一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺[发明专利]

专利名称：一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺专利类型：发明专利
发明人：吕菲,张伟才,常耀辉,王云彪,窦连水,刘洋申请号：CN201710816709.2
申请日：20170912
公开号：CN107354513A
公开日：
20171117
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种可以高效稳定腐蚀锗单晶片的腐蚀工艺。

将锗单晶片浸入NHOH：HO：HF：DIW=1：2：3：5的腐蚀液中，其中氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为
40±1%、30±1%和 25±1%，搅拌均匀，腐蚀液温度保持在50℃‑53℃，每次将10片锗单晶片浸入腐蚀液顺时针转动3min20s~3min40s，可去除厚度16μm ‑18μm。

本腐蚀工艺中的腐蚀液腐蚀速度高效稳定，且腐蚀液温度、有效成分波动小，工艺条件易于控制，腐蚀后锗片表面一致均匀、无腐蚀坑，质量好，适用于批量生产。

申请人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
地址：300220 天津市河西区洞庭路26号
国籍：CN
代理机构：天津中环专利商标代理有限公司
代理人：王凤英
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