ram6116存储器芯片读写实验答案

ram6116存储器芯片读写实验答案
一、实验目的：
1．了解半导体静态随机读写存储器SRAM的工作原理及其使用方法2．掌握半导体存储器的字、位扩展技术
3．用proteus设计、仿真基于AT89C51单片机的RAM扩展实验
二、实验内容：
1．用SRAM6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器（2KB）
选择8个连续的存储单元的地址，分别存入不同内容，做单个存储器单元的读/写操作实验。

2．用SRAM6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器（8KB）
必须使用译码器进行扩展；
选择8个连续的存储单元的地址，分别存入不同内容，做单个存储器单元的读/写操作实验。

三、实验要求：
1．根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。

2．分别设计实验步骤。

3．给出字扩展实验中每片SRAM芯片的地址范围。

四、实验步骤（proteus中运行详细过程）：
（一）查看元件库
AT89C51、74LS373、6116
（二）各元器件作用：
AT89C51：低电压，高性能CMOS8位单片机，片内含4k bytes的可反复擦写的只读程序存储器（PEROM）和128 bytes的随机存取数据存储器（RAM）
74LS373：为三态输出八D锁存器两种线路中的一种。

6116：6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间200ns,24线双列直插式封装。

（三）连接电路图
（1）按老师发的电路仿真图进行连接，电路图如下：
（2）选中AT89C51芯片，在Program File中添加ram.hex文件，然后点击确定。

（3）单击下面的运行按钮，再点击暂停按钮，如下：
（4）查看AT89C51的内存：
（5）查看存储器6116的存储内容：
（6）AT89C51中的程序，程序里的数字可以修改，就是存储器中输入的数字：
五、实验小结：（不少于200字）。