[1].随着采样速率的提高,时钟抖动对ADC噪声贡献以及信噪比的影响就越大[1].因此,设计高性能、低抖动的时钟电路以减小引入ADC内部的噪声十分关键,成为高性能A/D 转换器的一个重要部分.在流水线ADC中,为了保证每级的建立时间近似相等,需要一个准确的50%占空比时钟信号.目前常用ADC中的时钟电路都是由PLL和DLL及其改进电路构成.它们都只能对频率和相位锁定,而不能对占空比进行检测和锁定[2-4].在相位锁定中,需要大量的延时单元链来对信号进行平移[4].较多的延时单元不仅会占用大量的面积,还会引入大量噪声,不利于实现信号的低抖动[4].在大多数时钟电路设计中都会用到电荷泵,它易受工艺偏差、电流失配等的影响,造成电路本身产生大量噪声,引起信号较大的抖动.本文设计了一种可编程的时钟占空比稳定电路(Duty cyclestabilizer,DCS),并研究了电路内部参数对时钟电路性能的影响.电路模块包括可编程时钟输入缓冲器、时钟合成器、占空比检测电路、路径选择电路和非交叠时钟产生电路.其核心思想是固定信号的上升沿,只对下降沿进行调整,实现了信号的高性能和低抖动.2 时钟电路的整体结构可编程时钟占空比稳定电路的结构如图1,主要实现将外部输入的差分信号转变为精确的50%占空比时钟信号,满足低抖动的要求,并具有编程控制功能,可根据需要选择路径一或路径二传输信号同时关断电路中的一些模块以节省功耗.电路由可编程输入缓冲器、时钟合成器、占空比检测电路、路径选择电路和非交叠时钟电路5部分组成.可编程输入缓冲器将输入电路的差分时钟信号CLK+、CLK-变为方波信号V1,使其获得较陡峭的边沿.时钟合成器包括边沿检测器、可控延时单元和RS触发器.时钟合成器利用V1产生的V2和V4经过RS触发器的特性来合成50%占空比的时钟信号.信号在合成过程中,CLK_OUT的上升沿保持不变,CLK_OUT的下降沿随着延时级控制电压Vback变化.降低了电路设计复杂度,容易实现低抖动.占空比检测电路用来检测输出CLK_OUT的占空比并产生与占空比成线性变化的控制电压Vback以控制延时级的延时时间,从而控制CLK_OUT的下降沿.路径选择电路将自动切换时钟的传输路径,当外部输入差分方波时,开关S1闭合、S2断开,使能信号VEN使时钟合成器电路不工作,信号由输入缓冲器通过路径一直接传输到非交叠时钟模块.当外部输入正弦波或三角波时,初始时开关S1闭合、S2断开,使能信号VEN使时钟合成器电路工作,在时钟合成器锁定时开关S1断开、S2闭合,电路通过路径二将锁定后的信号传输到非交叠模块.非交叠时钟电路利用RS触发器的原理来产生非交叠的时钟信号CLK1~CLK4,非交叠时间可控,信号边沿陡峭,满足后级电路要求.图1 时钟电路的整体结构图图2 输入缓冲电路图3 时钟合成器的原理及时序图2.1 可编程输入缓冲器本设计采用外部的差分时钟信号源,这种信号不一定是50%占空比时钟,而且具有较大的噪声和低驱动能力,从而使其不适合直接提供给芯片.因此本文设计了一个输入缓冲器将差分输入信号转换成方波信号,使其有较陡峭的边沿.电路如图2所示,第一级为双端输入、双端输出的简单差动对,第二级为双端输入、单端输出的差动对.最后一级输出缓冲级还使用了电压负反馈,这样可以得到较大的输出电阻,同时也使输出缓冲级具有很高的灵敏性.在本模块中,输入对管和尾电流源管的宽长比都较大,这样可以较好的抑制1/f噪声.本设计具有编程控制功能,当输入信号为正弦波或三角波时,Vctrl为低电平,M1~M4四个尾电流源管全部导通,缓冲器进入满幅工作状态.当输入信号为方波时,Vctrl为高电平,尾电流源管只有M2和M4导通,缓冲器进入半幅工作状态,达到节能的目的.电路的最后一级是一个反相器,其主要目的就是对输出时钟进行整形,以获得较快的上升和下降时间,使时钟Vin基本成为方波脉冲.2.2 时钟合成器本文设计的时钟合成器结构如图3所示,包括边沿检测器1、可控延时单元、RS触发器和边沿检测器2.工作原理为:方波信号V1经过边沿检测器1后生成宽幅信号V2,V2有较陡峭的边沿,其下降沿由V1的上升沿触发,同时,V2的下降沿又触发了时钟输出信号CLK_OUT的上升沿.此时输出信号变为高电平.V2信号经过延时单元和边沿检测器2产生V4,V4相对于V2延迟了Tdelay,V4的下降沿触发输出信号的下降沿.输出信号是否为精确的50%占空比信号,就取决于V4是否准确地延迟T/2.当输出信号不是精确的50%占空比时钟时,占空比检测电路的输出电压Vback将随着占空比大小的改变而改变,从而调整延迟单元输出V3的上升沿,进而改变了V4的下降沿使也即改变输出信号的下降沿,使占空比变为精确的50%.2.3 可控延时单元图4 延时单元子模块结构图图5 占空比检测电路在电路设计中延时模块不仅要占很大面积,而且还会引入大量噪声[4],不利于实现低抖动.在本设计中,使用一个下降沿调整的反相器,电容C0和一个施密特触发器组成延时可控的延时单元.结构图如图4所示,V2为输入信号,Vback来自占空比检测电路为控制电压,Vback控制着电容C0的充放电,以及充放电时间的长短.当V2为低电平时电容C0开始充电,当C0上的电压达到施密特触发器的正向翻转电平时,其输出翻转,V3输出低电平,充电过程很快结束.当V2为高电平时电容C0开始放电,当电压降到施密特触发器的负向翻转电平时,其输出翻转,V3输出高电平.两次翻转之间的时间ta即为延迟时间,即V3的低电平持续时间.合理设置控制电压Vback、电容C0与施密特触发器的翻转电平可以准确地控制延迟时间,施密特触发器还可以使V3信号的边沿更陡峭以减小信号的抖动.假设施密特触发器的正向翻转电平为VDD/2,电容C0放电时的电流为i,则依据电荷相等,可知式(1):式(1)这里电容C0的值不能太大,太大了会限制输入时钟的最高频率,太小了会限制输入时钟的最低频率.2.4 占空比检测电路占空比检测电路如图5所示,R、C分别为积分电阻、积分电容,R、C和运放组成了连续时间积分器.积分器的输出电压Vout经过稳压电容C1稳定到一定的值,通过由MP1和MN1组成的共源放大器使Vout降低到合适的范围来控制延时级的延时时间.假定运放为理想时积分器的输出表达公式为(2):Vref=(VDD+VSS)/2 为固定值,当 CLK_OUT 不是精确的50%信号时,Vout 在单周期内将有积分余量积累而使Vout有一个上升或者下降的趋势,从而调整延时级的延时时间,进而调整输出信号的下降沿.当Vin为50%占空比信号时,积分器的输出Vout在输出共模电平附近做等幅波动,其幅度为式(3):其中VDD为电源电压,T为时钟周期.Vp-p的幅度和频率有关,低频时其振幅将会变大.本电路的最低应用频率为20 MHz,在此频率下的振幅最大.设MP1和MN1组成的共源级放大器增益为Av,则Vback上的电压波动幅度为:此电压波动将引起压控延时单元延时的不确定性,影响输出信号的下降沿,造成时钟信号的抖动.令理想的Vback=VT+VON,其中VT为晶体管的阀值电压,VON为晶体管的过驱动电压,此时延时单元的延时时间是T/2.当Vback上的电压波动了ΔV时,上式(9)就是时钟抖动的近似表达式,对上式(9)求导可看出其导数恒大于0.即Vp-p的波动幅度应越小越好.R、C常数的值对Vout的波动大小也有影响.较大的R、C值会减小Vout的波动,但会增大积分器的稳定时间,同时占据大量的芯片面积.过小的R、C又会引入较大的波动.由R、C能抑制波动的作用,可将R、C 等效看作为低通滤波器,一般低通滤波器的截止频率应远小于信号通路中信号的频率[5].即:这里综合考虑了滤波器的频率特性及留有一定的安全裕量,取1/2πRC=fc/50,本设计的最高频率为250 MHz.即1/2 πRC==5 MHz,RC≈5×10-7,在工艺中,电阻的阻值精确度较低,而过大电容又会占较大面积,因此,这里取 R=80 kΩ,C=5 pF.实际中,运放有限的增益和带宽等都将加剧积分器输出信号Vout的波动,造成信号的抖动.下面分析运放有限差模增益A0、有限单位增益带宽GB和建立时间对输出信号抖动的影响.为简化分析,可先假设Vref=0.积分器的实际电压增益可以表示为(11):其中,ω1是运放的-3dB频率.运放的闭环增益可以表示为(12):从上式(13)看出,AV(S)可看做近似反馈系数β=1的一个一阶线性系统的闭环传递函数,闭环运放是一个单极点系统,其时间常数为1/2πGB.为实现低抖动,积分器输出电压的指数项要稳定在最终值,需要的时间是ts,它包括N个时间常数时间,其最大值为半个时钟周期.最终值与理想值之间的误差叫做动态误差εD,它的典型值是0.05%[6].在保证精度的情况下,运放响应时间可以表示为(14)(15):由(14)(15),我们可以得到运放最小的单位增益带宽为(16):当运放工作在低频时积分器的传递函数可以写为(17):根据上式(17),可以得到积分器输出的误差为1/A0,也即为运放环路增益的倒数.为保证精度要求,运放增益误差要小于静态精度εS,典型值为0.05%[6].即积分器中运放的不完全建立同样会造成积分器的输出电压的波动,使输出信号抖动加大.这里运放的响应时间主要由大信号压摆率决定.积分器运放在整个设计带宽内工作时为了避免积分输出信号因为摆率跟不上而造成信号抖动加大,需要提高运放的SR/GB比.这可以通过适当减小运放的GB来实现[7].运放压摆建立的电压值可以确定在输入与输出电压的差值为输入管过驱动电压的倍处[8]:由(18),运放最小的开环增益为(19)ΔVO近似为单级共源共栅运放的最大输出摆幅.由(20)(21)得运放建立时间为(22):图6 积分器中的运放及其仿置电路图7 运放的增益特性及建立过程图为了保证运放在相应的频率下能够建立起来,得到(23)(24):由图7可知,运放的负载电容即C1为20 pF时,开环增益A0为89 dB,单位增益带宽(GB)为60 MHz,SR=150 V/us.满足初步设定的指标.2.5 路径选择电路本设计中,为了判断电路是否完全锁定以及根据需要将选择路径一或者路径二.当输入信号为差分的方波时,电路经过可编程输入缓冲器直接由路径一输出,此时路径二关断,达到节能的目的.当输入正弦波或者三角波时,电路要经过路径二输出,路径一关断.如图8所示路径选择电路由比较器、施密特触发器、与门和D触发器组成.Vref由偏置电路产生,其值要等于电源电压的一半.为了检测其值的稳定,比较器1和比较器2被引入了进来.当其值稳定且电路锁定时,两比较器的输出为高电平.两个施密特触发器分别用来检测Vout和Vback.当其值稳定电路锁定时,两施密特输出低电平.此时,四个信号经过与门后输出高电平,经过D触发器的延时去抖后,再经过另一施密特触发器来进一步减小抖动.此时Vs为低电平.电路选择路径二输出.否则电路将选择路径一.图8 路径选择电路结构框图2.6 非交叠时钟产生电路在流水线ADC中,需要非交叠时钟来控制节点不会同时被两个电压驱动,产生提前关断的时钟,以减少电荷注入效应的影响[9].如图9所示,非交叠时钟电路的核心由RS触发器组成.电路的基本原理如下:占空比为50%的信号CLK_OUT,产生两个相位相反的信号A和B.信号A的下降沿来临时,触发与非门使输出C变为高电平,信号B的下降沿来临时会使输出D变为高电平,D要经过延时Td2后传输到与非门1,这时C由高变为低.即C的高电平相对于一般的RS触发器延长了Td2时间.同理,D的高电平延长了Td1,这样经过反相驱动后,CLK1和CLK2的高电平持续时间分别为T/2-Td2和T/2-Td1.在非交叠时钟设计中,可以通过改变Td1、Td2的值,来产生合适的占空比信号.图9 非交叠时钟产生电路3 仿真与验证本电路采用SMIC 0.13 μm CMOS工艺实现,电源电压为3.3 V.仿真结果表明电路在信号频率20~250 MHz内可以将输入时钟信号调整为占空比为50%的时钟信号,时钟抖动小于80 fs,并通过非交叠时钟电路产生相应的控制信号.如图10~12示.图10 250 MHz,输入对称信号(a)和不对称信号的输出结果(b)图11 250 MHz,输出信号的眼图放大图图12 输出的不交叠时钟时序图4 结论时钟电路是高速高精度ADC中极其重要的一个部分.本文设计的DCS结构时钟电路克服了PLL和DLL电路中只能进行相位锁定而不能进行占空比调整和检测的缺点.整个电路结构简单,支持双路径选择输出,有效降低了功耗.仿真结果表明电路工作稳定,能在较宽的频率范围内输出高精度低抖动的时钟信号,满足了ADC对时钟信号的要求.【相关文献】[1]Jie Yuan,Member,Sheung Wai Fung,et al.An interpolationbased calibration architecture for pipeline ADC with nonlinear error[J].IEEE.J.Sol.Sta.Circ.,2011,61(1):17-25.[2]陈红梅,邓红辉,张明文,等.高速低抖动时钟稳定电路设计[J].电子测量与仪器学报,2011,25(11):966-971.[3]Peng Huang,Hong-Hui Deng,Yong-Sheng Yin.A high performance 50%clock duty cycle regulator[A].Research&Progress of Solid State Electronics[C].2005:81-88.[4]Bumha Lee,et al.“Duty Cycle Stabilizer”United States Patent[C].2008:4-8.[5]赵天成,赵英俊.开关电容滤波器前置、后置滤波器的设计[J].电子设计工程,2009,34(10):1032-1035.[6]Willy M.C.Sansen.Analog Design Essintials[M].2008:356-357.[7]李福乐.适宜于系统集成的高速高精度模数转换电路设计技术研究[D].北京:清华大学,2003:36-40.[8]B.Yeshwant Kanath,Robert G.Meyer,et al.Gray,Relationship between frequency response and settling time of operational amplifier[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,1974,9(6):347-352.[9]朱颖佳,刘力源,李冬梅.一种独立调节两相脉宽的不交叠时钟产生电路[J].集成电路设计与开发,2009,19(12):143-146.。

集成低功耗CMOS压控振荡器及其二分频器(英文)

集成低功耗CMOS压控振荡器及其二分频器(英文)

集成低功耗CMOS压控振荡器及其二分频器(英文)
池保勇;石秉学
【期刊名称】《半导体学报:英文版》
【年(卷),期】2002(23)12
【摘要】实现了应用于无线局域网收发机的集成低功耗 CMOS压控振荡器及其二分频器 .压控振荡器是由在片对称螺旋型电感和差分容抗管组成的 L C负阻型振荡器 ,而二分频器采用了 IL FD结构 .由于采用了差分 L C元件和 IL -FD技术 ,整个电路的功耗很低 .该电路已经用0 .18μm CMOS工艺实现 .测试结果表明该电路能产生低相位噪声的 3.6 / 1.8GHz双带本振信号 ,并具有很宽的可控频率范围 .当电源电压为 1.5 V时 ,该电路消耗了 5 m A的电流 .芯片面积为1.0 m m× 1.0 m m.【总页数】5页(P1262-1266)
【关键词】低功耗;CMOS;压控振荡器;二分频器;无线局域网收发机
【作者】池保勇;石秉学
【作者单位】清华大学微电子学研究所100084
【正文语种】中文
【中图分类】TN925.93
【相关文献】
1.带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计 [J], 李小飞;刘宏;袁圣越;汪明亮;田彤
2.CMOS集成电路的主要特点及低功耗CMOS集成电路设计分析 [J], 赵智超;吴
铁峰
3.低功耗CMOS差分环形压控振荡器设计 [J], 谢连波;桑红石;方海涛;朱海博;高伟
4.基于对称螺旋型电感和差分二极管的2.4GHz CMOS正交输出压控振荡器(英文) [J], 池保勇;石秉学
5.2GHz低功耗差分控制的CMOS单片LC压控振荡器(英文) [J], 张利;池保勇;姚金科;王志华;陈弘毅
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2011年1月第1期电子测试ELECTRONIC TESTJan.2011No.1基于0.13μm CMOS工艺的低电压高速1:2分频器设计夏辉(92728部队, 200436)摘 要: 在光纤传输系统中,分频器是工作在最高频率的电路之一,起着至关重要的作用, 本文就采用了由锁存器构成的数字1:2分频器。

采用UMC 0.13μm CMOS工艺,设计了电源电压为1V,工作频率范围为5~20GHz 的1:2分频器电路。

该电路由基本分频器单元以及输入输出缓冲组成。

基本分频器单元采用单端动态负载锁存器。

整体电路功耗小于17mW,核心功耗为2mW,芯片面积为0.412mm×0.337mm。

通过系统测试表明,该设计能够达到设计要求。

关键词: CMOS;低电压;分频器;动态负载中图分类号: TN77 文献标识码: A Research on low voltage high speed 1:2frequency divider based on 0.13μm CMOSXia Hui(92728 Army ,200436)Abstract: In optical fiber transmission system, is working at the highest frequency divider circuit, one plays a vital role, this paper uses the figures from the latch constitute a 1:2 divider. This paper describes a 1:2 frequency divider, which works on the power supply voltage of 1V and the frequency range of 5GHz to 20GHz, using UMC 0.13μm CMOS process. The concrete circuits are composed of frequency divider and I/O buffers. A singe-end dynamic loading latch is employed as basic cell. The total power consumption of the chip is lower than 17mW, and core power consumption is 2mW ,and die area equals 0.412mm×0.337mm. Through the system test shows that the design can meet the design requirements.Keywords: CMOS; low voltage; frequency divider; dynamic loading0 引言目前,分频器常见的构成方式有两种:由触发器构成的数字分频器和注入锁定的模拟分频器[3]。

注入锁定分频器输出信号稳定、失调量小,但锁定范围很窄,多用于对信号频率要求很高的场合;而由触发器构成的数字分频器结构相对简单,功耗较低,可分频范围较大,且不需要借助电感这一比较难实现芯片集成的器件,所以其在实际系统中有广泛的应用。

本文就采用了由锁存器构成的数字1:2分频器结构。

1 低电压电路设计电源电压的减小对电路的影响主要包括以下几个方面:随着电源电压减小,动态范围减小,采用差分结构可以增大信号摆幅,但动态范围的下限将受到限制。

通常,为了让Vds(饱和状态)变小,MOS 场效应管的W/L值很大。

由此,低电压对固有电容也产生消极影响,这是因为大的W/L,导致了更大的电容。

随着电源的减小,输入共模范围(ICMR)取值也将受到限制。

ICMR是差分输入工作正常时的输入共模电压,它决定了某一级的输出能否连接到另一个不同或相同级的输入。

另一方面,电压降低,电路电压分配问题就越显著,设计时就不允许采用层叠数较多的电路。

这就限制了电路结构的选择。

另外,以一般的差分放大器为例,由于该工艺阈值电压的典型值为|Vtp|=310mV,Vtn=387mV,而电源电压只有1V,要保证电路节点的输出幅度,MOS管偏置电压的选择范围很小。

偏置电压取得过大,则饱和时要求的Vds就很大,不能保证低电压下整个电路的正常工作;取得过小,MOS管有可能不开启,或者使得过驱动电压较小,电路驱动能力下降,工作速度也降低。

因此,要使电路在低电压下正常工作,对电路结构的选择以及参数的合理取值都提出了很高的要求。

2 锁存器结构选择常见的锁存器结构有:CMOS准静态逻辑[4]、SCFL逻辑[4]、动态负载锁存器[5]、单端动态负载锁存器[6]等。

CMOS准静态逻辑的特点是功耗小,但工作速率不高,在低电压情况下速率更低;SCFL逻辑的工作速率很高,高速电路常用该逻辑实现,但其功耗较大,且其三层堆叠结构需要较高的电源电压驱动;动态负载锁存器采用由时钟控制的动态负载提高工作速度,并且保证输出信号幅度足够大,但是时钟信号的偏置不易选择,且其对电源电压要求较高,不适合低电源电压下高速电路的设计;单端动态负载锁存器为两层结构,其对时钟偏置和电源电压要求都优于前者,而且其动态负载结构能够达到很高的速率。

综上所述,本文采用单端动态负载锁存器作为分频器电路的锁存器单元,这样既可满足高速率的要求,又可以在1V电源电压下正常工作。

3 分频器电路结构本文中基于TFF(Toggle Flip-Flop)的分频器由两个相同的互相耦合的锁存器构成,其框图如图1所示。

每个锁存器由单时钟信号CLK或CLKN 控制,它们在时钟的作用下周期性地交替工作在采样和保持模式,从而实现二分频功能。

这里假定CLK 控制主锁存器,CLKN 控制从锁存器。

图1 分频器框图图2为分频器的电路图。

当CLK 为低电平时,MN5导通,锁存器处于采样模式,MP1和MP2处于线性区,导通电阻很小,即输出节点的RC 时间常数很小。

小的RC 时间常数使得采样差分对(MN3、MN4)能以最快速度对输入信号进行采样,并且缩短电平转换的时间。

当CLK 为高电平时,MN5截止,锁存器处于锁存模式,此时MP1和MP2处于截止状态,RC 时间常数很大。

MN1和MN2交叉耦合构成正反馈锁存对管,使得前半周期输出信号保持不变。

两个锁存器交叉耦合形成的主从结构使得输出信号频率只有输入时钟的一半,即构成了一个1:2分频器。

而动态负载技术则极大地提高了分频器的最大工作频率和分频范围。

4 输出缓冲电路设计输出接口电路是为了驱动外部电路的负载而设计的,目的是要得到足够大的输出电压摆幅。

如图3所示,输出缓冲电路为典型的差分放大电路。

本设计采用三级级连电路以驱动焊盘。

前两级完成对信号的放大并初步限幅,最后一级在完成放大的同时,还完成输出端的阻抗匹配。

三级放大器的主放大器尺寸逐级增大,同时负载电阻按比例逐级缩小,但保持各级增益基本相同。

因为核心电路的输出接输出缓冲电路第一级主放大管的栅极,所以该管的栅宽应当尽量小,以减小前一级的输出负载。

图3 输出缓冲电路5 版图设计与仿真结果本次版图设计是在Cadence 下完成的,芯片版图如图4所示。

在版图设计时,要注意互连线寄生电阻、寄生电容的影响。

在低电源电压情况,这些会对电路速率产生很大的影响。

画版图时,互连线要尽量短。

VddVdd图2 分频器电路图图4 版图电路仿真采用UMC 提供的0.13μm CMOS 工艺模型,前仿真在Synopsys 公司的Hspice 上进行,后仿真使用Cadence 环境下的Spectre。

图5和图6分别是输入信号频率为20GHz 和5GHz 时的输入输出波形图。

图5 输入20GHz 时的波形6 结束语本文采用UMC 0.13μm CMOS 工艺、1V 电源电压、单端动态负载锁存器,分频器可以实现5~20GHz 的1:2分频,并且通过各个工艺角仿真。

整体功耗小于17mW,核心功耗为2mW。

芯片面积是0.412mm×0.337mm。

参考文献[1]张明德,孙小菡. 光纤通信原理与系统[M]. 南京:东南大学出版社, 1996:1-2. [2]邱玲. 0.35μm CMOS 工艺低电压高速1:4分接器[D]. 南京:东南大学,2007.[3]徐阳. CMOS 1:4 高速分接器的设计[D].南京:东南大学,2004.[4]Lu Jianghua, Wang Zhigong et al. A 8.5GHz 1:8 Frequency Divider in a 0.35μm CMOS Technology[J]. Circuits and Systems Magazine, IEEE, 2002(2):24-42.[5]HongMo Wang. A 1.8V 3mW 16.8GHz Frequency Divider in a 0.25μm CMOS[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits,1990(25):920-931.[6] J Wong , V Cheng , H C Luong. A 1-V 2.5-mW 5.2-GHz Frequency Divider in a 0.35μm CMOS Process[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits,2003(38):1643-1648.[7] 姜辉. 基于0.18μm CMOS 工艺的低电压、低功耗、超高速集成电路设计[D]. 南京:东南大学,2006.[8] Eom, S.Y., etc. Compact digital Phase Shifter For Active PhasedArray Antenna System[R]. Microwave and OptoelectronicsConference. 2007, 1:303-306.作者简介:夏辉,工程师,硕士,研究方向为电子技术。

E-mail: mop123@图6 输入5GHz时的波形。

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