静电场电介质
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23. 静电场中的电介质
1 E dS 0S1 S2
S
P dS P dS PS2 S 2
S S2
0
1 1 E dS 0 S1
S
S
0 E P dS q0
0
0
四、电极化强度与极化电荷的关系 在均匀介质中, 极化电荷只出现在介质表面 或两种介质的分界面上。 设一均匀电介质薄片(S、l)置于电场(E) 中,表面将出现极化电荷。
p ql p ql P P V Sl 一般情形: P e P cos P n n
的q’为多少?
介质被均匀极化,介质内无净极化电荷。
介质内的场强: E E0 E
极化电荷产生的附加电场 实验表明: 对于各向同性的电介质,在E0不太大的 情况下,有:
P ( r 1) 0 E
上式表明P,E的简单比例关系,将比例系数写 成稍复杂的形式,是为了以后相对更重要的式子 表达方便。
en为薄片表面外法向单位矢量
例:
n
θ - - - - - + + + + +
- - - - - - + + + + +P +
P
思考:将介质从中分开,能否分离正、负
极化电荷?
§7-9 有电介质时的高斯定理 电位移
1 真空中的高斯定理: E dS qi
S
0
1 介质中的高斯定理: E dS
极化面电荷: P ·en
介质内表面(r =R1)处:
( r 1) q0 er P 0 ( r 1) E 2 4r r
1 P r R
大学物理(6.2.1)--静电场中的电介质
d r
P
E
0 - -+- -+- -+- -+- -+-
E E0 0 r 0 r
'
(1
1 r
)
0
,
电极化率
10/13
电介质的击穿
理想电介质中没有自由电荷,但是实际的电 介质中总是存在一定的自由电荷。可以在电场作用 下产生微弱的电流。
加在电介质上的电场强度足够大时,电介质 中的电流迅速增加,其绝缘性能被破坏,甚至电介 质可能被烧毁。这叫电介质的击穿。
热释电性:温度的变化 表面产生极化电荷
电光效应:施加电场 晶体折射率发生变化
重要应用领域:
微电子学技术、超声波技术、电子光学、激光技术 、
新材料等
3/13
※ 电介质对电场的影响
( 电介质放在电场中)
U 0 E0
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
σ σ
电场
U E
+++++++
- - -εr- - - -
)
0
,
Q'
εr εr
1
Q0
9/13
※ 电极化强度与电场强度的关系
充满 r 的各向同性均匀电介质的平行板电容器
P
σ
'
r 1 r
0
,
P ( r 1)0E
P (r 1)0E
静电场中的电介质
由定义
C 与 d S 0 有关
S
C ; d C
插入介质
0S q C u A uB d
C
0 r S
d
C
(2)球形电容器 已知
设+q、-q 场强分布: E 电势差:
RB
RA RB
q
r q
B A
RA
q 4 0 r 2
q q
RB
1 1 u A uB dr ( ) 2 4 0 RA RB R A 4 0 r
f
pe
pe
3;
+ E + 外 + + + +
在外电场中有极分子的固有电 矩要受到一个力矩作用,电矩方 向趋于外电场方向。但由于热运 动的存在,不会完全一致。
有极分子的取向极化!
+ E + 外 + + + +
+
两端面出现极化电荷层
电介质被极化的宏观效果
①外电场越强,极化电荷越多; ②电介质不均匀,则不仅在电介质表面会出现极 化电荷,在电介质内部也会出现极化电荷; ③对均匀电介质,在其内部任一小区域内,正负 电荷数量仍然相等,因而仍然表现出电中性。
二、电极化强度和极化电荷
单位体积内分子电偶极矩的矢量和 P
1、电极化强度(矢量)
pi
V
物理意义:描述了电介质极化强弱,反映了电介质 内分子电偶极矩排列的有序或无序程度。
在各向同性的电介质中,P 0 E
称为电介质的电极化率,它取决于电介质的性质。
2、极化电荷和自由电荷 极化电荷
E E0
++++++ r + ------- C
C 与 d S 0 有关
S
C ; d C
插入介质
0S q C u A uB d
C
0 r S
d
C
(2)球形电容器 已知
设+q、-q 场强分布: E 电势差:
RB
RA RB
q
r q
B A
RA
q 4 0 r 2
q q
RB
1 1 u A uB dr ( ) 2 4 0 RA RB R A 4 0 r
f
pe
pe
3;
+ E + 外 + + + +
在外电场中有极分子的固有电 矩要受到一个力矩作用,电矩方 向趋于外电场方向。但由于热运 动的存在,不会完全一致。
有极分子的取向极化!
+ E + 外 + + + +
+
两端面出现极化电荷层
电介质被极化的宏观效果
①外电场越强,极化电荷越多; ②电介质不均匀,则不仅在电介质表面会出现极 化电荷,在电介质内部也会出现极化电荷; ③对均匀电介质,在其内部任一小区域内,正负 电荷数量仍然相等,因而仍然表现出电中性。
二、电极化强度和极化电荷
单位体积内分子电偶极矩的矢量和 P
1、电极化强度(矢量)
pi
V
物理意义:描述了电介质极化强弱,反映了电介质 内分子电偶极矩排列的有序或无序程度。
在各向同性的电介质中,P 0 E
称为电介质的电极化率,它取决于电介质的性质。
2、极化电荷和自由电荷 极化电荷
E E0
++++++ r + ------- C
静电场中的电介质
例2 圆柱形电容器 解 设两圆柱面单位长度上分别带电 E ( RA r RB ) 2 π 0r l RB R dr Q RB U ln R 2 π r 2 π 0l RA 0
E E
E E0 E
1
1
E0
击穿:在强电场作用下电介质变成导体的现象。 空气的击穿电场强度约为:
3 KV mm
矿物油的击穿电场强度约为: 15 KV mm
云母的击穿电场强度约为: 80 ~ 200 KV mm 1
二、介质中的高斯定理
真空中有一均匀带电球体q0,球外的电场强度为: E0
特点:非孤立导体,由两极板组成
2 电容器的电容 电容器的电容为电容器一块极板所带 电荷Q与两极板电势差 VA VB 的比值 .
Q Q C VA VB U
U
AB
Q
Q
E dl
VB
VA
电容的大小仅与导体的形状、相对位置、 其间的电介质有关,与所带电荷量无关.
3 电容器电容的计算 (1)设两极板分别带电Q
Q Q C VA VB U
(2)求两极板间的电场强度 E
(3)求两极板间的电势差U (4)由C=Q/U求C 例1 平行平板电容器 Q 解 E 0 r 0 r S
Qd U Ed 0 r S
+ + + + + + Q
r
d
- - - - - - Q
S
Q 0 r S C U d
S
D dS q0
S
பைடு நூலகம்
()电位移矢量 1 D是一个辅助量,电场的基本物理量仍是场强E
静电场中 的电介质
静电场中的电介质 , ,
1.2 电介质的极化
1.电介质极化的机理
对于无极分子,在外电场的作用下,正、负电荷的中心被电场力拉开,使得正、负电荷中心产 生相对位移(这种极化称为位移极化),形成电偶极子。
在此力偶矩的作用下,有极分子的电偶极矩方向将转向与外电场基本一致的方向,这种极化称 为转向极化,其结果是电介质的两端出现等量异号的电荷.
真空中 r 1,空气中 r 1.005 ,可认为近似等于 1,其他电介质的 r 都大于 1。电介质的相对电容
率 r 和真空中电容率 0 的乘积称为电介质的电容率 ,即 r0
静电场中的电介质 , ,
1.2 电介质的极化
3.电介质的击穿
如果外电场足够大,电介质分子就会摆脱分子的束缚成为自由电子,电介质的绝缘性被破坏而 成为导体,这个过程称为电介质的击穿,这个外电场的场强称为击穿场强。
大学物理
静电场中的电介质 , ,
1.1 电介质的分类
电介质又称绝缘体。我们通常把气体、油类、蜡脂、玻璃、云母、陶瓷、橡胶等这些基本不导 电的物质称为电介质。
对于各向同性的电介质可分为无极分子和有极分子两类。
静电场中的电介质 , ,
1.2 电介质的极化
电介质的极化是指在外电场作用下电介质表面产生极化电荷的现象。 其中,极化电荷又称束缚电荷,是指在外电场中,均匀介质内部各处仍成电中性,但在介质表 面出现的不能离开电介质到其他带电体,也不能在电介质内部自由移动的电荷。
静电场中的电介质 , ,
1.2 电介质的极化
2.电介质对电场的影响
如果不存在电介质(真空),自由电荷激发的场强大小为 E0 ,引入均匀电介质后,当均匀电介质充
满电场不为零的空间,或几种均匀电介质分区充满电场且分界面都是等势面时,电介质的场强大小 E 将
静电场中的电介质
有介质时的静电场基本方程:
r
rr
引入电位移矢量:D 0 E P
rr
Ò D dS q0
Sr r
3
Ñ l E dl 0
对各向同性线性电介质 D E
电场的能量
§3.7 电场的能量
一. 电场是能量的携带者
➢ 对平行板电容器
We
1 CU 2 2
1
(
S )( Ed )2
2d
1
2
E 2V
E2
静电能由电场携带,存在于电场中.
b uur r
Aab q E d l q(Ua Ub ) qUab (E pb E pa )
a
10
3. 电势叠加原理
(1)点电荷的电势分布:
(2)点电荷系的电势分布:
(3)任意带电体的电势分布:
电势的计算
11
叠加法 定义法
Ui dU
UP E dl P
静电场中的导体和电介质
一.静电场中的导体 1.导体静电平衡条件:
4 r R d 2
q '內
( r 1)q r
q '外
( r 1)q r
r R
空间的电势分布是三个带电球面的电势叠加:
r
r R:
Ur
q
4 0 R
q '內
4 0 R
q '外
40 R d
q ( r 1)q ( r 1)q q ( 1 r 1 ) 4 0 R 4 0 r R 4 0 r ( R d ) 4 0 r R R d
B
A
5.静电屏蔽问题:
E
空腔导体屏蔽外电场
13
接地导体壳有效的屏蔽了内电场
《电学》课件-第5章静电场中的电介质
ε πQ
=4 0
RB dr
r RA
2
Q
B
ε ++Q +
R+ 1+A
+
0 + ++
R2
=
Q
4π ε0
(
1 RA
1) RB
ε Q
C = UA U B
=
4π
R AR B
R 0 B
RA
讨论: 1. 电容计算之步骤:
E
UA UB
C
2. 电容器之电容和电容器之结构,几何
形状、尺寸有关。
3. 电容器是构成各种电子电路的重要器 件,也是电力工业中的一个重要设备。它的作 用有整流、隔直、延时、滤波、分频及提高
q
U外
=
q1 q
4pe0 r2
外球的电势改变为:
ΔU = U外
U2
=
r1q
4pe0
r2 2
=
(r1 2r2 ) q
4pe0
r2 2
2r2q
4pe0
r2 2
2. 点电荷q =4.0×10-10C,处在导体球 壳的中心,壳的内外半径分别为R1=2.0cm 和R2=3.0cm ,求:
(1)导体球壳的电势; (2)离球心r =1.0cm处的电势;
d
ε = ε0 εr
称ε为介电常数,或电容率。
有介质时电容器的电容不仅和电容器的 结构,几何形状、尺寸有关,还和极板间介 质的介电常数有关。
电介质的相对电容率和击穿场强
电介质
相对电容率 击穿场强
真空 空气 纯水 云母
1 1.00059
80 3.7~7.5
第三章静电场中的电介质
1 E ds ( q0 q)
s
0
s内
s内
q P ds
s内 s
1 1 E dS q0 q q0 P dS 0 0 S S
0 E P dS q0
四、 有介质时的高斯定理应用
令D 0 E P
S
引入辅助物理量:电位移矢量(electric displacement)
D 0E P
介质存在时高斯定理:
D ds q0
s s内
电位移矢量对任意闭合曲面的通量等于该曲面内所有自由 电荷的代数和。 二、电位移矢量D 1、定义:
(S )
_
E0
内
ds
l
P dS q
( S内)
V
S
外
V 内的极化电荷总量 q P ds s P d s 该点的极化电荷体密度 ' s V
'
P ds / V
' s
* 此式为各点极化电荷体密度和该点极化强度的关系。
q' , ' , ' 分别表示极化电荷、体密度、面密度 • q0 , 0 , 0 分别表示自由电荷、体密度、面密度
•
二、极化电荷体密度与极化强度的关系:
1、以位移极化为例 极化分子电矩
p分子
ql
S
E0
ds
单位体积有 n 个分子 极化强度矢量
l
0
P np分子 nql
D E
大学物理学 第十章 静电场中的电介质
2021/8/10
8
单位矢若量面元en
dS
endS
取在电介质的表面上,面元法线方向
由电介质指向真空,则电介质表面上的极化电
荷面密度为
d q出 dS
P
en
P cos
Pn
即 P • en P cos Pn
讨论 1)当θ = 0 0 时,P与n同向,σ 最大(正电荷)。
2)当θ< 90 0 时, 介质表面上将出现一层正极化电荷。
D4r 2 q
D
q
rˆ
E
D
0 r
4r 2
4
q
0
r
r
2
rˆ
-+
q' +q
-+ +-
-+
R
+
-
+r
+-
+
-
P E
D
r
E
q
4 0 r r 2
E0
q
4 0r 2
2021/8/10
为什么?
16
P 0(r 1)E
0 ( r
1)
q
4 0 r
r
2
rˆ
(1
1
r
)
q
4 r
2
rˆ
-
q' +q
-+
+
+-
-
+
E0
F
F
③在外电场作用下,分子固有电矩不同程度地转向和外电
场方向一致而发生的极化,称为取向极化 。
2021/8/10
5
3)极化结果 ①电介质从原来处处电中性变成出现了宏观的极化电荷。
10-7 静电场中的电介质
15
板间电势差:
U AB
d1 d 2 E dl E1d1 E2d 2 1 2 AB
S
电容器的电容:
q S S C d1 d 2 d1 d2 U AB
r 1 0
r 2 0
r 1 0
r 2 0
P
pi
V
单位体积内分子电偶极矩的矢量和
描述了电介质极化强弱,反映了电介质内分子 电偶极矩排列的有序或无序程度。
pi :分子偶极矩 :电极化强度 P 2 的单位: Cm P
如果电介质内各处极化强度的大小和方向都相同, 就称为均匀极化。我们只讨论均匀极化的电介质。
5
三、极化强度与极化电荷的关系
D 0 r E E
例1 . 已知:导体球 R 、Q 、 r 求:1. 球外任一点的 E
(1101A)
r
R
2. 导体球的电势 u
解: 过P点作高斯面得 2 D 4 r Q D dS Q
S
r
S
电势
P
Q D 4r 2
D 方向:沿径向向外
0 r E
D E
电位移矢量 D
0 E 真空中
介质中
介质中的高斯定理 D dS q S
自由电荷
通过任意闭合曲面的电位移通量,等于该闭 合曲面所包围的自由电荷的代数和。
12
* D、E、P 三矢量之间关系
有电介质存在时的高斯定理的应用 SD dS q
即 或
n E2 E1 0
E1t = E2 t
上式表示,从一种介质过渡到另一种介质, 电场强度的切向分量不变。
板间电势差:
U AB
d1 d 2 E dl E1d1 E2d 2 1 2 AB
S
电容器的电容:
q S S C d1 d 2 d1 d2 U AB
r 1 0
r 2 0
r 1 0
r 2 0
P
pi
V
单位体积内分子电偶极矩的矢量和
描述了电介质极化强弱,反映了电介质内分子 电偶极矩排列的有序或无序程度。
pi :分子偶极矩 :电极化强度 P 2 的单位: Cm P
如果电介质内各处极化强度的大小和方向都相同, 就称为均匀极化。我们只讨论均匀极化的电介质。
5
三、极化强度与极化电荷的关系
D 0 r E E
例1 . 已知:导体球 R 、Q 、 r 求:1. 球外任一点的 E
(1101A)
r
R
2. 导体球的电势 u
解: 过P点作高斯面得 2 D 4 r Q D dS Q
S
r
S
电势
P
Q D 4r 2
D 方向:沿径向向外
0 r E
D E
电位移矢量 D
0 E 真空中
介质中
介质中的高斯定理 D dS q S
自由电荷
通过任意闭合曲面的电位移通量,等于该闭 合曲面所包围的自由电荷的代数和。
12
* D、E、P 三矢量之间关系
有电介质存在时的高斯定理的应用 SD dS q
即 或
n E2 E1 0
E1t = E2 t
上式表示,从一种介质过渡到另一种介质, 电场强度的切向分量不变。
静电场中的电介质
S
εr
ε0
σ + + + + + + −σ 0 - - - - - - - - - - '
闭合曲面内 自由电荷总数
闭合曲面内束 缚电荷总数
εr − 1 Q′ = Q0 εr
v v 1 ∫ E ⋅ dS = (Q0 − Q′)
S
ε0
εr − 1 Q′ = Q0 εr
v v Q0 ∫ E ⋅ dS =
v + E0 + + v' + E + v + E =0 + +
感应电荷 (自由电荷) 自由电荷)
v E0
v v v' E = E0 + E = 0
感应电荷电场强度
导体内电场强度 外电场强度
+σ0 + + + + + + + + + + + -σ ′
- - - - - v v v 导体 E0 E E'
感应电荷 自由电荷) (自由电荷)
注意 σ 0 ≠ σ ′
S
σ0 + + + + + + + + + +
d
-σ 0 -
v E0
--------S
σ′ E′ = ε0
+σ0 + + + + + + + + + + + -σ ′
- - - - - v v v ε r E0 E E'
+σ′ + + + + + + -σ 0 - - - - - - - - - - -
εr
ε0
σ + + + + + + −σ 0 - - - - - - - - - - '
闭合曲面内 自由电荷总数
闭合曲面内束 缚电荷总数
εr − 1 Q′ = Q0 εr
v v 1 ∫ E ⋅ dS = (Q0 − Q′)
S
ε0
εr − 1 Q′ = Q0 εr
v v Q0 ∫ E ⋅ dS =
v + E0 + + v' + E + v + E =0 + +
感应电荷 (自由电荷) 自由电荷)
v E0
v v v' E = E0 + E = 0
感应电荷电场强度
导体内电场强度 外电场强度
+σ0 + + + + + + + + + + + -σ ′
- - - - - v v v 导体 E0 E E'
感应电荷 自由电荷) (自由电荷)
注意 σ 0 ≠ σ ′
S
σ0 + + + + + + + + + +
d
-σ 0 -
v E0
--------S
σ′ E′ = ε0
+σ0 + + + + + + + + + + + -σ ′
- - - - - v v v ε r E0 E E'
+σ′ + + + + + + -σ 0 - - - - - - - - - - -
6 静电场中的电介质.
E
E0
E
'
E0
r
E
E0
E
'
E0
r
r :电介质的相对电容率(相对介电常数)
真空(空气) r 1 其它电介质: r 1
0 :真空电容率(真空介电常数)
0 r :电介质的(绝对)电容率(绝对介电常数)
3. 电极化强度
定义:
P
p
V
p :每个分子的电偶
E
'
εr 1 εr
E0
①
'
+-+
+-+
+-+
+
-+
+
+-
+
0
E0
0
ε0
同理
代入①式,有
E' '
ε0
'
r E E' E -+- -+- -+- - +- - +- - 0
σ
'
εr εr
1
σ0
(1
1 εr
)σ0
'
+-+
+-+
+-+
+
-+
+
-+Q+0
0
r E E' E
' -+- -+- -+- - +- - +-Q-' 0
静电场中电介质(共10张PPT)
-
+-
+
-
+ p
-
+
- +- +- +- +
- +- +- +- + E
2、有极分子的取向极化
有极分子在外场中发生偏转而 产生的极化称为取向极化。
F
- + Eo
+
F
- p Eo
三、静电场中的电介质
小结: (1)电介质极化现象∶在外电场作用下,介质表面 产生极化(束缚)电荷的现象。 (2)不论是有极分子还是无极分子的极化,微观 机理虽然不相同,但在宏观上表现相同。
有均匀介质存在时场的求解
布, 故 也为球对称分布
H 1、无极分子的位移极化
+
(3)电介质内的电场强度。
自由电荷Q0和介质均呈球对称分
H+
C--
H+
=
±
H+
CH4
1、无极分子的位移极化
在外电场的作用
下,介质表面产生电 荷的现象称为电介质 的极化。
±±±±± ±±±±± ±±±±±
由于极化,在介质 表面产生的电荷称为极 化电荷或称束缚电荷。
n
D dS S
q0i
(面内自由电荷代数和)
i 1
通过任意闭合曲面的电位移通量只与面内自由
电荷有关,与其它因素无关
13.
n
注
D dS S
q0i
i 1
a. D 辅助矢量
均匀介质 D 0r E
b. D及 D dS与各种因素均有关
二. 有均匀介质存在时场的求解
1. 条件 2. 路径
在+ 平+板电+代容器+ 之表+间插入电一块介介质板质分子中所有正,负电荷的两个点电荷
大学物理_4静电场中的电介质
S
i
自由电荷
各向同性 线性介质
P 0r 1E
D 0r E E 介质方程
r 0 称介质的介电常数(电容率)
在 斯具 定有 理某出种发对解称出性D的情况下,可以首先由高
即 D E P q
说明:
1.电位移在闭合面上的通量只和闭合面内的自
第十五章 静电场中的电介质
(Dielectric In Electrostatic Field)
§15.1 电介质对电场的影响 §15.2 电介质的极化 §15.3 D的高斯定律 §15.4 电容器及其电容 §15.5 电容器的能量
§15.1 电介质对电场的影响 电介质的特点:无自由电荷,不导电。 电场中置入各向同性均匀电介质时的影响
定义 C Q 单位:法拉 F
U
电容只与几何因素和介质有关 固有的容电本领
【例1】求真空中孤立导体球的电容
解:设球带电为 Q
导体球电势 U Q
4 0 R
导体球电容 C Q
U
4 0 R
问题
欲得到 1F的电容, 孤立导体球的半径R
由孤立导体球电容公式知
R
1
4 0
9109 m
R3
4π 0r 2
(r (r
R) R)
q2r2
we
0E2
2
32π2
q2
0
R
6
32π2 0 r 4
(r R) (r R)
静电能:We
V wedV
0
we
4πr
2dr
静电场electrostaticfield中的电介质dielectric
永电体. 电极化状态不受外电场影响的物体叫做永电 体.(驻极体) 永电体的特性用电荷面密度表征. 永电体主要应用于传感器领域.如麦克风.放射 性检测.静电空气过滤等。 * 压电体 . 压电现象. 电致伸缩现象. * 静电复印.
二.电介质(dielectric) 1.介质的极化(dieletric polarization):电介质处在
电场中,出现极化电荷(polarization charge)q’(束 缚电荷),产生附加电场的现象。 2.极化机制 位移极化: - + 取向极化:见图:
E
_ +
- + -+
1 1 E E0 E0 1 xe r
r 相对介电常数,取决于介质。
由上可知: 有介质存在时,介质内部的场强为E0的1/εr
倍。 4. 应用: 高频加热—外电场使介质极化需损耗能量,此能量 变为热能,使介质温度升高。微波炉、红外疗伤即是如 此。 铁电体(ferroelectrics). 有些电介质在撤去外电场后,仍可留有部分剩余的 极化。这种性质称为铁电性。具有铁电性的电介质叫铁 电体.铁电体的极化强度与场强的曲线称为“电滞回 线”. 铁电体可制成非线形电容器,应用于振荡电路及介 质放大器和倍频器中. 铁电体能在强光下产生非线性效应,应用于激光和
-+ - + -+ -+ -+ -+ -+
- + - +
- +
- + - + - +
3.介质中的场强
有介质时空间场的分布:
E = E0 + E’→极化电荷q’产生 在介质中: E’与E0 、E的方向相反。 E’的大小: E0 ↑→ E↑→E’↑ 可以证明:E’ = -xeE xe→介质的极化率 ∴E = E0 -xeE
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电场分布:
Q1
Q2
1 I ( 1 2 3 4 ) 2 o
1
EI • P1
2
3
4
P2
EII
•EIΒιβλιοθήκη I1 Q1 Q2 o 2 o s
II
2 Q1 Q2 1 ( 1 2 3 4 ) 2 o o 2 o s
E
E E s
1
0
s
s
0E
3 孤立导体静电平衡时,电荷面密度 与表面各处的曲率有关
尖端附近电荷密度大
三 尖端放电现象
孤立导体,尖端附近电荷面密度大。
0E
尖端附近电场强度大。
通常空气中存在着少量的离子。在带电体附 近的强电场作用下,与尖端所带电荷符号相 反的离子,会被吸引过来,与尖端上的电荷 中和—
q
R1
2
R1
1 1 1 ( ) 40 r R1 R2
40 r
dr 0
q
R2
2
q
R2
40r
dr
(b) 球壳内 R1<r<R2
V
r
R2 E dr E dr E dr
q
r
R2
40 R2
分段积分
若把空腔外表面接地,则空腔外表 面的电荷将中和,空腔外面的电场 消失。
空腔内的带电体对空腔外就不会产 生任何影响。
Q' +
q
–q
2 2、应用
•高压设备都用金属导体壳接地做保护
•在电子仪器、或传输微弱信号的导线中 都常用金属壳或金属网作静电屏蔽。 •高压带电操作
U C
外界不影响内部
二 空腔内有带电体
-q
+q
空腔内壁感应等值的异号电荷, 空腔外壁感应等值的同号电荷。
-q
+q
空腔导体接地时,空腔内带电体对 腔外电场没有影响。
三
静电屏蔽
空腔导体外的带电体,对空腔内部的 电场没有影响。 空腔导体接地时,空腔内带电体对腔外 电场没有影响。 导体空腔内的电场不受外界的影响, 或利用接地的空腔导体将腔内带电 体对外界的影响隔绝的现象 —静电屏蔽
空腔的内表面有感应电荷-q, 空腔的外表面有感应电荷+q
外
q E 0 内 q内表=-q S
情况2、空腔内无电荷
空腔的内表面没有电荷, 电荷只能分布在空腔的外 表面。
内= 0
E内 = 0
S内
外
S
3 3、导体表面附近的电场
q S E dS ES
0
0
E 0
静电屏蔽现象的应用 电磁测量仪器 高压电器设备 —安装金属网罩 高压带电作业—屏蔽服
静电屏蔽的实质: 空腔表面的感应电荷抵消 了外(内)部带电体在腔 导体空腔 内(外)空间激发的电场。
金属网罩住小老鼠
例:设点电荷q处在导体球壳中心,壳的 内外半径分别为R1和R2 ,求电场强度和 电势的分布,画出E—r和V—r曲线。
q R1
R2
(1) 场强分布 (a)r<R 1 ①电场对称性 —球对称 R2 ②过场点P作同心球面 Pq R1 —高斯面 ③应用高斯定理
S1
1 2 E dS E 4 r q
q E 2 40 r 1
0
r<R1
(b) R1<r<R2
在导体壳内,电场强度为零 (c)r>R2
一
空腔内无电荷
S
静电平衡时,空腔 的内表面没有电荷 分布。
E ds 0
q 0
s内
S
若导体空腔内没有其他带电体, 则内表面上没有电荷。
VA>VB
B
不可能 导体是等势体
A
若导体空腔内没有其他带电体,则内表面上 不同地点不可能出现等量异号电荷。
当导体空腔处在外电场中时,空腔导体 外的带电体,只会影响空腔外表面的电 荷分布,从而改变空腔外的电场分布。 导体内部和空腔内部的场强总为零。 空腔导体外的带电体,对空腔内部的 电场没有影响。
金属导体有自由电子, 作无规则的热运动。
+ ++ +A + + ++
B
+ ++ + A + ++ +
_ + _ _ B + + _ +
2 2、静电平衡状态 导体的两个侧面出现了等量异号的电荷。在导体的内部建立一 个附加电场。 导体内部的场强E 就是E‘ 和E0 的叠加。
+ + + + + +
-
+ + + + + +
+ 高压
场离子显微镜(FIM)
三、静电屏蔽
11、静电屏蔽现象 第一类空腔(空腔导体内部无电荷) •空腔内表面不带任何电荷; •空腔内部及导体内部电场强度处处为零。 可以利用空腔导体来屏蔽外电场,使空腔内的物体不 受外电场的影响。
E0
q +
q
第二类空腔(空腔导体内部有电荷)
内部面将感应异号电荷,外表 面将感应同号电荷。
(c)球壳外 r>R2
V
r
E dr
q 40 r
(3) E—r和V—r曲线 E E—r V V—r
o
R1 R2
r
o
R1 R2
r
例:有一块大金属平板, 面积为S,带有总电量Q。 Q 今在其 近旁平行地放置 第二块大金属板,此板 原来不带电。 求静电平衡时,两金属板 上的电荷分布。
1 1、实心导体 在静电平衡时,导体内部的电场 强度为零,所以通过导体内部任 一高斯面的电场强度通量必为零
E=0
内=0
V S
E dS 0
S
结论:
在静电平衡时,导体所带的电 荷只能分布在导体的表面上, 导体内部没有净电荷。
2 2、空腔导体
内 0
情况1、空腔内有电荷+q
例1:两块平行放置的面积为S 的金属板,各带电量Q1、 Q2 ,
板距与板的线度相比很小。求:
① 静电平衡时, 金属 板电荷的分布和周围电
Q1
Q2
场的分布。
②若把第二块金属 板接地,以上结果如何?
1
EI
2
S
3
EII
4
S
EIII
解: 电荷守恒
( 1 2 ) s Q1 ( 3 4 ) s Q2 i i 高斯定理 2 o
q1
q1
r
导体的静电感应过程
E外
无外电场时 加上外电场后,电子宏观定向运动。
导体的静电感应过程
E外
+
负 电 荷 积 聚
加上外电场后
正 电 荷 积 聚
导体达到静电平衡
+
+
E感 E 内 = E外
+
+
+ +
E外
E感
=
0
一 导体的静电平衡
1 静电平衡状态:导体内和导体表面 没有电荷定向运动的状态。 2 静电平衡条件(特点):
P
ds
导体表面之外邻近表面处的场强,与该处电 荷面密度成正比,方向与导体表面垂直。
4 4、孤立导体 孤立导体处于静电平衡时,表面各处的 面电荷密度与表面的曲率有关,曲率越 大的地方,面电荷密度越大。 尖端放电: 带电体尖端附近的场强较 大,大到一定的程度,可 以使空气电离,产生尖端 放电现象。
导体表面
1 1 Q1 Q2 ( 1 2 3 4 ) 2 o o 2 o s
III
如果第二块坂接地,则
Q1
Q2
4 = 0
电荷守恒
高斯定理
1
EI
2
3
4
1 2 Q1 / s
EII
•
P
EIII
2 3 0
解得:
静电平衡条件
p 0
Q 2 0 S
Q
1 2 3 4
方向向左
Ⅱ Ⅲ
1 2 3 4 Ⅱ区: E 2 0 2 0 2 0 2 0 Ⅰ
Q 2 0 S
方向向右
A
B
1 2 3 4 Q E Ⅲ区: 2 0 2 0 2 0 2 0 2 0 S
应用: •高压设备的电极 •高压输电线 •避雷针 不利的一面:浪费电能 避免方法:金属元件尽量做成球形, 并使导体表面尽可能的光滑
金属 尖端
荧光质 导电膜
金属尖端的强电场的应用一例
原理:
接地
He
样品制成针尖形状,针尖与荧光 膜之间加高压,样品附近极强的 接真空泵或 电场使吸附在表面的原 子 电离, 充氦气设备 氦离子沿电力线运动, 撞击荧光 膜引起发光,从而获得样品表面 的图象。
•在静电场中总是存在导体或电介质 •静电场与 静电场中导体或电介质之间有 相互作用
主要内容有:
•静电场中导体 •电容器 •电介质的极化 •有介质时的高斯定理 •电场的能量
9-1 静电场中的导体
一、静电感应 静电平衡条件
11、静电感应
导体中的自由电子在电场力的作用下作 宏观定向运动,引起导体中电荷重新分 布而呈现出带电的现象,叫作静电感 应。
解:
由于静电感应,两块金 属板上电荷重新分布。 Q 1 2 3 4
电荷守恒
Q 1 2 S 3 4 0