COG-制程原理及流程
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目的: 垂直方向电气通电 水平方向电气绝缘
主要组成: 黏着剂 导电粒子
ACF Introduction
Force
Step 1 AC
IC
Introduction
ACF
F
Cell
Step 2
Each channel Conductive independently
IC ACF Cell
ACF Introduction
10E9 Ω or more
80℃/ 1MPa / 3s 150℃/ 100MPa / 10s
4.5 month / 10 days
ACF Introduction
Conductive Particle
Bump (after bonding)
Bump (before bonding)
Bump (ACFHale Waihona Puke Baiducleaned)
COG 制程原理及流程
COG课程导览
一、课程目标: 1-1:使学员了解COG制程原理 1-2:使学员了解COG制程动作流程 1-3:使学员了解COG制程之检验规范 1-4:使学员了解COG制程之Defect Mode
二、课程对象: 2-1:LCM厂制程与设备工程师 2-2:对COG制程有兴趣的同仁
三、授课时数: 3-1:COG制程原理及动作流程15 min 3-2:COG制程检验规范 10 min 3-3:COG制程之Defect Mode 5 min
TFT LCD Process
Array
Cell
Module
JI
Assemble
Test
Cell Kitting
Laser Cut
COG
S/G
AC-8623
Conductive
8 ± 1 um
1.5 ± 0.1 mm 50 m
3 ± 1 um
44,000 ± 12,500 pcs/mm2
5.0 Ω or less
10E8 Ω or more
80℃/ 1MPa / 3s 190℃/ 100MPa / 10s
7 month / 30 days
ACF Introduction
COG Process ACF 反应率需达 80 % 以上
ACF Introduction
为何使用 AC-8623 (低温)
解决 Tool Mura 问题
COG Process Flowchart
CCeellll llooaaddeerr Wweettcleleaann
工具A：C-I8C60P1rebond uAnCit-8623
温压度力
18M0 制P±a程5 参数 180M±Pa5
时压间力
1AM3CP-s8a601
1AMC3-P8sa623
时温间度 压力
190 ± 5 312s5 MPa
150 ± 5 1235 MsPa
厂商建议100 MPa 厂商建议100 MPa
PCB
PCB test SLC
JBO
COG Process
COG: Chip On Glass
Purpose: Bonding Driver with Cell
Key Components:
• Cell • ACF • Driver IC (LSI)
Cell
Cell Pad
Bonding area
Driver IC
Input side(FPC/PCB)
MEC IC Output side (Cell)
IC on Tray
Gold bump
Driver IC
Gold bump profile
Au
Ti / W Passivation
Al
ACF Introduction
ACF: Anisotropic Conductive Film (异方向性导电膜)
COG Criteria (ACF贴附)
Case 1
MARK1
MARK2
ACF Case 2
ACF
ACF上缘上限/ACF upper limit ACF上缘下限/ACF lower limit
时间
10 s
10 s
COG Process Criteria
外观 ACF贴附 IC压痕 IC压著精度
COG Criteria(外观)
•TFT/CF 玻璃破损 比照Cell Kitting规格 线路刮伤 比照Cell Kitting规格
•偏光板 显示区內不可有压、刺伤
•IC IC背部不可有裂痕
Hitachi ACF
Separator
Type Thickness Separator thickness Adhesive thickness Conductive thickness Width Length Particle size Conductive Particles Connection resistance Insulation resistance Attach parameter Mainbond parameter
Expiration time(5 ℃/RT)
23 ± 3 um
50 um 15 ± 2 um
8 ± 1 um
1.5 ± 0.1 mm 100 m
3 ± 1 um 44,000 ± 12,500 pcs/mm2
5.0 Ω or less
AC-8601
23 ± 3 um
50 um 15 ± 2 um
Adhesive
UUVV cCleleaann
AACCFF AAttttaacchh
IC Prebond
IICC mmaaiinnbboonndd
CCeellll uunnllooaaddeerr
VViissuuaall IInnssppeeccttiioonn
9水0目工制目工制滴0目工制m的具程的具程角：：参J温的具程目：：参</将数L度c3o的清数U目：：参•m：ca0加工目eVd目：度无工工l除：的2le清无数热传具的•ru的将<将具/具C:AT送n：除尘：照：r：CIea：iIC：至：tCFyl检A射制制U压将布尚C8l/,机将上C预ICA0使工制Cn制查着ea台-累程程A±C8未/ls将压压A目l溶o6具程内P于s程CIl积参参C05CFe上a的C着r量着1FAtF：参剂e参ad压t照数数eeC预进：bt区压e于化lt显数F数着(lor行度a：：贴传/丙/有ACn着cT微：：硬是<e于hdCr送机酮la1A化镜无l区uu无否8F上CyC6至0nn物反/)-/0C合e±异8Cit机t0i应6leol2m乎5l物3台nl上J标v外/ec准ym2
主要组成: 黏着剂 导电粒子
ACF Introduction
Force
Step 1 AC
IC
Introduction
ACF
F
Cell
Step 2
Each channel Conductive independently
IC ACF Cell
ACF Introduction
10E9 Ω or more
80℃/ 1MPa / 3s 150℃/ 100MPa / 10s
4.5 month / 10 days
ACF Introduction
Conductive Particle
Bump (after bonding)
Bump (before bonding)
Bump (ACFHale Waihona Puke Baiducleaned)
COG 制程原理及流程
COG课程导览
一、课程目标: 1-1:使学员了解COG制程原理 1-2:使学员了解COG制程动作流程 1-3:使学员了解COG制程之检验规范 1-4:使学员了解COG制程之Defect Mode
二、课程对象: 2-1:LCM厂制程与设备工程师 2-2:对COG制程有兴趣的同仁
三、授课时数: 3-1:COG制程原理及动作流程15 min 3-2:COG制程检验规范 10 min 3-3:COG制程之Defect Mode 5 min
TFT LCD Process
Array
Cell
Module
JI
Assemble
Test
Cell Kitting
Laser Cut
COG
S/G
AC-8623
Conductive
8 ± 1 um
1.5 ± 0.1 mm 50 m
3 ± 1 um
44,000 ± 12,500 pcs/mm2
5.0 Ω or less
10E8 Ω or more
80℃/ 1MPa / 3s 190℃/ 100MPa / 10s
7 month / 30 days
ACF Introduction
COG Process ACF 反应率需达 80 % 以上
ACF Introduction
为何使用 AC-8623 (低温)
解决 Tool Mura 问题
COG Process Flowchart
CCeellll llooaaddeerr Wweettcleleaann
工具A：C-I8C60P1rebond uAnCit-8623
温压度力
18M0 制P±a程5 参数 180M±Pa5
时压间力
1AM3CP-s8a601
1AMC3-P8sa623
时温间度 压力
190 ± 5 312s5 MPa
150 ± 5 1235 MsPa
厂商建议100 MPa 厂商建议100 MPa
PCB
PCB test SLC
JBO
COG Process
COG: Chip On Glass
Purpose: Bonding Driver with Cell
Key Components:
• Cell • ACF • Driver IC (LSI)
Cell
Cell Pad
Bonding area
Driver IC
Input side(FPC/PCB)
MEC IC Output side (Cell)
IC on Tray
Gold bump
Driver IC
Gold bump profile
Au
Ti / W Passivation
Al
ACF Introduction
ACF: Anisotropic Conductive Film (异方向性导电膜)
COG Criteria (ACF贴附)
Case 1
MARK1
MARK2
ACF Case 2
ACF
ACF上缘上限/ACF upper limit ACF上缘下限/ACF lower limit
时间
10 s
10 s
COG Process Criteria
外观 ACF贴附 IC压痕 IC压著精度
COG Criteria(外观)
•TFT/CF 玻璃破损 比照Cell Kitting规格 线路刮伤 比照Cell Kitting规格
•偏光板 显示区內不可有压、刺伤
•IC IC背部不可有裂痕
Hitachi ACF
Separator
Type Thickness Separator thickness Adhesive thickness Conductive thickness Width Length Particle size Conductive Particles Connection resistance Insulation resistance Attach parameter Mainbond parameter
Expiration time(5 ℃/RT)
23 ± 3 um
50 um 15 ± 2 um
8 ± 1 um
1.5 ± 0.1 mm 100 m
3 ± 1 um 44,000 ± 12,500 pcs/mm2
5.0 Ω or less
AC-8601
23 ± 3 um
50 um 15 ± 2 um
Adhesive
UUVV cCleleaann
AACCFF AAttttaacchh
IC Prebond
IICC mmaaiinnbboonndd
CCeellll uunnllooaaddeerr
VViissuuaall IInnssppeeccttiioonn
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