温度对GaN基LED电流加速老化特性的影响
生长温度对InGaN_GaN多量子阱LED光学特性的影响
光电器件
朱丽虹 等 : 生长温度对 In GaN/ GaN 多量子阱 L ED 光学特性的影响
生长温度对 In Ga N/ Ga N多量子阱 LED 光学特性的影响
朱丽虹 , 刘宝林 , 张保平
( 厦门大学 物理系 ,福建 厦门 361005)
样品的发光光谱经单色仪分光之后用光电倍增管进 行测量 ,观察其电致发光谱 。
3 结果与讨论
In GaN 材料的质量直接影响器件的性能 。我 们通过改变有源层的生长温度 ,调节 In 原子的掺入 效率 ,得到不同 In 组分的有源层 ,达到调整器件发 光波长的目的 。本研究中 In GaN 的生长温度控制 在 730～800 ℃,共制备了 7 个样品 。考虑到高温生 长过程中 ,In GaN 极易挥发 ,量子阱层的 In GaN 和 垒层的 GaN 都是在较低温度下生长的 ,所获得的晶 体质量良好 。其 (0002) 面上双晶 X 射线 ω22θ衍射 摇摆曲线都可以看到 5 级甚至 6 级清晰的卫星峰 , 说明多量子阱结构良好 。图 1 为生长温度分别为 750 ℃和 780 ℃的样品在 (0002) 面上双晶 X 射线ω2 2θ衍射摇摆曲线 。
关键词 : MOCVD ; In GaN/ GaN 多量子阱 ; 蓝紫光 L ED ; 蓝带 中图分类号 : TN312. 8 文献标识码 : A 文章编号 : 1001 - 5868 (2008) 02 - 0165 - 05
Study of Optical Characteristics of In Ga N/ Ga N MQW L ED Depended on Gro wth Temperature ZHU Li2ho ng , L IU Bao2lin , ZHAN G Bao2ping
温度对LED性能的影响
温度对LED性能的影响作者：谢倩雯来源：《物联网技术》2012年第03期摘要：从LED发光原理出发，结合实验将红蓝椭圆灯分别在室温和85 ℃的恒温箱中用20 mA电流点亮168 h后测试其法向光强及正向电压，然后分析了PN结温度和环境温度对LED性能的影响。
关键词：LED；椭圆灯；法向光强；正向电压；PN结中图分类号：TM312.8 文献标识码：A 文章编号：2095-1302(2012)03-0037-02TThe influence of temperature on the function of LEDXIE Qian-wen(Institute of Micro-electronics and Solid Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)Abstract: Combining the LED lighting principle with experiment, lighting the red and blue oval LEDS with 20mA current at room temperature and constant temperature box setting 85 centigrade respectively, and measuring the vertical Luminous intensity and forward voltage. The influence of PN Junction temperature and ambient temperature on the function of LED is analyzed.Keywords: LED; oval LED; vertical luminous intensity; forward voltage; PN Junction0 引言与传统光源相比，LED光源为固体冷光源，具有寿命长，光效高，无辐射，功耗低，抗冲击和抗震性能好，可靠性高等特性。
GaN基大功率白光LED的高温老化特性
第１ ０期
周
舟 ， ：Ｇ Ｎ基 以达到 良好 的导热性能。为保 证高应力
下样 品的失 效机 理 与 正 常 应 力 水 平 相 同 ， 合样 结
步 被激 活 ， 提高 了空 穴浓 度 ， 以电子空 穴辐 射 所
复合 几 率增 大 ， 加 了光输 出。随后 ， 增 由于芯 片 中 的晶格 失配 等缺 陷 进 一 步增 加 ， 们起 到非 辐 射 它
１ 引
言
提 下短 时 间 内各性 能参 数发 生 明显退 化 。本文 对
额 定功 率为 １Ｗ 的 Ｇ Ｎ基 白光 Ｌ Ｄ进 行 了温 度 ａ Ｅ 应 力加 速老 化实 验 ， 老 化 过 程 中测量 了样 品 的 在 光 通量 、一 ， 特性 、 阻等 参 数 ， 行 了对 比分 析 ， 热 进 并 探究 了 Ｇ Ｎ基 大功率 白光 Ｌ Ｄ的失 效 机理 。 ａ Ｅ
ｌ Ｗ 以 上 。 ｍ／
２ 实
验
将 １ｍｍ ｘ１ｍｍ 的 Ｇ Ｎ基 大 功 率 蓝 光 芯 片 ａ
涂敷 Ｙ Ｇ黄色荧 光粉 制成 的 白光 Ｌ Ｄ作 为实 验 Ａ Ｅ
样 品 ， 选 ５支 光 、 、 初 电 热等 主 要性 能 参 数值 相 近
的器件 样 品 。器 件外 形 如图 １所示 。
将 Ｌ Ｄ样 品 固定 于可 施 加 电流 的 恒 温 实 验 Ｅ
虽然 大 功率 Ｌ Ｄ 已经 具 备 了通 用 照 明所 需 Ｅ
平 台上 ， 品的金 属管 壳 与恒温平 台的 导热 膜 紧 样
的发光效 率 Ｊ但是 如 何 提 高其 寿命 与 可靠 性是 ，
业 界一直 未 能完全 解决 的难 题 。如果 不能 实现 高
Ｇ Ｎ基大功率 白光 Ｌ Ｄ的高温 老化特性 ａ Ｅ
温度对功率LED光谱特性的影响
第31卷, 第6期 2 0 1 1 年 6 月
。
Fig 2 The changes of yellow radiant f lux at different temperature
Fig 1 PL spectra of two samples at dif ferent temperature
( a) : Chip of T aiw an( Sample T ) ; ( b) : Chip of U S ( Sample A )
- 1 样品色温增加了 268 K , 温度 系数为 4 42 K , A 样品 - 1 色温增加了 299 K , 温度系数 为 4 97 K 。随着温 度的
1 + 1
r nr r
( 1) 非平
是 非平衡载流子非 辐射复 合的平 均寿 命 , 是
衡载流子辐射复合的平均寿命 , 是载流子的 平均总寿命。 内量子效率 iqe 为辐射 复合速 率在总 复合速 率中所 占的 比例 , 即 1
Fig 3 The changes of blue radiant 对比两种芯片峰值波长随温度变化 , 同 一温度下 T 样品 f lux at different temperature
1452
光谱 学与光谱分析
第 31 卷
射通量随温度变化的曲线图。随 着温度 的升高 , 黄光 的辐射 通量呈线性下降 , 而透射出 LED 的蓝光辐射 通量基本 不变。 通过线性拟合 , 黄光辐射通量 变化的 温度系 数 , T 样 品为 0 599 mW K - 1 , A 样品为 - 0 494 mW K - 1 。 LED 芯片中 , 载流子的平均总寿命由辐射复合和非辐射 复合的平均寿命决定 1 = 其中
温度对LED的影响分析
LED(Light Emitting Diode:发光二极管）作为第四代光源，因其节能、环保、长寿命等优点极具发展前景.但因为LED对温度极为敏感，结温升高会影响LED的寿命、光效、光色（波长）、色温、光形（配光）以及正向电压、最大注入电流、光度、色度、电气参数以及可靠性等。
本文详细分析了温度升高对LED各光电参数及可靠性的影响，以利于LED芯片和LED照明产品的设计开发。
一、温度过高会对LED造成永久性破坏（1）LED工作温度超过芯片的承载温度将会使LED的发光效率快速降低，产生明显的光衰，并造成损坏；(2)LED多以透明环氧树脂封装，若结温超过固相转变温度(通常为125℃）,封装材料会向橡胶状转变并且热膨胀系数骤升，从而导致LED开路和失效。
二、温度升高会缩短LED的寿命LED的寿命表现为它的光衰，也就是时间长了，亮度就越来越低，直到最后熄灭。
通常定义LED光通量衰减30%的时间为其寿命。
通常造成LED光衰的原因有以下几方面：(1)LED芯片材料内存在的缺陷在较高温度时会快速增殖、繁衍，直至侵入发光区，形成大量的非辐射复合中心,严重降低LED的发光效率。
另外，在高温条件下，材料内的微缺陷及来自界面与电板的快扩杂质也会引入发光区，形成大量的深能级，同样会加速LED器件的光衰［1]。
（2）高温时透明环氧树脂会变性、发黄，影响其透光性能，工作温度越高这种过程将进行得越快,这是LED光衰的又一个主要原因.（3)荧光粉的光衰也是影响LED光衰的一个主要原因，因为荧光粉在高温下的衰减十分严重。
所以，高温是造成LED光衰，缩短LED寿命的主要根源。
不同品牌LED的光衰是不同的,通常LED厂家会给出一套标准的光衰曲线。
例如Philips Lumiled公司的Luxeon K2的光衰曲线如图1所示,当结温从115℃提高到135℃，其寿命就会从50，000小时缩短到20，000小时。
图1 Lumiled Luxeon K2的光衰曲线高温导致的LED光通量衰减是不可恢复的，LED没有发生不可恢复的光衰减前的光通量，称为LED的“初始光通量”。
gan基绿光led芯片电流加速失效机理研究
gan基绿光led芯片电流加速失效机理研究Gan基绿光LED芯片电流加速失效机理研究随着高速电子电路应用的不断发展，高温、高压条件下的电流加速失效一直是绿光LED芯片行业中存在的一个难题。
它不仅影响了LED芯片的性能，而且也会影响其寿命。
因此，研究gan基绿光LED芯片的电流加速失效机理已成为研究者的热门话题。
首先，电流加速失效是由于高压下绿光LED芯片内部的电荷移动速度加快而引起的。
而gan基绿光LED芯片的特殊结构使其特别容易受到这种影响。
这是因为，gan基绿光LED芯片的p-n结构具有更大的穿透层厚度，而电荷穿透层厚度越厚，电荷移动时间就越长，从而导致电荷移动速度减慢。
此外，gan基绿光LED芯片的发光特性也会影响它的电流加速失效机理。
这是因为，gan基绿光LED芯片的发光效率比普通的绿光LED芯片要高，但是它的发光波长范围较窄，所以它的发光谱线上的电流分布会发生变化，从而影响电流加速失效机理。
此外，gan基绿光LED芯片的接触点也会影响它的电流加速失效机理。
高压下，由于接触点的不均匀及有限耐压性，gan基绿光LED芯片的电流分布会大大发生改变，从而使电流加速失效机理发生变化。
最后，gan基绿光LED芯片的电流加速失效机理还受到其电路设计的影响。
由于gan基绿光LED芯片的电路设计要求较高，其功率损耗也会相应增加，从而影响电流加速失效机理。
综上所述，gan基绿光LED芯片的电流加速失效机理是由诸多因素决定的。
它的特殊结构使其特别容易受到高压下的影响，而它的发光特性、接触点和电路设计也会影响它的电流加速失效机理。
因此，为了提高gan基绿光LED 芯片的可靠性，研究者需要对其电流加速失效机理进行深入分析，以改善其可靠性。
Si衬底GaN基蓝光LED老化性能
第31卷第3期2010年6月发光学报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCEVol.31No.3Jun.，2010文章编号：1000-7032（2010）03-0364-05Si 衬底GaN 基蓝光LED 老化性能肖友鹏1，莫春兰1，2，邱冲1，2，江风益1，2*（1.南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心，江西南昌330047；2.晶能光电（江西）有限公司，江西南昌330029）摘要：报道了芯片尺寸为500μm ˑ500μm 硅衬底GaN 基蓝光LED 在常温下经1000h 加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段；老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加；老化后器件的外量子效率（EQE ）比老化前低；老化前后EQE 衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异，衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。
关键词：硅衬底；GaN ；蓝光LED ；老化；光衰中图分类号：O482.31；TN383.1PACS ：78.60.FiPACC ：7860F文献标识码：A收稿日期：2009-10-09；修订日期：2009-11-24基金项目：国家“863”计划（2003AA302160，2005AA311010）资助项目作者简介：肖友鹏（1979－），男，江西萍乡人，主要从事Si 衬底GaN 基LED 的研究。
E-mail ：lantianshang@ *：通讯联系人；E-mail ：jiangfy@1引言近几年来，InGaN /GaN 发光二极管（LEDs ）的研发与生产取得了飞速发展。
文献中已经报道了蓝光LEDs 的光功率达到643mW （440nm /3.24V /350mA /WPE ：57%），白光的光通量达到155lm （350mA /3.24V /136lm /W /5000K ）［1］。
这表明，GaN 基蓝光LEDs 已经具备了进入通用照明所需的发光效率［2］。
温度对LED的影响分析
温度对LED的影响分析LED（Light Emitting Diode）是一种高效、节能、环保的光源，具有长寿命、快速开关、色彩丰富等优点，因此被广泛应用于照明、显示、通信等领域。
然而，温度对LED的性能和寿命有着重要的影响。
一方面，温度的升高会降低LED的光电转换效率。
在标准工作温度下，LED的光电转换效率较高，但当温度升高时，发光效率会逐渐降低。
这是由于高温会引起LED芯片内部的PN结区域的二极管电流增加，导致较多的能量转化为热量而非光能。
热量的产生会增加LED芯片的温度，进而形成正反馈，导致热量和温度的进一步升高。
这种温度效应会导致LED光电转换效率的急剧下降，进而影响LED的亮度和光输出的稳定性。
另一方面，温度的升高也会缩短LED的使用寿命。
LED的使用寿命是指在给定的工作条件下，LED光输出能保持其初始亮度的时间。
温度对LED寿命的影响主要是由于热压效应和热膨胀造成的应力。
当LED发光时，电子与空穴的复合会释放出相当数量的热量，而工作温度的升高会导致热量难以散发，从而使LED芯片内部的温度升高。
当温度超过一定阈值时，LED芯片内部的热膨胀会引起物理应力增加，这会加速LED芯片的老化和损坏。
例如，金属倒装芯片（MCPCB）中，导热层和LED芯片之间的热膨胀系数不一致会导致细小的应力破坏，最终导致LED芯片的失效。
为了减小温度对LED的影响，需要进行合理的散热设计。
首先，可以通过提高LED的散热效率来降低温度。
例如，可以采用铝基板、铜基板等散热材料，以提高散热效率。
同时，在电路设计中，合理设计电路板的布局，尽可能减少LED芯片与其他电子元件的接触，以降低温度的传导。
此外，还可以采用散热装置，如散热片、散热风扇等，提高散热效果。
最后，在实际使用中，可以控制LED的工作温度，避免过高的温度，延长LED的使用寿命。
总之，温度是影响LED性能和寿命的重要因素。
温度升高会降低LED的光电转换效率，减小光输出的稳定性；同时，温度的升高还会缩短LED的使用寿命。
GaN基大功率白光LED的高温老化特性
第 10 期
周 舟，等： GaN 基大功率白光 LED 的高温老化特性
1049
K
=
dCΣ dRΣ
=
cλA2 ，
（ 4）
其中 c 为比热容，λ 为热导率，A 为传热途径上的
横截面积。图中曲线变化的位置表示热流经过两
种不同材料的界面时由于两种材料的横截面尺
图 3 所示为器件 I-V 特性曲线，由图 3（ a） 可 以看出，在较高的正向偏压区域的相同电压下，大 功率白光 LED 的正向电流随老化时间逐渐降低， 说明 LED 的串联电阻在不断增大。引起串联电 阻的增加有许多因素，例如引线键合的退化、欧 姆接触的退化、Mg 掺杂剂的钝化或者半导体缺 陷等。
加，其原因可归结为老化过程中芯片有源区中缺 陷的不断增加导致了非辐射复合中心的增多［7］，
这也是造成光强衰减的一个重要因素。
3． 3 热特性分析
散热能力的强弱直接影响大功率 LED 的性
能［8-9］，而热阻则是表征器件散热能力的 重 要 热
学参数。热阻为导热介质两端的温度差与通过其
热流功率的比值，由式（ 1） 可得 LED 的热阻的表
2实 验
将 1 mm × 1 mm 的 GaN 基大功率蓝光芯片 涂敷 YAG 黄色荧光粉制成的白光 LED 作为实验 样品，初选 5 支光、电、热等主要性能参数值相近 的器件样品。器件外形如图 1 所示。
将 LED 样品固定于可施加电流的恒温实验 平台上，样品的金属管壳与恒温平台的导热膜紧
图 1 大功率白光 LED 样品外形 Fig． 1 Configuration of high-power white LED sample
Φ = exp（ － αt） ，
（ 2）
温度对LED电源的影响分析
温度对LED电源的影响分析摘要：本文研究了温度对LED电源的影响。
首先介绍了LED电源的基本原理和工作方式，然后重点分析了温度对LED电源输出电流和电压的影响，同时讨论了LED电源的散热问题和稳定性问题。
最后提出了针对不同温度范围应采取的措施。
关键词：LED电源；温度；输出电流；输出电压；散热；稳定性正文：LED电源是将交流电转换为直流电，提供恒流或恒压给LED光源工作的电源。
它的工作原理是采用开关电源技术，即采用高频变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路和调整电路等部件，将交流电转换为直流电，并保持恒定的输出电流和电压。
LED电源的输出电流和电压是关键的参数，它们的变化会直接影响到LED的亮度和寿命。
温度是影响LED电源性能的重要因素之一。
由于电路中电子器件的特性随着温度的变化而发生变化，因此LED电源的输出电流和电压也会随之变化。
通常情况下，在温度变化为每2℃时，LED电源的输出电流和电压变化可达到1%左右。
当温度过高时，LED电源可能会出现过热的问题，甚至可能损坏器件。
因此，散热是LED电源设计中需要考虑的问题之一。
除了散热问题外，LED电源的稳定性也需要考虑。
在温度变化较大的情况下，LED电源会出现电流和电压波动的问题，这也会直接影响到LED的工作。
为了提高LED电源的稳定性，需要选用高品质的电子器件和合适的控制方案，如采用电压反馈和电流反馈的调整电路。
综上所述，温度是影响LED电源输出电流和电压的重要因素，也是影响LED电源散热和稳定性的重要因素。
针对不同的温度范围，需要采取不同的措施。
在高温环境下，需要采用高效的散热设计，并且要选用温度可靠的电子器件，以保证LED电源的可靠性；在温度变化较大的环境下，需要采用合适的控制方案，以提高LED电源的稳定性。
此外，不同类型的LED电源对温度的响应也不尽相同。
例如，恒流LED电源的稳定性在高温下可能会更好，因为在高温下电阻会增加，从而导致电流降低，而恒流LED电源可以自动调节输出电流以适应这种变化。
GaN基白光LED电流加速老化特性研究
ｍａｎｆｃｏ ａ ｓｎ ｈ ｉ ｅｅ ｃ ｓｄ ｅｔ ｈ ｅ ｏ ｐ ｏ ｐ ｏｓｆｒ ｈｔ Ｅ ｉ ａ ｔｒ ｕ ｉｇｔｅ ｄｆ ｒｎ ｅｉ ｕ ｏｔｅ ｙ ｌ ｗ ｈ ｓ ｈ ｒ ｏ ｗ ｅＬ Ｄ．Ｆ ｎ ｌ ，ｔｅｌ ｅｉ ｆ ｈ ｈｔ Ｅ ｓｕ ｅ ｎ ｏ ｒｅ ｐ ｒ ｎｓ ｃ ｉ ｉａ ｙ ｈ ｉ ｔ ｏ ｔｅｗ ｉ ｌ ｆ ｍ ｅ ｅＬ Ｄ ｓ ｄｉ ｕ ｘ ｅ ｉ ｔ ｍｅ ｗ ｓｃ ｌｕ ａｅ ｓ４ ７ ｈ ａ ａｃ ｌｔｄ ａ ５ ．
Ｒｅ ｅ ｒ ｈ ｉ ｏ ｃ ａ ａ ｔ ｒｓｉ ｓ ｏ ｈｅ ａ ｃ ｌ ｒ ｔ ｄ ｄ ｇ ａ ａ ｏ ｓ ａ ｃ ｎｔ ｈ ｒ ｃ ｅ ｉｔｃ ｆｔ ｃ ｅ ｅ ａ ｅ ｅ ｒ ｄ ｔ ｎ ｉ
Ｇａ ＡＩｏ ｗｈｔ Ｎ／ ， ｉｅＬＥＤｓ
Ｌ ｈ Ｅ Ｓ ｕ—ｐ ｎ ，ＸＩ ｉ ｍｎ ，ＹＩ ｉｎ ｉｇ ＡＯ Ｈｕ — ｇ ａ ｇ—ｌ Ｊ ｉ ｎ
ｂ ｓ ｔ ｎｔｓｐｐｒ ｔｅ ｕ￣ ｔ ｃｅ ｒｅ ｎ ｐｒ ｅｔ ｎ ｈｅ ｏｐ Ｇ Ｎ—ｂｓ ｈｔＬ Ｄ ｒｄｃｄｏ ｈ ０ ｂｔ ｔ ：Ｉ ｈ ａｅ，ｈ ｎ ｎ ａｃｌａ ｄａ ｇ ｘ ｉ ｎ ｏ ｔｒ ｇ ｕｓ ｆ ａ ｉ ｃ ｅ ｔ 百 ｅｅ ｍ ｅｒ ｏ ａｅ ｉ Ｅ ｓ ｏｕｅ ｅ ｄｗ ｅ ｐ ｎｔ ３ ｕｓａ ｓ ｒｅ ｈｖ ｅｎｐｒ ｒ ｄａ３ Ａ ５ Ａａｄ７ Ａ． ｔ ｔ ｃ ａｅ ｆ 百 ｇｃｒ ｎ， ｈ ｇｔ ｕ ｕ ｐｗ ｒ Ｇ Ｎ—ｂｓ ｈｔ Ｌ Ｄｂ一 ａｅｂｅ ｆ ｍｅ ｔ ０ｍ 、０ｍ ｎ ０ｍ Ｗｉ ｅｉ ｒ ｓ ｎ ｒ ｔ ｔ ｌｈ ｏｔ ｔ ｏ ｅ ａ ｅ ｏ ｈ ｈ ｎ ｅ ｏａ ｕｅ ｅｉ ｐ ｆ ｏ ａｅ ｗ ｉ Ｅ ｅ ｄ ｅ 哪 Ｉｓａｔ ｉ ｅｄｇａａｏ ｔ ｅａｄｗ ｎｔｅａ ｎ ｍ ｎｔ ｎｄ ｒｅ ｙ ０ Ａ ｃｒ ｎ，ｔ ｅ ｏ ａｉ ｅｒａ ｖ １ ｓ ｒ ｔ ｔ ｅｒ ｔ ｎｏ ｉ ｎ ｈ 百 ｇｔ ｅｉ ｌ ｇ ｅｅ ，ｄ ｖｎｂ ｍ ｕｒ ｔ ｈ ｙｌｗ ｇ ｖｙｉ ｔ ｅ ｔｅ ｅ ｆ ｅ ｗｈ ｈ ｄｉ ｆபைடு நூலகம்ｍ ｅ ｈ ｉ ｓｅ ｈ ｉ ３ ｅ ｅ ｌ ｒ ｔ ｎ ｈ ｌｉ
半导体激光器件中的温度对性能的影响研究
半导体激光器件中的温度对性能的影响研究激光器件是一种重要的电子元器件，被广泛应用于通信、医疗、工业和军事等领域。
而在激光器件中，温度是一个重要的参数，它对激光器件的性能产生着重要的影响。
本文将研究半导体激光器件中温度对其性能的影响，并探讨温度对激光器件性能的调控与优化方法。
温度对半导体激光器件的影响主要体现在以下几个方面：输出功率、阈值电流、光谱特性、转换效率、调制速度和寿命等。
下面将逐一进行探讨。
首先，温度对激光器件的输出功率有着直接影响。
一般而言，激光器件的输出功率随着温度的增加而增加，这是由于温度升高引导带能级和价带能级之间的能隙减小，进而提高电子和空穴的复合概率，从而增加激光的产生和放大效率。
但当温度过高时，由于激光介质材料的热膨胀系数受限，会导致激光谐振腔的尺寸变化，进而降低激光输出功率。
其次，阈值电流是指激光器件开始激发激光所需的最低电流。
温度对阈值电流也有显著的影响。
一般来说，随着温度的升高，激光器件的阈值电流减小。
这是因为随着温度升高，载流子浓度增加，从而提高电子与空穴的复合概率，进而减小阈值电流。
光谱特性也是激光器件性能中重要的一部分。
温度对激光器件的光谱特性有着明显的影响。
一般而言，随着温度的增加，激光器件的光谱峰值波长会发生红移。
这是由于温度升高导致晶格热膨胀，进而降低光子和晶格振动之间的耦合强度，从而减小光子的能量。
温度对激光器件的转换效率也有重要影响。
一般来说，随着温度的升高，激光器件的转换效率会降低。
这是由于温度升高会增加非辐射复合过程的概率，导致少量的能量从光子形式转化为热能。
因此，为了提高激光器件的转换效率，需要控制好温度的变化范围。
调制速度是指激光器件在高频调制下的响应速度。
温度对激光器件的调制速度也有一定的影响。
一般来说，温度升高会导致载流子的迁移率增加，从而提高激光器件的调制速度。
但当温度过高时，激光器件的响应时间会受到载流子寿命的限制，进而降低调制速度。
最后，温度对激光器件寿命的影响也是需要考虑的重要因素。
垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响_高江东
第37卷第2期2016年2月发光学报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCEVol.37No.2Feb．，2016文章编号：1000-7032（2016）02-0202-06垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响高江东，刘军林*，徐龙权，王光绪，丁杰，陶喜霞，张建立，潘拴，吴小明，莫春兰，王小兰，全知觉，郑畅达，方芳，江风益（南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，江西南昌330047）摘要：用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料，研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响，获得了不同电流密度下外量子效率（EQE）随垒温的变化关系。
结果表明，在860 915ħ范围内，发光效率随着垒温的上升而上升。
当垒温超过915ħ后，发光效率大幅下降。
这一EL特性与X 光双晶衍射和二次离子质谱所获得的阱垒界面陡峭程度有明显的对应关系，界面越陡峭则发光效率越高。
垒温过高使界面变差的原因归结为阱垒界面的原子扩散。
垒温偏低使界面变差的原因归结为垒对前一个量子阱界面的修复作用和为后一个量子阱提供台阶流界面的能力偏弱。
外延生长时的最佳垒温范围为895 915ħ。
关键词：LED；硅衬底；GaN；垒温；外量子效率中图分类号：O484．4；TN383+．1文献标识码：A DOI：10．3788/fgxb20163702．0202Dependence of Electroluminescence on Barriers Temperaturein GaN Base Blue LED on Silicon SubstrateGAO Jiang-dong，LIU Jun-lin*，XU Long-quan，WANG Guang-xu，DING Jie，TAO Xi-xia，ZHANG Jian-li，PAN Shuan，WU Xiao-ming，MO Chun-lan，WANG Xiao-lan，QUAN Zhi-jue，ZHENG Chang-da，FANG Fang，JIANG Feng-yi（National Institute of LED on Silicon Substrate，Nanchang University，Nanchang330047，China）*Corresponding Author，E-mail：liujunlin@ncu．duc．cnAbstract：The growth of GaN-based blue LED with different barriers temperature in multiple quan-tum wells on silicon substrate by MOCVD method was reported．The dependence of luminescence on barriers temperature was obtained．The relationship between external quantum efficiency（EQE）and barriers temperature under different current density showed that EQE increases with barriers temperature during the temperature from860to915ħ，and then EQE decreases a lot after the tem-perature over915ħ．The results of XRD，SIMS and EL support each other very obviously，which means that the luminescence efficiency is contributed on the sharpness of well-barrier interface．Over top temperature of barriers will result in a worse sharpness of well-barrier interface owing to an unde-sirable atoms diffusion．Much lower temperature of barriers will also cause a worse sharpness of well-barrier due to the non-step flow growth of barriers．The optimization barriers temperature range is from895to915ħfor epitaxy growth．Key words：LED；Si substrate；GaN；barrier temperature；EQE收稿日期：2015-10-02；修订日期：2015-11-07基金项目：国家自然科学基金重点项目（61334001）；863计划（2011AA03A101）资助项目第2期高江东，等：垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响2031引言2014年，赤崎勇、天野浩和中村修二等三位科学家因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。
GaN基功率LED高低温特性研究
光电子学GaN 基功率LED 高低温特性研究贾学姣 郭伟玲 高 伟 裘利平 李 瑞 毛德丰 沈光地(北京工业大学,光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124)2009-01-20收稿,2009-05-14收改稿摘要:首次对自制的GaN 基大功率白光和蓝光发光二极管在-30～100°C 的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同L ED 的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对比分析了参数变化的原因,以及这些变化对实际应用的影响。
结果表明,温度对大功率L ED 的光电特性有很大影响,通过对比发现白光L ED 的部分光参数随温度的变化不仅与G aN 芯片有关,同时受到荧光粉的影响。
低温环境下,要考虑L ED 的正向电压升高和峰值波长蓝移对应用的影响;而高温条件下要考虑光功率降低和峰值波长红移对应用的影响。
关键词:氮化镓;功率发光二极管;低温;正向电压;峰值波长中图分类号:T N 312.8 文献标识码:A 文章编号:1000-3819(2010)02-0304-04The Characteristics of GaN Based LED at Low and High TemperatureJIA Xuejiao GUO Weiling GAO Wei QIU Liping LI Rui M AO Defeng SHEN Guangdi(K ey L abor atory of Op to -electr onics T echnology ,M inis try of Education ,Beij ing University of T echnolgy ,B eij ing ,100124,CH N )Abstract :T he hig h pow er GaN -based blue and w hite light em itting diodes (LEDs)ar e testedon line at tem peratures from -30°C to 100°C .T he measured data are fitted for the relationship betw een temperatures and the property of forw ard voltages,light relativ e intensity ,w avelength,and color temperature of tw o different kinds o f LEDs.T he r easo ns of these proper ty chang es and their influence on the applications are also analyzed and com pared w ith each other .The results show that temperature has great influence on the performances of high pow er GaN -based LEDs ,and the perform ances of white LEDs at different tem peratures also have some r elations w ith yel-low phosphors.For applications at lo w temperature,the forw ard voltage rising and the peak w avelength blue -shifting m ust be consider ed ;and at hig h temperature ,the light relative intensity decr easing and the peak w aveleng th red-shifting must be considered.Key words :GaN ;power LED ;low temperature ;forward voltage ;peak wavelength EEACC :7360L;4260D引 言20世纪90年代以来,GaN 基半导体器件的研制一直是全球半导体产业投资的热点,在成功解决了GaN 材料外延生长和P 型化的问题之后,Nichia 公司于1991年成功研制出了掺M g 的同质结蓝光LED,并在1993年首先成功研制出发光亮度超过第30卷 第2期2010年6月固体电子学研究与进展RESEARCH &PROGRESS OF SSEVo l.30,N o.2Jun.,2010联系作者:E-mail:guow eiling@基金项目:国家863项目(2009AA03A1A3,2008AA03A 192);国家重大专项(2008ZX10001-014);科技部技术创新基金项目(09C26221100138)1cd 的高亮度InGaN /AlGaN 双异质结蓝光LED,GaN 基LED 得到了迅猛的发展,这为半导体固态照明形成完备的三基色发光体系奠定了基础,使得白光LED 的研制成为可能。
LED寿命与温度的关系
LED寿命与温度的关系LED寿命与温度的关系杭州虹谱光电科技有限公司一切事物都有发生、发展和消亡的过程，led也不例外，是有一定寿命的。
早期的LED只是手电筒、台灯这类的礼品，用的时间不长，寿命问题不突出。
但是现在LED已经开始广泛地用于室外和室内的照明之中，尤其是大功率的LED路灯，其功率大、发热高、工作时间长，寿命问题就十分突出。
过去认为LED 寿命一定就是10万小时的神话似乎彻底破灭了。
那么到底问题出在哪里呢？假如不考虑电源和驱动的故障，LED的寿命表现为它的光衰，也就是时间长了，亮度就越来越暗，直到最后熄灭。
通常定义衰减30%的时间作为其寿命。
那么LED的寿命能不能预测呢？这个问题无法简单地回答，需要从头讲起。
1、LED的光衰大多数白色LED是由蓝色LED照射黄色荧光粉而得到的。
引起LED光衰的主要原因有两个，一个是蓝光LED本身的光衰，蓝光LED 的光衰远比红光、黄光、绿光LED要快。
还有一个是荧光粉的光衰，荧光粉在高温下的衰减十分严重。
各种品牌的LED它的光衰是不同的。
通常LED的厂家能够给出一套标准的光衰曲线来。
例如美国Cree公司的光衰曲线就如图1所示。
图1. Cree公司的LED的光衰曲线从图中可以看出，LED的光衰是和它的结温有关，所谓结温就是半导体PN结的温度，结温越高越早出现光衰，也就是寿命越短。
从图上可以看出，假如结温为105度，亮度降至70%的寿命只有一万多小时，95度就有2万小时，而结温降低到75度，寿命就有5万小时，65度时更可以延长至9万小时。
所以延长寿命的关键就是要降低结温。
不过这些数据只适合于Cree的LED。
并不适合于其他公司的LED。
例如Lumiled公司的LuxeonK2的光衰曲线就如图2所示。
图2. Lumiled 公司的LuxeonK2的光衰曲线当结温从115℃提高到135℃，就会使寿命从50,000小时降低到20,000小时。
其他各家公司的光衰曲线应当可以向原厂索取。
【LED封装胶】温度对LED芯片的影响
【LED封装胶】温度对LED芯片的影响
对于现有的LED光效水平而言,由于输入电能的70%左右转变成为热量,且LED芯片面积小,因此,芯片散热是LED封装必须解决的关键问题。
LED封装由于结构和工艺复杂,并直接影响到LED的使用性能和寿命,一直是近年来的研究热点,特别是大功率白光LED封装更是研究热点中的热点。
封装过程中固晶工艺就是把LED芯片通过固晶胶粘贴在基底上。
根据对LED不良统计分析,很多LED失效与固晶胶材质和生产工艺不当有关，固晶胶粘贴高低不平,增大了LED器件PN结到散热基底的热阻,不利于LED芯片散热,这是市面上LED失效的主要因素之一。
长期的高温会导致封装材料的老化,还会影响LED芯片及荧光材料的性能。
随着LED功率的增大,产生热量增多,如果热量不能及时地散出去,会使得芯片的结温升高。
LED结温升高,会导致LED 的相对光输出降低,寿命缩短。
高温会加速封装胶的老化,而采用有机硅材质的LED封装胶则具有很好的热稳定性,在环境温度50±1℃,LED驱动电流60mA的条件下高温老化2000h,光通维持率能保持在90%以上。
避免了由于灌封材料和荧光粉老化产生的黑褐色覆盖层,LED有良好的光通维持率。
一般目前使用的较多的代表型有ZS-6600-1（兆舜科技封装胶）。
为国内好的封装胶生产厂家使用，同时多数出口LED灯具也用这款。
gan 射频管高温功率下降
gan 射频管高温功率下降高温条件下，射频管的工作性能往往会出现下降。
这是因为高温会导致射频管内部元件的性能和可靠性受到影响，从而降低了射频管的工作效率和功率输出。
本文将从射频管的工作原理、高温对射频管的影响以及降低高温功率下降的方法等方面进行探讨。
我们先来了解一下射频管的工作原理。
射频管是一种利用电子束与静电场、磁场的相互作用来实现信号放大和频率变换的电子器件。
它由阴极、阳极和网格等部分组成。
当射频信号加在网格上时，网格的电场会控制阴极发射的电子束，使其在阳极上产生放大效应，从而实现对信号的放大。
射频管的工作过程中会产生大量的热量，因此需要进行散热。
然而，当射频管在高温环境下工作时，由于温度的升高，射频管内部的元件会受到影响。
首先，高温会使射频管内部的导体材料的电阻增加，从而增加了功耗。
其次，高温还会导致射频管内部的电子云密度发生变化，进而影响射频管的放大效果。
此外，高温还会引起射频管内部材料的膨胀和热应力的产生，导致部件的形状和尺寸发生变化，进而影响射频管的工作稳定性和可靠性。
针对高温条件下射频管功率下降的问题，我们可以采取一些方法来解决。
首先，可以通过优化射频管的散热系统，提高散热效率，降低射频管的工作温度。
例如，可以增加散热片的面积，增加风扇的风量等。
其次，可以选择耐高温的材料来制作射频管的内部元件，提高射频管的耐高温性能。
此外，还可以通过优化射频管的结构和工艺，提高射频管的工作效率和功率输出。
为了降低高温功率下降的影响，我们还可以在设计和使用射频管时注意以下几点。
首先，尽量避免射频管在高温环境下长时间工作，可以采取间歇工作或者降低工作温度的方式来减轻高温对射频管的影响。
其次，需要合理选用射频管的工作参数，避免超过射频管的额定工作条件。
此外，还应注意射频管的使用和维护，及时清洁和更换老化的元件，保证射频管的正常工作。
高温条件下，射频管的功率往往会下降。
这是由于高温会影响射频管内部元件的性能和可靠性，从而降低射频管的工作效率和功率输出。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
温度对GaN 基LED 电流加速老化特性的影响牛萍娟1，2，王卫星1，宁平凡2，王景祥1，薛卫芳1（1.天津工业大学电子与信息工程学院，天津300387；2.天津工业大学电气工程与自动化学院，天津300387）摘要：采用电流加速老化的方法研究大功率白光LED 的光通量衰减特性，提出了一种包含温度影响因素的LED 寿命推算方法.实验发现：LED 的光通量衰减速度随着加速电流的增大而变快，同时器件温度升高，温度的升高又会促进LED 灯珠的加速老化.通过分组实验，在不考虑温度因素时，采用狭义Eyring 公式计算LED 的寿命；在考虑温度因素时，采用广义的Eyring 公式计算LED 的寿命.对比2种模型的计算结果发现：考虑温度影响能更准确的推算出LED 的寿命.关键词：光通量；大功率LED ；电流加速老化；温度；GaN 中图分类号：TN312.8；TP271.72文献标志码：A文章编号：１６７１－０２４Ｘ（２０15）０5－００72－０4Influence of temperate on current accelerated degradationcharacteristic of GaN white LEDNIU Ping-juan 1，2，WANG Wei-xing 1，NING Ping-fan 2，WANG Jing-xiang 1，XUE Wei-fang 1（1.School of Electronics and Information Engineering ，Tianjin Polytechnic University ，Tianjin 300387，China ；2.School of Electrical Engineering and Automation ，Tianjin Polytechnic University ，Tianjin 300387，China ）Abstract ：The current accelerated aging experiment was used to investigate the luminous attenuation and lifetime of thehigh-power white LEDs.When the accelerated aging current is increased ，the luminous attenuation of white LED was obviously accelerated and the LED temperature was rised up.The high temperature will promote LED accel 鄄erated aging process.Narrow sense Eyring formula and GeneralizedEyringformulawereused to calculate the life 鄄time of LED srespectively without or with considering the influence oftemperature.The result of comparing these twomodelshas proved that the predictedlife is more accurate with the condition of considering the influence of temperature.Key words ：luminous flux ；high-power LED ；current accelerated aging ；temperature ；GaN收稿日期：2014-11-17基金项目：科技型中小企业技术创新资金资助项目（13ZXCXGX31700）；中小企业发展专项资金项目（SQ2013ZOA100010）通信作者：牛萍娟（1973—），女，博士，教授，硕士生导师.主要研究方向为新型半导体发光器件、LED 驱动电路和半导体照明应用系统.E-mail ：pjniu@天津工业大学学报ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＴＩＡＮＪＩＮＰＯＬＹＴＥＣＨＮＩＣＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ第34卷第5期２０15年10月Vol.34No.5October 2015DOI ：10.3969/j.issn.1671-024x.2015.06.015LED 光源被认为是继白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯之后的第4代照明光源，它具有电光转化效率高、工作电压低、体积小、发热少等优势，被广泛的应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明领域.GaN 基蓝光LED 从出现到商业化也只是经历了短短的20年，各项技术还在不断的完善当中，而LED 的寿命成为制约LED 产业发展的主要问题之一，如何准确并精确地推算出正常工作环境下LED 的寿命成为产业研究的重点[1].LED 芯片通常采用热应力、电应力以及其他应力进行加速老化.电应力相较于热应力、机械应力在加速老化实验中具有易于操作、老化周期短的优势.同时，电应力也有易于引起LED 灯珠死灯、易于发热等缺陷.以加速老化实验数据为基础，利用合适的寿命计算的方法就可以对LED 的寿命进行推算[2].Shono [3]提出了电流加速老化的老化因子和电流大小的具体关系.利用这种关系就可以通过大电流的衰减因子来计算出相应的额定电流下的衰减因子，从而求出LED 的寿命.但这种方法并未考虑加速老化的大电流带来的热场效应，而这种电场-热场耦合效应对LED 光通量衰减的影响值得深入研究.本文主要通过对比实验讨论LED 温度变化在电流加速老化过程中对其寿命计算的影响.第6期由图1可见，随着老化时间的增加，所有样品的光通量均出现了不同程度的衰减，而且老化电流越大，光通量的衰减速度越快.原因是随着电流的增加，LED 芯片中会出现更多的点位错和线位错，这些缺陷对载流子有较强的俘获作用，从而降低了芯片的发光效率[4-5].实验中4组LED 样品的温度分别为345.5K 、358.1K 、364.7K 和370.3K.在350mA 额定工作电流下老化的LED 样品光通量衰减曲线如图2所示.设定LED 的光通量降低到初始光通量的70%判定为失效[6].由图2可知，在本文所述的实验状态下（不加散热片），当老化电流为额定电流350mA 时，样品的平均工作寿命为t =134.27h.2寿命计算与分析2.1不考虑温度因素通过指数函数：ln F =ln F 0-at （1）式中：F 为光通量；F 0为初始光通量；a 为衰减因子；t为老化时间.对如图1（b ）、图1（c ）、图1（d ）所示的老化实验数据进行拟合，可得各样品加速老化的衰减因子a [7].如图3所示为老化电流为450mA 的第2组5个样品的1实验过程与结果实验采用YG-P01型号的白光LED ，额定功率1W 、额定电流350mA 、正向电压3.2~3.6V 、初始光通量在110~120lm 之间.实验中将LED 灯珠直接置于老化仪下，不加散热片以便更好地观测老化过程中温度对LED 光通量衰减速度的影响.首先测试200颗YG-P01型LED 的初始光通量，选取光通量值较为相近的20颗作为试验样品，将其分成4个组，分别标记为1、2、3、4，每组5颗并标记编号.分别给第1、2、3、4组LED 灯珠加上350mA 、450mA 、550mA 、650mA 的电流进行老化，环境温度保持在（25±1）℃.实验装置为SSP3516型大功率LED 老化测试仪，样品持续点亮，每8h 测量1次光通量并记录，样品的温度使用多路温度记录仪实时监测并记录.不同老化电流下，LED 光通量的衰减曲线如图1所示.（c ）550mA 120100806040光通量/l m03-13-23-33-43-5306090t /h图1不同老化电流下LED 光通量随老化时间的关系Fig.1LED luminous flux versus aging time under different aging current（d ）650mA120100806040光通量/l m04-14-24-34-44-5204060t /h1201008060光通量/l m0t /h2-12-22-32-42-550100150（b ）450mA（a ）350mA1201008060光通量/l m0t /h1-11-21-31-41-55010015012011010090807060光通量/l m50100150图2额定电流下LED 平均光衰曲线Fig.2Luminous flux decay curve under rated currentt /h牛萍娟，等：温度对GaN 基LED 电流加速老化特性的影响73——天津工业大学学报第34卷拟合曲线.根据实验数据的拟合输出可以得到加速衰减因子，如表1所示.Shono [3]指出，在电流加速试验中，白光LED 的衰减系数a 和工作电流的关系符合Eyring 关系式：a =K exp （J ×I F ）（2）式中：K 和J 为常数；I F 为加速电流.由3组加速电流下的平均衰减因子可以求出3组K 和J ，如表2所示.将K 和J 带入公式（2）可得：a =0.01259exp （2.68I F ）（3）输入额定工作电流350mA ，就可以得到额定工作电流的衰减系数a =0.03308.将衰减系数带入公式（1）求出寿命t 1=142.29h 和衰减曲线.图4显示了单应力Eyring 模型计算出的额定电流下的样品衰减曲线与测试数据、指数函数拟合结果之间的对比情况.可以看出，利用单应力Eyring 模型可以求出LED 光通量衰减的趋势并对LED 的寿命进行估算，但是随着时间的增加，计算结果与实测数据之间的差异逐渐增加.造成这种差异的原因是单应力Eyring 模型中没有包含温度对光衰的影响.电流作用于LED 芯片时产生热量，引起周围硅胶及荧光粉温度升高，在高温下荧光粉转换效率降低、硅胶老化，因此LED 出光减少[8-9]。
同样，利用第2、3、4组实验的衰减因子可以求出老化电流为450mA 、550mA 、650mA 时样品的寿命分别为108.22h 、82.80h 、63.5h.2.2考虑温度因素电流加速老化实验是在室温（25±1）℃中进行的.单应力Eyring 模型计算的样品寿命及测得的器件温度随老化电流的变化如图5所示.由图5可知，虽然环境温度相同，器件温度却随老化电流的增加明显增大.因此，在使用电流加速老化的方法推算LED 寿命时，器件温度是必须考虑的因素[10].Goldberg 认为如果电流和温度同时作为加速老化的应力时，特征寿命和电流温度的关系应该符合广义图3第2组样品的光通量衰减拟合曲线Fig.3Fitting curve of luminous flux decay of samples in group 22-12-22-32-42-5拟合结果1201008060光通量/l mt /h501001252575表1加速老化的衰减因子Tab.1Attenuation factor老化电流编号衰减因子a 2-10.04342-20.0441450mA2-30.04652-40.04123-10.05733-20.0566550mA3-30.05603-40.05724-10.07364-20.0753650mA4-30.07424-40.07354-50.07392-50.04173-50.057412011010090807060光通量/l mt /h50100150测试数据Eyring 模型指数函数拟合图4光通量衰减曲线Fig.4Luminous flux attenuation curve表2公式参数K 和J Tab.2Parameters K and J编号K J a 2、3组0.01281 2.700.032952、4组0.01296 2.680.033313、4组0.01308 2.660.03318平均0.012952.680.03308140120*********寿命/h电流/mA50100150370365360355350345温度/K图5寿命和温度曲线Fig.5Life and temperature curve74——第6期牛萍娟，等：温度对GaN 基LED 电流加速老化特性的影响的Eyring 模型[11]：子=（A /S 1）exp （B /kS 1）exp （CS 2+DS 2/kS 1）（4）式中：A 、B 、C 、D 均为常数；k 为玻尔兹曼常数；S 1为温度因素；S 2为电流因素.由于上式中交互作用可以忽略不计[12]，因此可以将公式简化为：子=（A /T ）exp （B /kT ）exp （CI ）（5）3组加速实验LED 光通量随时间的变化如图6所示.将第2、3、4组LED 的结温和光通量降到初始光通量70%时的时间带入上式可以求出常量A 、B 、C .将额定电流的大小和结温带入可以推算出LED 的寿命为t 2=135.6h.与实际测得的LED 的寿命t =134.27h 及未考虑温度因素时计算出的LED 寿命t 1=142.29h 相比较可以发现，考虑温度因素后推算出的LED 寿命与实验值吻合的更好.光通量衰减对比曲线如图7所示.图7中离散的点表示实际测得的光通量随时间的变化，虚线表示未考虑温度因素的单应力Eyring 模型计算结果，实线表示考虑温度因素的广义Eyring 模型计算结果.由图7可知，考虑温度因素的广义Eyring 模型的计算结果与实际测得的光通量衰减数据更为接近.3结语综上所述，针对GaN 基大功率白光LED ，研究了电流加速老化过程中器件温度升高对其寿命推算的影响.随着老化电流逐渐增加，器件的温度明显升高，寿命显著降低.通过将包含和不包含温度因素的2种寿命推算模型的计算结果与测试所得光通量衰减数据对比说明了考虑温度因素的广义Eyring 模型能够更加准确地估算LED 的寿命.参考文献：[1]FANG Zhilie.Future applications of light emitting diodes [J].Physics and Advanced Technology ，2003，32（5）：295-301.[2]林林，庄国华，黄珊珊，等.大功率白光LED 寿命的计算[J].福建师范大学福清分校学报，2009，96（3）：1-4.[3]SHONO H.Estimation of light emitting diode operation life time[J].Tech Rep IEICE ，1999，99（454）：13-18.[4]MENEGHESSO G ，LEVADA S ，ZANONI E ，et al.Failure modes and mechanisms of DC -aged GaN LEDs [J].Physica Status Solidi （a ），2002，194（2）：389-392.[5]郑代顺，钱可元，罗毅.大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析[J].半导体光电，2005，26（2）：87-91.[6]刘熙娟，温岩，朱绍龙，等.白光LED 的使用寿命的定义和测试方法[J].光源与照明，2001（4）：16-22.[7]HU J Z ，YANG L Q ，KIM L ，et al.The ageing mechanism of high -power InGaN/GaN light emitting diodes under electrical stresses[J].Semicond Sci Technol ，2007，22（12）：1249-1252.[8]OSINSKI M ，PERLIN P ，ELISEEV P ，et al.Degradation of single-quantum well InGaN green light emitting diodes under high electrical stress[J].Microelectronics Reliability ，1999，39：1219-1227.[9]MENEGHINI M ，TAZZOLI A ，MURA G ，et al.A Review on the physical mechanisms that limit the reliability of GaN-based LEDs [J].IEEE Transactions on Electron Devices ，2010，57（1）：108-118.[10]ISHIZAKI S ，KIMURA H ，SUGIMOTO M.Lifetime estimationof high power white LEDs[J].J Light &Vis Env ，2007，31（1）：11-18.[11]MANN N R ，SCHAFER R E ，SINGPURWALLA A P.Meth －ods for Statistical Analysis of Reliability and Life Data[M].New York ：John Wiley and Sons ，1974.[12]BARTON D.Degraduation mechanisms in GaN/AlGaN/InGaN[C]//Proc The 10th Conference on Semiconducting and Insu －lating Materials （SIMC-X ）.[s.n.]：IEEE Press ，1998：259-262.图6不同老化电流下样品的光通量衰减曲线Fig.6Luminous flux attenuation curve of samples under different aging current120110*********光通量/l mt /h40801202060100450mA550mA 650mA12011010090807060光通量/l mt /h50100150测试数据不考虑温度因素考虑温度因素图7光通量衰减对比曲线Fig.7Comparison of luminous flux attenuation curves75——。