半导体器件物理-理想PN结与实际情况偏离
半导体物理学(第七版)
半导体物理学半导体物理学▪教材:《半导体物理学》(第六版)，刘恩科等编著，电子工业版社▪参考书：《半导体物理与器件》（第三版），Donald A.Neamen著，电子工业出版社▪课程考核办法:本课采用开卷笔试的考核办法。
第九周安排一次期中考试。
总评成绩构成比例为：平时成绩10%；期中考试45%；期末考试45%一．半导体中的电子状态二．半导体中杂质和缺陷能级三．半导体中载流子的统计分布四．半导体的导电性五．非平衡载流子六．pn结七．金属和半导体的接触八．半导体表面与MIS结构半导体概要微电子学简介:固态电子学分支之一微电子学光电子学研究在固体（主要是半导体〕材料上构成的微小型化器件、电路、及系统的电子学分支学科微电子学研究领域•半导体器件物理•集成电路工艺•集成电路设计和测试微电子学发展的特点向高集成度、低功耗、高性能高可靠性电路方向发展与其它学科互相渗透，形成新的学科领域：光电集成、MEMS、生物芯片半导体概要固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体什么是半导体？半导体及其基本特性半导体物理学一．半导体中的电子状态二．半导体中杂质和缺陷能级三．半导体中载流子的统计分布四．半导体的导电性五．非平衡载流子六．pn结七．金属和半导体的接触八．半导体表面与MIS结构半导体的纯度和结构▪纯度极高，杂质<1013cm-3▪结构▪单胞对于任何给定的晶体，可以用来形成其晶体结构的最小单元注：（a）单胞无需是唯一的（b）单胞无需是基本的▪三维立方单胞简立方、体心立方、面立方金刚石晶体结构原子结合形式：共价键形成的晶体结构：构成一个正四面体，具有金刚石晶体结构金刚石结构半导体有:元素半导体如Si 、Ge金刚石晶体结构闪锌矿晶体结构金刚石型闪锌矿型半导体有:化合物半导体如GaAs、InP、ZnS练习1、单胞是基本的、不唯一的单元。
（）2、按半导体结构来分，应用最为广泛的是（）。
3、写出三种立方单胞的名称，并分别计算单胞中所含的原子数。
pn结(2)
E Fn E Fp V np n e
2 V / k BT i
半导体器件物理
N型一侧
• 空穴分布连续性方程
p 2 pn pn pn 0 Dp 2 t x p
• 边界条件
x= Wn, pn =pn0; x=xn,
pn pn 0 exp(qV / kBT )
• 空穴扩散长度 Lp • 解(Wn -xn>>Lp)
半导体器件物理
pn结二极管(二)
理想pn结电流特性 实际电流曲线相对理想的偏离 二级管的温度特性
半导体器件物理
pn结二极管电流特性曲线
半导体器件物理
理想pn结电流特性
• 基本假设
– – – – 外加偏置电压全部降落在耗尽区 均匀掺杂突变结，载流子非简并 小注入电流 不考虑耗尽区载流子产生－复合
半导体器件物理
半导体器件物理
半导体器件物理
半导体器件物理
定性分析结果
半导体器件物理
准费米能级
• 载流子分布偏离平衡，存在 过剩载流子
– 假定电子在导带内平衡，空 穴在价带内平衡 – 电子和空穴各自平衡的时间 远小于产生－复合时间
n ni e
EFn Ei / kBT
• 电子、空穴的分布仍然满足 费米分布
np np0 np0 e
J n qDn
qV / kBT
1 e
x x p / Lp
d (n p n p 0 ) dx
xp
qDn n p 0 e qV / kBT 1 Ln
半导体器件物理
总电流
• 理想二极管方程（Shockley方程）
J J n J p J s eqV / kBT 1 Js qDp Lp qDn pn 0 np0 Ln qD p ni2 qDn ni2 Lp N D Ln N A
pn结电流电压偏离理想
pn结电流电压偏离理想
引言
•介绍pn结的基本原理和应用领域
•指出pn结电流电压偏离理想的问题的重要性和实际应用中的影响
理想的pn结电流电压特性
•介绍理想的pn结电流电压特性的定义和表达式
•解释理想情况下的电流和电压之间的关系
•强调理想情况下的pn结电流电压特性的稳定性和可预测性
实际情况下的pn结电流电压偏离
偏离原因1：载流子再组合效应
•解释载流子再组合效应对pn结电流电压特性的影响
•讨论载流子再组合效应引起的电流和电压偏离的原因
•提出相关的改进措施和技术，以减小载流子再组合效应的影响
偏离原因2：杂质和缺陷
•介绍杂质和缺陷对pn结电流电压特性的影响
•讨论杂质和缺陷引起的电流和电压偏离的机制
•探讨相关的杂质和缺陷控制方法和技术，以改善pn结电流电压特性
偏离原因3：温度效应
•解释温度效应对pn结电流电压特性的影响
•讨论温度效应引起的电流和电压偏离的机理
•提出相关的温度补偿方法和技术，以减小温度效应对pn结电流电压特性的影响
偏离原因4：工艺误差
•介绍工艺误差对pn结电流电压特性的影响
•讨论工艺误差引起的电流和电压偏离的原因
•探讨相关的工艺改进方法和技术，以降低工艺误差对pn结电流电压特性的影响
影响和应用
•分析pn结电流电压偏离理想对电子器件性能的影响
•举例说明不同应用领域中对pn结电流电压特性的要求
•探讨如何通过改进和优化设计，提高pn结电流电压特性的准确性和稳定性
结论
•总结pn结电流电压偏离理想的原因和影响
•强调改进和优化设计的重要性，以提高pn结电流电压特性的准确性和稳定性
•展望未来可能的研究方向和发展趋势。
半导体物理学 刘恩科 第七版
半导体器件
原子的能级的分裂
原子能级分裂为能带
半导体器件
Si的能带 （价带、导带和带隙〕
半导体器件
半导体的能带结构
导带 Eg
价带
价带：0K条件下被电子填充的能量的能带
导带：0K条件下未被电子填充的能量的能带
带隙：导带底与价带顶之间的能量差
半导体器件
自由电子的运动
微观粒子具有波粒二象性
p m0u
p E 2m0
i ( K r t )
2
p K E hv
(r, t ) Ae
半导体器件
半导体中电子的运动
薛定谔方程及其解的形式
V ( x) V ( x sa) d ( x) V ( x) ( x) E ( x) 2 2m0 dx ikx k ( x ) uk ( x ) e
EC
B
EA
EA EV
P型半导体
受主能级
半导体器件
半导体的掺杂
Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge晶体中分别为受 主和施主杂质，它们在禁带中引入了能 级；受主能级比价带顶高 EA，施主能级 比导带底低 ED，均为浅能级，这两种 杂质称为浅能级杂质。 杂质处于两种状态：中性态和离化态。 当处于离化态时，施主杂质向导带提供 电子成为正电中心；受主杂质向价带提 供空穴成为负电中心。
考试90%
半导体器件
半导体物理学
一．半导体中的电子状态
二．半导体中杂质和缺陷能级
三．半导体中载流子的统计分布
四．半导体的导电性
五．非平衡载流子
六．pn结
七．金属和半导体的接触 八．半导体表面与MIS结构 九．半导体异质结构
半导体器件
半导体概要
半导体物理 第二章 PN结 图文
国家级精品课程——半导体器件物理与实验
第二章 PN结
引言
4-4 外延工艺：
外延是一种薄膜生长工艺，外延生长是在单晶衬底上沿晶体 原来晶向向外延伸生长一层薄膜单晶层。
外延工艺可以在一种单晶材料上生长另一种单晶材料薄膜。
外延工艺可以方便地形成不同导电类型，不同杂质浓度，杂 质分布陡峭的外延层。
外延技术：汽相外延(PVD，CVD）、液相外延（LPE）、分 子束外延（MBE）、热壁外延（HWE）、原子层外延技术。
硅平面工艺的主体
国家级精品课程——半导体器件物理与实验
第二章 PN结
引言
4-1 氧化工艺：
1957年，人们发现硅表面的二氧化硅层具有阻止杂质向硅内 扩散的作用。这一发现直接导致了氧化工艺的出现。 二氧化硅薄膜的作用： （1）对杂质扩散的掩蔽作用； （2）作为MOS器件的绝缘栅材料； （3）器件表面钝化作用； （4）集成电路中的隔离介质和绝缘介质； （5）集成电路中电容器元件的绝缘介质。 硅表面二氧化硅薄膜的生长方法： 热氧化和化学气相沉积方法。
N(x) （a）
Na
Nd xj
（b） -a(x - xj)
引言
扩 SiO2 散 结 N-Si
杂质扩散
P
N-Si
N-Si
由扩散法形成的P-N结，杂质浓度从P区到N区是
逐渐变化的，通常称之为缓变结，如图所示。设 P-N结位置在x=xj处，则结中的杂质分布可表示为： x
Na Nd (x xj), Na Nd (x xj)
Al
液体
Al
P
N-Si
N-Si
N-Si
把一小粒铝放在一块N型单晶硅片上， 加热到一定温度，形成铝硅的熔融体， 然后降低温度，熔融体开始凝固，在N 型硅片上形成含有高浓度铝的P型硅薄 层，它和N型硅衬底的交界面即为P-N 结（称之为铝硅合金结）。
半导体器件物理课件-pn结2
内建电势差：由于内建电场，空间电荷区两侧存在电势差， 这个电势差叫做内建电势差（用 y 0 表示）。
势垒区：N区电子进入P区需要克服势垒，P区空穴进入N区
也需要克服势垒。于是空间电荷区又叫做势垒区。
PN结
PN结
2.1热平衡PN结
4.空间电荷区内建电势差(N型一边和P型一边中性区之间的电位差）
方法一：（中性区电中性条件）
PN结
引言
3.采用硅平面工艺制备PN结的主要工艺过程
光刻胶
N Si
N+
SiO 2
N Si
N+
N+
(a)抛光处理后的型硅晶片
紫外光
(b)采用干法或湿法氧化 工艺的晶片氧化层制作
(c)光刻胶层匀胶及坚膜
掩模板
光刻胶
光刻胶 SiO2
SiO2
N Si N+
SiO 2
N Si
N
+
n Si
N+
2
x pN d
0 x xn
0
xn x Na N d
P侧Poisson方程：
d 2y qN a 2 dx k 0
xp x 0
- Na
a （ ）
x
b （ ）
空间电荷的电中性： Na xp Nd xn 空间电荷层宽度： W x p xn 对于单边突变结：
y
m
x
y0
c （ ）
Na Nd
xn x p
0
W xp xn xn
单边突变结电荷分布、电场分布、电势分布
PN结
2.1热平衡PN结
qN d d 2y 对N侧Poisson方程 做一次积分： 2 dx k 0 qN dy d ( x xn ) dx k 0 dy 0 x xn , 边界条件： dx x dy 应用 得： m 1 dx xn qN x m d n k 0
半导体器件物理简答题
简答题答案：1.空间电荷区是怎样形成的。
画出零偏与反偏状态下pn结的能带图。
答：当p型半导体和n型半导体紧密结合时，在其交界面附近存在载流子的浓度梯度，它将引起p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散。
因此在交界面附近，p区留下了不能移动的带负电的电离受主，n区留下了不能移动的带正电的电离施主，形成所谓空间电荷区。
PN结零偏时的能带图：PN结反偏时的能带图：2.为什么反偏状态下的pn结存在电容？为什么随着反偏电压的增加，势垒电容反而下降？答：①由于空间电荷区宽度是反偏电压的函数，其随反偏电压的增加而增加。
空间电荷区内的正电荷与负电荷在空间上又是别离的，当外加反偏电压时，空间电荷区内的正负电荷数会跟随其发生相应的变化，这样PN结就有了电容的充放电效应。
对于大的正向偏压，有大量载流子通过空间电荷区,耗尽层近似不再成立，势垒电容效应不凸显。
所以，只有在反偏状态下的PN结存在电容。
②由于反偏电压越大，空间电荷区的宽度越大。
势垒电容相当于极板间距为耗尽层宽度的平板电容，电容的大小又与宽度成反比。
所以随着反偏电压的增加，势垒电容反而下降。
3.什么是单边突变结？为什么pn结低掺杂一侧的空间电荷区较宽？答：①对于一个半导体，当其P区的掺杂浓度远大于N区（即N d>>Na〕时，我们称这种结为P+N；当其N区的掺杂浓度远大于N区（即Na >>岫）时，我们称这种结为N+P。
这两类特殊的结就是单边突变结。
②由于PN结空间电荷区内P区的受主离子所带负电荷量与N区的施主离子所带正电荷的量是相等的，而这两种带电离子是不能自由移动的。
所以，对于空间电荷区内的低掺杂一侧，其带电离子的浓度相对较低，为了与高掺杂一侧的带电离子的数量进行匹配，只有增加低掺杂一侧的宽度。
因此，PN结低掺杂一侧的空间电荷区较宽。
4.对于突变p+-n结，分别示意地画出其中的电场分布曲线和能带图：答：①热平衡状态时：突变p+-n结的电场分布曲线：突变p+-n 结的能带图:注：画的时候把两条虚线对齐。
西电课件-半导体器件物理
（2）P region diffusion capacitance
dQn q 2 ⎛ qVa Cdn = Ln n p 0 exp ⎜ = dVa kT ⎝ kT ⎞ q [ J n ( x p )τ n ] ⎟= ⎠ kT
（3）total diffusion capacitance
assumingτn=τp=τ，then q Cd = ( ⋅ I DQ ) ⋅τ kT
q [ J p ( xn )τ p + J n ( x p )τ n ] Cd = Cdp + C dn = kT
4、Depletion layer capacitance
(1)、Conception
PN junction capacitance
Depletion capacitance CT Diffusion conductance CD
1 2
4、Depletion layer capacitance
(2)、Calculation the width of the depletion layer is
1 2
⎡ 2εs ⎤ xd = xn + xp = ⎢ (Vbi −V )⎥ ⎣ qN0 ⎦
the depletion layer capacitance
The electrostatic analysis of a p-n diode is of interest since it provides knowledge about the charge density and the electric field in the depletion region. It is also required to obtain the capacitance-voltage characteristics of the diode. A p-n diode contains two kinds of capacitance
《微电子学概论》-半导体物理学-半导体及其基本特性
过剩载流子和电中性
平衡时
过剩载流子
电中性：
小注入条件
小注入条件：注入的非平衡载流子浓度 比平衡时的多数载流子浓度小的多
N型材料 P型材料
p n0 , n n0 n p0 , p p0
非平衡载流子寿命
▪ 假定光照产生 n和 ，如p 果光突然关闭， 和n 将随p时间逐渐衰减直至0，衰减的时间常数称为
半导体物理学
一．半导体中的电子状态 二．半导体中杂质和缺陷能级 三．半导体中载流子的统计分布 四．半导体的导电性 五．非平衡载流子 六．pn结 七．金属和半导体的接触 八．半导体表面与MIS结构
半导体的纯度和结构
▪ 纯度
➢ 极高，杂质<1013cm-3
▪ 结构
晶体结构
▪ 单胞
➢ 对于任何给定的晶体，可以用来形成其晶体结构的 最小单元
▪ 杂质处于两种状态：中性态和离化态。 当处于离化态时，施主杂质向导带提供 电子成为正电中心；受主杂质向价带提 供空穴成为负电中心。
ND ห้องสมุดไป่ตู้ A
▪ 半导体中同时存在施主和受主杂质， 且 ND N A 。
N型半导体
N型半导体
N A ND
▪ 半导体中同时存在施主和受主杂质， 且 N A ND 。
E hv
2k 2 E
2m0
半导体中电子的平均速度
▪ 在周期性势场内，电子的平均速度u可表示 为波包的群速度
u dv E hv u 1 dE
dk
dk
E(k) E(0) h 2k 2 2mn*
u
k mn*
自由电子的速度
▪ 微观粒子具有波粒二象性
p m0u
p2 E
半导体器件物理6章p-n结的电流-电压方程
我们定义：
则式(6.25)可以写成
(6.27)式称为理想二极管方程。它是在很大电流与电
压范围内P-N结电流－电压特性的最佳描述。虽然(6.27)式是在正向偏压的假设下推导出来的，但也允许 取负值，图6.8为P-N结电流－电压关系曲线图。
假如 的值为负，比如几个热电压，那么反向电流的大小就与反向偏压无关了，此时 。因此 称为反向饱和电流密度。式(6.27)中的正向偏压值大于几个热电压时，则可以忽略式中的－1项。此时的电流电压关系为：
； ；
于是(6.12)式的输运方程可简化为
其中 是过剩空穴的扩散长度。在相同的假设条件下，P区内过剩载流子浓度满足下式
其中 是过剩电子的扩散长度。
总少子浓度的边界条件是：
式(6.13)的通解为
式(6.14)的通解为
由边界条件式(6.15b)和式(6.15d)可知，系数A和D必须为零。系数B和系数C由边界条件式(6.15a)和(6.15c)确定。
热平衡状态P区多子空穴浓度
热平衡状态P区少子电子浓度
非热平衡状态P区总少子电子浓度
非热平衡状态N区总少子空穴浓度
非热平衡状态空间电荷区边缘处P区少子电子浓度
非热平衡状态空间电荷区边缘处N区少子空穴浓度
非热平衡状态P区过剩少子电子浓度
非热平衡状态N区过剩少子空穴浓度
我们在前一章已经讨论过的P-N结内建电势的表达式 ，它是P-N结空间电荷区的电势差。对该式两边同除以热电压并取对数，再取倒数可得：
对P-N结施加正向偏压时，P区的多子空穴也可以穿过耗尽区而注入到N区，使N区产生过剩的少子空穴。同样，N区的少子空穴浓度可表示为：
N区过剩的少子空穴浓度可表示为：
半导体器件物理I复习笔记
半导体器件物理I复习笔记This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020半一复习笔记By 潇然平衡PN结的定性分析1. pn结定义：在一块完整的半导体晶片（Si、Ge、GaAs等）上，用适当的掺杂工艺使其一边形成n型半导体，另一边形成p型半导体，则在两种半导体的交界面附近就形成了pn结2. 缓变结：杂质浓度从p区到n区是逐渐变化的，通常称为缓变结3. 内建电场：空间电荷区中的这些电荷产生了从n区指向p区，即从正电荷指向负电荷的电场4. 耗尽层：在无外电场或外激发因素时，pn结处于动态平衡，没有电流通过，内部电场E为恒定值，这时空间电荷区内没有载流子，故称为耗尽层平衡PN结的定量分析1. 平衡PN结载流子浓度分布2. 耗尽区近似：一般室温条件，对于绝大多部分势垒区，载流子浓度比起N区和P区的多数载流子浓度小的多，好像已经耗尽了，此时可忽略势垒区的载流子，空间电荷密度就等于电离杂质浓度，即为耗尽区近似。
所以空间电荷区也称为耗尽区。
在耗尽区两侧，载流子浓度维持原来浓度不变。
理想PN结的伏安特性（直流）1. 理想PN结：符合以下假设条件的pn结称为理想pn结(1) 小注入条件—注入的少数载流子浓度比平衡多数载流子浓度小得多；Δn<n0, Δp<p0,(2) 突变耗尽层条件—外加电压和接触电势差都降落在耗尽层上，耗尽层中的电荷是由电离施主和电离受主的电荷组成，耗尽层外的半导体是电中性的。
(3) 通过耗尽层的电子和空穴电流为常量，不考虑耗尽层中载流子的产生及复合作用；(4)玻耳兹曼边界条件—在耗尽层两端，载流子分布满足玻耳兹曼统计分布。
2. 理想pn结模型的电流电压方程式（肖特来方程式）：产生-复合电流1. 反偏PN结的产生电流2. 正偏PN结的复合电流理想PN结交流小信号特性1. 扩散电阻2. 扩散电容势垒电容在考虑正偏时耗尽层近似不适用的情况下，大致认为正偏时势垒电容为零偏时的四倍，即扩散电容定义：正偏PN结内由于少子存储效应而形成的电容PN结的瞬态PN结击穿1. 雪崩击穿(1) 定义：在反向偏压下，流过pn结的反向电流，主要是由p区扩散到势垒区中的电子电流和由n区扩散到势垒区中的空穴电流所组成。
pn结正偏和反偏的原理
pn结正偏和反偏的原理
PN结是半导体器件中常见的结构，由P型半导体和N型半导体
组成。
当PN结处于正向偏置时，P型半导体的空穴和N型半导体的
自由电子被推向结区，导致两者结合，形成导电通道。
这使得电流
可以通过PN结流动，因此处于正向偏置时，PN结具有低电阻。
反向偏置时，P型半导体的正电荷和N型半导体的负电荷被吸引，形成耗尽区，电流难以通过。
在这种情况下，PN结具有高电阻，几乎不会有电流流过。
这两种偏置状态的原理可以通过半导体物理学中的载流子行为
和能带理论来解释。
在正向偏置时，载流子被注入结区，形成导电
通道；而在反向偏置时，耗尽区的形成导致电流难以通过。
这些原
理是理解PN结正偏和反偏的基础，也是半导体器件工作的重要原理
之一。
半导体器件物理理想PN结与实际情况偏离
微电子学院
理想PN结直流伏安特性的定量分析.11
XD
Physics of Semiconductor device
二、势垒产生电流对反向电流的影响
微电子学院
理想PN结直流伏安特性的定量分析.12
XD
Physics of Semiconductor device
附 本节专业词汇
PN Junction I-V Characteristics:
XD
Physics of Semiconductor device
第七讲实际（Si）PN结直流I-V特性与理想的偏离
1 Ideal vs. Real IV-Characteristic
2 势垒产生电流对反向电流的影响
3 势垒复合电流对正向小电流特性的影响
4 大注入对PN结正向大电流特性
微电子学院
理想PN结直流伏安特性的定量分析.4
微电子学院
理想PN结直流伏安特性的定量分析.10
XD
Physics of Semiconductor device
二、势垒产生电流对反向电流的影响
2.定量分析：
Carrier concentrations in depletion region are small: n ≈ 0 « ni and p ≈ 0 « ni, thus the integral becomes
XD
Physics of Semiconductor device
一、Ideal vs. Real IV-Characteristic
在绝大多数电压范围内，特性曲线与理论结果相吻合。正向偏 置电流随外加电压迅速上升，而反向偏置电流在大部分测量电
压范围内都保持很小且几乎为零。
半导体物理偏置状态下的pn结能带结构
• 扩散电容效应只在正偏置状态明显存在。
pn结电容的特点 • pn结的势垒电容和扩散电容都随外加电压的变化而变化，
表明它们是可变电容。因此，用微分电容表示pn结电容。 • 对一个在固定直流偏压U作用之下的pn结，若叠加一个微
• 单位面积势垒区内的总电量 Q qNB X D
Q 20qNB (VD U)
XD
20 (VD U )
qNB
按定义得单位面积势垒电容（势垒比电容）表达式
CTS
dQ dU
0qNB 0
2(VD U ) X D
CT
A 0
XD
这一结果与平行板电容器公式在形式完全一样
对p+n结或n+p结，只需将NB替换为轻掺杂侧的杂质浓度
E2 (x)
E2 (xn )
qND
0
(x
xn )
再积分一次
V1 ( x)
qN A
2 0
(x
xp
)2
(xp x 0)
V2
(x)
VD
qND
2 0
(x
xn
)2
(0 x xn )
在平衡pn结的势垒区中，电势分布具有抛物线形式.
V1 ( x)
qN A
2 0
(x
xp )2
(xp x 0)
V2 (x)
• 扩散电容随正向偏压按指数关系增加，所以在正偏压较高时， 扩散电容相对于势垒电容起主要作用.
设p+n结的p区杂质浓度高但均匀分布，而n区杂质浓度的分布具有如下函
数形式：
ND (x) Bxm
15第1章15_402势垒复合对正向小电流的影响
半导体器件物理(1)1. 物理过程分析第1章pn结1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离三. 导致偏离的原因之二：势垒复合对pn结正向小电流的影响半导体器件物理(I)半导体器件物理(I )第1章pn结按照理想模型，正偏情况下电流为：I 理想=I P (X n ) + I n (-X P )]I P (X n )是从p 区注入到n 区的空穴电流，I n (-X P )是从n 区注入到p 区的电流。
正偏情况：V a >0，势垒区实际存在载流子的复合作用。
将X n 处空穴电流和电子电流相加得到总的正向电流：I 正= I P (X n ) + I n (X n )而X n 处的电子电流I n (X n )= I n (-X P ) + I Rec 。
得I 正= I P (X n ) + [I n (-X P ) + I Rec]=[I P (X n ) + I n (-X P )] + I Rec = I 理想+ I Rec1. 物理过程分析第1章pn结正偏情况下，正向电流I正等于理想模型正向电流I理想与势垒复合电流IRec之和。
I正=I理想+I Rec导致实际正向电流I正大于理想模型的正向电流I理想。
1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离三. 导致偏离的原因之二：势垒复合对pn结正向小电流的影响半导体器件物理(I)半导体器件物理(I )2. 定量分析：第1章pn结单位时间内势垒区中复合的载流子电荷形成复合电流，记为I Rec :1-4 实际pn 结I-V 特性与理想模型的偏离三. 导致偏离的原因之二：势垒复合对pn 结正向小电流的影响根据定积分几何意义，上式可表示为：(1) 复合电流计算：Rec I =eA R(x)dxW'Rec max I =eAR W 式中：为等效势垒区宽度R max 为势垒区复合率最大值'W半导体器件物理(I )2. 定量分析：第1章pn结根据极值原理，在n(x)与p(x)相等的位置复合率最大，由此得：1-4 实际pn 结I-V 特性与理想模型的偏离三. 导致偏离的原因之二：势垒复合对pn 结正向小电流的影响(2) 势垒区中最大复合率R max ：20(-)R=(++2)i i np n n p n 而势垒区中：)/exp()()(2kT eV n x p x n a i ，若正偏电压V a >0.2V , 即n(x)与p(x)乘积为常数2max 0exp(-1)R =2exp(+1)2a i a i eV n kT eV n kT max 0R exp()22i a n eV kT 由分母中n(x)与p(x)相加半导体器件物理(I )2. 定量分析：第1章pn结记表达式中只与pn 结本身参数有关而与外加电压无关的系数部分记为：1-4 实际pn 结I-V 特性与理想模型的偏离三. 导致偏离的原因之二：势垒复合对pn 结正向小电流的影响(3) I Rec ：得：得：将'Re c max I =eAR W max 0R exp()22i a n eV kT代入'Re 0=A exp()22i a c enW eV I kT Re =exp()2a c SR eV I I kT'0=A 2iSR enW I半导体器件物理(I )3. 讨论第1章pn结显然，由于正偏情况存在势垒复合电流，应该使得实际正向电流大于理性模型结果。
半导体物理_P-N结
x
0
xn
区
CUIT
过渡区 现代半导体器件物理与工艺
p-n结 10
热平衡状态下的p-n结
同理，可得n型中性区相对于费米能级的静电势为
1 kT N D n ( Ei EF ) x xn ln( ) q q ni
由上二式可计算出在不同掺杂浓度时，硅和砷化镓的 p 和ψ n 值的大小，如图所示．对于一给定掺杂的浓度，因为砷化镓有 较小的本征浓度，其静电势较高． 0.8
p型中性区
型中性区 np-n结 9
热平衡状态下的p-n结
由于
ND N A p n 0
冶金结 静 电 势 电 子 势 能 Ei q p
q a qVbi EC EF Ei EV
对于p型中性区，假设 ND=0 和 p>>n 。 p 型 中 性 n 区相对于费米能级的静 电电势，在图中标示为 ψ p，可以由设定ND=n=0 及将结果p=NA代入式 冶金结中突变掺杂的p-n结
0 0
xn xn
x x
耗尽区 耗尽区
p-n结 12
CUIT
（c）空间电荷分布
现代半导体器件物理与工艺 （d）空间电荷的长方形近似
热平衡状态下的p-n结
s d 2 dE q ( N D N A p n) dx s s dx 2
d 2 q (N A N D ) 2 s dx
p
n
EC
EC EF EV
EF EV
CUIT
现代半导体器件物理与工艺
p-n结 4
热平衡状态下的p-n结
当p型和n型半导体紧密结合时，由于在结上载流子存在大 的浓度梯度，载流子会扩散．在p侧的空穴扩散进入n侧，而n 侧的电子扩散进入p侧． E 当空穴持续离开p侧，在结 n n p p 附近的部分负受主离子NA－未能 够受到补偿，此乃因受主被固定 在半导体晶格，而空穴则可移动 漂移 EC EC EC EF ．类似地，在结附近的部分正施 扩散 主离子ND+在电子离开n侧时未能 EC EF EF EV EF 得到补偿．因此，负空间电荷在 E V EV 接近结p侧形成，而正空间电荷 扩散 在接近结n侧形成．此空间电荷 EV 区域产生了一电场，其方向是由 漂移 正空间电荷指向负空间电荷，如 (a) 形成结前均匀掺杂p型和n型半导体 （b）热平衡时，在耗尽区的电场及p-n结能带图 图上半部所示．
pn结电流电压偏离理想
pn结电流电压偏离理想（实用版）目录1.引言2.PN 结的基本原理3.PN 结电流电压偏离理想的原因4.偏离理想的影响5.结论正文1.引言PN 结是半导体材料中一种重要的结构，由 P 型半导体和 N 型半导体相互接触而成。
PN 结具有单向导电性，是二极管、三极管等电子器件的基本组成部分。
在理想情况下，PN 结的电流和电压应该满足一定的关系。
然而，在实际应用中，由于各种原因，PN 结的电流电压可能会偏离理想状态。
本文将对 PN 结电流电压偏离理想的原因及其影响进行探讨。
2.PN 结的基本原理PN 结的形成是由于 P 型半导体和 N 型半导体的接触。
P 型半导体中的空穴和 N 型半导体中的自由电子在接触区域发生复合，形成正负离子对。
这些离子对在电场的作用下，形成一个电荷区，称为空间电荷区。
空间电荷区的形成使 PN 结具有单向导电性。
3.PN 结电流电压偏离理想的原因（1）温度影响：温度是影响 PN 结电流电压特性的重要因素。
随着温度的升高，半导体材料的载流子浓度会增加，导致 PN 结的导电性发生变化，使电流电压偏离理想状态。
（2）材料杂质：半导体材料中的杂质会影响 PN 结的性质。
杂质可能导致载流子浓度的变化，进而影响 PN 结的导电性。
（3）制造工艺：PN 结的制作工艺也会对其电流电压特性产生影响。
例如，在制作过程中，若清洗不彻底，会导致表面残留杂质，影响 PN 结的性能。
（4）偏置电压：当外部施加偏置电压时，PN 结的电流电压特性会发生变化。
若偏置电压过大，可能导致 PN 结的损坏。
4.偏离理想的影响PN 结电流电压偏离理想状态会影响其性能和可靠性。
例如，在二极管中，偏离理想的电流电压特性可能导致器件的导通电阻变化，影响其功耗和效率。
此外，偏离理想的 PN 结可能更容易受到静电放电、过电压等异常电压的影响，从而降低器件的可靠性。
5.结论综上所述，PN 结电流电压偏离理想状态是由于多种因素共同作用的结果。
pn结电流电压偏离理想
pn结电流电压偏离理想摘要：1.引言2.PN 结的基本原理3.电流电压偏离理想的原因4.影响偏离程度的因素5.结论正文：1.引言PN 结是半导体材料中的基本结构，广泛应用于电子器件和集成电路中。
理想情况下，PN 结的电流与电压关系应遵循欧姆定律，然而在实际应用中，由于各种因素的影响，PN 结的电流电压关系可能偏离理想状态。
本文将探讨导致PN 结电流电压偏离理想的原因以及影响偏离程度的因素。
2.PN 结的基本原理PN 结是由p 型半导体和n 型半导体相互接触形成的结构，其基本原理是空穴和电子的复合。
在正向偏置时，p 型半导体中的空穴和n 型半导体中的电子在PN 结附近复合，形成电流；而在反向偏置时，由于p 型半导体和n 型半导体的费米能级不相等，空穴和电子不能直接复合，因此电流较小。
理想情况下，PN 结的电流电压关系应符合欧姆定律，即电流与电压成正比。
3.电流电压偏离理想的原因实际应用中，PN 结的电流电压关系可能偏离理想状态，主要原因包括：(1) 半导体材料的非理想特性：实际半导体材料中可能存在杂质、缺陷等，影响其导电性能，使得电流电压关系偏离理想状态。
(2) 温度的影响：温度对半导体的导电性能有很大影响。
随着温度的升高，半导体的载流子浓度增加，导致电流增大，从而使得电流电压关系偏离理想状态。
(3) 偏置电压的影响：当偏置电压较大时，由于半导体材料的非线性特性，电流电压关系可能偏离理想状态。
4.影响偏离程度的因素影响PN 结电流电压偏离程度的因素包括：(1) 半导体材料的性质：材料的能带结构、载流子迁移率、费米能级等参数会影响电流电压偏离程度。
(2) 温度：温度对半导体的导电性能有重要影响，不同温度下，电流电压偏离程度可能有所不同。
(3) 偏置电压：不同偏置电压下，PN 结的电流电压关系可能存在差异。
5.结论PN 结在实际应用中，其电流电压关系可能偏离理想状态，受到多种因素的影响。
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Reverse Biasing • Carrier densities in the depletion region below the equilibrium concentrations,resulting in increased carrier generation
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I ( A)
V (V )
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Physics of Semiconductor device 一、Ideal vs. Real IV-Characteristic
1.正向特性的两点偏离
一般的电流范围内，实际情况基本理想模型符合； 在很小电流范围：实际电流大于理想电流模型结果； 大电流范围：实际电流小于理想模型结果。 而且很小电流范围与大电流范围，电流与外加电压的关系为 ：Exp（eVa/2kT）
3.实际I-V曲线与理想I-V曲线的对比
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Physics of Semiconductor device 二、势垒产生电流对反向电流的影响
Deviations from ideal diode characteristic: • Reverse-bias breakdown • Non-saturating “saturation” current • Diode characteristic in forward direction deviates from ideal exponential behavior at low and high currents
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双极型器件物理(双语)
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第一章：PN结二极管
1－1 平衡PN结定性分析 1－2 平衡PN结定量分析 1－3 理想PN结直流伏安特性 1－4 实际（Si）PN结直流I-V特性与理想模型的偏离 1－5 PN结交流小信号特性 1－6 PN结瞬态特性 1－7 PN结击穿 1－8 二极管模型和模型参数
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1.定性分析：
Physics of Semiconductor device 二、势垒产生电流对反向电流的影响
耗尽层载流子的热复合－产生，是室温下硅pn结在正向小偏 压和全部反向偏压下的电流远大于理论预测值的主要原因。
有外加偏压时，耗尽层中任一点的载流子浓度满足如下公式
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Physics of Semiconductor device 二、势垒产生电流对反向电流的影响
2.定量分析：
Carrier concentrations in depletion region are small: n ≈ 0 « ni and p ≈ 0 « ni, thus the integral becomes
n( x ) p( x ) n e
2 i
eV
kT
2 n i forward bias 2 ni reverse bias
耗尽层
正偏：有净复合 反偏：有净产生
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Physics of Semiconductor device 二、势垒产生电流对反向电流的影响
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Physics of Semiconductor device 附 本节专业词汇
PN Junction I-V Characteristics: • Current increases exponentially in forward direction • Small saturation current I0 in reverse direction • Saturation current strongly depends on ni, i.e. on the temperature and the semiconductor material • Saturation current is proportional to the minority carrier density • Contribution of the lower doped side of the pnjunction dominates the saturation current
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Physics of Semiconductor devracteristic
在绝大多数电压范围内，特性曲线与理论结果相吻合。正向偏 置电流随外加电压迅速上升，而反向偏置电流在大部分测量电 压范围内都保持很小且几乎为零。
正向：只有中等电流时，理 论与实验符合 反向：实验值大于理论值， 且随反向偏压的增加缓慢 的增加。
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回顾 理想PN结伏安特性的定性分析
PN结二极管具有单向导电 Forward Bias
Reverse Bias
Equilibrium
图8.7 PN结直流伏安特性
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第七讲实际（Si）PN结直流I-V特性与理想的偏离
1
Ideal vs. Real IV-Characteristic
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势垒产生电流对反向电流的影响
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势垒复合电流对正向小电流特性的影响
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大注入对PN结正向大电流特性
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Physics of Semiconductor device 一、Ideal vs. Real IV-Characteristic
2.反向特性的两点偏离
实际反向电流大于理想模型结果； 实际反向电流不饱和，即随着反偏电压绝对值的增大而增大