安徽大学历次单片机实验报告
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单片机实验报告
学号：____________ 姓名：____________
一、实验目的：
1.实验一的目的：掌握汇编语言设计和调试方法，熟悉键盘操作；
2.实验二的目的：掌握汇编语言设计和调试方法；
3.实验三的目的：进一步掌握汇编语言设计和调试方法。
二、实验设备：装有Keil uVision的计算机1台(本人用的是装有Keil uVision2的
计算机)
三、实验内容：
实验一清零程序
1.实验内容：把2000H～20FFH的内容清零
2.我的流程图、源程序及调试结果：
流程图（用Edraw Mind Map 7.8制作）：
源程序：
ORG 0000H
LJMP START
ORG 0100H
START: MOV R0,#0FFH
MOV DPTR,#2000H
MOV A,#00H
MAIN: MOVX @DPTR,A
INC DPTR
DJNZ R0,MAIN
SJMP $
END
调试结果：
将源程序中的MOV A,#00H改为MOV A,#0FFH，以便观察上述程序是否能够实现清零功能。
实验二拆字程序
1.实验内容：把2000H的内容拆开，高位送2001H，低位送2002H，2001H、2002H高位清零，一般本程序用于把数据送显示缓冲区时用。
2.我的流程图、源程序及调试结果：
流程图（用Edraw Mind Map 7.8制作）：
源程序：
ORG 0000H
LJMP START
ORG 0100H
START: MOV DPTR,#2000H
MOV A,#0A3H ;给累加器A赋一个值
MOVX @DPTR,A ;将累加器A中的内容作为2000H的内容 MOV R0,A
ANL A,#0F0H
SWAP A
INC DPTR
MOVX @DPTR,A
MOV A,R0
ANL A,#0FH
INC DPTR
MOVX @DPTR,A
SJMP $
END
调试结果：
实验三拼字程序
1.实验内容：把2000H、2001H的低位分别送入2002H高低位，一般本程序用于把显示缓冲区的数据取出拼装成一字节。
2.我的流程图、源程序及调试结果：
流程图（用Edraw Mind Map 7.8制作）：
源程序：
ORG 0000H
LJMP START
ORG 0100H
START: MOV DPTR,#2000H
MOV A,#0B2H ;给累加器A赋一个值
MOVX @DPTR,A ;将累加器A中的内容作为2000H的内容
ANL A,#0FH
SWAP A
MOV R0,A
INC DPTR
MOV A,#0E5H ;给累加器A赋一个值
MOVX @DPTR,A ;将累加器A中的内容作为2001H的内容
ANL A,#0FH
ORL A,R0
INC DPTR
MOVX @DPTR,A
SJMP $
END
调试结果：
四、实验小结
此次实验让我基本掌握了MOVX，SWAP这两条从未用过的指令的用法，理解了地址高位与低位的含义，16位地址与8位地址的记法，DPTR作为地址指针的重要作用，并让我注意到了DEC比INC少一种用法，即有INC DPTR，却没有DEC DPTR。
第二次单片机实验报告
学号：____________ 姓名：____________
一、实验目的：
（l）学习P1口的使用方法;
（2）学习延时子程序的编写。
二、实验必备知识：
（l）Pl口为准双向口,每一位都可独立地定义为输入或输出，在作输入线使用前,必须向锁存器相应位写入“1”,该位才能作为输入。
（2）本实验中延时子程序采用指令循环来实现。
三、实验设备：
装有Keil uVision和STC_ISP的计算机1台
单片机芯片1片
单片机综合实验箱1个
杜邦线若干
四、实验内容：
P1口输出口,接八只发光二极管,编写程序,使发光二极管循环点亮。
五、我的电路原理图、流程图及源程序：
1.电路原理图：
因为没有用实验室的设备完成实验，所以我用的是自己的计算机和单片机完成实验的。其起作用的部分的电路图如下图用(Proteus 7.8绘制)所示：
2. 流程图（用Edraw Mind Map 7.8制作）：
3.源程序：
ORG 0000H
MOV A,#01111111B
JMP START
ORG 0100H
START: MOV P1,A
CALL DEL100ms
RR A ;将A中的内容右移一位，相应地，发光二极管中低电平所处位置左移一位
JMP START
DEL100ms:MOV R7,#250
DEL1: MOV R6,#200
DEL2: DJNZ R6,DEL2
DJNZ R7,DEL1
RET
END
六、思考：
1.改变延时常数，使发光二极管闪亮时间改变。
答：如下两图所示，将晶振频率和时钟频率均选为12MHz，则一个机器周期为1us，执行一条DJNZ指令需要两个机器周期，即2us.用R6、R7分别表示其各自存储的立即数，则上述DEL100ms的延时子程序所延长的时间T=2*R6*R7us，故改变R6、R7中存储的立即数即可改变延时子程序延长的时间，从而使发光二极管闪亮时间改变。如：将DEL100ms的延时子程序中的MOV R7,#250改为MOV R7,#125，则DEL100ms的延时子程