聚L-苯丙氨酸纳米金希瓦氏菌MR-1多壁碳纳米管修饰电极、制备方法和应用[发明专利]

专利名称：聚L-苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR-1/多壁碳纳米管修饰电极、制备方法和应用
专利类型：发明专利
发明人：陶亦文,许春萱
申请号：CN202111430442.6
申请日：20211129
公开号：CN114324513A
公开日：
20220412
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提出了聚L‑苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR‑1/多壁碳纳米管修饰电极、制备方法和应用，属于玻碳电极技术领域，包括：将玻碳电极表面打磨后洗净，表面滴加希瓦氏菌MR‑1/多壁碳纳米管复合材料溶液，干燥后该电极为工作电极，置于氯金酸水溶液中，采用计时电流法恒电位沉积纳米金，再以该电极为工作电极，在L‑苯丙氨酸溶液中进行循环伏安扫描，洗净，干燥，得到聚L‑苯丙氨酸/纳米金/希瓦氏菌MR‑1/多壁碳纳米管修饰电极。

本发明制备的电极对黄岑素具有良好的催化作用，灵敏度高、检测速度快等特点。

将该电极与循环伏安扫描和差分脉冲伏安法结合，对黄岑素的定量检测，具有灵敏度高、响应速度快、响应信号强等优点。

申请人：郑州大学,信阳师范学院
地址：450000 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号
国籍：CN
代理机构：常州智慧腾达专利代理事务所(普通合伙)
代理人：曹军
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