深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统

深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统
易婷;洪志良
【期刊名称】《计算机辅助设计与图形学学报》
【年(卷),期】2005(017)009
【摘要】介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出的电路在工艺波动和工作条件变化时仍能满足性能要求.大量的实验结果表明:与基于模拟器的方法相比,采用该系统可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS模拟单元电路.
【总页数】7页(P2046-2052)
【作者】易婷;洪志良
【作者单位】复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室,上
海,200433;复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433【正文语种】中文
【中图分类】TN402
【相关文献】
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