20111129-XPS课程-数据处理及分峰步骤

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xps分峰处理

xps分峰处理

xps分峰处理摘要:1.XPS 分峰处理的概念2.XPS 分峰处理的方法3.XPS 分峰处理的应用4.XPS 分峰处理的优势与局限性正文:一、XPS 分峰处理的概念XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy,X 射线光电子能谱)分峰处理是一种对XPS 数据进行分析的方法,主要目的是将复杂的能谱图分解为多个简单的峰,以便于研究各种元素的化学状态和电子结构。

在实际应用中,XPS 分峰处理可以为材料表面分析、腐蚀研究、催化剂表征等领域提供重要信息。

二、XPS 分峰处理的方法XPS 分峰处理主要包括以下几种方法:1.基线校正:通过校正基线,可以消除仪器漂移和噪音对数据分析的影响,提高分峰的准确性。

2.峰形拟合:采用合适的拟合函数对实验数据进行拟合,从而获得各个元素的电子能谱峰。

常见的拟合函数有高斯型、洛伦兹型等。

3.峰面积积分:在完成峰形拟合后,对各个峰进行面积积分,得到各元素的相对原子含量和化学状态信息。

4.峰位置确定:根据元素的特征能量和峰形特征,确定各个峰的位置,从而实现元素的定性分析。

三、XPS 分峰处理的应用XPS 分峰处理技术在许多领域都有广泛的应用,例如:1.材料表面分析:通过对材料表面的元素组成和化学状态进行分析,可以了解材料的腐蚀行为、氧化还原反应等。

2.催化剂表征:通过对催化剂表面的元素组成和电子结构进行分析,可以研究催化剂的活性和稳定性。

3.半导体器件分析:通过对半导体器件表面的元素组成和电子结构进行分析,可以了解器件的性能退化机制和可靠性评估。

四、XPS 分峰处理的优势与局限性XPS 分峰处理技术具有以下优势:1.分辨率高:可以对各种元素进行定性和定量分析。

2.灵敏度高:可以检测到样品表面极低浓度的元素。

3.信息丰富:可以获得元素的化学状态、电子结构等信息。

然而,XPS 分峰处理技术也存在一定的局限性:1.对样品的要求较高:需要样品表面干净、无污染。

XPS分峰的分析实例复习过程

XPS分峰的分析实例复习过程

XPS分峰的分析实例材料X射线光电子能谱数据处理及分峰的分析实例例:将剂量为1107ions/cm2,能量为45KeV的碳离子注入单晶硅中,然后在1100C退火2h进行热处理。

对单晶硅试样进行XPS测试,试对其中的C1s高分辨扫瞄谱进行解析,以确定各种可能存在的官能团。

分析过程:1、在Origin中处理数据图1将实验数据用记事本打开,其中C1s表示的是C1s电子,299.4885表示起始结合能,-0.2500表示结合能递减步长,81表示数据个数。

从15842开始表示是光电子强度。

从15842以下数据选中Copy到Excel软件B列中,为光电子强度数据列。

同时将299.4885Copy到Excel软件A列中,并按照步长及个数生成结合能数据,见图 2图2将生成的数据导入Origin软件中,见图3。

图3此时以结合能作为横坐标,光电子强度作为纵坐标,绘出C1s谱图,检查谱图是否有尖峰,如果有,那是脉冲,应把它们去掉,方法为点Origin 软件中的Data-Move Data Points,然后按键盘上的或箭头去除脉冲。

本例中的实验数据没有脉冲,无需进行此项工作。

将column A和B中的值复制到一空的记事本文档中(即成两列的格式,左边为结合能,右边为峰强),并存盘,见图4。

图42、打开XPS Peak,引入数据:点Data--Import(ASCII),引入所存数据,则出现相应的XPS谱图,见图5、图63、选择本底:点Background,因软件问题, High BE和Low BE的位置最好不改,否则无法再回到Origin,此时本底将连接这两点,Type可据实际情况选择,一般选择Shirley 类型,见图7。

图74、加峰:点Add peak,出现小框,在Peak Type处选择s、p、d、f等峰类型(一般选s),在Position处选择希望的峰位,需固定时则点fix前小方框,同法还可选半峰宽(FWHM)、峰面积等。

XPS分峰的分析实例要点

XPS分峰的分析实例要点

XPS分峰的分析实例要点XPS(X射线光电子能谱)是一种表面分析技术,用于研究材料的表面组成和电子能级结构。

在XPS分析中,样品表面被X射线轰击,使得样品表面的原子发射出光电子,这些光电子的能量和强度可以用于确定样品的组成和化学状态。

以下是XPS分峰分析实例的要点:1.样品制备:XPS分析的第一步是准备样品。

样品通常被切割成小块,并抛光到获得平坦的表面。

样品还需要经过真空热处理,以去除表面的污染层。

2.仪器设置:在进行XPS分析之前,需要进行仪器设置。

这包括调整X射线源的能量和强度,选择合适的检测方法(例如能量分辨,角度分辨)以及调节探测器的位置和角度。

3.谱图获取:一旦仪器设置完成,就可以开始进行XPS谱图的获取。

样品放置在真空室中,通过调节仪器参数控制X射线轰击的能量和时间。

同时,收集光电子的能谱,以获得不同能量的光电子的信息。

4.谱峰分析:得到XPS谱图之后,需要对谱图进行分析,特别是对谱峰进行分析。

谱峰表示不同化学元素的光电子能谱强度的峰值。

分析可以通过两种方式进行:定性分析和定量分析。

-定性分析:定性分析用于确定样品中存在的化学元素。

每个元素的光电子能谱具有特征性质,在特定的能量范围内对应特定的峰值。

利用已知的标准谱峰库,可以与样品的谱峰进行匹配,从而确定化学元素的存在。

-定量分析:定量分析用于确定每种化学元素的相对和绝对含量。

通过测量峰强度,可以计算出每种元素在样品中的百分比含量。

因为光电子能谱强度受许多因素的影响(如元素浓度,光电子逃逸深度等),因此需要进行修正,以获得准确的结果。

5.化学状态分析:除了化学元素的定性和定量分析,XPS还可以用于确定化学元素的化学状态。

通过观察峰的位置和形状,可以识别出不同化学状态下的元素。

例如,峰的位置的偏移可以提示元素的氧化态。

6.数据解释:最后,XPS分析的结果需要进行数据解释。

这包括解释化学元素的分布,化学状态的变化以及样品表面的化学反应。

充分理解和解释数据是实现准确分析和结论的关键。

xps数据处理的流程

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xps分峰处理

xps分峰处理

xps分峰处理
摘要:
1.什么是XPS分峰处理
2.XPS分峰处理的作用
3.XPS分峰处理的方法
4.XPS分峰处理的实例
5.XPS分峰处理的结果及分析
正文:
XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy,X射线光电子能谱)是一种表征材料表面化学组成和电子状态的分析技术。

在XPS分析中,通常会涉及到分峰处理,以便获取更多关于材料表面信息。

那么,什么是XPS分峰处理呢?
XPS分峰处理是指在XPS谱图中,将高能电子束入射到材料表面时所发生的俄歇电子、光电子和二次电子等信息进行分离和识别的过程。

这个过程可以帮助我们了解材料的化学组成、键结构、氧化态等表面特性。

因此,XPS分峰处理在材料研究、表面分析等领域具有重要作用。

XPS分峰处理的方法主要有以下几种:
1.能量过滤:通过设置不同能量范围,将不同类型的电子信号分开。

2.角度过滤:利用电子在材料表面的反弹特性,通过设置不同入射角度,实现电子信号的分离。

3.结合能量和角度过滤:综合运用能量和角度过滤方法,进一步提高分峰效果。

下面,我们通过一个实例来说明XPS分峰处理的具体应用。

在某次实验中,我们使用XPS对一种新型材料的表面进行了分析。

首先,对该材料的XPS谱图进行分峰处理,得到不同能量范围内的光电子峰、俄歇电子峰和二次电子峰。

然后,根据这些峰的形状、位置和强度等信息,我们可以推断出该材料的化学组成、键结构和氧化态等表面特性。

通过XPS分峰处理,我们可以得到更加详细的材料表面信息,从而为材料的研究和应用提供有力支持。

SCI实用-X光电子能谱(XPS)分峰方法

SCI实用-X光电子能谱(XPS)分峰方法

13、拟合、优化结合峰时需注意的要点
Peak Type 根据结果选 择s或p等。
对于p,d,f轨道,谱线有分裂, 分裂的峰之间有一定规则:
( 1 ) 对 于 p3/2 、 p1/2 这 种 次 能 级 的 强 度 比 是 一 定 的 , p3/2 : p1/2=2 : 1 ; d5/2:d3/2=3:2;f7/2:f5/2=4:3。
7、建立基线-1
技巧:为了更合适的分峰,
需要将其调节为较合适的
点击Background,结果如下图: 范围。
这里有一点技巧,基线一般默 认HighBE-to-LowBE为全长。
8、建立基线-2
此外,Backgound Type 一般默认为Shirley,不 要修改。
Slope,调节其数值能够改变基线(黑色线条)的形状, 会明显看到基线变化。
15、数据作图
在作图时,G和H两列可以删去, 以A-F列作图即可。
将记事本打开的数据,复制, 粘贴于Origin。
16、数据如图
Raw 即 为 “ 原 来 未 拟 合 的 峰 ” ; Peak sum为“拟合的总峰”; Background 为 “ 拟 合 的 基 线 ” ; 284.8 eV和288.8 eV,即为拟合 得到的两个峰;
可适当调节,使其呈现出弯曲形状,并与峰脚相切 即可。
9、添加结合峰-1
点击
点击Add Peak,出现新对话 框(圆角四边形处)。
主要调节三个参数: Position(峰位置) FWHM(半峰宽) Area(面积)
Fix能够将调节的参数固定。
10、添加结合峰-2
很显然,在 处),因此我们用同样的方法 添加第二个结合峰。
SCI实用-X射线光电子能谱 (XPS)分峰方法

XPS分峰操作步骤演示

XPS分峰操作步骤演示
XPS分峰步骤
利用软件:XPSPEAK
拿到XPS数据后,先进行电荷校正。
将xps峰数据转换成TXT格式:把校准之后的峰的数 据复制粘贴到空白的记事本文档中(结合能,峰 强)并保存。数据第一行前和数据最后一行后不 留空格
打开XPS Peak,导入数据:点Data----Import (ASCII)
调整峰位置、 面积,半峰宽 等直到拟合曲 线和原始峰吻 合
拟合:完成上述步骤之后,点Optimise region进行拟合, 查看拟合效果,可以多次点Optimise region。
保存,点save xps。下回要打开时点Open XPS就 可以打开这副图继续进行处理。
导出数据: Data――Print with peak parameters可打印带各峰参数的谱图。
Data――Export to clipboard,则将图和数据都复制到了剪贴上。
Data――Export (spectrum),则将拟合好的数据存盘,在 Origin中从多列数据栏打开,则可得多:点左上方Background,Type可以根据实 际情况选择,一般选择Shirley 类型。 然后点击 Accept
加峰:
点Add peak,在Peak Type处选择s、p、d、f等峰型,在 Position处选择希望的峰位,想固定峰的位置时则点fix前小 框,同理还可选半峰宽(FWHM)、峰面积等。点Delete peak可去掉峰。然后再点Add peak选第二个峰,如此重复。

xps处理与分峰步骤

xps处理与分峰步骤
BE始=1486.6-KE始- 换算成结合能起始值,是 一个常数值,即荷电位移,每个样品有一个值在 邮件正文中给出。
2004 5 30 12 48 10
255 0
XPS Al K-alpha
1486.6 0 0 0 0 0
FAT 30 1E+37 4.453 0 0 0 0 0 N1s N1s -1 Kinetic Energy eV 1072.6 0.05 1
7、点Save XPS存图,下回要打开时点Open XPS就 可以打开这副图继续进行处理。
8、数据输出: 点Data――Print with peak parameters可打印带各峰参数 的谱图,通过峰面积可计算此元素在不同峰位的化学态的 含量比。
点Data――Export to clipboard,则将图和数据都复制到了 剪贴板上,打开文档(如Word文档),点粘贴,就把图和 数据粘贴过去了。
点Data――Export (spectrum),则将拟合好的数据存盘, 然后在Origin中从多列数据栏打开,则可得多列数据,并在 Origin中作出拟合后的图。
将拟合好的数据重新引回到Origin:
选择=结果
汇报结束 谢谢观看! 欢迎提出您的宝贵意见!
X射线光电子能谱 数据处理及分峰步骤
中国科学院化学研究所 刘芬
2005.10.21
Region 1
一、在Origin中作图步骤: 1、打开文件,可以看到一列数据,找到相应元素(如
N1s)对应的Region (一个Region 对应一张谱图), 一个文件有多个Region。 2、继续向下找到Kinetic Energy,其下面一个数据为 动能起始值,即谱图左侧第一个数据。用公式
7、此时即可以作出N1s谱图。 8、画出来的图有可能有一些尖峰,那是脉冲,应把它们去

XPS 数据处理和分峰

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移动结果
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同理再移动右边 每次移动小于7ev
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选择范围
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扣背景
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分峰
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优化后
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打开D盘找到txt文件
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Hale Waihona Puke 实用文档实用文档实用文档
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XPS 数据处理操作
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可以保证图谱保 存时,文本文件 也随时产生并保 存
点击
打开 谱图 处理
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可以看到各个元素的摩尔含量
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先选择要分峰的元素
分峰
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点击此处,出 现下面的窗口
然后点击
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回移

XPS分峰处理课件

XPS分峰处理课件

XPS谱图的解释步骤:
• 在XPS谱图中首先鉴别出C1s、O1s、C(KLL) 和 O(KLL)的谱峰(通常比较明显)。 • 鉴别各种伴线所引起的伴峰。 • 先确定最强或较强的光电子峰(或俄歇电子 峰),再鉴定弱的谱线。 • 辨认p、d、f自旋双重线,核对所得结论。
XPS 的特点:
• 可以分析除H和He以外的所有元素。 • 相邻元素的同种能级的谱线相隔较远,相互干扰 较少,元素定性的标识性强。 • 能够观测化学位移,化学位移同原子氧化态、原 子电荷和官能团有关。化学位移信息是利用XPS进 行原子结构分析和化学键研究的基础。 • 可作定量分析,即可测定元素的相对浓度,又可 测定相同元素的不同氧化态的相对浓度。 • 是一种高灵敏超微量表面分析技术,样品分析的 深度约为20Å,信号来自表面几个原子层,样品量 可少至10-8g,绝对灵敏度高达10-18g。
过滤窗
样品室 能量分析器 检测器
真空系统 (1.33×10-5—1.33×10-8Pa)
磁屏蔽系统(~1×10-8T)
扫描和记录系统
XPS 的工作原理:
X-ray 样品
电离放出光电子
能量分析器
检测器 e-
(记录不同能量的电子数目) 光 电 hν(X-ray) 子 产 生 过 程 : A(中性分子或原子)+ hν(X-ray)
• 样品荷电的校正:
(绝缘体的荷电效应是影响结果的一个重要因素)
1.消除法: 用电子中和枪是目前减少荷电效应的最好方法; 另一种方法是,在导电样品托上制备超薄样品, 使谱仪和样品托达到良好的电接触状态。 2.校正法: 主要有以下几种方法: a.镀金法;b.外标法; c.内标法;d.二次内标法; e.混合法;f.氩注入法。
• 原子能级:与原子中的四个量子数有关,其物理意义为:

【干货】XPS数据处理及分峰的分析实例

【干货】XPS数据处理及分峰的分析实例

材料X射线光电子能谱数据处理及分峰的分析实例例:将剂量为1 107ions/cm2,能量为45KeV的碳离子注入单晶硅中,然后在1100C 退火2h进行热处理。

对单晶硅试样进行XPS测试,试对其中的C1s高分辨扫瞄谱进行解析,以确定各种可能存在的官能团。

分析过程:1、在Origin中处理数据图1将实验数据用记事本打开,其中C1s 表示的是C1s电子,299.4885表示起始结合能,-0.2500表示结合能递减步长,81表示数据个数。

从15842开始表示是光电子强度。

从15842以下数据选中Copy到Excel软件B列中,为光电子强度数据列。

同时将299.4885Copy到Excel软件A列中,并按照步长及个数生成结合能数据,见图2图2将生成的数据导入Origin软件中,见图3。

图3此时以结合能作为横坐标,光电子强度作为纵坐标,绘出C谱图,检查谱1s图是否有尖峰,如果有,那是脉冲,应把它们去掉,方法为点Origin 软件中的Data-Move Data Points,然后按键盘上的↓或↑箭头去除脉冲。

本例中的实验数据没有脉冲,无需进行此项工作。

将column A和B中的值复制到一空的记事本文档中(即成两列的格式,左边为结合能,右边为峰强),并存盘,见图4。

图42、打开XPS Peak,引入数据:点Data--Import (ASCII),引入所存数据,则出现相应的XPS谱图,见图5、图63、选择本底:点Background,因软件问题, High BE和Low BE的位置最好不改,否则无法再回到Origin,此时本底将连接这两点,Type可据实际情况选择,一般选择Shirley 类型,见图7。

图74、加峰:点Add peak,出现小框,在Peak Type处选择s、p、d、f等峰类型(一般选s),在Position处选择希望的峰位,需固定时则点fix前小方框,同法还可选半峰宽(FWHM)、峰面积等。

XPS数据分析基本过程

XPS数据分析基本过程

XPS数据分析基本过程数据分析是指通过收集、整理、处理和解释数据,以发现其中的模式、趋势、关联和异常,从而得出结论和支持决策的过程。

而XPS数据分析是指使用X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)技术进行数据分析。

1.数据收集:首先需要收集到XPS数据,包括光电子峰的能量和强度信息。

XPS技术使用X射线照射样品,然后测量样品上反射出的光电子的能量。

这些能量信息可以用来表征样品的元素、化学状态和表面组成等信息。

2. 数据整理:在数据收集后,需要对数据进行整理,对数据进行清洗、校正和去噪等处理,以便后续分析使用。

这一步需要使用数据处理软件,如Origin、Excel等。

3.数据处理:在数据整理完成后,可以对数据进行进一步的处理。

常见的处理方法包括基线校正、峰拟合、数据平滑等。

这些处理方法可以提取出样品的光电子峰信息,用于后续分析。

4. 峰拟合:在数据处理完成后,需要对数据进行峰拟合。

峰拟合是指将实际测量得到的光电子峰与已知的峰进行匹配,以确定样品中的元素种类和化学状态。

峰拟合需要使用专业的拟合软件,如CasaXPS等。

5.数据解释:在完成峰拟合后,可以对数据进行解释。

根据峰拟合结果,可以得到样品的元素种类、化学状态和表面组成等信息。

这些信息对于研究样品的结构、性质和性能具有重要意义。

6.结果展示:在数据解释完成后,需要将结果进行展示。

可以使用图表、图像、表格等形式展示数据和结果,以便更好地理解和传达分析结果。

总之,XPS数据分析是一个复杂的过程,需要对数据进行收集、整理、处理和解释。

这些步骤需要使用专业的设备和软件,并需要具备一定的专业知识和经验。

只有正确地进行数据分析,才能得到准确可靠的结果,为相关研究和决策提供有力支持。

Xps分峰拟合操作

Xps分峰拟合操作

Xps数据avantage软件分峰拟合操作1.打开软件,选择目标文件,打开2.选中C 1s图谱,点击放大。

3.点击,弹出窗口4.选择Shirley,变为下列图。

5.选取图谱中主峰两侧较为平滑的区域,分别将横坐标输入Start〔大〕和End〔小〕,并可通过上下箭头进行微调。

确定合理后,点击Add,主峰下方会出现如图绿线。

工具栏下方会出现C1s相关信息表格,Peak BE即为C1s峰值。

与标准峰值284.8eV比较即可得出所得实验谱的偏差,本例为+3.2eV。

6.选择目标实验谱本例中为Mn2p,放大。

点击,弹出窗口7.在Shift By后输入偏差值,因本实验谱偏大3.2eV,故需将其减小相应值,即点击,会观察到实验谱横坐标减小相应值,点击Close。

即完成能量校正。

8.点击,类似C1s校正,选择主峰对Mn2p3/2加峰9.选择Peak Fit,点击,弹出窗口,选择Add Fitted Peak,如图,并排三个书写框,PeakCentre即为某元素某化学态对应峰值,首先输入,FWHM Start其次输入,大小为峰值+0.5,FWHM End最后输入,为峰值-0.5,无误后点击Add Peak完成加峰。

10.对各状态对应峰值依次添加,加完之后,点击OK,如图。

11.对上图图谱下拉,对信息表格进行编辑。

删除主峰〔本例为Mn2p〕对应信息,点击左侧任意字母后,右键,取消Show Constraints对勾。

将Name改为易识别以区分的名字,然后将FWHM fit para全部改为1.25,并全选,点右键,锁定。

并将Peak BE也全部锁定。

12.上拉显现图谱,选择某一特征峰后,图谱中会出现对应峰的拖拽工具,逐次选定每一个峰,并将图谱中对应谱线下拉至底部。

13.根据操作者对样品的理解,先向上拖动主要状态对应谱线,最后拖动最少量状态对应谱线。

直至实验谱与拟合谱最大程度重合。

14.点击,再依次点击accep→tOK。

XPS原始数据处理含分峰拟合

XPS原始数据处理含分峰拟合

XPS 原始数据处理(含分峰拟合)1. XPS 高分辨谱可以拿到什么数据?般而言,大家在做高分辨谱的时候,是期望看到表面某些元素的电子结构信息,判断该元素的化学态以及所处的化学环境等等,进而说明样品的表面结构或其变化。

故此,XPS 的高分辨一定是有针对性的,所要测的元素也是大家很明了的。

在上一期我们说过,对于绝缘体或者半导体而言,具有荷电效应,因此除了大家 想要测的元素之外,一般测试的时候还需要测一个 C 的高分辨谱,用于荷电校正。

国内像XPS 这样的大型仪器一般都有专人进行测试,因此我们所得到的原始数据 般为xls 文件。

下图所示为PbQ 的XPS 原始数据,除了 Pb 0之外,还有C 的高 分辨谱以及各元素的半定量分析结果。

2. 荷电校正如何进行校正呢?上一期分享中我们已经说过,荷电校正一般将外来污染碳(284.8eV )作为基准。

具体如何操作呢? 1).计算荷电校正值。

45 67AxisEnergyEleaents-2016S C:\traLning\l iufu\ltLsc\E3peri*cnt\KonQ 650Um\Polnt <005\01s Scan. ¥GD131415 Einding Energy (£) 16 17 13药27J8293031毎一页代叢無一种元索的高分耕谱” peak table 给出的是半定量蜻果数扌亳•表*Counts / s545,oe55483. 7544.9855736.日 544. SE 55247.2 544,78 54363. 6 544,68 54709. 8 544, 58 55383.2 吕g 46 5431&. 3544, 38 54745.6 544.2054309. S 544.1855118.1 544. OB54741.7 543, 58544&3. 8 543. 88 53956.6 543. 7853763.4 543. ABj5R丘4曲7拿到XPS 高分辨谱,第步是要进行荷电校正,得到准确的结合能数据。

XPS分峰处理课件

XPS分峰处理课件

过滤窗
样品室 能量分析器 检测器
真空系统 (1.33×10-5—1.33×10-8Pa)
磁屏蔽系统(~1×10-8T)
扫描和记录系统
XPS 的工作原理:
X-ray 样品
电离放出光电子
能量分析器
检测器 e-
(记录不同能量的电子数目) 光中性分子或原子)+ hν(X-ray)
基本概念:
• 光电子能谱: 反应了原子(或离子)在入射粒 子(一般为X-ray)作用下发射出来的电子的能 量、强度、角分布等信息。 • X-ray: 原子外层电子从L层跃迁到K层产生的 射线。 常见的X射线激发源有:
Mg :Ka1,2(1254ev,线宽0.7ev ) Cu :Ka1,2(8048ev,线宽2.5ev ) Al :Ka1,2(1487ev ,线宽0.9ev ) Ti :Ka1,2(4511ev,线宽1.4ev )
• 多重分裂(Multiplet splitting):一般发生在基态有未成对
电子的原子中。
• 俄歇电子(Auger electron):当原子内层电子光致电
离而射出后,内层留下空穴,原子处于激发态,这种 激发态离子要向低能态转化而发生弛豫,其方式可以 通过辐射跃迁释放能量,波长在X射线区称为X射线荧 光;或者通过非辐射跃迁使另一电子激发成自由电子, 这种电子就称为俄歇电子。对其进行分析能得到样品 原子种类方面的信息。
1,2
( I)
非弹性散射
AlKa3,4
动能(ev) 结合能(ev)
利用XPS谱图鉴定物质成分:
• 利用某元素原子中电子的特征结合能来鉴别物质。 • 自旋-轨道偶合引起的能级分裂,谱线分裂成双 线(强度比),特别对于微量元素:
对于P1/2和P3/2的相对强度为1:2,d3/2和d5/2为2:3,f5/2和f7/2 为3:4;下图是Si的2P电子产生的分裂峰(1:2):
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2011-11-29
11
C 1s分峰拟合-step 5-2
• 对激活的峰进行设置 ¾ 选择Peak Type (对应s,p,d,f轨道) ¾ 输入S.O.S(spin orbit splitting,p,d,f轨道) ¾ 输入Positon(根据鼠标确定位置) ¾ 输入FWHM (full width at half maximum)半高峰宽
检测的谱图采用相同的洛伦兹-高斯函数比
2011-11-29
13
C 1s分峰拟合-step 6
• 选好所需拟合的峰 个数及大致参数 后,点Optimise All 进行拟合
• 观察拟合后总峰与 原始峰的重合情 况,如不好,可以 多次点进行优化
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C 1s分峰拟合-step 7
• 参数查看 • 分别点选每一个小
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C 1s分峰拟合-step 9
• 删除空白行的dat数据导入Origin
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分峰拟合举例1-O 1s
• 样品:导电,不需荷电校正 • 2个结果:刻蚀30s,再刻蚀4min • pdf格式图谱:suwt-A-O 1s-pe 80-et-30s
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C 1s分峰拟合-step 4-2
• Shirley+Linear:一般默认 ¾0表示只有shirley计算背底,
¾正值表示高结合能端直线比例较高,适用于 谱图在高结合能端背底能量较强,
¾负值相反,适用于谱图高结合能端背底能量 较弱
¾Optimise用于当shirley背底某些点高于信号强 度,程序会自动增加slope值直到shirley背底低 于信号强度
X射线光电子能谱 数据处理及分峰步骤
浙江工业大学分析测试中心 周环
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XPS结果说明
• 文件夹名称
• 文件夹内容
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XPSPeak分峰软件
• 作者:郭炳联(香港中文大学化学系) Raymund WM Kwok rmkwok@.hk
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荷电校正值
• C 1s数据导入XPS peak • 分峰拟合 • 找到结合能最低位置对应的结合能,如
281.6eV • 该样品的荷电校正值为
284.8-281.6=3.2eV
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C 1s分峰拟合-step 1
• 看C 1s的标准谱图: XPS手册费公司 & XPS Handbook (Perkin Elmer)
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C 1s分峰拟合-step 5-1
• 加峰:点Add Peak,出现Peak 0窗口,并 随机出现第一个小峰(黑色)
• 点主窗口XPS Peak Processing中的0,小峰 显示为红色,进行设置
• 每点一次Add Peak,Peaks中的数值会增 加一个,第一个峰为0,第二个峰为1,依 次递增,显示红色的小峰即为被激活的峰
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C 1s分峰拟合-step 4-1
• 去背底:点background,出现Region 0窗口 • 输入High BE,Low BE(根据鼠标确定位置) • No. of Ave.Pts at end-Point:背底末端数据点平
均,一般默认 • Type一般选择:Shirley • Shirley+Linear:一般默认(具体见step 3-2) • 点Accept,得到原始谱线(蓝色)+背底(黑色)
(理论值一般小于2eV,随着结合能增加而略有增加) ¾ 输入Area-峰面积 ¾ 输入% Lorentzian-Gaussian(洛伦兹-高斯函数比)
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C 1s分峰拟合-step 5-3
• 其他设置 ¾Fix :表示固定该值 ¾Optimise:表示优化 ¾Constraints:为限制该值与另一值的关系 自旋轨道耦合对峰面积比:p 2:1;d 3:2;f 4:3 自旋轨道耦合对峰结合能差值 ¾% Lorentzian-Gaussian:相同的仪器参数设置
20ep 2
• 看C 1s的pdf结果
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C 1s分峰拟合-step 3
• 打开XPS Peak,导入数据:点Data\Import (ASCII),导入处理后TXT格式的C 1s数据, 出现Region 1窗口,得到原始谱线(蓝色)
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峰,如对拟合结果 不满意,改变此的 参数,然后再优化
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C 1s分峰拟合-step 8
• 保存数据:点Save XPS(*.xps格式) • 导出数据:点Data\Export (spectrum),得到
(*.dat)格式结果,用写字板打开 • 删除空白行(上、下)
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• 1994年第一个版本 • 常用版本:4.1
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原始数据导入前的处理
• Kratos仪器原始数据: 结合能未校准;
格式为TXT,可用Excel打开; 数据分四列,一般用第二列和第三列的值
• 将C 1s数据导入: 删除
XLS格式
TXT格式
删除抬头,只留2列数据,存为TXT格式
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分峰需要注意
• 对于拟合结果并不是和原始曲线完全拟 合为最佳结果,拟合是在XPS原始曲线 的基础上,为了和实验结论建立的模型 相一致,需要通过文献和相关实验及标 准数据证明,使分峰具有说服力。
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suwt-A-O 1s-pe 20-et-4min • XPS Peak分峰结果
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分峰拟合举例2-Cu 2p
• 背底选择Tougaard • Cu 2p:对峰结合能差值19.8eV
面积比为 2:1 • pdf格式图谱:liaoym-Cu 2p-pe 40 • XPS Peak分峰结果
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