电感厂大功率电感内部资料

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电感56uh的规格

电感56uh的规格

电感56uh的规格
电感56uh的规格主要包括以下几个方面:
1. 电感量:56uH。

这意味着电感器在通过交流电流时,会产生56欧姆的阻抗。

2. 工作频率:电感器的工作频率决定了其适用的场景。

一般来说,电感器在工作频率较高的情况下,会选用高频磁芯材料,如镍芯或铁粉芯。

3. 额定电流:电感器的额定电流表示其在正常工作状态下所能承受的最大电流。

对于56uH电感器,其额定电流通常在0.1A至5A之间。

4. 电感器尺寸:电感器尺寸包括长、宽和高。

贴片电感器的尺寸通常为
3.5x3.0x1.6mm至10x9x5.4mm。

尺寸越小,电感器越容易集成到紧凑的电路中。

5. 磁芯材料:电感器的磁芯材料影响了其性能。

常见的磁芯材料有锰芯、镍芯和铁粉芯。

锰芯适用于低频电路,镍芯适用于高频电路,铁粉芯适用于中大功率电路。

6. 封装形式:电感器的外包装形式,如贴片式、插件式等。

贴片电感器易于安装在电路板上,而插件式电感器则需要焊接或螺钉固定。

7. 品质因数:电感器的品质因数(Q值)反映了电感器的损耗和效率。

高Q值表示电感器损耗低,能量转换效率高。

8. 温度范围:电感器的工作温度范围。

不同型号的电感器在温度范围内的性能和稳定性有所不同。

根据以上规格,您可以根据实际需求选择合适的56uH电感器。

若需进一步了解具体产品信息,请联系相关电感器生产厂家或查阅产品目录。

电感磁芯结构

电感磁芯结构

电感磁芯结构
电感磁芯是一种用于增强电感线圈磁导率的材料,它可以极大地提高电感器的感量(L)。

电感磁芯的结构主要有以下几种:
1. 铁氧体磁芯:铁氧体磁芯是以Fe2O3为主成分的亚铁磁性氧化物,有Mn-Zn、Cu-Zn、Ni-Zn 等几类,其中Mn-Zn 最为常用。

铁氧体磁芯具有良好的磁性能和较高的电阻率,广泛应用于高频变压器、小功率的储能电感等。

2. 硅钢片磁芯:硅钢片磁芯是在纯铁中加入少量的硅(一般在 4.5%以下)形成的铁硅系合金。

硅钢片磁芯具有较高的饱和磁通和较低的电阻率,常用于电力变压器、低频电感、CT等。

3. 铁镍合金磁芯:铁镍合金磁芯又称坡莫合金或MPP,通常指铁镍系合金,镍含量在30~90%范围内。

铁镍合金磁芯具有很高的磁导率和损耗很低,高频性能好,但成本较高。

4. 铁粉芯磁芯:铁粉芯磁芯是由铁磁性粉粒与绝缘介质混合压制而成的一种软磁材料,存在分散气隙(效果类似与铁磁材料开气隙)。

常用铁粉芯是由碳基铁磁粉及树脂碳基铁磁粉构成。

铁粉芯磁芯磁导率随频率的变化较为稳定,随直流电感量较大,适用于功率电感器、变压器、电抗器等。

这些磁芯结构在不同的应用场景中具有各自的优点和特点,可以根据实际需求选择合适的电感磁芯结构。

CMP大电流贴片电感(叠层功率电感)规格书

CMP大电流贴片电感(叠层功率电感)规格书

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【 南京南山半导体有限公司 — 风华高科叠层贴片电感选型资料】

FERRITE CHIP INDUCTORS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2520 TYPE
Part No. CMP252009UD1R0 K/M/N CMP252009UD1R2 K/M/N CMP252009UD1R5 K/M/N CMP252009UD1R8 K/M/N CMP252009UD2R2 K/M/N CMP252009UD2R7 K/M/N CMP252009UD3R3 K/M/N CMP252009UD3R9 K/M/N CMP252009UD4R7 K/M/N Pnductance ( H) 1.0 1.2 1.2 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 1 Test Fre. (MHz) SRF (MHz)Min 70 50 50 40 40 30 30 25 25 DCR ( )Max Ir (mA)Max 1500 1500 1500 1000 1000 1000 1000 1000 1000
APPLICATIONS
VCD/DVD VCD/DVD digital cameras personal computers etc.
ORDERING CODE
CMP 201209 V D 47N K T
(L Product Code (mm)
W T) Material Code U V J X Series Code
0.01 0.01 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.09 0.09 0.10 0.10 0.10 0.15 0.15 0.17 0.24 0.24 0.30 0.30 0.38 0.38 0.45 0.45 0.55 0.55 0.55 0.65 0.65 0.85 0.85

电感培训资料

电感培训资料

功率电感
磁珠名称的说明

片式磁珠是片感的一种,其制作工艺和片感完全相同。
片式磁珠主要用于消除存在于传输线路中的高频噪声。习惯上把EMI应 用的片感称为磁珠,而把用于信号处理的称为片感。

磁珠名称的来由
噪声抑制电路 穿芯磁珠 Bead 穿芯电容
穿芯磁珠

贴片电容
贴片电感
Ferrite Bead
翻译成磁珠
被动元件主要原理及应用
二、片式电感的分类

按制作工艺
1. 叠层片式电感
2. 绕线式片感
按应用
EMI应用、旁通 、扼流等电路 片式磁珠 (叠层片式电感)
1.抑制干扰讯号
2.讯号处理
3.电源管理
滤波、谐振、 耦合等电路
大电流、大功率下应用
( 绕线式片感)
片式电感 (叠层片式电感、绕线式片感)
Frequency(Hz)
Fr
d、通用磁珠(STGB系列)
STGB2012-471
|Z|&R&XL()
800
TEST EQUIPMENT:HP4291B
600
400
|Z|
200
R
0 1M
XL
10M
100M
1G
1.8G
Frequency(Hz)
e、尖峰磁珠(STSB系列)
STSB3216-201
这里特别介绍叠层片式电感器/磁珠内部线圈是 如何实现连通的:
六、产品的标识方法
STLI 2012 — 150 K
(1) (2) (3)
T
(4) (5)
(1)产品系列
系列代码
STLI STMI STHI STGB STPB STSB

LM2595 中文资料

LM2595 中文资料

LM2595 SIMPLE SWITCHER®电源转换器150千赫1A降压型稳压器检查样品:LM2595特性:•3.3V,5V,12V,和可调输出版本•可调版本的输出电压范围,1.2V至37V±4%最大以上的线路和负载条件•可在TO-220和TO-263(表面贴装)封装•有保证1A输出负载电流•输入电压范围高达40V•只需4个外围元件•出色的线路和负载调节规格•150 kHz固定频率的内部振荡器•TTL关断功能•低功耗待机模式,Iq的通常85μA•高效率•使用现成的标准电感•热停机和电流限制保护应用:•简单的高效率降压(降压)稳压器•高效预调节的线性稳压器•卡上开关稳压器•正负转换器说明:该LM2595系列稳压器是单片集成电路,提供所有的活动功能,适用于降压(降压)开关稳压器,能够驱动一个1A负载出色的线路和负载调节。

这些器件可在3.3V的固定输出电压,5V ,12V ,和可调输出version.Requiring外部元件数量最少,这些稳压器使用简单,内置频率补偿电路†,和固定频率振荡器。

该LM2595系列工作在150 kHz的开关频率,从而使小尺寸的滤波元件比什么将需要较低的高频开关稳压器。

可在一个标准的5引脚TO -220封装的几种不同的引脚弯曲的选项,以及5引脚TO -263表面贴装封装。

通常情况下,对于输出电压小于12V,且环境温度低于50 ℃,没有散热器是必需的。

标准电感器系列可从与该LM2595系列采用优化的几个不同的厂家。

此功能大大简化了开关电源的设计。

其他功能包括输出电压的保证±4 %公差指定的输入电压和输出负载条件下,和±15 %对振荡器的频率。

外部停机包括在内,具有典型的85 μA待机电流。

自我保护功能包括两个阶段的频率降低电流限制输出开关和过温关断故障条件下完整的保护。

典型用途(固定输出电压版本)连接图请注意,关于可用性,保证标准,并使用德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其关键应用使用一个重要的通知出现在此数据表的末尾。

IC资料-Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252 DPAK封装

IC资料-Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252 DPAK封装

Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252 DPAK封装Vishay Intertechnology控股的Siliconix公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK封装的新型TrenchFET功率MOSFET系列产品。

凭借反向成型的接脚,采取「SUR」封装的TrenchFET能使该产品反向黏着于PCB 上,即将散热器黏着于顶部以产生更好的散热效果。

由于功率应用产生的热量能散发到空气中而非PCB上,与采用传统接脚的DPAK功率MOSFET相较,此类功率MOSFET具有更小的有效接通电阻值以及更大的电流作业能力。

同时,更好的散热效果能消除电路板的热应力,因而提高该产品的整体可靠性。

此款SUR功率MOSFET适用于桌上型计算机的核心直流变直流转换应用,使VRM模块与PC主机板实现「超绿色」的设计。

应用该SUR功率MOSFET后,VRM模块与PC主机板可更有效地利用功率,而进一步减少所需的组件。

SUR功率MOSFET系列产品,包括20VSUR70N02-04P、30VSUR50N03-06P、SUR50N03-09P、SUR50N03-12P以及SUR50N03-16P 的接通电阻值范围为4mΩ至16mΩ,适用于直流变直流转换器的同步及控制FET。

Siliconix可提供SUR系列反向导引TrenchFET功率MOSFET样品及量产。

Intersil两款超小型抗热封装100V半桥驱动器IC开始供货Intersil公司宣布采用新型超小抗热封装的HIP2100和HIP2101高压半桥MOSFET驱动器IC现已开始供货。

新的8接脚裸露片盘(EP或E-pad)SOIC封装增强了散热效率,而4 X 4 mm双扁平无铅(DFN)封装则使其成为超小型的100V半桥MOSFET驱动器。

该产品适用于电讯和数据通讯电源、航空DC/DC转换器、双开关正向转换器和主动箝位正向转换器。

采用4 × 4mm DFN封装的产品现已开始向客户提供样品,将于近期内全面投产。

电阻、电容、电感规格、封装、尺寸、功率识别

电阻、电容、电感规格、封装、尺寸、功率识别

公制长(L) 宽(W) 高(t) a0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5常规贴片电阻(部分)常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表:英制(mil) 公制(mm) 额定功率(W)@ 70°C 0201 0603 1/200402 1005 1/160603 1608 1/100805 2012 1/81206 3216 1/41210 3225 1/31812 4832 1/22010 5025 3/42512 6432 1国内贴片电阻的命名方法:2、1%精度的命名:RS-05K1002FTR -表示电阻S -表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。

05 -表示尺寸(英寸):02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。

K -表示温度系数为100PPM,102-5%精度阻值表示法:前两位表示有效数字,第三位表示有多少个零,基本单位是Ω,102=10000Ω=1KΩ。

1002是1%阻值表示法:前三位表示有效数字,第四位表示有多少个零,基本单位是Ω,1002=100000Ω=10KΩ。

J -表示精度为5%、F-表示精度为1%。

T -表示编带包装1:0402(1/16W) 2:0603(1/10W) 3:0805(1/8W) 4:1206(1/4W) 5:1210(1/3W)6:2010(1/2W) 7:2512(1W)1206 20欧1/4 *4 5欧1w120贴片电阻各参数说明国内贴片电阻的命名方法:1、5%精度的命名:RS-05K102JTR -表示电阻S -表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。

电感器主要技术参数

电感器主要技术参数

电感器主要技术参数
电感器主要技术参数有电感量、额定工作电流、品质因数、分布电容等。

(1)电感量电感量是电感器的主要技术参数,电感量的标称单位是亨利,简称亨,常用英文H来表示,比亨小的单位有毫亨(mH)、微亨(uH),其换算关系是1H-1000mH-1000000uH电感量的大小与电感线圈的圈数有关,与电感线圈的直径有关。

电感线圈圈数越多、直径越大,电感量就越大。

(2)品质因数品质因数是电感器的一个重要参数,用英文字母Q来表示。

(3)额定工作电流是指电感器工作时允许通过的电流大小。

正常工作时,电感器中通过的电流一定要小于规定的额定工作电流,否则电感器会因过流发热而烧坏。

(4)分布电容分布电容是电感器的主要技术参数。

1。

电感厂大功率电感内部资料

电感厂大功率电感内部资料

功率电感之大电流电感随着电气技术的发展,对电源在高频率,高效率,环保,尺寸,安全,低温升,低噪音,抗干扰E等方面不断提出新的要求,在结构上提出“轻、薄、短、小”的要求,对关键器件提出了扁平化,轻量化,低功耗和高性能的要求,体现在磁性器件方面,尤其是非隔离DC-DC模块电源中,贴片化和扁平化(低高度)成为一种趋势。

CODACA从2001年成立至今,已专注生产电感14年,其产品系列不断推陈出新,顺应时代的发展,无论是技术积累还是品质和性价比,都奠定了CODACA这一电感品牌越来越具有影响力。

对于电源工程师以及磁性器件件工程师而言,高频化大功率电路对产品体积要求越来越严苛,功率密度要求越来越大,只有对功率电感有了更系统了解,尤其是大电流电感,才能设计和选型更优化的电感。

本文系统的对功率电感的相关知识进行阐述整理,主要包括功率电感的定义、选型因素、常用磁性材料、功率电感的工作点、典型电气参数、非典型参数、扁平线绕组的优势,常用拓扑结构和关于温升、饱和和噪音三个问题的建议。

1.功率电感的定义功率电感(Power Inductor),顾名思义,用在电路中传输功率的电感。

电感在电路中主要用来处理功率,信号和电磁兼容(EMC),其中负责功率传输的主要包括升压电感(boost),降压电感(buck),升降压电感(buck-boost),功率因素校正电感(PFC),正激电路输出侧的直流输出滤波电感(相当于buck)和逆变电路输出侧的逆变电感等,这些电感同时承担着储能和平滑滤波的作用;其中用于EMC的电感分为共模电感和差模电感,差模电感在电路中主要滤除差模干扰,无论传输电流是直流电还是交流电,都需要承担滤波和储能的作用,因此在本篇文章中,从能量储存的角度讲,也将差模电感归入功率电感范畴。

2.功率电感的选型因素:1)电感的电气特性,主要饱和特性,温升特性,频率特性等;2)电感的机械特性,主要尺寸限制,贴装方式,机械要求等;3)电感的使用环境,电气条件裕量,环境温湿度,酸碱度等;4)电感的性价比(品质,品牌,技术支持,服务,付款条件等);5)电感的新型研发,深度定制和快捷样品反馈以及批产能力;功率电感的选型因素很多,对于设计人员或者采购人员而言,在满足主要考量因素的情况下,尽可能的平衡其他因素。

电感零件常见失效模式及分析手法

电感零件常见失效模式及分析手法
2.问题分析流程
(1)不良品外观检查确认(非破坏)
(2)不良品/良品电气特性比对确认(非破坏)
经过电气测试确认:2pcs 不良品电感值都小于规格要求的 33uH±20% 的范围,DCR 明显小于规格值 0.35(Ω)max.基本判断不良品为短路失 效。
3.不良品进一步 Wire 拆解分析(破坏)
4. Core 验证分析(破坏) Core 外观检查 OK,不良品与库存新品拆解进行对比分析将拆解后的库 存新品的 Wire 绕制上在不良品的 Core 上,感值恢复为 29.8uH;将拆 解后的不良品的 Wire 绕制上在库存新品的 Core 上,感值为 17.1uH, 同样出现感值偏低现象。因此初步排除 Core 不良的原因,不良的问题 点是出现在 Wire 方面。4
电子零件失效分析之电感
对于电子品质工程师来说电子元器件失效是非常麻烦的事情,比如 某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者完全失效会在硬件 电路调试上面花费大把的时间,有时甚至炸机。所以掌握各类电子元器 件的实效机理与特性是工程师必不可少的知识。
电感是导线内通过交流电流时,在导线的内部及其周围产生交变磁 通,导线的磁通量与产生此磁通量的电流成之比。
1 .芯片电感机械/外力异常分析---本体 Crack 裂痕或破损:
电气异常分析---内电极熔化 Crack 裂痕开路:
总结:
1.熟知零件的组成结构,材料,制程和特性 2.FA 一般流程
例如:不良率,异常现象,零件 DateCode, 发生不良的流程,PCB 上发生异常的位置,终端产品及客户等
磨损/异物附着、产品底部平整度不佳/底部料片偏移等,对此改善和应 对的措施为原材料厂商提供电镀报告,可焊性测试验证。

LCR电桥知识培训 内部资料

LCR电桥知识培训 内部资料

LCR电桥知识培训(内部资料)常州市致新精密电子有限公司All Rights Reserved1LCR电桥知识培训 (1)1.为什么叫LCR 数字电桥? (5)2.通用LCR电桥的原理模型? (5)3.测量频率、电平及正弦交流电的基本概念? (6)4.纯电阻电路中交流电流、电压的关系? (7)5.纯电感电路中交流电流、电压的关系? (8)6.纯电容电路中交流电流、电压的关系? (9)7.什么是阻抗? (10)8.什么是导纳? (10)9.电感L、电容C及与阻抗的关系 (11)10.感性器件和容性器件的阻抗导纳? (12)11.品质因子Q和损耗因子D (12)12.选择串联模式还是并联模式?Cp、Cs、Lp、Ls? (13)13.被测元器件上的电压是否等于用户设定的电压? (15)14.仪器上这么多内阻模式,如何选择? (15)15.为什么不同厂家仪器测出的电感值会有差异? (16)16.LCR电桥的直流偏置功能 (18)17.关于电感器的直流叠加测试 (18)18.LCR电桥的量程范围 (20)19.为什么说LCR电桥很难测高Q和低D (20)20.为什么有时候测出来的损耗值D是负的? (21)21.如何正确用LCR电桥的测试端连接被测件? (21)22.4端测量和2端测量 (22)23.LCR电桥的开路清零 (23)24.LCR电桥的短路清零 (24)25.为什么LCR电桥测量出现”假死机”现象? (24)26.LCR数字电桥的常用量纲? (25)27.作为一个新用户,怎样选择一款数字电桥? (25)28.LCR电桥常用的测试夹具有哪些? (27)29.频率不同对元件测试有影响吗? (27)30.电压不同对元件测试有影响吗? (28)31.怎样选择测试电压和频率? (28)32.对于一个已知的“电容”,客户该选用什么样的测试条件? (28)33.测试信号检测功能Vm、Im是什么意思? (28)34.关于LCR 数字电桥测量准确度的问题 (28)35.什么叫等效串联电阻Rs、并联电阻Rp? (29)36.怎样选择测试速度? (29)37.仪器为什么要进行清零? (29)38.有些LCR 数字电桥选配GPIB 接口有什么作用 (29)39.什么是负载校准,负载校准应注意哪些? (30)40.扫频和点频清零有何区别? (30)41.测量的显示范围和精度范围有何区别? (30)42.为什么L 或C 设置了,还不能进行分选(还是判断为不合格)? (30)43.仪器的P1\P2\P3 有何具体意义? (30)44.增加测试线的长度对测试有没有影响 (30)45.仪器的串行软件有何功能? (30)46.仪器可以测贴片元件吗? (31)47.仪器通过RS232 接口和电脑连接后没有连接成功 (31)48.ZX65xx 系列可以测试哪些电容? (31)49.为什么ZX8511C比ZX2811D 还贵 (31)50.何谓自动电平控制ALC(Auto Level Control)? (31)51.ZX2816B 显示数据不动? (31)52.测试信号电平相关性是什么意思? (31)53.电桥接上自动测试机或用户自制探针夹具时,测试端应怎样连接以保证测量准确?3254.各种电容的常规测试频率是多少? (32)55.什么是HANDLER 接口? (32)56.列表扫描List Sweep 是什么意思? (32)57.用120Hz测量铝电解电容器,发现市场上的容量表速度都很慢,有没有更加快一点的,低频高速电容测量仪是什么意思? (32)58.低端LCR数字电桥TH2811D和ZX8511D哪一种好一点? (32)59.有没有能够测到10法拉的容量测试仪? (33)60.如何最方便的把LCR数字电桥的测量结果传送到电脑上,我不想自己写软件,也不想另外付费买软件。

电子元件识别大全附图简体

电子元件识别大全附图简体

元件识别指南目的制订本指南,规范公司的各层工作人员认识及辨别日常工作中常用的各类元件;范围公司主要产品电脑主机板中的电子元件认识:工作中最常用的的电子元件有:电阻、电容、电感、晶体管包括二极管、发光二极管及三极管、晶体、晶振振荡器和集成电路IC;连接器元件主要有:插槽、插针、插座等;其它一些五金塑胶散件:散热片、胶针、跳线铁丝等;电子元件电阻电阻用“R”表示,它的基本单位是欧姆Ω1MΩ兆欧=1,000KΩ千欧=1,000,000Ω公司常用的电阻有三种:色环电阻、排型电阻和片状电阻;色环电阻的外观如图示:图1五色环电阻图2四色环电阻较大的两头叫金属帽,中间几道有颜色的圈叫色环,这些色环是用来表示该电阻的阻值和范围的,共有12种颜色,它们分别代表不同的数字其中金色和银色表误差:颜色棕红橙黄绿蓝紫灰白黑金银代表数字 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 ±5% ±10%我们常用的色环电阻有四色环电阻如图2和五色环电阻如图1:1.四色环电阻普通电阻:电阻外表上有四道色环:这四道环,首先是要分出哪道是第一环、第二环、第三环和第四环:标在金属帽上的那道环叫第一环,表示电阻值的最高位,也表示读值的方向;如黄色表示最高位为四,紧挨第一环的叫第二环,表示电阻值的次高位,如紫色表示次高位为7;紧挨第2环的叫第3环,表示次高位后“0”的个数,如橙色表示后面有3个0;最后一环叫第4环,表示误差范围,一般仅用金色或银色表示,如为金色,则表示误差范围在±10%之间;例如:某电阻色环颜色顺序为:黄-紫-橙-银,表示该电阻的阻值为:47,000Ω=47KΩ,误差范围:±10%之间;2.五色环电阻精密电阻:它的阻值可精确到±1%,电阻外表上有5道色环,读取阻值和误差范围的方法与四色环电阻大体相同,仅下两点不同:A有些五色环电阻,两端的金属都有色环;这种电阻都会有4道色环相对靠近,集中在一起,而另一道色环则远离那4道色环,单独标在金属帽上的色环是表误差的第5环;B五色环电阻增加了第3道色环表示阻值的低位,第五环表示误差范围;1.SMD排型电阻简称排阻,排阻的外形如图3,它没有极性;它的内部结构实际上是由多个小电阻排列在一起,所以叫排阻;图3排型电阻图4单片电阻2.SMD单片电阻,它的体积小如碎米,按其几何尺寸可分0805、0603等型,没有极性;示值方法为:精密电阻:以两位数字和一位英文字母表示,数字表有效数字的代码,字母表示十的幂次关系,两者之积即为其阻值;如:47B,“47”是301的代号,“B”表示101,所以该电阻的阻值为301×101=3010欧姆;详细资料可查询物料规格承认书有关精密电阻之阻值对照表;片状电阻表面有丝印,由于误差不同而分三位数和四位数表示:A对于三位数表示的,前二位表示有效数字,第三位数表示有效数字后“0”的个数,这样得出的阻值单位为其基本单位欧姆Ω;如:“223”表示22000欧姆;这种电阻的误差范围一般是J 级,即±5%;B对于四位数表示的,前三位表示有效数字,第四位数表示有效数字后“0”的个数,这样得出的阻值单位也为其基本单位欧姆Ω;如:“1001”表示1000欧姆;这种电阻的误差范围一般是±1%;C片状电阻除了阻值与误差等级这两个参数外,还有承受功率和体积二个参数,常用的各1311等,其规格代号分别为Q、F、H和B;电阻的体积用英制单位英寸表示,如0603表示×英寸,一般而言,0805规格的电阻承受的功率为1/10W,也有少部分为1/8W,1206规格的电阻承受的功率为1/8W;当客户封电阻的供应商有特殊要求时即常说的牌子,可在产品BOM上描述;3.DIP排型电阻◆A型排阻:内部结构如图,每个小电阻的阻值都一样,小电阻的其中一脚全部连通到第1脚“1”上,因此第1脚“1”与任何一只脚的阻值都相同,公共脚与其他脚不能插错,所以A型排阻有极性;在实物上有小点一端的脚即为第1脚,插机时对应相应位置的小点即可;◆B型排阻:内部结构如图,各个小电阻的阻值各自独立地排列在一起,每个小电阻的阻值都一样,因此B型排阻没有公共脚,脚数一定为偶数,它没有极性;1 2 3 4 5 6A型排阻内部结构B型排阻内部结构A型排阻阻值的表示方法有以下四种:A.三位数表示方法:前面二位数字表示该排阻的阻值的最高位和次高位,第3从头再来表示“0”的个数;如:472T表示该排阻的阻值为4700欧姆,误差等级为T级;B.“R”表示法:“R”表示小数点,如3R2表示该排阻的阻值为欧姆;C.“K”表示法:“K”表示千欧单位,如4K7表示该排阻的阻值为4700欧姆;D.直接表示法:直接把阻值标出,如90Ω图示A型排阻丝印中,A10表示它是有10个小电阻的A型排阻图仅作示意;字母“SUP”表示商号、品牌;“212J”表示阻值2100Ω,误差等级为J级;热敏电阻,如下图:4.2电感电感用“L”表示,它的基本单位是亨利H1H=1,000mH毫亨=1,000,000uH微亨公司常用的电感的三种:片状电感如图6、绕线电感、色环电感如图5和磁珠;图5四色环电感图6片状电感用金属线圈与环形磁石自行绕制,无标记;外形酷似电容,如图6示贴片电感及其电感量用三位数表示,前三位为有效数字,第三位数字为有效数字后的“0”的个数,得出的电感量为微亨,其误差等级用英文字母表示:J,K,M分别表示±5%,±10%,±20%; 外型:色环电感与色环电阻外形很相似,只是体形比色环电阻明显胖一些,电感量及误差范围表示方法与色环电阻完全相同,只是得出的结果的单位是uH而不是欧姆;例如:某色环电感的第一道到第四道色环依次是“红、紫、黑、银”,则该电感的电感量为27uH,误差范围为±10%;外观是一个黑色的小圆柱体,表面没有标记如图7,电感量及误差范围需查包装盒或产品说明书;图7 磁珠电容电容用字母“C”表示,它的基本单位是法拉F1F=1000mF毫法=1,000,000nF纳法=,1000,000,000,000pF皮法公司常用的电容有:电解电容、陶瓷电容、独石电容、钽质电容和片状电容;“-”表示该脚为负极,另一脚为正极;图8 电解电容图9 片状电容如图9所示它的外壳是由陶瓷做成的,外形为扁平的近圆形大体圆形,在圆的上方有一小的圆锥体,有极性,在其中的一脚上标正号“+”表示该脚为正极,另一脚为负极;陶瓷电容钽质电容独石电容其外形似粒小石籽,没有极性;,这两个参数一般有两种表示法:A直接表示法:直接标出容量与耐压,这种方法在较大的电容如电解电容、钽质电容上常见,如图示:“10uF 16V”表示该电容的容量为10uF,耐压为16V;B三位数表示法:前面两位表示有效数值,最后一位表示零的个数,得出的容量单位是pF皮法,这种方法在较小的电容上常用,如:陶瓷,独石电容等;如:“102”表示该电容的容量为1000pF;电容的误差等级一般用英文J、K、M、Z字母来表示见附表一;耐压常见的有20V,25V,50V,63V 等;体积常见的有0603,0805,1206,1311,分别用英文字母Q,F,H,B,C表示;晶体管二极管用“D”表示,含有一个PN结,符号是它是一种单向导电元件,即电流只能朝一个方向流动从正极流向负极;因此,二极管是有极性的;二极管表示正负的方法有三种:图10 二极管1 图11二极管2 图12 二极管3A如图10,箭头所指的一端为负极,亦表示电流和流向,由正极流向负极;B如圆示,涂黑的一头表示负极,外壳用玻璃或橡胶封装的小二极管常用此法;二极管表面上的字母“INxxx”或“ISxxx”,都是二极管的标识方法,表示该元件是二极管;C如图12,缺口的一端为正极;常见的有红、黄、绿、紫、蓝、白等颜色,它们这些外观颜色即为发光时的颜色;也是有极性的,插机时要留意极性,不能插错;其外形如图:图13 发光二极管它的极性分辨如下:1.金属脚嵌在玻璃里较小的一端为正极,较大的一极是负极;2.外壳下边切弧的一端为负极,对面为正极;三极管用字母“Q”表示,它是一种能将电信号放大的元件,如图16的三极管就是一个典型的例子:像一个被削掉一小半的圆柱体,有三只脚,分别代表三极:基极b、集电极c和发射极e;三极管有极性,三只脚不能弄错;图14 三极管1 图15三极管2 图16三极管3如圆14示如图15示如图16示晶体晶体用字母“X”或“XY”表示,晶体内由一片晶片组成,它是振荡电路的振源,没有极性,外形如圆:图17 圆柱形晶体图18方形晶体有两个脚,外壳用金属封装,以保护里面的晶片,晶体的表面标记有:A商号:用英文字母表示,如:“FIC”B振荡频率:直接用数字标出,如“”表示振荡频率为兆赫兹、32768表示振荡频率为;C生产年份与月份:如“”中A表示1月份,7表97年;具体表示因供应商不同而有变化; 晶振又称振荡器晶振用字母“Y”表示,与晶体相比,晶振的内部除了晶片外,还有电阻、电容等,它已构成一个振荡电路,因此有极性;其外形如图19示,像一块方砖,有四个脚,外壳用金属封装;图19 晶振晶体表面的标记:A 商号,编号,用英文字母和数字表示,如:“DOC-70”;B 振荡频率:直接用数字表示,如“表示兆赫兹;集成电路又称IC集成电路快用字母"U"示常称IC,它有极性,表面有小槽口或圆点等表示方向,插错方向会使IC烧坏,使用时封装方向标志对应路板相应位置的方向标志;IC是集多种功能于一体的一种元件,多采用双排列扁平封装,其引脚封称排列,外观多为有很多脚的黑色方块,常见引脚数有8、14、20、24、40和64甚至100或更多;多用凹槽表示其极性,即凹槽左侧引脚的第1脚为该IC的第1脚,然后按逆时针方向给其余脚按1、2、3…自然数顺序定义;在IC表面一般有厂标,厂名,以及以字母、数字表示的芯片类型、温度范围、工作速度和生产期等;公司常用的有以下几种系列及封装形式:TTL系列:是较为普通、常用的IC,其体形小,双排脚封装,如圆19示:LGS S12GD75232D图19 TTL系列IC丝印图20 TTL系列IC其表面标示的含义是:S 12 GD 75232 D5.设计序号,为D系列;4.容量;3.IC类型,为GD;2.系列代码,为12系列;1.商号、名称,为LGS;这些表面标记中,2、3和4这三个标记是最重要的,只有这三个标记完全相同的IC 才能代用;RAM系列﹕中文称随机存储器RAM系列的外形极性TTL系列IC,如图21及图22所示,不同之处在于表面标记:41256AP-15KM 9942图21 RAM系列IC丝印图22 RAM系列IC外观 KM 1256 A P -15 99426.年份99与生产周42;5.存取速度;4.封装型号,为P;3.设计序号,为A;2.储存容量;1.商号,为KM;这些表面标记中以2和5最为重要,这两个参数不同的RAM系列IC一定不能代用,而且,就算这两个参数相同,但生产厂家不同,都要先经过测试合格后才能代用; ROM系列﹕中文称只读存储器一般,ROM输入资料后是不可以擦除的,可以将输入的资料擦除的ROM有两种:EPROM 中文称:此外线可擦除式可只读存储器和EEROM电可擦除式只读存储器;ROM的外形与RAM相似,如图23所示,不同的是表面丝印,如图23及图24:MX J99313329F002NTPC-12IA7771TAIWAN图23 ROM系列丝印图24 ROM系列MX 29F 002 NTPC -12 LA77716.版本号;5.存取速度;4.设计序号;3.存储容量;2.ROM代号;1.商号;这些标记中以2、3和4是最重要的;PAL系列﹕中文称可编程逻辑阵列IC在我们公司较少用到,外形与前面学过的几种很相似,不同之处在于其表面丝印:PAL 16 L 8 A5.速度如为A"示传送延时为25ns,如为B"表示传送延时为15ns4.可输入数目3.输出类型分组合型:用“L”表示;带锁存弄:用“R”表示;可改变型:用“V”表示2.可输入数目;1.商号;这些标记中2、3、4和5都很重要,PAL需要代用,必须2、3、4、5项完全相同,如果2、3、4任何一项不相同则不可代用;2、3、4项相同而5项不同的PAL,须以试验确认才可代用;IC的封装形式有:SOP、SOJ、QFP、PLCC、PGA、BGA球栅阵列封装IC等,如下图图25 BGAIC连接器件扩展槽SLOT:用以连接声卡、网卡、显示卡和边卡内存条等等适配卡,有以下类型:ISA插槽:它有98个脚位,用于插98PIN的ISA适配卡;AGP插槽:它有124个脚位,用于插124PIN的AGP适配卡如图26;PCI插槽:它有120个脚位,用于插120PIN的PCI适配卡如图27;图26 AGP插槽图27 PCI插槽DIMM槽:动态内存插槽,168PIN,SDRAM同步动态内存即插于此槽如图28;图28 DIMM插槽SIMM槽:静态内存插槽,72PIN,SRAM静态内存即插于此槽;图29 USB头图30 KB头图31 GAME头外部输入/输出I/O接口USB系统/外围接驳口,如图29;KBKeyboard and Mouse,键盘和鼠标接头,如图30;GAME游戏或声卡接头,如图31PRTPrint,打印接头;COM1和COM2;连接座电源插座火牛座FDC和FDD: 217-1PIN,用于连接软驱;图32 FDD插座IDE:220-1PIN﹐用于连接硬盘或光驱;其外形很像FDC插座;插针与针耙插针:以针脚数量不同可分12、13、14、23、15、210-3PIN不等如图33及34;针耙:依颜色可分黄、黑、白、色等,如图25示;图33 防呆丝插针图34 23插针图35 针耙HSK散热片图36 散热片元件在印刷电路板PCB上的丝印:X1:晶体R1:电阻D1:二极管IC1:集成电路块C1:电容L1:电感Q2:三极管JP1:插针、铁丝BT:电池座RN1:排阻FDC:软驱IC2:集成电路块Y1:晶体PCI1:PCI槽DIMM1:DIMM槽F1:保险丝、电感IDE1:硬盘、光驱槽作业过程中的注意事项1.元件的外壳所用的材料大多数很脆,拿取、搬动时要轻拿轻放,避免掉落损坏;2.元件的表面标记要保护好,以免增加日后检修的困难;3.元件借用时,需有施工单或工程变更通知单等指导文件的说明;4.有极性方向性的元件,必须按规定的方向插机与贴片,否则会损坏元件;而无极性元件插反虽然不影响性能,但为了整齐美观,亦需按规定的方向操作;5.接触对静电敏感的元件,必须按防静电及强电控制指南执行,以防损坏元件;附表附表一:常用误差等级表示法等级代号 F G J K M Z 金色银色误差范围+1% +2% +5% +10% +20% +80%–20% +5% +10%。

pt4115中文资料_数据手册_参数

pt4115中文资料_数据手册_参数
1.5 1.5 45 −40 ~ 150 −55 ~ 150
单位 V V V V A W
℃/W ℃ ℃
说明: 1. “最大额定值”是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。“电气参数”定义了器件在工作范
围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数, 其典型值合理反映了器件性能。
FSW
参数 输入电压 欠压保护 欠压保护迟滞 最大工作频率
(转下页)
测试条件
VIN 下降 VIN 上升
最小值 6
典型值
6.8 500
最大值 30
1
单位 V V mV
MHz

2
友台半导体有限公司
UMW R
UMW PT4115
(接上页)
符号 电流采样
VCSN VCSN_HYS
项目 电源电压 功率开关的漏端 电流采样端(相对 VIN) 开关使能、模拟和 PWM 调光端 功率开关输出电流 功耗(2) 热阻,SOT89-5(θJA) 工作结温范围 储存温度范围
符号 VIN SW CSN DIM ISW
PDMAX CSCR
TJ TSTG
范围 −0.3 ~ 35 −0.3 ~ 35 +0.3 ~ −6.0 −0.3 ~ 6
如果高电平小于 2.5V,则
IOUT
= VPULSE × 0.1× D 2.5 × RS
(0 ≤ D ≤100 %,0.5 V < VPULSE < 2.5 V )。
4)关断模式
通过在 DIM 端接入 0.3 V 以下的电压,实现系统关断。通常情况下,系统的静态电流保持在 60 μA 以下。

2)通过直流电压实现模拟调光
DIM 端可以外加一个直流电压(VDIM)调小 LED 输出电流,最大 LED 输出电流由(0.1 / RS) 设定。LED 平均输出电流计算公式:

电源管理芯片讲解

电源管理芯片讲解

便携产品电源管理芯片的设计技巧随着便携产品日趋小巧轻薄,对电源管理芯片也提出更高的要求,诸如高集成度、高可靠性、低噪声、抗干扰、低功耗等.本文探讨了在便携产品电源设计的实际应用中需要注意的各方面问题.便携产品的电源设计需要系统级思维,在开发手机、MP3、PDA、PMP、DSC等由电池供电的低功耗产品时,如果电源系统设计不合理,会影响到整个系统的架构、产品的特性组合、元件的选择、软件的设计以及功率分配架构等.同样,在系统设计中,也要从节省电池能量的角度出发多加考虑.例如,现在便携产品的处理器一般都设有几种不同的工作状态,通过一系列不同的节能模式(空闲、睡眠、深度睡眠等)可减少对电池容量的消耗.当用户的系统不需要最大处理能力时,处理器就会进入电源消耗较少的低功耗模式.从便携式产品电源管理的发展趋势来看,需要考虑以下几个问题:1. 电源设计必须要从成本、性能和产品上市时间等整个系统设计来考虑;2. 便携产品日趋小巧轻薄化,必需考虑电源系统体积小、重量轻的问题;3. 选用电源管理芯片力求高集成度、高可靠性、低噪声、抗干扰、低功耗,突破散热瓶颈,延长电池寿命;4. 选用具有新技术的新型电源芯片进行方案设计,这是保证产品先进性的基本条件,也是便携产品电源管理的永恒追求.便携产品常用电源管理芯片包括:低压差稳压器(LDO)、非常低压差稳压器(VLDO)、基于电感器储能的DC/DC转换器(降压电路Buck、升压电路Boost、降压-升压变换器Buck-Boost)、基于电容器储能的电荷泵、电池充电管理芯片、锂电池保护IC.选用电源管理芯片时应注意:选用生产工艺成熟、品质优秀的生产厂家产品;选用工作频率高的芯片,以降低周边电路的应用成本;选用封装小的芯片,以满足便携产品对体积的要求;选用技术支持好的生产厂家,方便解决应用设计中的问题;选用产品资料齐全、样品和DEMO易于申请、能大量供货的芯片;选用性价比好的芯片.LDO线性低压差稳压器LDO线性低压差稳压器是最简单的线性稳压器,由于其本身存在DC无开关电压转换,所以它只能把输入电压降为更低的电压.它最大的缺点是在热量管理方面,因为其转换效率近似等于输出电压除以输入电压的值.LDO电流主通道在其内部是由一个MOSFET加一个过流检测电阻组成,肖特基二极管作反相保护,输出端的分压电阻取出返馈电去控制MOSFET的流通电流大小,EN使能端可从外部去控制它的工作状态,内部还设置过流保护、过温保护、信号放大、Power-OK、基准源等电路,实际上LDO已是一多电路集成的SoC.LDO的ESD>4KV,HBM ESD>8KV.低压差稳压器的应用象三端稳压一样简单方便,一般在输入、输出端各加一个滤波电容器即可.电容器的材质对滤波效果有明显影响,一定要选用低ESR的X7R & X5R陶瓷电容器.LDO布线设计要点是考虑如何降低PCB板上的噪音和纹波,如何走好线是一个技巧加经验的工艺性细活,也是设计产品成功的关键之一.图1说明了如何设计走线电路图,掌握好电流回流的节点,有效的控制和降低噪音和纹波.优化布线方案是值得参考的.图1:LDO布线电路方案如果一个驱动图像处理器的LDO输入电源是从单节锂电池标称的3.6V,在电流为200mA时输出1.8V电压,那么转换效率仅为50%,因此在手机中产生一些发热点,并缩短了电池工作时间.虽然就较大的输入与输出电压差而言,确实存在这些缺点,但是当电压差较小时,情况就不同了.例如,如果电压从1.5V降至1.2V,效率就变成了80%.当采用1.5V主电源并需要降压至1.2V为DSP内核供电时,开关稳压器就没有明显的优势了.实际上,开关稳压器不能用来将1.5V电压降至1.2V,因为无法完全提升MOSFET(无论是在片内还是在片外).LDO稳压器也无法完成这个任务,因为其压差通常高于300mV.理想的解决方案是采用一个VLDO稳压器,输入电压范围接近1V,其压差低于300mV,内部基准接近0.5V.这样的VLDO稳压器可以很容易地将电压从1.5V降至1.2V,转换效率为80%.因为在这一电压上的功率级通常为100mA左右,那么30mW的功率损耗是可以接受的.VLDO的输出纹波可低于1mVP-P.将VLDO作为一个降压型开关稳压器的后稳压器就可容易地确保低纹波.开关式DC/DC升降压稳压器开关式DC/DC升降压稳压器按其功能分成Buck开关式DC/DC降压稳压器、Boost开关式DC/DC升压稳压器和根据锂电池的电压从4.2V降低到2.5V能自动切换降升压功能的Buck-Boost开关式DC/DC升降压稳压器.当输入与输出的电压差较高时,开关稳压器避开了所有线性稳压器的效率问题.它通过使用低电阻开关和磁存储单元实现了高达96%的效率,因此极大地降低了转换过程中的功率损失.Buck开关式DC/DC降压稳压器是一种采用恒定频率、电流模式降压架构,内置主(P沟道MOSFET)和同步(N沟道MOSFET)开关.PWM控制的振荡器频率决定了它的工作效率和使用成本.选用开关频率高的DC/DC可以极大地缩小外部电感器和电容器的尺寸和容量,如超过2MHz的高开关频率.开关稳压器的缺点较小,通常可以用好的设计技术来克服.但是电感器的频率外泄干扰较难避免,设计应用时对其EMI辐射需要考虑.图2给出了Buck开关式DC/DC应用线路设计,需要注图中粗线的部分:粗线是大电流的通道;选用MuRata、Tayo-Yuden、TDK&AVX品质优良、低ESR的X7R & X5R陶瓷电容器;在应用环境温度高,或低供电电压和高占空比条件下(如降压)工作,要考虑器件的降温和散热.必须注意:SW vs. L1距离<4mm;Cout vs. L1距离<4mm;SW、Vin、Vout、GND的线必须粗短.要得到一个运作稳定和低噪音的高频开关稳压器,需要小心安排PCB板的布局结构,所有的器件必需靠近DC/DC,可以把PCB板按功能分成几块,如图3所示.1. 保持通路在Vin、Vout之间,Cin、Cout接地很短,以降低噪音和干扰;2. R1、R2和CF 的反馈成份必须保持靠近VFB反馈脚,以防噪音;3. 大面积地直接联接2脚和Cin、Cout的负端.图2:Buck开关式DC/DC应用线路设计DC/DC应用举例:1. APS1006为MCU/DSP核(Core)供电;2. APS1006应用于电子矿灯(图3);3. APS1046应用于0.8-1.8微硬盘供电(图4);4. APS1006、APS4070应用于智能手机(图5).图3:APS1006应用于电子矿灯图4:APS1046应用于0.8-1.8微硬盘供电图5:APS1006、APS4070在智能手机上的应用电荷泵及其应用技巧电容式电荷泵通过开关阵列和振荡器、逻辑电路、比较控制器实现电压提升,采用电容器来贮存能量.电荷泵是无须电感的,但需要外部电容器.工作于较高的频率,因此可使用小型陶瓷电容(1μF),使空间占用最小,使用成本低.电荷泵仅用外部电容即可提供±2倍的输出电压.其损耗主要来自电容器的等效串联电阻(ESR)和内部开关晶体管的RDS(ON).电荷泵转换器不使用电感,因此其辐射EMI可以忽略.输入端噪声可用一只小型电容滤除.它输出电压是工厂生产时精密予置的,调整能力是通过后端片上线性调整器实现的,因此电荷泵在设计时可按需要增加电荷泵的开关级数,以便为后端调整器提供足够的活动空间.电荷泵十分适用于便携式应用产品的设计.从电容式电荷泵内部结构来看,它实际上是一个片上系统.电荷泵是一种无幅射的有效升压器件,它不使用电感器而使用电容器作为储能器件.在设计应用时需要注意电容器的容量和材质对输出纹波的影响.外部电容器的容量关系到输出纹波,在固定的工作频率下,太小的电容容量,将使输出纹波增大.输出纹波大小与电容器材料介质有关,外部电容器的材料类型关系到输出纹波.同一电荷泵,使用相同的容量和尺寸而不同材料类型的电容器,输出纹波的结果.在工作频率固定,电容器容量相同的情况下,优良的材料介质,将有效地降低纹波.选用低ESR的X7R & X5R陶瓷电容器是一种比较好的选择.LCD Module(LCM)是目前CP、MP3/MP4、PMP需求量较大的产品,在有限的PCB面积上,需要按装LCD屏、数码相机的镜头和闪光灯、音频DAC等器件,因此它需要封装很小的多芯片组合的电源模块(MCM),以减小电源IC所占PCB的面积,而手机产品又要求这些电源IC对RF几乎无干扰.电池充电管理芯片和锂电池保护IC锂电池充电IC是一个片上系统(SoC),它由读取使能微控制器、2倍涓流充电控制器、电流环误差放大器、电压环误差放大器、电压比较器、温度感测比较器、环路选择和多工驱动器、充电状态逻辑控制器、状态发生器、多工器、LED信号发生器、MOSFET、基准电压、电源开机复位、欠电压锁定、过流/短路保护等十多个不同功能的IC整合在一个晶元上.它是一个高度集成、智能化芯片.锂电智能充电过程:涓流充-->恒流充-->恒压充-->电压检测,因此电路设计的关键是要做到:充分保护、充分充电、自动监测、自动控制.锂电池保护电路是封装在锂电池包内的,它由一颗锂电池保护IC和二颗MOSFET组成.在图6中,OD代表过放电控制;OC 代表过充电控制;P+、P-接充电器;B+、B-接锂电池.锂电池保护电路简单工作原理如下:正常装态M1、M2均导通;过充电时M2 OC 脚由高电位转至低电位,电闸关闭,截止充电,实现过充电保护;充电电流方向P+-->P-;过放电时M1 OD脚由高电位转至低电位,电闸关闭,截止充放电,实现过放电保护;放电电流方向P- -->P+.图6:锂电池保护电路锂电池保护电路的PCB板是很小的,设计时必须注意:1. MOSFET尽可能接近B-、P-;2. ESD防护电容器尽可能接近P+、P-;3. 相邻线间距>0.25mm,通过电流大的线要放宽,地线加宽.电源管理芯片的低功耗OMAP系统设计随着半导体设计和制作工艺技术的不断提高,电路板上的期间运行速度将更快,体积将更小.供电系统要求更多的种类的电压、更低的供电电压和更大的供电电流电源设计不再仅仅局限于提供电流、电压和监控温度,还必须诊断电源供应情况、灵活设定每个输出电压参数.普通的模拟解决方案难以满足这些需求.数字电源的目标就是将电源转换与电源管理用数字方法集成到单个芯片中,实现电源转换、控制和通信.数字电源实现了数字和模拟技术的融合,具有很强的适应性和灵活性,具备直接监视、处理及适应系统条件的能力.数字电源还可通过远程诊断确保持续的系统可靠性,实现故障管理、过压过流保护、自动冗余等功能.但是数字电源不比传统的模拟电源效率更高,而且成本一般较高.目前数字电源需要大滤波器,这使其工作效率比模拟电源低.本文介绍一种在嵌入式数字信号处理器(DSP)OMAP5912上使用简单的数字电源实现系统低功耗设计的方法.使用TI公司的电源转换和电压监控芯片TPS65010实现对DSP系统各种状态的检测.在不同状态下输出不同的供电电压,减小供电电流,实现整个系统的低功耗运行.该设计方法适用于各种低功耗要求的手持电子设备.TPS65010是TI公司推出的一款针对锂离子供电系统的电源和电池管理芯片.TPS65010集成了2个开关电源转换器Vmain和Vcore、2个低压差电源转换器LD01和LDO2以及1个单体锂离子电池充电器,非常适合手持电子设备的应用要求.当12 V直流电源适配器接通时,芯片无需开关电路.在实际使用中,Vmain可以提供2.5~3.3 V电压,Vcore可以提供O.8~1.6 V 电压,LD01和LDO2可以提供1.8~6.5 V电压.各个不同电压下的电流一般可以达到400 mA,满足大部分手持设备的需求.可以通过I2C总线对TPS65010的各种寄存器进行设置,也可以通过通用的引脚将重要的信息通知TPS65010,例如可以通过LOW_POWER 引脚使TPS65010输出低功耗模式下的工作电压.OMAP5912是TI公司推出的嵌入式DSP,具有双处理器结构,片内集成ARM和C55系列DSP处理器.TI925T处理器基于ARM9核,用于控制外围设备.DSP基于TMS320C55X核,用于数据和信号处理,提供1个40位和1个16位的算术逻辑单元(ALU).由于DSP采用了双ALU结构,大部分指令可以并行运行,工作频率达到150 MHz,并且功耗更低.C55和ARM可以联合仿真,也可以单独仿真.OMAP5912内部专门配置了超低功率设备(Ultra Low Power Device,ULPD).ULPD模块内部结构如图1所示.从图1可以看出,ULPD模块主要由复位管理器、FIQ管理器以及睡眠模式状态机组成.片内ULPD和OMAP5912芯片内部的复位产生模块以及芯片IDLE和唤醒状态控制器相连接.片外ULPD的复位管理器负责检测上电复位和手动复位,并将片内的复位信号输出;FIQ管理器专门用于检测电池电压,一旦出现电池电压低于或高于系统要求,或者电池电源质量不高(纹波较大、过冲较大、瞬间脉冲较大)等,FIQ管理器将中断系统工作;睡眠模式状态机负责检测和输出不同的工作方式,在不同的工作方式下将提供不同的电压和电流,从而降低系统功耗.共有3种睡眠模式:正常工作模式、Big Sleep模式和Deep Sleep模式.2 系统硬件结构较完整的手持设备系统主要由OMAP5912、TPS6501O、AD/DA、LCD、SDRAM、人机接口以及Flash组成.其硬件连接如图2所示.图中,DSP是核心控制单元;AD用于采集模拟信号,并将其转变成数字信号;DA将数字信号转换成模拟信号;人机接口主要包括键盘接口.Flash保存DSP所需的程序,供DSP上电调用.此外,使用DSP的HPI接口连接到PC机.TPS65010和OMAP5912的连接是实现系统低功耗设计的关键,具体硬件连接如图3所示.TPS650lO可以提供OMAP5912所需的各种电压,但是核心运算单元需要的CVDDA以及重要外设需要的DVDD4由TPS7620l从Vmain电压转换得到.具体的TPS76201的硬件连接如图4所示.TPS7620l将Vmain的3.3V电压转换成1.6 V提供给OMAP,只要Vmain的电压不低于1.8 V,TPS76201都将稳定地输出1.6 V电压,以确保OMAP在任何情况下,即使是深度睡眠状态,核心运算单元和重要的外设都有稳定的电源保证.注意,如果不要求OMAP系统的低功耗设计,CVDDA和 DVDD4可以直接连接到Vcore.TPS65010的Vcore输出1.6 V电压提供给OMAP的其他核,这些核电压在低功耗状态下均可以降低到1.1 V.TPS65010的VLDO1和VLDO2输出2.75V电压提供给OMAP的其他外设,这些电压和常规的3.3 V存在一定的电压差,但不影响数据传输.一般情况下,高电平只要达到2 V以上就可以了;低功耗状态下,VLDO1和VLDO2都降低到1.1 V.使用2个LDO给不同的外设提供电压,是为了在Big Sleep状态下关闭某些外设并同时能够使能其他外设.如果不进行低功耗设计,可以使用同一个LDO提供电压.TPS65010的I2C总线连接到OMAP,便于OMAP对TPS65010的寄存器进行设置.TPS65010的RESPWRON引脚连接到OMAP 的Power_Reset引脚,上电复位后由TPS65010复位OMAP;TPS65010的LOWPWR引脚连接到OMAP的LOW_PWR引脚,OMAP进入低功耗状态由该引脚通知TPS65010,TPS65010将设定的各种电压降低,从而降低系统功耗.4 OMAP5912的低功耗软件设计OMAP5912有3种工作模式,分别为正常工作模式、Big Sleep模式和Deep Sleep模式.正常工作模式下,使能所有的内部时钟和外部时钟以及引脚,此时系统功耗最大,TPS650lO也按照正常工作方式供电.低功耗模式下,随时判断是否有芯片IDLE 请求,如果有则进入Big Sleep模式.在Big Sleep模式下,进一步判断是否有外部时钟请求,并根据情况进入Deep Sleep模式.在系统正常工作方式下,如果不需要进行低功耗设计,以上软件无需加入到应用程序中.进行低功耗设计时,就需要对OMAP的各种工作状态进行判断,要在应用程序中加入LOW_PWR信号使能、关闭DSP核、激活并设置唤醒事件、关闭ARM核、激活并设置深度睡眠等软件代码.5 总结本文详细介绍了基于TPS65010和OMAP5912的低功耗系统设计.使用TPS65010的多个电源输出引脚给OMAP的不同单元供电,以便在OMAP的不同工作模式下改变电压输出,降低系统功耗.OMAP根据自身的软件运行情况,随时调整工作模式,并通知TPS65010,使得软件和硬件在低功耗设计上得到互通.该设计方法适用于各种对功耗要求较高的电子设备.高级电源管理芯片FS1610及其应用Fsl610是一款采用专利数字技术生产的高级电源管理控制器件,该器件可为数码相机、智能手机、个人PDA和笔记本电脑等移动设备提供完全可编程的电源系统解决方案.与传统的电源管理方法相比,FSl610能节约20~40%的PcB面积,此外,其完全可编程的专利数字技术.还能极大缩短研发周期.加快产品上市进程.1 FSl610的主要功能IS1610内部的电压检测主要针对的是FSl610芯片的供电输入,而器件的输出则包括8个高效开关电源和3个低功耗LDO,表l所列是其电源输出列表.需要注意的是,FSl610的输出电压和电流都会受到输入电压、电感、电容以及外部诸多元件因素的影响.l 1电源输出FSl610提供有8个开关电源.3个LDO电源和1个始终开启的电源.对这些电源输出的控制一般有三种方式:其一是通过外部的PWREN使能输人引控制;其二是通过串行命令在使用过程中根据具体情况进行控制;第三则是按照EEPROM中的设置程序来执行.FS1610的电源输出主要用于降压转换、升压转换、白光LED驱动、低压差稳压、负升压转换和电池供电等.图I所示是用FSl610来驱动白光LED的驱动电路.1.2电源输入FSl610的供电电压范围是2.8~5.5 v.图2所示是S1610的供电输人以及AC适配器和电池之间的切换电路.其中VMAIN 为主电池比较器输入,用来直接监测电池的状态;VIN为主电源供电输入;DBOUT用于断开电池的输出,将它连接到一个外部的P 通道MOSFET,可当检测到电池的无电状态(DB)或者AC适配器有输入时,由该输出置位断开电池和主电源的连接;BATBU为备用电池输人,一般情况下,为了能使芯片正常操作,在BATBU输入引脚上一定要有电压;VBAT为始终开启的供电输出,可由内部开关控制,当SW[2]有效且稳定时,可将SW[2]连接到VBAT来提供电压;否则由BATBU给VBAT提供电压.1 3其他功能FSl610内有一个非易失存储器NVM(EEPROM),可用于保存启动的配置信息,这些信息包括通道电压、通道使能,禁止、个电源的开关顺序以及实时时钟、看门狗、中断等信息.FSl610可通过晶体时钟提供实时时钟的操作.而其可编程报警器则可向CPU发出中断.FSl610片内还集成有一个看门狗定时器,可通过EEPROM编程设置,其定时时间达32s,时间间隔是1ms.但是,由于达到定时时间时,芯片就会复位,所以,为了避免这种情况的发生,主机必须在程序设置的定时周期结束之前,对WDT进行复位.FSl610应由32.768 kHz晶振、或者具有合适的频率和电压的时钟源来为芯片提供内部时钟.而器件的CLKOUT输出引脚则能为外部提供32.768 kHz的输出.FSl610的nEXTON开关输人端一般连接到瞬间接触开关上,可用来控制芯片的开/关.FSl610分别为不同类型的处理器设计有两个复位输出nIRSTO和nRSTO,而手动复位输入nRSTI则主要用来启动一个硬件复位,以作为主机CPU的系统复位信号.FSl610在需要的情况下可提供中断,并向主机发出警报.这些警报包括低电压,电源通道故障,RTC警报等.同时可以通过串行命令来对中断进行操作.2 Fsl610的内部结构原理图3是FSl610模块的内部结构示意图.由图可见,FSl610以电源管理控制器为核心,可为外部设备提供丰富的电源通道.另外,配合电源管理.FSl610还提供有非易失性存储器NVM、实时时钟RTC、看门狗定时器WDT、中断、复位等系统控制模块.3工作模式FS1610有两种操作模式,分别为串行模式和独立模式.FSl610芯片片可通过I2C、SPI和ART串口来接受主机的控制和管理,也可以在启动后根据EEPROM加载的参数独立工作.低功耗是FSl610的最突出优势之一.该芯片上的各个功能模块在不需要操作时都可以关闭.已进人休眠状态.FSl610会根据不同的环境条件在5种电源状态下自动切换,以使功耗最小化.这5种状态分别为:无电(NOPOWER)状态、关断(SHUTDOWN)状态(即SD状态)、就绪(READY)状态、工作(ACTIVE)状态、低功耗(LOWPOWER)状态.设计时.可以对FS31610的多路电源进行灵活的配置和控制.除了对单个电源通道的开/关操作之外.还可以对电源通道进行分组,然后对各电源组进行操作.电源的启动和关闭顺序,也可以设置存储在EEPROM中,以便主机在操作的过程中来控制.FSl610对芯片提供有可能出现的各种故障的监测和管理.这些监测包括:受监测电源正常状态、电源通道故障、电池电压和备用电池监测、热关断、中断.此外,FS1610芯片还可根据EEPROM中的设置,对监测到的不同状态进行不同的操作.4基于FSl6l0的导航仪供电系统FSl610的多电源输出和电源管理功能在便携式设备中应用非常方便.图4是FSl610电源管理控制芯片在基于Sumsang 公司的ARM9处理器S3C2440的导航仪上的供电电路.根据系统的设计要求,该导航仪除了具有基本的GPS导航功能外.还需要高分辨率的液晶屏支持.为此,该系统选用的是LCD模块,该模块是已经包含了背光和控制电路的液晶屏,但需要+3.3 v和+5 v供电.表2所列出是该导航仪系统的电源需求.由于该导航仪通常是采用电池供电,故需要最小化的功率消耗,而且要求各外设都要由系统控制.在图4中用FSl610对导航仪系统进行供电的电源分配方案中,需要注意的是,LCD背光需要400mA电流的+5v供电,而FSl610的升压电路不能提供这么大的电流,因此,设计时应用一个外加的升压电路来提供LCD的背光电源.5结束语本文介绍了高级电源管理控制芯片FS1610的原理和功能,给出了一个FSl610在基于ARM9处理器S3C2440设计的导航仪上的应用方案.采用该方案进行供电的导航仪,不但可以自由控制各个模块电源的开和关,而且可以在不需要的时候关闭模块,以便最小化整个系统的功耗.与传统的方法相比,选用FSl610不但可以明显节省电路板面积.提供更多的通道电压.而且控制也更加灵活电源管理芯片在以太网供电中的应用什么是以太网供电?术语"以太网"是指 IEEE802.3 标准涵盖的各种局域网 (LAN) 系统.以太网协议是在工作场所,通过高速数据电缆将台式 PC 与中央文件服务器连接起来的协议.任何连接到以太网端口的设备,如数据终端、无线接入点、网络摄像机 (web cam) 或网络电话等,都需要通过电池或独立 AC 插座为自己供电.而更为优雅的方法则是能够向连接到以太网的任何设备同时传输电源和数据.如果这种传输方式能够利用现有的以太网布线,则可以保持 100% 的历史兼容性,那将再好不过了.这正是IEEE802.3af 规范中定义的以太网供电 (PoE) 标准所提供的内容.这一新标准于 2003 年 6 月由 IEEE 批准,是通过以太网发送和接收电源信号的标准.PoE 的优点在于:由于每个设备只需要一组连线,因此每个设备的布线更为简单和便宜;免去了 AC 插座和适配器,使工作环境更安全、整洁,成本也更低;可轻易地将设备从一处移至另一处;无间断电源可确保在 AC 电源断电时继续为设备供电;可对连接到以太网的设备进行远程监控.正是这些优点使得以太网供电成为一项从本质上改变了低功耗设备供电方式的全新技术.但就目前而言,推动 PoE 总有效市场增长 (TAM, Total Available Market) 的主力是两类用电设备:无线 LAN 接入点和 VoIP(网络语音)电话.至 2007 年,前者的复合年增长率 (CAGR) 为 38%,达 1500 万个(来源:iSuppli),而支持后者的企业网预计将达到 300 万个.对用电设备的这种需求反过来将推动现有以太网交换机向支持 PoE 功能转移的需求.这是通过使用"中继"(midspan) 来实现的,如图1所示.这些单元的增长至 2007 年预计将达到 800 万,增长率为 68%.在图1的示例中,源头的以太网交换机通过一个"中继"以太网供电集线器将电源"注入"局域网的双绞线电缆来提供 PoE 功能.新的以太网交换机将集成该"中继",从而实现向通过高速数据电缆连接的用电设备 (PD) 供电.这些用电设备可以是网络摄像机 (web cam)、网络语音电话、无线局域网接入点和其他电器设备.不间断电源 (UPS) 将提供备用电源,以防市电断电.电源管理器件用于转换电压和电流,可以用在以太网交换机中,以太网供电"中继"集线器中,以及位于用电设备中的DC-DC 转换单元中.下面各段将对这些功能中的每个功能分别进行讨论.。

共模电感的原理以及使用介绍

共模电感的原理以及使用介绍

共模电感的原理以及使用情况。

由于EMC所面临解决问题大多是共模干扰,因此共模电感也是我们常用的有力元件之一!这里就给大家简单介绍一下共模电感的原理以及使用情况。

共模电感是一个以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件,它由两个尺寸相同,匝数相同的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯上,形成一个四端器件,要对于共模信号呈现出大电感具有抑制作用,而对于差模信号呈现出很小的漏电感几乎不起作用。

原理是流过共模电流时磁环中的磁通相互叠加,从而具有相当大的电感量,对共模电流起到抑制作用,而当两线圈流过差模电流时,磁环中的磁通相互抵消,几乎没有电感量,所以差模电流可以无衰减地通过。

因此共模电感在平衡线路中能有效地抑制共模干扰信号,而对线路正常传输的差模信号无影响。

共模电感在制作时应满足以下要求:1)绕制在线圈磁芯上的导线要相互绝缘,以保证在瞬时过电压作用下线圈的匝间不发生击穿短路。

2)当线圈流过瞬时大电流时,磁芯不要出现饱和。

3)线圈中的磁芯应与线圈绝缘,以防止在瞬时过电压作用下两者之间发生击穿。

4)线圈应尽可能绕制单层,这样做可减小线圈的寄生电容,增强线圈对瞬时过电压的而授能力。

通常情况下,同时注意选择所需滤波的频段,共模阻抗越大越好,因此我们在选择共模电感时需要看器件资料,主要根据阻抗频率曲线选择。

另外选择时注意考虑差模阻抗对信号的影响,主要关注差模阻抗,特别注意高速端口。

随着电子设备、计算机与家用电器的大量涌现和广泛普及,电网噪声干扰日益严重并形成一种公害。

特别是瞬态噪声干扰,其上升速度快、持续时间短、电压振幅度高(几百伏至几千伏)、随机性强,对微机和数字电路易产生严重干扰,常使人防不胜防,这已引起国内外电子界的高度重视。

电磁干扰滤波器(EMI Filter)是近年来被推广应用的一种新型组合器件。

它能有效地抑制电网噪声,提高电子设备的抗干扰能力及系统的可靠性,可广泛用于电子测量仪器、计算机机房设备、开关电源、测控系统等领域。

非常详细的共模电感及滤波器的设计!

非常详细的共模电感及滤波器的设计!

⾮常详细的共模电感及滤波器的设计!看点1 ⼏个简单的实例测验与分析!01 这是⼀个共模电感,如下测量,你觉得测得的电感量是多少?可能有⼀部分会答错。

下⾯来说明⼀下我们知道共模电感的绕法有两种,1 双线并绕,2 两组线圈分开绕。

我们知道共模电感的绕法有两种,1 双线并绕,2 两组线圈分开绕。

1 双线并绕2 两组线圈分开绕正确的答案应该是10mH,下图所⽰。

⼀楼所⽰的测量和如下测量⼀致。

如仍有怀疑,可找个电感测量⼀下便知。

可以理解成两个电感并联,事实上就是两个电感并联,计算结果和测量结果是⼀样的。

两种绕法有何特点?1 双线并绕有较⼩的差模电感有较⾼的耦合电容有较⼩的漏感2 两组线圈分开绕有较⼩的耦合电容有较⾼的漏感因此要根据实际应⽤情况选择绕法。

02 再看看这样测量出来的电感量是多少?为什么?有的⼈可能会回答0mH,有的⼈可能会回答20mH,有的⼈可能会回答10mH。

不过很遗憾都不是,正确的答案L=40mH。

如下图,按右⼿法则已标上电流⽅向和磁通⽅向,从图中可以看出两个线圈的磁通的⽅向是相同的,也就是说磁通是增加的不是相互抵消。

根据磁环电感量计算公式式中:N = 圈数, Ac = 截⾯积,分母 Mpl = 磁路长度。

注意 N 有平⽅的,⼀组线圈的圈数是N,则两组线圈的圈数是 2N,将2N代⼊到公式中分⼦有4N²,也就是说电感量为 4 倍。

本例则为 40 mH。

03 再看看这样测量得到的电感量应该是多少?这样测得的是什么电感量?这个估计很多⼈都知道是0mH,没错,理想状态下就是 0mH。

实际共模电感总有漏感、或差模电感成份,因此按此连接测量得到的数值就是漏感或者叫差模电感。

共模电感中漏感和差模电感是⼀回事,可以称漏感也可称差模电感。

⼀般做得好点的漏感在1-2%左右。

但有时候会特意将差模电感和共模电感做在⼀起,这时候的差模电感量就按实际需要做了。

看点2 共模电感“Z”字形符号是代表什么?共模电感的这个符号应该很常见吧,但是符号中的的 “Z” ⼀样的符号该怎么读?估计很少有⼈知道。

089电感规格参数

089电感规格参数

089电感规格参数
089电感是一种电感器,其规格参数可能会因不同的制造商和产品而有所不同。

以下是一些常见的089电感的规格参数:
1.
电感值:电感器的电感值表示其储存电能的能力,通常以亨利(H)为单位。

089电
感的电感值可能因产品不同而有所差异,具体数值可以在产品说明书或技术参数表中找到。

2.
电流容量:电流容量是指电感器能够承受的最大电流值,通常以安培(A)为单位。

选择适当的电流容量可以确保电感器在正常工作条件下不会烧毁或损坏。

3.
工作频率范围:电感器的工作频率范围是指其能够正常工作的频率范围,通常以赫兹(Hz)为单位。

在选择089电感时,需要确保其所处的电路工作频率在电感器的工作频率范围内。

4.
尺寸和封装形式:089电感的尺寸和封装形式可能因制造商和产品而异。

常见的封装形式包括插件式、贴片式等。

尺寸和封装形式的选择取决于具体的电路要求和应用场景。

5.
温度范围:电感器的工作温度范围是指其能够在正常工作的温度范围,通常以摄氏度(℃)为单位。

在选择089电感时,需要确保其所处的环境温度在电感器的工作温度范围内。

需要注意的是,以上仅是一些常见的089电感规格参数,具体的参数可能会因不同的制造商和产品而有所不同。

因此,在选择和使用089电感时,建议参考具体的产品说明书和技术参数表,以确保选择到合适的电感器。

大功率铁硅铝磁环电感

大功率铁硅铝磁环电感

大功率铁硅铝磁环电感
铁硅铝磁环电感是一种电子元件,它是由铁、硅和铝的磁性材料制成的环状结构,内部绕有导线。

由于这种电感具有高电感性能和优异的高频性能,因此被广泛应用于高频电子电路、通讯设备、医疗设备等领域。

铁硅铝磁环电感的核心材料是铁硅铝磁性材料,在加工制作过程中,其薄片经过精心的设计和组装,形成了一个环状结构。

金属导线穿过环的中心,形成了一个线圈。

当电流进入线圈时,会在铁硅铝磁性材料中形成一个磁场。

这个磁场将储存电荷并产生电感性能。

铁硅铝磁环电感具有很高的电感和低的损耗,对于高频信号的传输和滤波作用非常显著。

此外,铁硅铝磁环电感的额定电流和负载容量较大,可以同时承载多个电源,提高了电子电路的稳定性和稳定性。

铁硅铝磁环电感主要应用于高频电子电路,例如无线传输、RFID技术、通讯设备等。

在这些应用中,电感器的频率是很高的,在高频条件下,铁硅铝磁环电感不仅可以维持高电感性能,还能够有效的抑制干扰信号,减小电路的电磁辐射和噪声等问题。

除了在高频电子电路中的应用外,铁硅铝磁环电感还可以被应用于一些精密设备,例如医疗电子设备和汽车电子设备。

此类设备要求精度高、敏感度高,而铁硅铝磁环电感正好可以提供这样的特性。

总的来说,铁硅铝磁环电感是一种高性能电子元器件。

它的优异性能和多样化的应用使其成为了许多高技术领域中必不可少的重要组成部分。

电感的设计过程

电感的设计过程

摘要:介绍了电感的设计过程和方法,并列举了一个大功率电感的设汁方法,通过理论和实际的结合完成了设计。

关键词:电感:设计:方式0引言磁性元件与其它电气元件不同,使用者很难采购到符合自己要求的电感。

相反,具体设计一个磁性元件可以综合考虑成本、体积、重量和制造的困难程度,可以获得一个较满意的结果。

设计一个电感首先要选择磁芯材料和形状,然后确左磁芯体积大小,然后再计算线圈的匝数和线圈截而积,接着再估算气隙长度,最后根据实际情况调整设讣。

1磁性材料的选择任选用磁性材料时,考虑的因素是工作开关频率、磁通密度、磁导率、损耗大小、工作环境及材料的价格。

如果开关频率较低,可以考虑选择硅钢带和铁银合金。

硅钢带具有高的饱和磁通密度,而且价格低廉,是低频场合运用最为广泛的磁性材料,它的磁芯损耗取决于带的厚度和硅的含量,硅含量越髙,电阻率越大,则损耗越小;铁镰合金具有极高的磁导率, 极低的娇顽磁力,但是其电阻率比较低,只能用在低频场合,同时价格也比较髙,通常用在工作环境温度高,体积要求严格的军工产品中。

如果开关频率较高,可以考虑使用铁氧体和非晶态合金。

铁氧体最高频率可以达到1 MHz而且电阻率髙,高频损耗小,但是其饱和磁感应比较低,而且受温度影响大,在常温(25°C)的0.42T到1OO'C时的0.34T。

铁氧体目前有多种材料和磁芯规格,而且价格比其它材料低,是目前开关电源中应用最为广泛的材料。

非晶态合金适用于几十到几百kHz的工作频率,比铁氧体有更高的饱和磁感应和相对较髙的损耗和温度稳定性,但是价格比较昂贵,而且磁芯的规格也不完善,适用于大功率或者耐受高温和冲击的军用场合。

2磁芯形状目前磁芯有罐型、PM、RM、PQ、EE、EC、EP、ETD、RC、UU、和UI各种型号,以及新发展的平而磁芯,如EFD、EPC、LP型等磁芯。

罐型和PQ型磁芯有较小的窗口面积,减小了EMI传播,用于EMC要求严格的场合。

但是其窗口宽度不是很大,只能用于125 W以下的低功率场合。

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功率电感之大电流电感随着电气技术的发展,对电源在高频率,高效率,环保,尺寸,安全,低温升,低噪音,抗干扰E等方面不断提出新的要求,在结构上提出“轻、薄、短、小”的要求,对关键器件提出了扁平化,轻量化,低功耗和高性能的要求,体现在磁性器件方面,尤其是非隔离DC-DC模块电源中,贴片化和扁平化(低高度)成为一种趋势。

CODACA从2001年成立至今,已专注生产电感14年,其产品系列不断推陈出新,顺应时代的发展,无论是技术积累还是品质和性价比,都奠定了CODACA这一电感品牌越来越具有影响力。

对于电源工程师以及磁性器件件工程师而言,高频化大功率电路对产品体积要求越来越严苛,功率密度要求越来越大,只有对功率电感有了更系统了解,尤其是大电流电感,才能设计和选型更优化的电感。

本文系统的对功率电感的相关知识进行阐述整理,主要包括功率电感的定义、选型因素、常用磁性材料、功率电感的工作点、典型电气参数、非典型参数、扁平线绕组的优势,常用拓扑结构和关于温升、饱和和噪音三个问题的建议。

1.功率电感的定义功率电感(Power Inductor),顾名思义,用在电路中传输功率的电感。

电感在电路中主要用来处理功率,信号和电磁兼容(EMC),其中负责功率传输的主要包括升压电感(boost),降压电感(buck),升降压电感(buck-boost),功率因素校正电感(PFC),正激电路输出侧的直流输出滤波电感(相当于buck)和逆变电路输出侧的逆变电感等,这些电感同时承担着储能和平滑滤波的作用;其中用于EMC的电感分为共模电感和差模电感,差模电感在电路中主要滤除差模干扰,无论传输电流是直流电还是交流电,都需要承担滤波和储能的作用,因此在本篇文章中,从能量储存的角度讲,也将差模电感归入功率电感范畴。

2.功率电感的选型因素:1)电感的电气特性,主要饱和特性,温升特性,频率特性等;2)电感的机械特性,主要尺寸限制,贴装方式,机械要求等;3)电感的使用环境,电气条件裕量,环境温湿度,酸碱度等;4)电感的性价比(品质,品牌,技术支持,服务,付款条件等);5)电感的新型研发,深度定制和快捷样品反馈以及批产能力;功率电感的选型因素很多,对于设计人员或者采购人员而言,在满足主要考量因素的情况下,尽可能的平衡其他因素。

比如成本为主要考虑因素,磁芯可选用廉价的铁粉心,但产品的尺寸和损耗可能会比较大,或者选用没有品质保证的供应商,但客户服务和技术支持会比较差些等;比如产品的温度特性有严格要求,可能需要成本昂贵的MPP磁芯或者羰基铁粉心等。

CODACA从2001年成立至今,已专业生产电感14年,无论是技术积累还是品质和性价比,都奠定了CODACA这一电感品牌越来越具有影响力。

3.功率电感常用磁性材料常用的软磁材料主要分为镍锌(NiZn)铁氧体和锰锌(MnZn)铁氧体,全系列金属磁粉心(High-Flux,MPP,Sendust,Fe-Si,Fe-Si-Cr,Fe-Si-Ni,IRON Powder,Nanodust等),非晶/纳米晶,叵末合金和硅钢等。

本文就CODACA普通贴片功率电感、一体成型电感和组装式大电流电感所用材料重点进行介绍。

镍锌(NiZn)铁氧体,有着极高的电阻率,等同于绝缘体,其磁导率10~2000,饱和磁通密度0.25T~0.44T,应用频率0.1~100MHz,低磁导率可达GHz,主要用来做磁棒,螺纹磁心,环形磁芯,工字磁芯,多孔磁珠,贴片功率电感用工字磁芯以及屏蔽外壳等。

普通贴片功率电感的磁导率多为NX-400,NX-500,插件工字电感,棒形电感多采用NX-100,NX-400,NX-700,NX-1000。

贴片功率电感系列主要有SP, CWPA,SPRH,SPRB, SPM.SPE,SPD, SPDR,SPC,SPF等。

此类电感的应用频率高,功耗小,工艺成熟,是目前市场最常见的小功率电感。

除此之外,还有采用低温共烧工艺(LTCC)、印刷工艺制作的铁氧体叠层电感CFI以及磁珠CFB。

锰锌(MnZn)铁氧体,主要分为高导铁氧体,功率铁氧体和电信用温度稳定性铁氧体,磁导率800~18000,饱和磁通密度Bs 0.4T~0.54T,居里温度Tc 120℃~280℃,应用频率10KHz~4MHz,电阻率比NiZn小,且材料具有“硬”饱和特性(电感量随着电流增大有陡然衰减现象),故在设计时需谨慎考量。

一般将磁导率大于5000称为高导铁氧体,磁导率最高可达18000,主要用来制作宽带变压器,驱动变压器,电流互感器和共模电感等。

高导铁氧体最常用于共模电感,吸收和反射电路中共模干扰,主要滤除30MHz以内的传导干扰。

功率铁氧体的磁导率2000~2500(PC95 3300),饱和磁通密度Bs均大于0.48T,主要用来制作开关电源高频变压器,输出电感,谐振电感等。

TDK的牌号主要包括PC30,PC40,PC44,PC45,PC46,PC47,PC90, PC95,在100KHz/200mT下,PC47的损耗低于250mW/cm3,而PC95在全温度范围内(25℃~120℃)损耗密度低于350 mW/cm3,在90℃低至280 mW/cm3,市面常见PC40(410 mW/cm3)和PC44(300 mW/cm3)。

国内横店东磁和天通等磁芯厂商经多年发展,性能优异。

功率铁氧体制作成功率电感时,主要通过在磁路中开气隙储存能量。

由于气隙处存在杂散磁场,当应用频率过高或者交流磁感应强度太大,首先会引起较大的电磁干扰,其次气隙处可能产生噪音,第三杂散磁场会使得附近绕组产生涡流损耗,形成热点,长时间工作绝缘受损,最终电感短路失效。

基于以上三点,所以磁芯需要合理分配气隙位置和气隙深度。

在高频下其自身材料损耗密度远小于金属磁粉心,且磁芯形状多样,常见型号EC,EE,ER,EP,PQ,RM,EQ等,配合我司成熟的扁平线绕线工艺,是大电流功率电感的主要方案,可生产成扁平线大电流电感。

目前我司电感CSCM,CSCE,CSCF等系列产品,包括用于D类数字功放领域的CPD,CSD系列,均是MnZn 功率铁氧体作为功率电感材料的具体应用。

铁粉心,属于磁粉心家族的成员,采用粉末冶金工艺,将磁性材料颗粒和绝缘树脂按一定比例粘合后高压压制成型,饱和磁通密度高达为1.0~1.5T,是铁氧体Bs 的2~3倍,天然具有分布式气隙,因此具有较高的储能能力。

不像铁氧体和纳米晶等需要单独开气隙,因此EMC效果好。

铁粉心主要分为氢还原铁粉心和羰基铁粉心。

氢还原铁粉,一般称为铁粉心,磁导率Ui从10~100,价格相对低廉,按照美国微金属(MICROMETAL)牌号,常见有-2,-26,-52,-18,-18,-40。

-2(10)材为红青环,损耗最低,-14(14)为黑红环,与-2材相比,磁导率略大,损耗相似。

-18(55)常用来替代昂贵的-8(35),-40(60)为最为便宜的材料。

最为常见得为黄白环-26(75)材质,性价比最好,适用于尺寸要求要求不严格,温升比较大的场合,可用-52材(75)绿蓝环替代进行优化。

这类铁粉心具有老化问题,所以使用温度要求不宜过高,一般要求低于100度。

这类铁粉心常用来压制成环形磁芯,也可压制成EE 型和EC型。

CODACA扁平线大电流电感CSB,CSCM,CSCD,CSCG等系列是由自发研制的磁粉心生产的。

另一类铁粉心为羰基铁粉心(Carbonyl Iron powder),频率从10KHz 高达500MHz,磁导率1~35,主要用于射频领域,与普通铁粉心相比,应用频率高,损耗小且温度系数小。

其中-4(9)材质为蓝白环,常用与谐振电感,用在LLC等谐振电路中,较为常见,其中-2(10), -6(8.5),-7(9),-8(35)材可用于压制一体成型电感。

CODACA一体成型电感采用德国巴斯夫BASF羰基铁原粉,饱和电流大,高频损耗密度小,性能优异。

铁硅铬(FeSiCr),磁粉心家族的成员,Bs高达1.5T,损耗大比羰基铁大,也可用来制作一体成型电感,性价比高。

铁硅磁粉心(Mega Flux),饱和磁通密度高达1.6T,和硅钢材质类似,与High Flux 相比饱和特性相似,损耗略高,但损耗又低于铁粉心,没有热老化问题,在大电流领域备受欢迎。

在风能、太阳能和动车,UPS等领域,多采用块状磁粉心拼接成大功率电抗器;在通信领域多用EQ型扁平线圈绕组形成大电流电感,相同体积饱和特性远高于铁氧体材料大电流电感。

另外铁硅镍(Neu Flux)磁粉心,损耗是铁硅的一半,是High Flux的低成本替代方案。

这两种材料都具有极优异的饱和特性和温度稳定性,是大功率电路中电抗器的理想选择。

以下材料使用不多,抛砖引玉,仅作简要介绍。

金属磁粉心(MPP, High Flux,SENDUST,Nanodust等)中,MPP损耗最小,温度稳定性最高;High Flux的饱和电流大,损耗居中;SENDUST损耗小,性价比高;Nanodust纳米晶磁粉心,新兴材料,损耗低,可替代非晶磁粉心的克服噪音问题。

非晶纳米晶(钴基非晶,铁基非晶,铁基纳米晶等),叵末合金和硅钢,多以带材卷绕成环形和U型,后两者也可冲压成EI片,三者均属于金属类磁性材料,共同特征为涡流损耗大,故应用频率不高;叵末合金磁导率高,用于音频变压器,音频电感和电流互感器等;非晶纳米晶在50KHz以下优于锰锌功率铁氧体,在100KHz以上涡流损耗急剧增大,性能逐渐劣与铁氧体。

硅钢多用于1KHz一下,主要为工频(50Hz)领域,作为电力变压器和电抗器等。

4.功率电感在工作点问题铁磁性材料随着外部磁场强度的增加,磁感应强度逐渐增加,磁场强度增加到一定值以后,磁感应强度趋于稳定,随着磁场强度减小为零,磁感应强度不按原来路径减小,且在磁场强度H=0时,仍保留一定的剩余磁感应强度Br。

这种磁场强度H 和磁感应强度B不同步的,且B落后H变化的现象,叫做磁滞现象。

从上述信息可知道,铁磁性材料具有饱和现象和磁滞现象。

磁性材料在应用中,会有不同的工作状态。

如双极性变压器工作于磁滞回线的一三象限,电流互感器工作于初始磁化曲线位置,互感器会靠近准饱和区,升降压电感和直流输出滤波电感等功率电感一般处于偏置状态,工作于第一象限,如下图:图中黄色面积覆盖的区域就是功率电感实际工作的区域,通常称B0(或者H0)为工作点,黄色区域面积反映磁芯的磁滞损耗。

ΔB为交流磁感应强度,和频率f一起决定了磁芯的损耗密度,进一步影响产品温升。

B0+ΔB/2应该小于0.8Bs(准饱和)。

设计时,高频看温升,低频看饱和。

磁性材料Bs随着温度的增加而衰减,常见的功率铁氧体PC40在25℃时饱和磁通密度Bs 为0.51T,而100℃为0.44T 。

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