模拟电子技术强化训练试题(一)

《模拟电子技术》 强化训练试题一
………………………………………………………………………………………………… 一、填空题
1、 在本征半导体材料硅中，掺入少量的杂质元素铟，则形成的多数载流子是 ， 少数载流子是 。

2、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，少数载流子的浓度则与 有很大关系。

3、 当温度升高后，二极管的正向压降将 ，反向电流将 。

4、三极管工作在饱和区时，发射结处于 偏置，收集结处于 偏置。

5、已知差分放大电路的两个输入端的输入信号分别为mV 15u 1I =，mV 9u 2I =，则该电路的差模输入电压=Id u ，共模输入电压=Ic u 。

6、直流反馈是指 中有负反馈；交流反馈是指 中有负反馈。

7、为了降低输入电阻应引入 负反馈；为了提高输出电阻应引入 负反馈。

8、正弦波振荡器维持振荡的条件有两个：一是幅值平衡条件是指 ；二是相位平衡条件是指 。

9、放大电路出现的饱和、截止或交越失真属于 ，而放大电路中 由于通频带不够宽导致的失真属于 。

10、放大电路有三种基本组态，其中 组态既有电流放大又有电压放大作用；
组态向信号源索取的电流最小。

11、已知某放大电路的中频段电压增益为dB 90，下限频率为Z 5H 102⨯，在此频率上，
电压的实际增益为 dB ，在低频段当电压增益降至dB 30时，其频率为 。

12、某电路的mV 1U i = ，V 1U o
= 。

引入了电压串联负反馈后，为了保持同样的输出电压，须将输入信号增加到m V 10，此时电路的反馈深度为 dB ，反馈系数约
为 。

13、已知图1电路中V 7.0U BE =， 当电流放大系数100=β时，
其静态的≈B U ， 基极电流≈B I ， 管压降≈CE U 。

14、已知图1电路50=β，Ω=k 1r be 。

其电压放大倍数≈u
A ，输入电阻Ω≈
k R i ,输出电阻Ω≈
k R 0。

15、若仅将图1电路中的射极电阻旁路电容e C 去掉。

则电路的u
A 将 ，电路的i R 将 ，电路的通频带BW 将 。

16、集成运放工作在反相比例运算时，电路形式为 组态的负反馈；若工作
在同相比例运算时，电路形式为 组态的负反馈。

17、已知三极管的特征频率z T MH 10f =，100=β，则该管的共射截止频率=βf
z H ，共基截止频率=αf z H 。

18、已知图2电路中集成运放A 输出电压最大幅度为V 14±，
当W R 滑动端在最右端时：O u = V ， 当W R 滑动端在最左端时：O u = V ， 当W R 滑动端在正中点时：O u = V 。

二、单选题
19、 放大电路的频率特性在高频段主要受（ ）的影响。

A 、耦合电容；
B 、三极管的结电容；
C 、偏置电阻；
D 、电源
20、 为了降低放大电路的输出电阻应引入（ ）。

A 、电压负反馈；
B 、电流负反馈；
C 、串联负反馈；
D 、并联负反馈。

21、 放大电路如图3所示，当三极管的50=β时，其电压增益为1
A ；如果换用100=β的管子，这时的电压增益2
A 满足（ ）。

图
1
图2
图4
A 、12A A =；
B 、1
2A A <； C 、121A 2A A <<； D 、1
2A 2A =。

22、 在某放大电路中测得三极管三个电极的静态电位分别为：V 0、V 10-和V 3.9-，
则该管的类型是（ ）。

A 、NPN 型硅管；
B 、NPN 型锗管；
C 、PNP 型硅管；
D 、PNP 型锗管。

23、 双端输入单端输出的长尾差分放大电路能抑制零点漂移的主要原因是（ ）。

A 、接入了长尾电阻；
B 、电路的结构和参数对称性好；
C 、输入电阻大；
D 、采用了双电源。

24、若要组成文氏正弦波振荡器，图4电路应按（ ）方式连接。

A 、71→，82→，53→，64→； B 、51→，62→，73→，84→； C 、71→，62→，83→，54→； D 、71→，83→，64→，52→。

25、图5是一个电压放大倍数为100倍的同
相比例运算放大器，其电路结构及各元件的 参数是（ ）。

A 、输入端的极性接法错误，其它元件参数正确；
B 、输入端的极性接法正确，其它元件参数错误；
C 、输入端的极性接法正确，其它元件参数也正确；
D 、输入端的极性接法错误，其它元件参数也错误。

26、已知图6整流滤波电路，V 10U 2=(有效值)，
输出电压o U 约为：（ ）。

A 、V 12+；
B 、 V 14+；
C 、V 12-；
D 、
V 14-。

图
6
图3
图5
27、在互补对称功率放大电路中，引起交越失真的原因是（ ）。

A 、输入信号过大；
B 、晶体管的 值太大；
C 、晶体管的非线性；
D 、电源电压太高。

28、图7中的四个MOSFET 管，是P 沟道增强型场效应管的器件符号为 ( )。

三、判断题
29、 三极管的发射极与集电极不能互换使用，而MOS 管的源极与漏极经过适当处理后是
可以互换的使用的。

（ ） 30、 放大电路的下限频率L f 和上限频率H f 的值取决于其等效电路中电容回路RC 的时间
常数。

（ ） 31、 一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（ ） 32、 负反馈只能改善反馈环以内的电路各项性能，对反馈环外电路无效。

（ ） 33、 图8所示LC 正弦波振荡器可以产生振荡。

（ ）
34、图9二极管限幅器，在工作中确定其限幅
位置的元件是二极管。

（ ）
35、 用NPN 型三极管组成的共射放大电路，当工作点选得过低时，易产生截止失真，
也称
图7
图8
图9
为顶部失真；反之则易产生饱和失真，也称为底部失真。

（ ）
36、CMOS 电路是由一个NMOS 管和一个PMOS 管按源极与源极相连、栅极与栅极相
连、漏极与漏极相连配对组成的。

（ ） 37、 已知负反馈放大电路的闭环电压增益为dB 40，当开环增益变化%10时，闭环电压增
益相对变化了%1，则开环电压增益为dB 80。

（ ） 38、 二极管方程既可以描述PN 结的正向特性也可以描述反向特性，还可以描述反向击穿
特性。

（ ）
四、计算题
39、写出图10运算电路的输入输出
数学关系式。

（本小题4分）
40、试用一片集成运放，设计满足2I 1I O u 3u 2u --=运算关系的电路，已知电路输入端对
地电阻平衡时的阻值为Ωk 20。

（本小题6分） （1）画出设计的电路图；（2分）
（2）计算所需要的各电阻值1R 、2R 、F R 和R '。

（4分）
图10
41、图11反馈电路中，若1A 、2A 和b
C 都足够大，试做如下分析：（本题共8分） ⑴ 用瞬时极性法判断电路中共有多少个负反馈，并分别说出它们反馈的组态；（4分）
⑵ 若级间的反馈是深度负反馈，则估算电压增益uusf A 、if R '和of R '。

（4分）
42、采用集成运算放大器实现⎰
-=dt u 10u i o 运算，已知F 2C f μ=，估算各电阻的阻值，
并画出电路。

（本小题4分）
43、理想运放组成的电路如图12所示：（本题共6分） （1）指出1A 、2A 分别组成的电路名称；（2分） （2）写出O u 与1i u 和2i u 的关系式；（2分） （3）若Ω=k 30R 1
，Ω=k 90R 2，
V 1u 1i =，V 2u 2i =，求?u O =；（1分）
（4）最后估算?R ='（1分）
图11
图12
44、如图13所示开环单限电压比较器，已知双向稳压管的稳定电压V 6U Z
±=。

（本题共
4分）试求：
（1）求门限电压T U ；（2分）
（2）若已知i u 波形，对应i u 波形画出O u 波形。

（2分）
45、已知差分放大电路如图14所示：（本题共8分）
设每管的100=β，Ω=K 5.1r be。

（1）指出电路的输入、输出方式；（2分）
（2）计算差模电压增益ud A 及id R 、O R ；（3分） (3) 计算共模电压增益uc
A 及ic R 、CMR K ；（3分）
图14
图13。