GaN薄膜大型V形表面坑的形成和光学性质(英文)

GaN薄膜大型V形表面坑的形成和光学性质(英文)
高志远;段焕涛;郝跃;李培咸;张金凤
【期刊名称】《材料研究学报》
【年(卷),期】2008(22)6
【摘要】研究了用MOCVD设备在高温和低Ⅴ/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型Ⅴ形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错.GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用.
【总页数】7页(P657-663)
【关键词】无机非金属材料;半导体材料;缺陷;材料表征;表面坑
【作者】高志远;段焕涛;郝跃;李培咸;张金凤
【作者单位】西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071
【正文语种】中文
【中图分类】TB321;O482
【相关文献】
1.掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究 [J], 宋淑芳;陈维德;许振嘉;徐叙瑢
2.表面覆盖退火对ZnO薄膜光学性质的影响(英文) [J], 王立;蒲勇;方文卿;莫春兰;熊传兵;江风益
3.纤锌矿GaN薄膜光学性质的研究 [J], 李雪;魏彦峰;龚海梅;方家熊
4.对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文) [J], 陆敏;常昕;方慧智;杨志坚;杨华;黎子兰;任谦;张国义;章蓓
5.溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质 [J], 贾璐;谢二庆;潘孝军;张振兴
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。