Keggin型多阴离子[XW-（12）O-（40）]~（n-）（X=Si

Keggin型多阴离子[XW-（12）O-（40）]~（n-）（X=Si
Keggin型多阴离子[XW-(12)O-(40)]~(n-)(X=Si,Ge,P,As)电子性质的密度泛函理论研究
采用密度泛函理论方法研究了Keggin型多阴离子[XW_(12)O_(40)]~(n-)(X=Si,Ge,P,As)的电子性质,在几何优化基础上,分析杂原子对体系的几何结构,电子性质,氧化还原性质的影响.结果表明:杂原子对多阴离子的键长有影响,变化规律与杂原子半径递变一致;杂原子的电子性质影响多阴离子的氧化性,多阴离子的氧化能力随杂原子的电负性增大而提高;杂原子的核电荷数越大,该多阴离子的氧化性越强;多阴离子的酸强度与杂原子的电负性次序一致.
作者：陈敏娥甘雄李茂莲 CHEN Min-e GAN Xiong LI Mao-lian 作者单位：钦州学院,生物与化学系,广西,钦州,535000 刊名：化学世界PKU英文刊名：CHEMICAL WORLD 年，卷(期)：2009 50(10) 分类号：O614 关键词：Keggin型多阴离子密度泛函理论电子性质 Keggin type polyanion density functional theory electronic property。