PTC生产工艺流程

年产100万片30×20×2mmPTC热敏电阻生产线工艺流程
设计
————原理部分
一.PTC正温度系数热敏材料的分类、原理及主要应用
热敏电阻包括正温度系数（PTC）和负温度系数（NTC）热敏电阻，以及临界温度热敏电阻（CTR）．PTC(Positive Temperature Coefficient)为正温度系数热敏材料,它具有电阻率随温度升高而增大的特性。

1955年荷兰菲利浦公司的海曼等人发现在BaTiO3陶瓷中加入微量的稀土元素后,其室温电阻率大幅度下降,在某一很窄的温度范围内其电阻率可以升高三个数量级以上,首先发现了PTC材料的特性。

40多年来,对PTC材料的研究取得了重大的突破,PTC材料的理论日趋成熟,应用范围也不断扩大。

PTC的工作原理：PTC热敏电阻(正温度系数热敏电阻)是一种具温度敏感性的半导体电阻,一旦超过一定的温度(居里温度)时,它的电阻值随着温度的升高几乎是呈阶跃式的增高.PTC热敏电阻本体温度的变化可以由流过PTC热敏电阻的电流来获得,也可以由外界输入热量或者这二者的叠加来获得.陶瓷材料通常用作高电阻的优良绝缘体,而陶瓷PTC热敏电阻是以钛酸钡为基,掺杂其它的多晶陶瓷材料制造的,具有较低的电阻及半导特性.通过有目的的掺杂一种化学价较高的材料作为晶体的点阵元来达到的:在晶格中钡离子或钛酸盐离子的一部分被较高价的离子所替代,因而得到了一定数量产生导电性的自由电子.PTC 热敏电阻(正温度系数热敏电阻)是一种具温度敏感性的半导体电阻,一旦超过一定的温度(居里温度)时,它的电阻值随着温度的升高几乎是呈阶跃式的增高.PTC热敏电阻本体温度的变化可以由流过PTC热敏电阻的电流来获得,也可以由外界输入热量或者这二者的叠加来获得.陶瓷材料通常用作高电阻的优良绝缘体,而陶瓷PTC热敏电阻是以钛酸钡为基,掺杂其它的多晶陶瓷材料制造的,具有较低的电阻及半导特性.通过有目的的掺杂一种化学价较高的材料作为晶体的点阵元来达到的:在晶格中钡离子或钛酸盐离子的一部分被较高价的离子所替代,因而得到了一定数量产生导电性的自由电子.PTC（Positive Temperature Coeff1Cient）是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料，可专门用作恒定温度传感器．该材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体，其中掺入微量的Nb、Ta、Bi、Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化，常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导（体）瓷；同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的PTC热敏电阻材料．其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件（尤其是冷却温度）不同而变化．
利用PTC热敏电阻效应是其应用的重要原理。

主要特点是：①灵敏度较高，其电阻温度系数要比金属大10～100倍以上，能检测出10-6℃的温度变化；②工作温度范围宽，常温器件适用于-55℃～315℃，高温器件适用温度高于315℃（目前最高可达到2000℃），低温器件适用于-273℃～55℃；③体积小，能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度；④使用方便，电
阻值可在0.1～100kΩ间任意选择；⑤易加工成复杂的形状，可大批量生产；⑥稳定性好、过载能力强．
二.PTC 热敏电阻原料及配方选择
关于正温度系数（PTC）热敏电阻器应用很广泛，实践表明，正温度系数（PTC）热敏电阻瓷料得组成敏感性和工艺敏感是很突出的。

原料、配方和工艺条件的微小变化都会给产品的性能带来严重的影响，批量生产中的经常出现的产品性能指标的分散性大、再现性差的问题，也往往都是与这类瓷料的组成敏感性和工艺敏感性有关。

1.原料和配方的选择依据
钛酸钡基半导体陶瓷是制备正温度系数热敏电阻的基本材料。

在生产PTC 时除了碳酸钡和二氧化钛这两种原料外，还经常采用添加多种添加物来改善PTC 的性能。

1施主添加物
处于钛酸钡中Ti 4+位置的施主离子有Nb 5+、W 6+、Ta 5+等，处于Ba 2+
位置的有La 2+、Ce 4+、Y 3+等稀土离子以及Bi 3+、Sb 3+
等。

一般来说，以化学共沉积法引入的促使钛酸钡基瓷料实现半导化的施主加入无的数量只有氧化物混合物法引入量的20～25%。

通常施主加入物的加入量被限制在一个很狭窄的范围之内，即钛酸钡基陶瓷半导化对施主掺杂量是极为敏感的。

②移峰加入物Sn 4+、Sr 2+和Pb 2+是主要的钛酸钡基陶瓷的移峰加入物，Sn 4+和Sr 2+是正温度系数的热敏电阻的起跳温度移向低温，是低温用正温度系数热敏电阻的常用移峰加
入物，Pb 2+
使起跳温度移向高温，是高温用正温度系数热敏电阻常用加入物。

③受主杂质
铁、锰、铬、铜、钾、钠、镁等在钛酸钡半导化陶瓷中均为受主杂质，对半导化有毒害作用，原料和瓷料中的这类杂质含量必须限定在一定的范围内。

2.配方选择
松下公司公布的具有代表性的配料如下：
①【（Ba 1-x Sr x ）Ti 1.01O 3+0.11%(mol)Nb 2O 5】
+0.04%(mol)MnO 2+0.06%(mol)Sb 2O 3+0.5%(mol)SiO 2+0.167%(mol)Al 2O 3+0.1%(mol)Li 2CO 3;
②
【
Ba
（
Ti 1-x+0.03Sn x
）
O 3+0.11%(mol)Nb 2O 5
】
+0.04(mol)MnO 2+0.06%(mol)Sb 2O 3+0.5%(mol)SiO 2+0.167%(mol)A l 2O 3+0.1%（mol）Li 2CO 3;
③【（Ba 0.96-x Pb x Ca 0.04）Ti 1.01O 3+0.11%(mol)Nb 2O 5】+0.04%(mol)MnO 2+0.06%(mol)Sb 2O 3+0.5%(mol)SiO 2+0.167%(mol)Al 2O 3+0.1%(mol)Li 2CO 3
第1
第②组配方是使电阻率起跳温度（即居里点Tc）移向低温的配方；第③组配方是来制备具有不同居里温度的正温度系数热敏电阻，一般为耐高温型。

上述配方由于加入了二氧化硅和三氧化二铝，且配方中TiO 2过量，一般采用工业纯的合宜原料在空气中烧成即可制备出半导体性能良好的正温度系数热
敏电阻陶瓷。

故上述配方均适用于工业生产。

另外Mg 2+
对TiO 2和碳酸钡的半导化
具有强烈的抑制作用，但有的工业生产中在TiO 2中有时会人为的引入Mg 2+
，以提
高其抗还原性能，所以在工业生产中钛酸钡基半导体陶瓷中Mg 2+
的量要严格控制，其含量一般在0.05%（mol）以内。

由于在现代应用中研制性能优良的高温PTC 热敏电阻材料具有重要意义，因为其直接影响到PTC 的应用范围。

故本次工艺设计选择第③组配方来作为设计研究对象。

3.高温PTC 热敏电阻材料选择
有以上可知选择配方③
【（Ba 0.96-x Pb x Ca 0.04）
Ti 1.01O 3+0.11%(mol)Nb 2O 5
】
+0.04%(mol)MnO 2+0.06%(mol)Sb 2O 3+0.5%(mol)SiO 2+0.167%(mol)Al 2O 3+0.1%(mol)Li 2CO 3可获得高温PTC 热敏电阻材料。

要提高PTC 热敏电阻
的居里温度的方法就是用Pb 2+
置换BaTiO 3中的Ba 2+。

理论上，PTC 热敏电阻材料
含Pb 2+含量越高所得到的居里温度就越接近其极限温度490℃。

但随着Pb 2+
含量的增加，在烧结时PbO 组分会大量挥发，同时还会造成其半导化困难，另外还会造成热敏电阻耐电压降低。

相同工艺条件下Pb 置换量与材料性能的关系编号
PbO%（mol）Tc℃（理论）ρ（常温）
（Ω·cm ）
耐压(v/mm)PbO 挥发量α系数（%/℃）
外观
1
5140200﹥1500.1%18.3致密215175500﹥1500.9%16.3均匀、光洁3252101350﹥150 4.2%12.4均匀4302304200﹥15012.5%11.6可见微孔5352509300
﹥10014.1%8.2
有较多针孔、气泡
64027041200﹥7519.0% 4.0针孔明显745290∞/24.3% 3.6有大气孔8
50310∞///上下片烧
结、无法测量
上述表格表明，在相同的工艺条件下，配方中的PbO 量愈多、蒸发损失的
PbO 的量愈大。

当PbO 的蒸发量大于一定值时，材料的半导化困难且耐压及α系数均会明显下降。

故本实验选择第③组较为合适即x=0.25，配料为：
【（Ba 0.71Pb 0.25Ca 0.04）Ti 1.01O 3+0.11%(mol)Nb 2O 5】
+0.04%(mol)MnO 2+0.06%(mol)Sb 2O 3+0.5%(mol)SiO 2+0.167%(mol)Al 2O 3+0.1%(mol)Li 2CO 3
三.烧成条件的选择及影响
在配料及配方确定之后，像烧成和添加物等工艺条件的影响就成为决定材料结构和性能的主要因素。

对于组成敏感性和工艺敏感性相当强的正温度系数热敏电阻陶瓷来说，其影响尤为重要。

1.正确处理加入物的加入顺序
根据天津大学发表的论文关于PTC 热敏电阻的研制，提到了加入物的引入顺序会给烧成结果带来明显影响。

如下表就是以
【（Ba 0.77Sr 0.23）Ti 1.01O 3+0.11%(mol)Nb 2O 5】+0.05%(mol)MnO 2+0.04%(mol)Sb 2O 3+1.5%(mol)SiO 2+0.5%(mol)Al 2O 3+0.1%(mol)Li
2CO 3;的瓷料为例，
方括号外的加入物在合成（1150℃保温2小时）前火合成后引入，烧成结果将产生明显差异。

室温电阻率Rr（Ω·cm）正温度系数α（%/℃）
Max Min
R R 耐电强度（V/mm）
合成前引入时
40～5014～151×105160合成后引入时
40～5018～201×107250故本工艺设计在以配料为：【（Ba 0.71Pb 0.25Ca 0.04）Ti 1.01O 3+0.11%(mol)Nb 2O 5】+0.04%(mol)MnO 2+0.06%(mol)Sb 2O 3+0.5%(mol)SiO 2+0.167%(mol)Al 2O 3+0.1%(mol)Li 2CO 3的烧成工艺中在合成后在引入方括号以外的各加入物。

不仅可提高PTC 特性，还可使其耐电强度得到显著提高。

2.温度与铅蒸发量的关系：
随着温度的提高，Pb 的蒸发损失将会逐步增大，对烧成后的材料组成影响很大。

故可采取密封烧成容器及放入铅蒸发源（PbO 粉）改善因铅蒸发带来的损失。

3.原料粒度的影响
烧结时应保证料得粒度及各组分的均匀分布，其对烧成后的材料的结构和相界面影响很大。

4.烧成温度及淬火温度选择
瓷料合成温度可控制在1000～1200℃的范围，一般选择在1050～1150℃的温度下保温两个小时。

烧成中对高温PTC 性能影响的另一重要参数是
冷却速率。

为了获得良好的半导体瓷，必须采取急冷（即淬火）措施。

另外由于高温可有助于形成氧缺位，根据缺陷化学原理，其有利于提高
电导率，而淬火即为保存其高温相。

有关资料表明：立即淬火的冷却速
率大于每分钟120℃，试片的电阻率较自然冷却试片的电阻率低10～15
倍。

四.被电极工艺
一般均采用化学镀镍被覆电极，并在镍电极上涂覆保护银层等。

被工艺采用被银工艺。

五.产品检测分选
在产品生产制造出后还要对其性能进行检测，淘汰不合格产品。

综上，PTC电阻片大体生产过程如下：
将能够达到电气性能和热性能要求的混合物(碳酸钡和二氧化钛以及其它的材料)称量、混合再湿法研磨，脱水干燥后干压成型制成圆片形、长方形、圆环形、蜂窝状的毛坯。

这些压制好的毛坯在较高的温度下(1250℃左右)烧结成陶瓷，然后上电极使其表面金属化，根据其电阻值分档检测。

按照成品的结构形式钎焊封装或装配外壳，之后进行最后的全面检测。

称量——球磨——预烧结——造粒——成型——烧结——上电极——阻值分选——钎焊——封装装配——打标志——耐压检测
——阻值检测——最终检测——包装——入库
六.注意事项
1.PTC的失效模式
衡量PTC热敏电阻器可靠性有两个主要指标：A.耐电压能力----超过规定的电压可导致PTC热敏电阻器短路击穿，施加高电压可淘汰耐压低的产品，确保PTC热敏电阻器在最大工作电压（Vmax）以下是安全的；B、耐电流能力----超过规定的电流或开关次数可导致PTC热敏电阻器呈现不可恢复的高阻态而失效，循环通断试验不能全部淘汰早期失效的产品。

在规定的使用条件下，PTC失效后呈现高电阻态。

长期（一般大于1000小时）施加在PTC热敏电阻器上的电压导致其常温电阻升高的幅度极小，居里温度超过200℃的PTC发热元件相对要明显。

除PTC发热元件外，PTC失效的主要原因是由于开关操作中陶瓷体中心产生应力开裂。

在PTC热敏电阻器动作动过程中，PTC瓷片内温度、电阻率、电场、和功率密度的分布不均匀导致中心应力大而分层裂开。

2.焊接
在焊接时要注意，PTC热敏电阻器不能由于过分的加热而受到损害。

必须遵守下列的最高的温度，最长的时间和最小的距离：浸焊——烙铁焊溶池温度——max.260℃——max.360℃
钎焊时间——max.10s——max.5s
距PTC热敏电阻器最小的距离——min.6mm——min.6mm
在较恶劣的钎焊条件下将会引起电阻值的变化。

3.涂层和灌注
在PTC热敏电阻器上加涂层和灌注时，不允许在固化和以后的处理中由于不同的热膨胀而出现机械应力。

请谨慎使用灌注材料或填料。

在固化时不允许超过PTC热敏电阻器的上限温度。

此外，要注意到，灌注材料必须是化学中性的。

在PTC热敏电阻器中钛酸盐陶瓷的还原可能会导致电阻降低和电性能的丧失；由于灌注而引起热散热条件的变化可能会引起在PTC热敏电阻器上局部的过热致其被毁坏。

4.清洗
氟化氢，三氯乙烷或四氯乙烯等清洗剂均适用于清洗，同样可以使用超声波清洗的方法，但是一些清洗剂可能会损害热敏电阻的性能。

5.贮藏条件与期限
如果存贮得当，PTC热敏电阻器的存贮期没有什么期限限制。

为了保持PTC 热敏电阻器的可焊性，应在没有侵蚀性的气氛中进行贮藏，同时要注意空气湿度，温度以及容器材料。

元件应尽可能的在原包装中进行贮藏。

对未焊接的PTC 热敏电阻器的金属覆层的触碰可能会导致可焊性能降低。

暴露在过潮或过高温度下，一些规格产品性能可能会改变，比如锡铅的可焊性等，但是在正常的电器元件保存条件下可以长期保存。

七.参考文献
⑴沈继耀电子元件与材料
⑵曲远方功能陶瓷及应用
⑶吴晓东陶瓷工艺设计概论
⑷沈继耀PTC热敏电阻器的研制
⑸郭露村耿龙兴等高温ＰＴＣ热敏电阻材料的研制
⑹英以豪等半导体陶瓷及其敏感元件
⑺裴秀娟陶瓷墙地砖技术员手册
PTC热敏电阻生产线工艺流程设计
————基本流程
1.粉体的制备
由于粉体的粒度及各组分的混合均匀性均直接影响功能陶瓷烧
成温度、质量和性能，再根据传统工艺技术成熟程度，本设计中PTC 热敏电阻的粉体的制备采取传统的固相法。

该方法具有生产设备比较简单产品的质量较容易控制、投资较小和经济效益好等优点。

通过振动磨或者搅拌磨对原料进行研磨、细化，粉体粒径达技术要求，从而有利于烧结和固相反应的进行。

2．预烧结
将原料按比例称量后混合在1250℃温度下预烧2h。

可减少陶瓷制品最终烧结时的收缩率，同时也可消除原料在高温下会分解和晶型转变，同时消除体积变化的差异，改善原料的工艺性能。

3.造粒
在制造PTC热敏电阻片时，通常希望得到超细的原料颗粒，但粉料越细，比表面积越大，流动性越差，干压成型时不容易均匀地充满模具，经常出现成型件有空洞、边角不致密、层裂、弹性后效等问题，常采用造粒工艺解决上述问题。

造粒工艺是将磨细的粉料，经过干燥、加胶黏剂，制成流动性好、粒径约为0.1mm的颗粒。

4.成型
干压成型是将经造粒的配料，通过成型压机和模具，把配料压制成具有一定几何尺寸坯体的方法，是应用最广泛的一种成型方法。

干压成型生产效率高、生产周期短、工艺简单、易于实现机械自动化、成型尺寸精度高、制品烧成收缩小、不易变形、适用于片状等简单的几何形状的坯体成型。

模具选择时，产品的尺寸为30×20×2mm，模具的尺寸放宽一点，坯体烧结时会收缩，同时防止在后期冷加工时的损失。

5.烧结
烧结方法：常压烧结烧成制度：
①升温阶段：以较快的速度升温至最高烧结温度（约为1250℃）速度约为300℃/h 。

升温阶段关键温区在1150℃～1350℃，这一温区一般采取快速升温
②保温阶段：保温时间不宜过长，保温时间约为30min ③降温阶段：一般随炉冷却。

6.上电极
给PTC 片常用方法有烧渗法、化学镀法和真空蒸发法，本设计采用被银法，形成PTC 热敏电阻元件的金属电极，供以后的测试和使用。

7.清洗
清洗通常选用氟化氢，三氯乙烷或四氯乙烯等清洗剂均适用于清洗，同
样可以使用超声波清洗的方法，但是一些清洗剂可能会损害热敏电阻的性能。

年产100万片30×20×2mmPTC 热敏电阻生产线工艺流
程设计
————配料计算部分
一.基础配方
本设计以配料
③【（Ba 0.71Pb 0.25Ca 0.04）Ti 1.01O 3+0.11%(mol)Nb 2O 5】
+0.04%(mol)MnO 2+0.06%(mol)Sb 2O 3+0.5%(mol)SiO 2+0.167%(mol)Al 2O 3+0.1%(mol)Li 2CO 3作为基础配方。

二.原材料
所用原材料及纯度如下：
铅丹（含Pb3O4），98%；CaCO3，98%；
BaCO3,98%；TiO2，98%;
Nb2O5,99.5%;MnO2,99%;
Sb2O3,98%;SiO2,98%;
Al2O3,98%;Li2O3,98%;
三．100万片PTC热敏电阻所需质量
考虑到废料及损耗设为3%，库存质量设为5%，设电阻片的密度为4g/cm3
则年产100万片热敏电阻片的质量为：
100万片质量=100×104×30×10-3×20×10-3×2×10-3×4×106=4.8×106（g）
故总质量=4.8×106+4.8×106×3%+4.8×106×5%=5.184×106(g)
四．所需各材料的质量计算如下
①计算各原料的摩尔比，由配方可知各原料的摩尔比:
原料名称Pb3O4CaCO3BaCO3TiO2Nb2O5MnO2Sb2O3SiO2Al2O3Li2O3
比例(mol)0.25×
1/3
0.040.71 1.010.00110.00040.00060.0050.001670.001
②按原料纯度进行修正，将各原料的摩尔比除以该原料的纯度，得下表：
原料名
称
Pb3O4CaCO3BaCO3TiO2Nb2O5MnO2Sb2O3SiO2Al2O3Li2O3
计算纯度后的摩尔比0.085030.040820.72449 1.0306
1
0.001110.000400.000610.00
51
0.001
7
0.00102
③计算各原料的质量：
原料名称Pb3O4CaCO3BaCO3TiO2Nb2O5MnO2Sb2O3SiO2Al2O3Li2O3
相对分子
685.60100.09197.3479.88265.8186.94291.5160.08101.9673.89质量
质量（g）58.30 4.09142.9782.330.300.030.180.310.170.08
因加热时铅因蒸发而损耗，而本工艺采用密封加热且按放铅蒸发源，故Pb3O4可
多加10%。

所以；
总质量=58.30+58.30×10%+
4.09+142.97+82.33+0.30+0.03+0.18+0.31+0.17+0.08=294.59（g）
④计算质量百分比
原料名称Pb3O4CaCO3BaCO3TiO2Nb2O5MnO2Sb2O3SiO2Al2O3Li2O3
百分比／%19.79 1.3948.5327.950.100.010.060.110.060.03质量百分比等于各原料的质量除以总质量。

⑤计算各配料质量为5.184×106g时各部分原料年所需总质量为：
Pb3O4CaCO3BaCO3TiO2Nb2O5MnO2Sb2O3SiO2Al2O3Li2O3原
料
名
称
102.591367.20576251.57952144.89280.51840.051840.311040.570240.311040.15552质
量/
×
104g
⑥设一年生产200天，即每天生产5000片，另计入库存要多生产250片，
共计50250片。

另外有3%的质量损耗，故每天所需各原料的质量为：
原料名称Pb3O4CaCO3BaCO3TiO2Nb2O5MnO2Sb2O3SiO2Al2O3Li2O3
51.296 3.603125.79072.4460.25920.24810.024810.155520.285120.07776质量/×
102g
配料车间配料粉碎球磨
车间
粉料预烧结
车间
造粒成型
车间
烧结车间
研磨清洗
车间
上电极、组织分选、钎焊
车间
包装入库
员
工
休
息
区
监管机构通
道
通
道
车间入口
无尘区
封装装备
车间
阻值检测、打标志
年产100万片30×20×2mmPTC热敏电阻生产线工艺流程
设计
————设备一览表1.称量设备
由于在生产中配料的添加物需要量较少故需要分析天平、天平等设备。

其称量范围通常在0.0001g~120g
详细介绍：
产品型号：JD-4000-2
产品简介：多功能天平可显示g、oz、ct、GN、dwt等单位，可计数（PCS），可进行百分比称量（%），可进行动态称量。

具有RS232、打印、砝码值修正、线性校准、下吊钩称量等多种功能。

技术参数：1、最小读数：0.01g2、秤盘尺寸：Ф150mm3、最大称量：4000g
2.粉体研磨设备
图为高速振动球磨机SFM-3
球磨机主要用于物料的混合、研磨、产品的细度均匀、节省动力。

既可干磨、也可湿磨。

该机可以根据生产需要采用不同的衬板类型，以满足不同需要。

研磨作业的细度，依靠研磨时间自行控制。

电坳机自耦减压启动，降低起动电流，其结构分为整体式和独立式。

本产品具有投资少，较同类产品节能省电，
结构新颖、操作简便、使用安全、性能稳定可靠等特点，适合于普通和特殊材料的混合及研磨作业。

用户可依据物料比重、硬度，并根据产量等因素综合考虑选择合适的型号和衬板、介质类型。

详细介绍：
产品型号：SFM-3型高速震动球磨机
产品简介：SFM-3高速振动球磨机机能用干、湿两种方法球磨或混合粒度不同、材料各异的各类固体、悬浮液和糊膏。

SFM-3高速振动球磨机有一个偏心摆轴，在马达的高速运转时，罐体产生偏心摆动；带动整个支架上下振动，使得研磨过程在高速摆动和振动的三维空间中完成。

大大提高了研磨的速度和效率。

主要特点：该仪器体积小、重量轻、效率高、价格便宜。

用于实验室样品（少量、微量）制备的一种高效能的小型仪器。

可用于材料的研磨、混料和机械合金化。

技术参数：额定电压：AC220V，额定功率：180W，定时范围：0-120分钟摆震频1200周/分钟，进料粒度：<1mm，出料粒度：最小可至0.1μm，每罐最大装料量：球磨罐容积的三分之一，外形尺寸：405×265×260mm。

产品规格：净重：15Kg
3.原料混合设备
原料混合对于烧结晶相等形成具有重要意义，本工艺选择立式行星混料机SFM-2
详细介绍：
产品型号：SFM-2型行星混料机
产品简介：SFM系列行星式球磨机是在一转盘上装有四个混料罐，当转盘转动时，混料罐中心轴作行星运动，罐中磨球在高速运动中研磨和混和样品。

该产品能用干、湿两种方法粉碎和混和粒度不同，材料各异的产品，研磨产品最小粒度可至即（1.0×10-4mm）。

广泛应用于地质、矿产、冶金、电子、建材、陶瓷、化工、轻工、医药、环保等部门。

主要特点：SFM系列行星式球磨机是混和、细磨、小样制备、新产品研制和小批量生产高新技术材料的必备装置。

该产品体积小、功能全、效率高、噪声低，是科研单位、高等院校、企业实验室获取研究试样（每次实验可同时获得四个样品）的理想设备。

技术参数：额定电压：AC220V，额定功率：220W，调速方式：PID无静差调速，转动方式：尼龙齿轮传动，额定转速：大盘转速（公转）0-100转/分钟，混料桶（自转）0-300转/分钟，外形尺寸：450×490×530mm。

4.烧结设备
市场上有多中烧结设备如；窑炉，隧道炉，烧结炉;箱式炉，高温炉;推板炉，链式炉;管式炉，气氛炉;扩散炉，煅烧炉;热风炉，再流焊炉;烘干炉，实验炉;回转窑、回转炉;井式炉，厚膜炉;厚膜烧结炉;退火炉、淬火炉;热处理炉;高温箱式炉;箱式电阻炉等。

本工艺采用保护气氛故采用保护气氛电阻炉KSL1600X-H2。

详细介绍：
Furnace structure：Double layer steel structure with N2sealed jacket for maximum safety；Water cooling front door and air cooling shell；Built in Pressure gauge,vacuum valves and two gas floameters(6L/min)；Built in H2burning control system---if the controller detects no flame in burner,gas delivery valve will be shutdown automatically。

Inside Chamber Size：Heated chamber:200x200x300mm(8x8x12inch),19 Liter；Energy saving1800grade fibrous alumina insulation；High purity Al2O3 coating。

Continuous Working Temperature：1600C
Gas flow control and vacuum valve：Two larger flowmeters(0-6liter/minute) are installed in fron panel of furnace；One for purging Inert gas before fill H2gas；One for controlling H2gas flow；One KF25vacuum port is installed in left of furnace to remove air by vacuum pump before filling gas。

H2gas burning control system：A controller will burn flowing gas automatically and detect burner temperature and insure H2burner in working condition.If H2 does not burning,the controller will shutdown H2gas delivery valve immediately。

Working Voltage：AC208-240V single phase(50/60Hz)。

5.切割设备
本工艺选择台式金刚石切割机STX-202
详细介绍：
产品名称：台式金刚石线切割机STX-202
产品用途：用于脆性材料分析样品的精密切割，如晶体、陶瓷、玻璃、耐火材料、岩样、PCB等；尤其适合超薄样品的精密切割，最薄的样品厚度可达到0.1毫米。

产品特点：1.采用铝型材结构，美观轻便稳定。

2.使用金刚石线进行切割，操作简便，加工质量好
产品参数：1.切割线运丝速度：0-1.5m/s范围内可调；2.切割线总长度：≤15m；
3.切割丝直径：≤0.042mm；
4.Z工作台最大行程：50mm；
5.Y工作台最大行程：50mm；
6.Y、Z轴进给的示值精度：0.01mm；
7.二维调整工作台：水平方向转360°，垂直方向（+/-)10°，定位精度：5’；
8.切割最大工件直径和长度：dia50mm x 50mm。

6.研磨抛光设备
下图为精密研磨抛光机unipol-802
详细介绍：
产品名称:精密研磨抛光机UNIPOL-802
产品用途：专门为加工制备各种晶体、陶瓷及金属材料而设计的新一代产品。

产品特点：1.超平抛光盘（平面度为每25毫米x25毫米小于0.0025毫米）；2.超精旋转轴（托盘端跳小于0.01毫米），3.两个加工位；4.带有数字式显示的无级调速；5.可自动停止工作的定时器；6.可配备自动送液的滴料器或循环泵。

产品参数：研磨盘转速：0-125（250）rpm；工位：2个；载料盘摆动次数：0-9次/分；研磨盘直径：203毫米；载料盘直径：80毫米；交流电源：110/220伏；主电机型号：110ZYT01；主电机功率：245瓦。

7.PTC片清洗设备
图为超声波清洗器EQ-VGT-1620QTD-220V
详细介绍：
产品规格：重量小于1公斤，体积小于0.02立方米
产品用途：用于清洗眼镜、珠宝首饰、钟表等家具领域，而且已经拓展到机械、纺织、电子、化纤等各领域，对于日常难以清洗到的地方，是科研生产人员的有力助手。

产品特点：1.清洗器采用不锈钢网筛氩焊成形；2.外壳采用优质不锈钢板制作；
3.清洗槽采用优质不锈钢一次冲压成形，无焊接处，防水性能好；
4.采用优质进口部件，超声波功率转换效率高、功率强劲、清洗效果好。

产品技术参数：1.定时方式：数控；2.内槽尺寸：150x140x100mm(长x宽x高）；
3.外形尺寸：190x170x220nm(长x宽x高）；
4.内槽容量：2000ml；
5.电源电压：AC220-240v50/60Hz；
6.工作频率：超声波频率：40KHz or25KHz；
7.功率：60W；
8.加热方式：室温达80℃，可自动加热。

8.PTC检测设备
下图为全自动测试PTC热敏电阻分选机。

该分选机主要由振动盘、分离定位机构、测试机构、测试分选仪及控制电路等组成。

振动盘将在芯片自动排列，使芯片轴线为上下方向，然后将芯片送到分离定。

详细介绍：
主要特点：对圆形或矩形PTC片进行自动分选。

主要技术参数：1．分选档数：八档，由所选测试仪决定。

2．分选元件规格：可分选直径ф3~ф7mm，厚度1.0~7.5mm.3．分选速度：≥130个-150个/分钟，取决于所选测试仪。

4．误判率≯0.5%。

5．电源：AC220V，200W。

6．气源压力：0.5Mpa（气源由用户自备）。