c第三章习题参考解答
数据库应用基础ACCESS(第二版)习题解答
第八章 习题参考答案
一、填空题
1．类模块、标准模块、子过程、函数过程
2．面向对象
3．注释语句
4．立即窗口、本地窗口、监视
5．简单的（特殊的）模块
二、选择题
1．B
2．D
3．D
三、判断题
1．对
2．错
3．对
四、思考题
1．答：类模块是与某个对象相关联的模块，只有在对该对象进行相应的操作时才会执行。而标准模块不与任何对象相关联，因此可在数据库中的任何位置执行。所以，标准模块和类模块的主要区别在于其范围和生命周期。
2．答：用查询向导创建查询的优点：能够快捷方便地创建查询，简单易用，上手快。
缺点：只能创建一些简单的查询，查询功能相对较弱。
用查询设计视图创建查询的优点：可以创建一些比较复杂的查询，查询功能相对较强，实用性强。
缺点：完成较为复杂的查询的操作有一定难度，不易掌握。
3．答：SQL查询有联合查询、传递查询、数据定义查询、子查询。
（7）使用符合标准的SQL数据库语言，具有较好的通用性；
（8）可以利用VBA进行高级操作控制和复杂的数据操作。
第二章 习题参考答案
一、填空题
1．标题栏，菜单栏，工具栏，数据库窗口，状态栏
2．数据库子窗口右上角的“X”按钮，数据库子窗口左上角的控制符号，“文件”菜单中关闭命令
3．文本类型，货币类型，数字类型，日期时间类型，自动编号类型，是/否类型，备注类型，OLE对象类型，超级链接类型，查阅向导类型
报表页脚：包含整份报表最后得出的统计数据或结论，显示于整份报表的结尾处。
2．答：对文本型字段进行分组时，分组形式可以设置为：每一个值和前缀字符。当设置为每一个值时，组间距属性应设置为1；若分组形式设置为前缀字符时，组间距属性可设置为任何有效的字符数。
第3章CPU构成习题参考解答
6．按照图 3．3 所示的双总线数据通路，写出 SUB R2，R3 指令取指阶段和执行阶段的 微操作序列。 答：SUB R2，R3。这是一条减法指令，属于寄存器寻址方式，操作数和结果都存在寄 存器中。其功能是用寄存器 R2 的内容减去 R3 的内容，结果存入寄存器 R2 中。其指令流程 如表 3．26： 表 3．26 SUB R2，R3 指令双总线流程分析表 步骤 （ 1） （ 2） （ 3） （ 4） （ 5） 微 操 作 （PC）→MAR； （PC）+1→C （C ） →PC； M[MAR] →MDR （MDR）→IR （R2）－（R3）→C （C）→R2 控 制 信 号 解 释 PCOUT1、 CPMAR、 EMAR、 指令地址送到 MAR ， PC RD、+1、CPC 内容和 1 相加后送 C。 COUT、CP2PC、SMDR MDROUT1、CP1IR 完成 PC 的修改， 将读出的 指令送 MDR。 将读出的指令送 IR，取指 阶段完成。
表 3．27 SUB R2，R3 指令三总线流程分析表 步骤 （ 1） （ 2） （ 3） （ 4） 微 操 作 （PC）→MAR； （PC）+1→PC M[MAR] →MDR （MDR）→IR （R2）－（R3）→R2 控 制 信 号 解 释 PCOUT3、 CPMAR、 EMAR、 指令地址送到 MAR ， PC RD、+1、CP1PC 内容和 1 相加后送 PC。 SMDR MDROUT3、CP1IR R2OUT2 、 R3OUT3 、 ADD、PC1R1 将读出的指令送 MDR。 将读出的指令送 IR，取指 阶段完成。 R2 减去 R3 的内容后送 R2。
8．根据表 3．7 分析，参考表 3．8，说明此模型机有几种指令格式。 答：模型机有如下 9 种指令格式： ⑴ 31 27 26 22 21 17 16 0 OP ra rb C2 指令：LOAD、STORE、LOADA、ADDI、ANDI 和 ORI 使用此格式。 ⑵ 31 27 26 22 21 0 OP ra C1 指令：LOADR、STORER 和 LOADR 使用此格式。 ⑶ 31 27 26 22 21 17 16 12 11 0 OP ra rc 未用 指令：NEG、NOT 使用此格式。 ⑷ 31 27 26 22 21 17 16 12 11 OP 未用 rb rc 未用 指令：BRxx 使用此格式。 ⑸ 31 27 26 22 21 17 16 12 11 OP ra rb rc 未用 指令：BRLxx 使用此格式。 ⑹ 31 27 26 22 21 17 16 12 11 OP ra rb rc 未用 0 指令：ADD、SUB、AND 和 OR 使用此格式。 ⑺ 31 27 26 22 21 17 16 5 4 未用 3 2 C4 3 2 C4 0 0 0
CH3习题参考答案
习题3解答判断题1.栈和队列都是限制存取点的线性结构（TRUE）2.栈和队列是两种重要的线性结构。
（ TRUE ）3.带头结点的单链表形式的队列，头指针F指向队列的头结点，尾指针R指向队列的最后一个结点（TRUE）4.在对不带头结点的链队列作出队操作时，不会改变头指针的值。
（FALSE）单项选择题：5.若已知一个栈的入栈序列是1，2，3，…，n，其输出序列为p1，p2，p3，…，p n，若p1=n，则p i为( )。
A．i B．n=i C．n-i+1 D．不确定答：C[当p1=n，即n是最先出栈的，根据栈的原理，n必定是最后入栈的，那么输入顺序必定是1，2，3，…，n，则出栈的序列是n，…，3，2，1，所以答案是C。
] 6．栈和队列的共同点是( )。
A．都是先进后出B．都是先进先出C．只允许在端点处插入和删除元素D．没有共同点答：C7．若依次输入数据元素序列{a，b，c，d，e，f，g}进栈，出栈操作可以和入栈操作间隔进行，则下列哪个元素序列可以由出栈序列得到？( )A．{d，e，c，f，b，g，a} B．{ f，e，g，d，a，c，b}C．{e，f，d，g，b，c，a} D．{ c，d，b，e，g，a，f}答：A8.一个栈的入栈序列是1,2,3,4,5，则下列序列中不可能的出栈序列是( )A. 2,3,4,1,5B. 5,4,1,3,2C. 2,3,1,4,5D. 1,5,4,3,2答：B9. 队列操作的原则是( )A. 先进先出B. 后进先出C. 只能进行插入D. 只能进行删除答：A10. 栈的插入与删除是在( )进行。
A.栈顶B. 栈底C. 任意位置D. 指定位置答：A11.假设顺序栈的定义为：typedef struct {selemtype *base; /* 栈底指针*/selemtype *top; /* 栈顶指针*/int stacksize; /* 当前已分配的存储空间,以元素为单位*/ }sqstack;变量st为sqstack型，则栈st为空的判断条件为（）。
第三章练习试题和参考解答
第三章练习题及参考解答3、1 第三章得“引子”中分析了,经济增长、公共服务、市场价格、交通状况、社会环境、政策因素,都会影响中国汽车拥有量。
为了研究一些主要因素与家用汽车拥有量得数量关系,选择“百户拥有家用汽车量”、“人均地区生产总值”、“城镇人口比重”、“交通工具消费价格指数”等变量,2011年全国各省市区得有关数据如下:资料来源:中国统计年鉴2012、中国统计出版社1)建立百户拥有家用汽车量计量经济模型,估计参数并对模型加以检验,检验结论得依据就是什么。
2)分析模型参数估计结果得经济意义,您如何解读模型估计检验得结果?3) 您认为模型还可以如何改进?【练习题3、1参考解答】:1)建立线性回归模型:回归结果如下:由F统计量为17、87881, P值为0、000001,可判断模型整体上显著, “人均地区生产总值”、“城镇人口比重”、“交通工具消费价格指数”等变量联合起来对百户拥有家用汽车量有显著影响。
解释变量参数得t统计量得绝对值均大于临界值,或P值均明显小于,表明在其她变量不变得情况下,“人均地区生产总值”、“城镇人口比重”、“交通工具消费价格指数”分别对百户拥有家用汽车量都有显著影响。
2)X2得参数估计值为5、9911,表明随着经济得增长,人均地区生产总值每增加1万元,平均说来百户拥有家用汽车量将增加近6辆。
由于城镇公共交通得大力发展,有减少家用汽车得必要性,X3得参数估计值为0、5231,表明随着城镇化得推进,“城镇人口比重”每增加1%,平均说来百户拥有家用汽车量将减少0、5231辆。
汽车价格与使用费用得提高将抑制家用汽车得使用, X4得参数估计值为2、2677,表明随着家用汽车使用成本得提高, “交通工具消费价格指数”每增加1个百分点,平均说来百户拥有家用汽车量将减少2、2677辆。
3)模型得可决系数为0、6652,说明模型中解释变量变解释了百户拥有家用汽车量变动得66、52%,还有33、48%未被解释。
电机与拖动基础课后习题答案(部分)
第一章作业解答参考1—8．解：)(630230101453A U P I N N N =⨯==)(1619.0145KW P P NN===ηλ 1—20．解：（1）U V n a pN E a <=⨯⨯⨯⨯==)(186150001.0160372260φ 是电动机状态。
∴（2）)(46.163208.0186220A R E U I a a a =-=-=)(63.19315002604.30)(4.3046.163186m N P T KW I E P M a a M ⋅=⨯⨯⨯=Ω==⨯==π （3）)(6.5208.046.16322KW R I p a a cua =⨯==)(79.292403624.30)(366.54.3021KW p p P P KW p P P Fa M cua M =--=--==+=+=Ω%823679.2912===P P η 1—23．解：（1）)(112.54300014.326010172603m N n P P T N N N N N ⋅=⨯⨯⨯⨯=⨯=Ω=π%2.82942201017)(812.557.1112.54)(7.1344014.32608.2)316.08.2220(26030'00000=⨯⨯==⋅=+=+=⋅=⨯⨯⨯⨯⨯-=⨯=Ω=N N N N N a a M I U P m N T T T m N n I E P T ηπ（2）N e e C C Φ=Φ∴0忽略电枢反应影响， 恒定。
0'0Φ-=e a a N C R I U n ， 0636,03440316.08.22200=⨯-=Φe C)min (34590636.022000r C U n e N ==Φ=（3） Φ=Φe M C C 55.9)min (27860636.0)15.0316.0(89.91220)()(89.910636.055.9812.55r C R R I U n I T T A C T I e a a N a Z M a =+⨯-=Φ+-=→==⨯=Φ=Ω不变不变，第二章 习题解答参考2—6．解：（1）T T T n C C R R C U n Nm e a N e N 64.1115819.055.94.006.01158202-=⨯+-='-=Φ+-Φ=Ωβ （2）T T T n C C R C U n N m e a N e 21.057921.019.011002-=-=-'=Φ-Φ=β （3）T T T n C C R C U n m e a e N 35.0146717.006.015.022002-=-=''-''=Φ-Φ=β 19.0=ΦN e C N Φ=Φ8.0 15.019.08.0=⨯=Φ∴e C2N m e C C Φ=()255.9N e C Φ=219.055.9⨯=0.28 2Φm e C C =17.028.08.02=⨯2—16．解：（1）[]V R I U E a N N a 20425.064220=⨯-=-=[]A R R E U I Z a a N a 84.67625.0204220max -=+--=---=29.0700204==-=ΦN a N N N e n R I U C 76.229.055.955.9=⨯=Φ=ΦN e N m C C[]m N I C T anax N m ⋅-=-⨯=Φ=23.187)84.67(76.2max停机时 n=0 0=Φ=n C E N e a[]A R R U I Z a N a 2.35625.0220-=+-=+-=[]m N I C T a N m ⋅-=-⨯=Φ=15.97)2.35(76.2此时反抗性负载 []m N I C T N N m Z⋅-=⨯-=Φ-='64.1766476.2 由于 T T Z>' 故系统不会反向起动。
有机化学习题参考答案
O
CH3
O
CH2
C H
C
O
CH3
O
CH2
C H
C
O
CH3
(2)
CH2
C H
O
CH3
(3)
CH2
C H
Br
O
(4)
CH2
C H
C
CH3
H CH2 C O CH3
H CH2 C Br
HO CH2 C C CH3
O
CH2
C H
C
CH3
CH2
C H
O
CH3
CH2
C H
Br
O
CH2
C H
C
CH3
(5)
H2C
Answers：
2-6 下列共轭体系的共振结构式：
O
(1)
CH2
C H
C
O
CH3
(2)
CH2
C H
O
CH3
O
(4)
CH2
C H
C
CH3
Answers：
(5)
CH2
C H
C
NO(1) NhomakorabeaCH2
C H
C
O
CH3
HO CH2 C C O CH3
(3)
CH2
C H
Br
(6) CH3 C N O
O
CH2
C H
C
(6)
2-4 将下列化合物的结构式改写出为纽缦投影式，并用纽缦投影式表示每个化合物的优势构象。
H
H
H
Br
(1) H3C H3C
Br H
(2) H
C语言课后习题的答案
（2）
#include "math.h"
int isPrime(int n)
{
int i,rtn=1;
for(i=2;i<=sqrt(n);i++)
{
if(n%i==0)
{
rtn=0;
break;
}
}
return rtn;
}
int main(int argc, char* argv[])
n++;
else if((c>='A' && c<='Z') || (c>='a' && c<='z'))
m++;
else
other++;
c=getchar();
}
printf("字母的个数：%d\n数字的个数：%d\n其他字符的个数：%d",m,n,other);
{
int max,min,n,i;
scanf("%d",&n);
max=min=n;
for(i=1;i<=9;i++)
{
scanf("%d",&n);
if(n>max)max=n;
if(n<min)min=n;
}
printf("最大数为：%d\n最小数为：%d\n",max,min);
x=1;
y=n/2+1;
C++语言基础教程习题参考解答
清华大学出版社出版普通高等院校计算机专业（本科）实用教程系列之一《C++语言基础教程》全部练习题参考解答第一章 C++语言概述1.2 填空题1．#2. ; { }3. 空格制表回车换行4. 系统用户5. 程序6. 函数头函数体7. main8. 函数原型9. 原型10. 复合语句11. .h .cpp12. 严重错误警告错误13. void14. void15. int 016. n17. 下一行18. 空白符1.3 写出下列程序运行结果，此题又作为上机实验题1. x+y=11,x*y=302. cube(3)=27cube(5)=125cube(8)=5123. averageValue:3averageValue:44. 请输入三个整数：10 5 9 (假定输入的三个整数为10,5,9)最大值: 10最小值: 5第二章数据类型和表达式2.2 填空题1. 4，1，1，4，82. short, int, long4. 46, 123, 985. 107, 10, 92, 42 1026. 157. 符号常量，整数，int8. 3.4E2, 5.27E69. int, int, double, double, float10. x, 1511. 6, 6012. 26, 2513. 4, 114. 256, 2215. x, x16. 0, 117. 2018. 519. 9, 21620. 0, 1921. (1+x)*sin(48*3.14159/180), a*pow(x,b)*exp(x+1)2.3 指出下列各表达式值的类型1. int2. double3. float4. long int5. int6. int7. int8. int9. double 10. double 11. double 12. int13. int 14. double 15. char 16. int17. bool 18. int 19. short 20. bool21. unsigned int 22. double 23. int 24. char25. int 26. double 27. double 28. double29. double 30. int 31. int 32. double33. double 34. double 35. bool 36. bool37. bool 38. bool 39. bool 40. bool2.4 已知a=20, x=4.7, r=’a’, 试求出下列每个表达式的值（各表达式互不影响）。
通信电子线路习题解答(严国萍版)
关于《通信电子线路》课程的习题安排：第一章习题参考答案：1-11-3解：1-5解：第二章习题解答：2-3解：2-4由一并联回路，其通频带B过窄，在L、C不变的条件下，怎样能使B增宽？答：减小Q值或减小并联电阻2-5信号源及负载对谐振回路有何影响，应该如何减弱这种影响？答：1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响：通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q （空载Q 值）如式通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式为空载时的品质因数为有载时的品质因数Q Q QQ LL <可见 结论：串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源）和负载电阻RL 也不大的情况。
2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响2-8回路的插入损耗是怎样引起的，应该如何减小这一损耗？答：由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。
回路本身引起的损耗称为插入损耗，用K l 表示 无损耗时的功率，若R p = ∞， g p = 0则为无损耗。
有损耗时的功率 插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小，其中由于回路本身的Lg Q 0p 01ω=，而Lg g g Q 0L p s L )(1ω++=。
2-11oo Q R L Q ==ωLS L R R R LQ ++=0ωL ps p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++===故ωω同相变化。
与L S L R R Q 、 性。
较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大，负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴11P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L 2L s sL 201g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+==L 2p L ss L 211g g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=='20L 1111⎪⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛-='=Q Q P P K l2-12解：2-135.5Mhz 时，电路的失调为：66.655.0*23.33f f 2Q p 0==∆=ξ 2-14解：又解：接入系数p=c1/（c1+c2）=0.5，折合后c0’=p2*c0=0.5pf,R0’=R0/ p2=20kΩ,总电容C=Ci+C0’+C1C2/(C1+C2)=15.5pf,回路谐振频率fp=45.2Mhz，谐振阻抗Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）,其中Rp0为空载时回路谐振阻抗，Rp0=Q0*2π*fp*L=22.72KΩ，因此，回路的总的谐振阻抗为：Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）=5.15 KΩ，有载QL=Rp/（2π*fp*L）=22.67，通频带B=fp/QL=1.994Mhz2-17；第三章习题参考答案：3-3晶体管的跨导gm是什么含义，它与什么参量有关？答：3-4为什么在高频小信号放大器中，要考虑阻抗匹配问题？答：3-7放大器不稳定的原因是什么？通常有几种方法克服？答：不稳定原因：克服方法：3-9解：3-10解：第四章习题参考答案：4-1答：4-3答：4-5解：4-64-14 一调谐功率放大器工作于临界状态，已知V CC =24V ，临界线的斜率为0.6A/V ，管子导通角为90︒，输出功率P o =2W ，试计算P =、P c 、ηc 、R p 的大小。
04.递推算法(C++版包括习题参考答案)
【例6】过河卒（Noip2002） 【问题描述】 棋盘上A点有一个过河卒，需要走到目标B点。卒行走的规则：可以向 下、或者向右。同时在棋盘上的任一点有一个对方的马（如C点），该马 所在的点和所有跳跃一步可达的点称为对方马的控制点，如图3-1中的C点 和P1，„„，P8，卒不能通过对方马的控制点。棋盘用坐标表示，A点 (0,0)、B点(n, m) (n,m为不超过20的整数),同样马的位置坐标是需要给 出的，C≠A且C≠B。现在要求你计算出卒从A点能够到达B点的路径的条数。
min{m , n}1 i 0
s 1=
(n i ) * (m i )
2.长方形和正方形的个数之和s 宽为1的长方形和正方形有m个，宽为2的长方形和正方形有 m-1个，┉┉，宽为m的长方形和正方形有1个； 长为1的长方形和正方形有n个，长为2的长方形和正方形有n1个，┉┉，长为n的长方形和正方形有1个； 根据乘法原理
【例3】棋盘格数
设有一个N*M方格的棋盘（ l≤ N≤100，1≤M≤100）。求出该棋盘中包含有多少 个正方形、多少个长方形（不包括正方形）。 例如：当 N=2， M＝3时： 正方形的个数有8个：即边长为1的正方形有6个；边长为2的正方形有2个。 长方形的个数有10个：即2*1的长方形有4个：1*2的长方形有3个：3*1的长 方形有2个：3*2的长方形有1个： 程序要求：输入：N，M 输出：正方形的个数与长方形的个数 如上例：输入：2 3 输出：8 10 【算法分析】 1.计算正方形的个数s1 边长为1的正方形个数为n*m 边长为2的正方形个数为(n-1)*(m-1) 边长为3的正方形个数为(n-2)*(m-2) ………… 边长为min{n，m}的正方形个数为(m-min{n，m}+1)*(n-min{n，m}+1) 根据加法原理得出
51单片机基础知识试题题库（答案）
51单⽚机基础知识试题题库（答案）第⼆章习题参考答案⼀、填空题：2、MCS-51的堆栈是软件填写堆栈指针临时在⽚内RAM数据存储器内开辟的区域。
INC DEC 都不影响 PSW 堆宅操作只有⼀条寻址⽅式直接寻址⽅式17、使⽤8031芯⽚时，需将ROM 存7、单⽚机8031的ALE引脚是（）。
A、输出⾼电平B、输出矩形脉冲，频率为fosc的1/6C、输出低电平D、输出矩形脉冲，频率为fosc的1/211、单⽚机上电复位后，堆栈区的最⼤允许范围是（）个单元。
A、64B、 120C、128D、25612、单⽚机上电复位后，堆栈区的最⼤允许范围是内部RAM的（）。
A、00H—FFHB、00H—07HC、07H—7FHD、08H—7FH13、对于8031单⽚机，其内部RAM（）。
A、只能位寻址B、只能字节寻址C、既可位寻址⼜可字节寻址D、少部分能位寻址18、单⽚机8051的XTAL1和XTAL2引脚是（）引脚。
A、外接定时器B、外接串⾏⼝C、外接中断D、外接晶振23、MCS—51的专⽤寄存器SFR中的堆栈指针SP是⼀个特殊的存贮区，⽤来（），它是按后进先出的原则存取数据的。
A、存放运算中间结果B、存放标志位C、暂存数据和地址D、存放待调试的程序三、判断题6、PC可以看成使程序存储器的地址指针。
（√）7、判断以下有关PC和DPTR的结论是否正确？A、DPTR是可以访问的，⽽PC不能访问。
（√）B、它们都是16位的存储器。
（√）C、它们都有⾃动加“1”的功能。
（×）PC有⾃动加“1”的功能，⽽DPTR的加“1”则需通过指令INC DPTR来完成。
D、DPTR可以分为两个8位的寄存器使⽤，但PC不能。
（√）8、程序计数器PC不能为⽤户编程时直接使⽤，因为它没有地址。
（√）13、8051的累加器ACC是⼀个8位的寄存器，简称为A，⽤来存⼀个操作数或中间结果。
（√）14、8051的程序状态字寄存器PSW是⼀个8位的专⽤寄存器，⽤于存程序运⾏中的各种状态信息。
c程序设计第三版习题参考解答(全)
c程序设计第三版习题参考解答(全) C程序设计第三版习题参考解答本文为《C程序设计第三版习题参考解答》的全文内容。
为了更好地适应题目要求，文章将按照解答问题的方式进行分段，每个问题对应一个小节。
以下是各个问题的解答：第一章：C概述和程序设计基本原则1. 什么是计算机程序？计算机程序是一系列指令的集合，用于告诉计算机执行特定的任务。
它由一系列语句组成，每条语句都包含了计算机可以理解和执行的命令。
2. C语言的起源和发展历程是什么？C语言是由贝尔实验室的Dennis Ritchie于20世纪70年代初开发的一种通用高级编程语言。
C语言基于早期的B语言进行了扩展和改进，成为了应用广泛且高效的编程语言。
3. 编译和解释有什么区别？编译是将源代码一次性转换为机器语言的过程。
它将整个源代码文件编译成可执行文件，然后可以直接在计算机上运行。
解释是逐行解析源代码并立即执行的过程。
解释器逐行读取源代码并将其转换为机器代码，然后立即执行转换后的代码。
4. C程序的一般结构是什么样的？C程序的一般结构包括预处理指令、函数声明、全局变量声明、main函数以及其他函数的定义。
预处理指令用于包含头文件、定义宏等。
函数声明用于声明函数的名称和参数。
全局变量声明用于声明全局变量。
main函数是C程序的入口点，也是程序执行的起始位置。
第二章：C基本语法和数据类型1. C中的注释有哪些类型？在C中，注释分为单行注释和多行注释。
单行注释以"//"开头，多行注释以/*开头，以*/结尾。
2. 什么是变量？变量是在程序中用来存储数据的存储区域。
每个变量都有一个名称和一个数据类型，可以通过变量名来引用它所存储的数据。
3. C语言中的常量有哪些类型？C语言中的常量分为整型常量、实型常量、字符常量和字符串常量。
整型常量表示整数值，实型常量表示实数值，字符常量表示单个字符，字符串常量表示一串字符。
4. C语言中的运算符有哪些类型？C语言中的运算符包括算术运算符、关系运算符、逻辑运算符、赋值运算符、自增自减运算符等。
第3章 习题及参考解答
第3章习题及参考解答1．指出下列各指令中源操作数和目的操作数的寻址方式。
(1)MOV DI，100(2)MOV CX．100[SI](3)MOV [SI]，AX(4)ADD AX，[BX+DI](5)AND AX，BX(6)MOV DX，[1000](7)MOV BX，[BP+DI+100](8)PUSHF(9)SUB [1050]，CX(10)AND DH，[BP+4]解源操作数目的操作数(1)立即寻址寄存器寻址(2)变址寻址寄存器寻址(3)寄存器寻址寄存器间接寻址(4)基址加变址寻址寄存器寻址(5)寄存器寻址寄存器寻址(6)直接寻址寄存器寻址(7)基址加变址寻址寄存器寻址(8)寄存器寻址寄存器间接寻址(9)寄存器寻址直接寻址(10)变址寻址寄存器寻址2．试述指令MOV AX，2000H和MOV AX，DS：[2000H]的区别?解区别有三条：(1)MOV AX，2000H对源操作数是立即寻址，而MOV AX．[2000H]对源操作数是直接寻址；(2)前者功能是把立即数2000H送入AX中，而后者是把内存2000H单元与2001H单元的内容取出送入AX 中；(3)两者的机器代码不同，执行速度也不同，前者执行时间快，后者执行时间慢。
4．若DS＝4000H，BX＝0800H，[40800H]＝05AOH，[40802H]＝2000H，求执行指令LDS SI，[BX]后，DS与SI中的内容。
若上题中的DS换成ES，其他条件不变，求执行指令LES DI，[BX]后，ES与DI 中的内容。
解SI=05AOH，DS=2000HDI=05AOH，ES=2000H5．若AX＝98ABH，BX=A8BCH。
求执行指令ADD AX，BX后，AX与BX中的内容，并指出SF，ZF，AF，PF，CF和OF的状态。
解AX=4167H，BX=A8BCH，SFZFAFPFCFOF＝001011B。
6．若CX=6700H，DX=78FFH，CF=1。
C语言2-3章习题参考解答
第二章C语言的基本数据类型及运算2.1C语言中的标识符可以由哪些字符组成？一个合法的C语言标识符应遵循那些规定？解：略。
2.2C语言有哪些数据类型？各种基本数据类型所占存储空间长度如何？解：略。
2.3若有定义int a=7; float x=2.5, y=4.7; 则表达式x+a%3*(int)(x+y)%2/4的值为多少？解：2.52.4假设所有变量均为整型，则表达式(a=2, b=5, b++, a+b)的值是什么？解：82.5若int x=1, y=2; 则表达式1.0+x/y的值是什么？解：1.02.6找出下列程序中的几处错误并改正。
Main(){ int a=1, b=c=5, t=326845;int d; char ch='A' ;d=b*c;printf("ch=%c, d=%d, t=%ld\n", ch, d, t);}解：错误（1）b=c=5（初始化错误）应该为：b=5，c=5错误（2）t=326845（给基本整型变量t赋值超过最大值32768，会导致执行结果错误）2.7写出下列程序的运行结果。
(1) main(){ int a, b, c, d;a=28; b=8;c=a/b; d=a%b;printf("%d/ %d=%d, %d%%d=%d\n", a, b, c, a, b, d);}(2) main(){ char x='a', y=98;printf("%d\t\b%c", x, y);}(3) main(){ int a=5, b=12, x, y;x=a*=4; y=b- -;printf("%d, %d, %d, %d\n", a, b, x, y);}(4) main(){ int m, n=4;float x=21.7, y=7.0;++n;m=x/y+n;printf("%d, %d\n", m, n);}解：（1）28/8=3, 28%8=4（2）97 b（3）20, 11, 20, 12（4）8, 5第三章C语言程序设计初步3.1什么是输入输出格式说明符？它与转义字符的区别是什么？解：略。
算法与数据结构C语言版课后习题答案（机械工业出版社）第3,4章习题参考答案
算法与数据结构C语⾔版课后习题答案（机械⼯业出版社）第3,4章习题参考答案第3章栈和队列⼀、基础知识题3.1有五个数依次进栈：1，2，3，4，5。
在各种出栈的序列中，以3，4先出的序列有哪⼏个。
（３在４之前出栈）。
【解答】34215 ，34251，345213.2铁路进⾏列车调度时，常把站台设计成栈式结构，若进站的六辆列车顺序为：1，2，3，4，5，6，那么是否能够得到435612， 325641， 154623和135426的出站序列，如果不能，说明为什么不能；如果能，说明如何得到(即写出"进栈"或"出栈"的序列)。
【解答】输⼊序列为123456，不能得出435612和154623。
不能得到435612的理由是，输出序列最后两元素是12，前⾯4个元素（4356）得到后，栈中元素剩12，且2在栈顶，不可能让栈底元素1在栈顶元素2之前出栈。
不能得到154623的理由类似，当栈中元素只剩23，且3在栈顶，2不可能先于3出栈。
得到325641的过程如下：1 2 3顺序⼊栈，32出栈，得到部分输出序列32；然后45⼊栈，5出栈，部分输出序列变为325；接着6⼊栈并退栈，部分输出序列变为3256；最后41退栈，得最终结果325641。
得到135426的过程如下：1⼊栈并出栈，得到部分输出序列1；然后2和3⼊栈，3出栈，部分输出序列变为13；接着4和5⼊栈，5，4和2依次出栈，部分输出序列变为13542；最后6⼊栈并退栈，得最终结果135426。
3.3若⽤⼀个⼤⼩为6的数组来实现循环队列，且当前rear和front的值分别为0和3，当从队列中删除⼀个元素，再加⼊两个元素后，rear和front的值分别为多少？【解答】2和43.4设栈S和队列Q的初始状态为空，元素e1，e2，e3，e4，e5和e6依次通过栈S，⼀个元素出栈后即进队列Q，若6个元素出队的序列是e3，e5，e4，e6，e2，e1，则栈S的容量⾄少应该是多少？【解答】43.5循环队列的优点是什么，如何判断“空”和“满”。
c程序设计第三版习题参考解答(全)
C程序设计（第三版）课后习题参考解答第1章 C语言概述1.5 参照本章例题，编写一个C程序，输出以下信息：******************************Very Good!******************************解：main ( ){printf(“****************************** \n”);printf(“\n”);printf(“ Very Good! \n”);printf(“\n”);printf(“****************************** \n”);}1.6 写一个程序，输入a,b,c三个值，输出其中最大者。
解：main ( ){int a,b,c,max;printf(“请输入三个数a,b,c: \n”);scanf(“%d,%d,%d”,&a,&b,&c);max=a;if (max<b)max=b;if (max<c)max=c;printf(“最大数为：%d ”,max);}第2章程序的灵魂——算法2.1 什么叫结构化的算法？为什么要提倡结构化的算法？解：由一些基本结构顺序组成的算法称为结构化的算法。
由于在基本结构之间不存在非顺序的跳转，流程的转移只存在于一个基本结构范围之内，因而提高了算法的质量。
2.7 什么叫结构化程序设计？它的主要内容是什么？解：结构化程序就是用高级语言表示的结构化算法。
它的主要内容包括“自顶向下，逐步细化”的分析方法和“模块化设计”的解决方法，以及“结构化编码”的实现方法。
第3章数据类型、运算符与表达式3．4将以下三各整数分别赋给不同类型的变量，请画出赋值后数据在内存中的存储形式。
注：如果没有学过二进制和补码，此题可以不做。
解：各数据在内存中的存储形式如下表所示：变量的类型25 －2 32769int型00 (000011001)8 位111111111111111015100 … 001（溢出）14long型00 (000011001)24 11 (1110)3100... 0100 (001)16 14short型100 (000011001)8 111111111111111015100 … 001（溢出）14signed char（8位）100011001 11111110 00000001（溢出）unsigned int型00 (000011001)8 11 (110)15100 (001)14unsigned long型00 (000011001)24 11 (110)3100... 0100 (001)16 14unsigned short型00 (000011001)8 11 (110)15100 (001)8unsigned char型00011001 11111110 00000001其中int和short类型，其取值范围是－32768～32767。
《电工基础》课后习题解答
12 I R1 6 A 2 I R 2 2 3 6V IU S 6 2 4 A U I S 3 2 12 18V
PR1 62 2 72W PR 2 22 3 12W P U S 12 4 48W PI S 18 2 36W
解
12 I 1 2A 24 6 图1－40 I2 2A 1 2 V c U cf U af U ba U cb 12 2 2 0 8V V d U df U dc U cb U ba U af 2 1 0 2 2 12 10V
1－16 图1－41（a）所示电路中电容C=10μF，电源电压u的波形如图（b） 所示。试绘出电容电流i的波形图。 解
在0 t 2ms 在2ms t 3ms iC du 20 0 10 106 0.1A 3 dt 2 10 du iC 0 dt
在3ms t 4ms du 20 20 6 iC 10 10 0.2 A 200mA dt (5 3) 103 du 在5ms t 6ms i C 0 dt t 6ms du 0 20 iC 10 106 0.1A 100mA 3 dt (8 6) 10
（b）IR、IUS、UIS参考方向如图（b）所示
IR IU S
6 2A 3 2 2 4A
PR 2 2 3 12W P U S 6 4 24W PI S 2 6 12W
U I S 6V
（c）IR1、IUS、UIS 、UR2参考方向如图（c）所示
1－19 求图1－43所示电路中的电压Uab。
图1－43
解 设电流I1参考方向如图所示
C语言程序设计》课后习题详细答案
《全国计算机等级考试二级教程——C语言程序设计》习题分析与详细解答第一章程序设计基本概念习题分析与解答1．1 【参考答案】EXE1．2 【参考答案】［1］.C ［2］.OBJ ［3］.EXE1．3 【参考答案】［1］顺序结构［2］选择结构［3］循环结构第二章C程序设计的初步知识习题分析与解答一、选择题2．1 【参考答案】B)2．2 【参考答案】D)2．3 【参考答案】B)2．4 【参考答案】A)2．5 【参考答案】C)2．6 【参考答案】A)2．7 【参考答案】B)2．8 【参考答案】B)2．9 【参考答案】D)2．10 【参考答案】C)2．11 【参考答案】B)2．12 【参考答案】B)2．13 【参考答案】A)二、填空题2．14 【参考答案】［1］11 ［2］122．15 【参考答案】［1］4.2 ［2］4.22．16 【参考答案】［1］{ ［2］} ［3］定义［4］执行2．17 【参考答案】［1］关键字［2］用户标识符2．18 【参考答案】［1］int ［2］float ［3］double2．19 【参考答案】float a1=1.0, a2=1.0；或float a1=1, a2=1;(系统将自动把1转换为1.0)2．20 【参考答案】存储单元2．21 【参考答案】 3.52．22 【参考答案】［1］a*b/c ［2］a/c*b ［3］b/c*a2．23 【参考答案】把10赋给变量s2．24 【参考答案】［1］位［2］1位二进制数据(0或1)2．25 【参考答案】［1］8 ［2］127 ［3］01111111 ［4］-128 [ 5 ] 10000000 2．26 【参考答案】［1］32767 ［2］-32768 ［3］10000000000000002．27 【参考答案】［1］十［2］八［3］十六三、上机改错题2．28 【分析与解答】第1行的错误：(1) include是一个程序行，因此在此行的最后不应当有分号(;)。
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第三章材料的电学E C0.29eV0.05eV EDE FE iE V311231915/)(/1006.4)3001038.1106.122.0exp(21110211)(22.005.029.0212.1)(,12.1.1cmeNEfNneVEEEEEEEEEEEEeVESikTEEDDDDFDiFDicFDDcDgFD⨯=⨯⨯⨯⨯+=+=⋅==-=-∴--∆--=--=∆=⊗---的查解：⎪⎩⎪⎨⎧⨯==⨯==∴〈〈⊗。
少子；多子解：)(/1013.1)(/105.1.2392315cmNnpcmNnNnDiDDieV22.0J1053.3EEcm/102Ncm/100.1NNNlnkTEEPcm/1045.8102)103.1(pnncm/102109101.1NNpTNP,NN.320VF315A319VAVVF34152102i3151516DAAD=⨯=-⨯⨯=-⎪⎩⎪⎨⎧⨯=⨯⨯==⨯=⨯-⨯=-=⇒∴∴〈⊗-代入可得取，取型半导体，有对于杂质几乎完全电离在室温，较少且又型半导体补偿后解：时可保持强电离。
则有令，仅考虑杂质电离有低温区，忽略本征激发解：318D318DDD2/1kT/ECDDDcm/1032.1Ncm/1032.1NN9.0n)eNN8(1N2nn.4D⨯〈⨯〈⇒≥⋅+==⊗+∆+E g=1.12eVK T m k N D T T k E kT m N D N D n T k E N ND T kE N N N n N N T k E E Tk E E N n T k E E Tk E E N n dn D D dn c D D D cD D c D D D cDc F FD D D FD F D D D 125)2()_ln(ln )2/3()1)(/)2(2_,_)/exp()(2_),/exp()(2ln )exp(21)exp(,)exp(211.532/3002/3000000≈∴+=∆=≈∴∆=∆≈∴+=∴--=>>----+=ππ（代入将总数的百分比为未电离的施主杂质占令代入上式杂质饱和电离时当解：31319p n i i p n i ii cm /1029.2)19003900(106.1471)(q 1n )(q n 1.6⨯=+⨯⨯⨯=μ+μρ=∴μ+μ=ρ=σ⊗- 解：661119163163221161910310108.21085.3/8.108.101350106.1105/105,/1051085.3)5001350(106.1103.1)(/103.1300.7⨯=⨯=∴⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=≈⨯=⨯=⋅Ω⨯=+⨯⨯⨯⨯=+=⨯=⊗--------in n D n D i p n i i i cm q n cm n cm N Si cm q n cmn Si K σσμσμμσ则的密度本征又的时解：cm 34.1400106.11017.11pq 1cm /1017.1)33.2500/(1002.68.10105.4N p .81916p 316235A ⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⨯=⨯⨯⨯=≈⊗-- 解：mE s q m m q n n n d s n n n n n n 181********311048.11048.110101.01048.1106.110101.926.01.0.9-------**⨯=⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=⋅=⨯=⨯⨯⨯⨯⨯==∴=τμτυλμττμ 解：Ω=⨯=⋅ρ=⋅Ω=⨯⨯⨯=μ=σ=ρ⊗-3.16.01781.0S l R cm 781.08000106.1101nq 11.101915n解：225112251123312319193103.421023.412.4400)2(5.361065.3365.3)1010/(101.926.03001038.13106.110/33,,)1(101.926.026.0.11------------⋅=⋅⨯==⋅Ω=⋅=⋅⨯===⋅Ω=⋅⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=∴===⨯⨯==⊗cm A m A i m K cm A m A m kTqN E i mE m kTq N m kT V E V nq kg m m Si dnA dnA dn dn σσσμμσ时，同理，（电子有效质量），对解： cm 045.0)1350106.1103.10()pq (s V cm 1350cm /103.10100.1101103.1n )3(cm34.4)480106.1103.0()pq (cm /103.0100.1103.1N N p)2(cm34.4)480106.1103()pq (s V cm 480cm /103N p ,n n )1(.12119161112n 3161617161191613161616D A 119151112p315A A i ⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⋅⋅=μ⨯=⨯-⨯+⨯=⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⨯=⨯-⨯=-=⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⋅⋅=μ⨯=≈∴〈〈⊗------------- 又又查得解：为最大。
型半导体的又且有最小值。
时，及当，又令令可知由题中证：解：max min max 111916min min 222222222025.0194.3978078000106.1106.12)2(2//.00/0/00)/,/()1(.13ρμμσρσμμσσμμμμσσμμσμμμμσμμμμμμσμμμμP cmcm q n n p n n dpd dn d n p dpd n n q n n q dnd pq q p n q n n nq pq nq n p n n np n p n n p i p n i n p i p n i np i p i n pn i p i n p n p n i n p i i ∴〉⋅Ω==⋅Ω=⨯⨯⨯⨯⨯⨯====∴〉〉=⇒==⇒=-⇒=+=+=+=∴===--- 174n d 112112312324n n n nnd 174)(d 4d 14n )(d 17153123002s cm 10488.2102488E s v cm 2488s v m 2488.0101.926.030010381.12101043m kT 2E 43m q qE4kTm 23kTm 23)E (q 4kTm 23l q 4,s cm 105.1101500'cm /V 10E s cm 105.1101500E cm /V 10E s cm 1029.2s m 1029.2101.926.030010381.13m T k 3T k 23m 21.14-------*****------**⋅⨯=⨯=μ=υ⋅⋅=⋅⋅=⨯⨯⨯⨯⨯π⨯⨯=π=τ=μπ=τ⇒πτμ=π=μυ≈υ⋅⨯=⨯=υ=υ〈〈υ∴⋅⨯=⨯=⋅μ=υ=⋅⨯=⋅⨯=⨯⨯⨯⨯⨯==υ=υ⊗ 强场时时，时，解：热漂热漂热热V 10761.710363.4106.110101.926.01029.2q l m l E U q m E s 1029.21P s 10363.41029.2100.1l cm100.1m 1l s cm 1029.210101.926.030010381.13101m kT 3101101.15411196314n d n d d 1101164d 41623123nd -----**-------*⨯=⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯=τ⋅⋅υ=⋅=⇒τ⋅υ=μυ=⨯=τ=⨯=⨯⨯=υ=τ⨯=μ=⋅⨯=⨯⨯⨯⨯⨯⨯==υ=υ电压电场强度平均碰撞次数平均自由时间平均自由程解：热eV596.0J 10540.9e lg /10381.1)3000(W 3000B B 10001A 6B 5001A 9)2(elg /Bk W T 1B A T 1)k e lg W ('A lg e lg kT W 'A lg lg e 'A )1(.162023kT/W =⨯=⨯⨯--=⇒-=⇒⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧+=-+=--=⇒+=-+=-=σ∴=σ⊗--- 解：92.851.0)300132(9.011.0)300132(1009.0)332()332(1.0,1;9.0,100.17dmd m d d m d m m d d m m =++⨯++⨯⨯=χ+εε+χεχ+εε+εχ=ε=χ=χ=ε=ε=χ=ε⊗气气解：11342124122120r mF 100.602.01041105.0104.2tan ''')2(39.3104110854.8105.0104.2A d C 1)1(.18---------⋅⨯=⨯⨯⨯⨯⨯⨯=δε=ε=⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯=⋅⋅ε=ε⊗损耗因子相对电容率解：εεμεμεμ==∴∴=∴==2,1,.21n n SiC n VCn CV ＝属于非铁磁性物质由于折射率麦克斯韦电磁场理论解：22.从结构上解释，为什么含碱土金属的玻璃适用于介电绝缘？答：玻璃中加入二价金属氧化物，特别是重金属氧化物，使玻璃的电导率降低。
相应的阳离子半径越大，这种效应越强。
这是由于二价离子与玻璃中氧离子结合比较牢固，能镶入玻璃网络结构，以致堵住迁移通道，使碱金属离子移动困难，因而电导率降低。
《无机材料物理导论》清华大学出版社。
Page25823．细晶粒金红石陶瓷样品在20℃，100Hz 时，相对介电常数为100。
这种陶瓷相对介电常数高的原因是什么？如何用实验来鉴别各种起作用的机制？ 答：金红石离子间作用较强，其离子与电子极化率有相同数量级，由于存在离子极化，产生与外电场方向一致的附加电场，强烈地增加了电子极化强度，使得电容率大大增加（≈100）。
实验鉴别起作用的机制：可由结构系数来计算，结构系数表示被考察离子周1.4096.4ln 312.6ln 324.5ln ln x ln x ln .19222211≈=ε⇒ε+=∴ε+ε=ε⊗ 解：B,e A ,e B A 330e 8R 2R ,R R 4.20α=α⇒=∝πε=α⊗电子极化率解：围晶格内其它离子的影响。
如果离子A周围处于B位置上的离子占优势，则感应电矩作用在离子A上附加内电场与外电场的方向相同，此时附加电场与外电场加强了外电场的作用，结构系数机就是正的；反之，结构系数就是负的。
金红石晶体的C11，C12，C21C22，分别为Ti4+与Ti4+、Ti4+与O2-、O2- Ti4+、O2-与O2- 间的内电场结构系数，它们仅决定于晶胞参数，由于中心离子周围离子Ti4+O2-Ti4+C11＝-0.8/a3C12＝+36.3/a3O2-C21＝+18.15/a3C22＝-12.0/a3从表中看出，表示钛离子和氧离子本身相互作用的内电场结构系数C11与C22均为负数，这表明同种离子之间都有削弱外电场的作用。