逻辑门电路powerpoint介绍

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《逻辑门电路》PPT课件

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b
电子,形成电流ICN R b
P N I E N I E P
VC C
➢另外,集电结区的少 V B B
数载流子形成漂移电流
e IE
ICBO
两种载流子参与导电——双极性晶体管Bipolar Junction Transistor
2021-09-22
中国科学技术大学 快电子 刘树彬
17
BJT的开关工作状态
《逻辑门电路》PPT课件
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第三章 逻辑门电路
3.1 MOS逻辑门电路 3.2 TTL逻辑门电路 3.3 射极耦合门电路 3.5 逻辑描述中的几个问题 3.6 逻辑门电路使用中的几个实际问题
7
N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素,如磷、砷等
硅原子 + 4
多余电子
+4
磷原子
+4
+4
+4
电子空穴对 自由电子
N型半导体
+5 +4
++ + + ++ + +
+3;
2021-09-22
多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴
中国科学技术大学 快电子 刘树彬
施主离子
8
PN结
2021-09-22
中国科学技术大学 快电子 刘树彬
t1
t
IFVFR LVDV RF L
0.1IR t

第3章逻辑门电路PPT 共126页

第3章逻辑门电路PPT   共126页

电位被钳 在2.1V
全反偏
“1” A B C
R1 3k
b1 c1 T1
+5V
R2
R4
1V
T2 T3
T4
R5
截止
F
全导通
T5
R3
(2-24)
全反偏
“1” A
B C
R1 3k
R2
b1 c1 T1
T2
逻辑关系:全1则0。
R3
+5V
uF =0.3V F
T5
饱和
输入、输出的逻辑关系式: F ABC
(2-25)
RP的临界值可计算如下:
1.4V=
R1RPRP(5 - V be1)
=
4 . 3 RP R1 RP
RP=1.4KΩ(R1=3K Ω)为安全起见,如要求输入等 效为低电平时,对TTL门电路应使RP小于1 K Ω; 如要求输入等效为高电平时,对TTL门电路应使RP 大于2K Ω。
(2-39)
例能3正.5确.3地综在传合图送以3到上.5.门两20G种所2的情示输况的入,电端应路,取中要R,P求为≤0v保.o618证=KV门OHG时1输vI2出≥V的IH高(、min低),电平 vO1=VOL也时就,是v说I2≤GV1I和L(Gm2a之x)间,的试串计联算电RP阻的应最小大于允许值是多少?已知 G1和G26均80为7,4系否列则反当相vO器1=V,OLV时C可C=能5超V,过VVILO(H=m3ax.)4V, VOL=0.2V, VIH(min)=2.0V, VIL(max)=0.8V。 G1和G2的输入特性和输出特性 见图3.5.12和图3.5.14、图3.5.16。
(2-27)
1. 输出高电平UOH、输出低电平UOL UOH2.4V UOL 0.4V 便认为合格。 典型值UOH=3.4V UOL=0.3V 。

第2章逻辑门电路[可修改版ppt]

第2章逻辑门电路[可修改版ppt]

在数字电路中,逻辑输入信号通常使三极管工作在 截止或饱和状态,称为开关状态。
截止条件iB:0
饱和条件iB: IBS
=
ICS
VCC
Rc
Rb iB CiC
vI
vBE
vCE
ICS=VCCR cVCESVRCcC
表2.2.1 NPN三极管的工作状态及特点
工作状态
截止
条件 PN 结偏置
i 0 B
发射结反偏 集电结反偏
ton 。
存储电荷:
LN o LP
x—距离
图 2.1.3 PN结的存储电荷
•距PN结越远,电荷浓度越低;
•正向电流越大,电荷的浓度梯度越大,存储电荷越多。
PN结截止过程: •在反向电压的作用下,N区的空穴存储电荷被电场赶回到P 区,P区的电子存储电荷被电场赶回到N区,形成反向电流, 驱散存储电荷。驱散存储电荷的时间就是存储时间ts 。 •在存储电荷驱散后,PN结的空间电荷区变宽,逐渐恢复到 PN结通过反向饱和电流IS,这段时间就是渡越时间tt。
VIL O
ICS iC
t
2)上升时间tr:从0.1ICS上升至
0.9ICS
0.9ICS所需的时间;
0.1ICS
t
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
O
3)存储时间ts:从负跳变开始到从ICS 下降至0.9ICS所需的时间;
tr
tf
td
ts
4)下降时间tf:从0.9ICS下降至0.1ICS所需的时间;
5)开通时间ton:从截止转换到饱和所需的时间,ton=td+tr;
提高开关速度的方法是:开通时加大基极驱动电流,关断 时快速泄放存储电荷。
2.2 TTL门电路

基本逻辑门电路PPT课件

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第10页/共25页
2、逻辑变量 用来表示条件或事件的变量。常用大写英文字母表示,如A、
B、C、D……. 有0和1两种取值。 1表示条件具备或事件发生 0表示条件不具备或事件不发生
第11页/共25页
3、门电路:
1)、门电路是数字电路的基本组成单元,它有一个或多个输入端和一个 输出端,输入和输出为低电平和高电平,又称为逻辑门电路。
第22页/共25页
小结:
1、三种基本逻辑关系 2、三种基本逻辑门电路 3、表达门电路功能的方法 4、三种逻辑关系对我们的启示?
第23页/共25页
欢迎指导
再见!
第24页/共25页
谢谢您的观看!
第25页/共25页
第15页/共25页
“谁大谁导通” “谁通看谁值”
思考?
晶体管反相器,V1、V2均为硅管
VA V1 V2 VL 0.3V 截止 导通 3.2V 相反 3.2V 饱和 截止 0.3V
第16页/共25页
思考?
第17页/共25页
74LS08集成电路
第18页/共25页
CC4069六反相器
第19页/共25页
2)、门电路
基本逻辑门电路 复合逻辑门电路
与门电路 或门电路 非门电路
第12页/共25页
4、三种基本逻辑门电路
与门
第13页/共25页
或门 非门
探究:分析下列电路的逻辑功能?
优先原则:当多个二极 管均承受正向电压时, 所加电压大的那个二 极管优先导通。
VA VB V1 V2 VL
0V 0V 通 通 0V “谁小谁导通”
备,结果就会发生,这种条件与结果之间的关系称为或逻辑关系。
第6页/共25页
3)、非逻辑(NOT) 当决定某一事件的条件不成立时,结果就会发生,条件成立时结果反而不

数字逻辑电路教程PPT第2章逻辑门电路

数字逻辑电路教程PPT第2章逻辑门电路

TTL与非门的电压传输特性及 抗干扰能力
CD段(过渡区):
1始也、.3导都TV5管<通处有v, 于I<一T导21、 小通.4V段T状3,、时态TT间,54管管同T开4 时导通,故有很大电流
流TT,电平52管、过T压vO4=T管很RvO054管急电 趋大.3V趋剧阻 于的。于下, 截基饱降止极T2和管到,电导提低输流通供电出,
TTL与非门的电压传输特性及 抗干扰能力
AB段(截止区): vI<0.6V,输出电压vO不
随输入电压vI变化,保持 在高电平VH。 VC1<0.7V,T2和T5管截 止,T3、T4管导通,输出 为高电平,VOH=3.6V。 由于这段T2和T5管截止, 故称截止区。
TTL与非门的电压传输特性及 抗干扰能力
⒉工作原理
当输入端A、B、C中有任一
个输入信号为低电平 (VIL=0.3V)时,相应的发射结 导通,T1工作在深度负饱和 状态,使T1管的基极电位VB1 被箝制在 VB1=VIL+VBE1=0.3+0.7=1V, 集电极电位 VC1=VCES1+VIL=0.1+0.3=0.4V 使T2管截止,IC2=0, VE2=VB5=0V,故T5管截止。
TTL与非门的电压传输特性及 抗干扰能力
CD段(过渡区): 由于vI的微小变化而
引起输出电压vO的急 剧下降,故此段称为 过渡区或转折区。
TTL与非门的电压传输特性及 抗干扰能力
CD段中点对应的输入电压 ,既是T5管截止和导通的分 界线,又是输出高、低电平 的分界线,故此电压称阈值 电压VT(门槛电压), VT=1.4V。
第二章 集成逻辑门电路
集成逻辑门电路,是把门电路的所 有元器件及连接导线制作在同一块 半导体基片上构成的。

数字电子技术-逻辑门电路PPT课件

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在电路中的应用。
或非门(NOR Gate)
逻辑符号与真值表
描述或非门的逻辑符号,列出其对应的真值表, 解释不同输入下的输出结果。
逻辑表达式
给出或非门的逻辑表达式,解释其含义和运算规 则。
逻辑功能
阐述或非门实现逻辑或操作后再进行逻辑非的功 能,举例说明其在电路中的应用。
异或门(XOR Gate)
逻辑符号与真值表
01
02
03
Байду номын сангаас
04
1. 根据实验要求搭建逻辑门 电路实验板,并连接好电源和
地。
2. 使用示波器或逻辑分析仪 对输入信号进行测试,记录输
入信号的波形和参数。
3. 将输入信号接入逻辑门电 路的输入端,观察并记录输出
信号的波形和参数。
4. 改变输入信号的参数(如频 率、幅度等),重复步骤3, 观察并记录输出信号的变化情
THANKS
感谢观看
低功耗设计有助于提高电路效率和延长设 备使用寿命,而良好的噪声容限则可以提 高电路的抗干扰能力和稳定性。
扇入扇出系数
扇入系数
指门电路允许同时输入的最多 信号数。
扇出系数
指一个门电路的输出端最多可 以驱动的同类型门电路的输入 端数目。
影响因素
门电路的输入/输出电阻、驱动 能力等。
重要性
扇入扇出系数反映了门电路的驱动 能力和带负载能力,对于复杂数字 系统的设计和分析具有重要意义。
实际应用
举例说明非门在数字电路中的应用, 如反相器、振荡器等。
03
复合逻辑门电路
与非门(NAND Gate)
逻辑符号与真值表
描述与非门的逻辑符号,列出其 对应的真值表,解释不同输入下

逻辑门电路(ppt)

逻辑门电路(ppt)
逻辑门电路(ppt)
优选逻辑门电路
半导体器件是近代电子学的重要组成部分
体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、功 率转换效率高等优点而得到广泛的应用。
导体、绝缘体、半导体
自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体。
有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和 石英。
另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为 半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的电阻率为10-3~109 cm。
N
外电场
内电场
PN结反向偏置
_ P
变厚
-+ -+ -+ -+
内电场被加强, 多子的扩散受抑 制。少子漂移加 强,但少子数量 有限,只能形成+ N较小的反向电流。
内电场 外电场
半导体二极管的开关特性
下面以硅二极管为例
D
(1) 导通条件及导通时的特点
ID(mA)
D
+
Vi >0.7
-
R 电路图
0 VO
0.5
VD
硅二极管伏安特性
VD
+
Vi >0.7
近似等 R 效电路
K
+
Vi >0.7
-
-
(2) 截止条件及截止时的特点
D
+
Vi<0.5
-
K
+
R 电路图 Vi <0.5
-
简化等 R 效电路
简化等 R 效电路
开关时间
① 开启时间: 由反向截止转换为正向导通所需要的 时间。二极管的开启时间很小,可忽 略不计。
D
N+
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VCC 3A
3B 3Y 4A 4B 4Y
VCC 2A 2B NC 2C 2D 2Y
14
13
12
11 10
9
8
14
13
12
11 10
9
8
74LS00 1 2 3 4 5 6 7 1 2 3
74LS20 4 5 6 7
1A
1B 1Y
2A 2B 2Y GND
1A 1B NC 1C 1D 1Y GND 74LS20 的引脚排列图
3.2 分立元件门电路
一、二极管的开关特性 + uD 二极管符号: 正极
i D ( mA)
IF

负极
Ui<0.5V时,二 极管截止,iD=0。
U BR
0
0.5 0.7
u D (V)
伏安特性
Ui>0.5V时, 二极管导通。
D + ui - 开关电路
D + + u ui =0V RL uoo - - ui =0V 时的等效电路
I BS = ui − uCES 5 − 0.3 = mA = 0.094mA βRc 50 × 1
I BS = 0.094mA
因为iB>IBS,三极管工作在 饱和状态。输出电压: uo=UCES=0.3V
因为0<iB<IBS,三极管工作在放大 状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA, 输出电压: uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.5×1=3.5V
TSL门
+VCC(+5V) R1 3kΩ A T1 D E T2 R3 360Ω 电路结构 R5 3kΩ R2 750Ω T3 T4 T5 R4 100Ω A & Y EN 国标符号
Y
E
①E=0时,二极管D导通,T1基极和T2基极均被钳制在低电平, 因而T2~T5均截止,输出端开路,电路处于高阻状态。 ②E=1时,二极管D截止,TSL门的输出状态完全取决于输入信 号A的状态,电路输出与输入的逻辑关系和一般反相器相同,即: Y=A,A=0时Y=1,为高电平;A=1时Y=0,为低电平。 结论:电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态。
Y
T5 1 2 3
74LS02 4 5 6 7
1Y 1B 1A 2Y 2B 3A GND 74LS02 的引脚排列图
①A、B中只要有一个为1,即高电平,如A=1,则iB1就会经过T1集 电结流入T2基极,使T2、T5饱和导通,输出为低电平,即Y=0。 ②A=B=0时,iB1、i'B1均分别流入T1、T'1发射极,使T2、T'2、T5均 截止,T3、T4导通,输出为高电平,即Y=1。
TSL门的应用:
A 1 EN B 1 G2 EN E 1 (a) 多路开关 E G1 Y EN 1 EN 1 (b) 双向传输 E1 A1 E2 A2 (c) 单向总线 En An G2 EN A 1 G1 B G1 1 EN G2 1 Gn 1 总线
… EN
①作多路开关: ②信号双向传输: ③构成数据总线:让各门的控 E=0时,门G1使 E=0时信号向右 制端轮流处于低电平,即任何 能,G2禁止, 传送,B=A; 时刻只让一个TSL门处于工作 Y=A;E=1时, E=1时信号向左 状态,而其余TSL门均处于高 门G2使能,G1 传送,A=B 。 阻状态,这样总线就会轮流接 禁止,Y=B。 受各TSL门的输出。
+VCC(+5V) R1 3kΩ 2.1V
3.6V A 3.6V B
R2 750Ω + T2 0.3V T3
R4 100Ω T4
T1 + 0.7V R3 360Ω
+T 5 + R5 0.3V 0.7V 3kΩ - -
Y
②输入信号全为1:如uA=uB=3.6V 则uB1=2.1V,T2、T5导通,T3、T4截止 输出端的电位为: uY=UCES=0.3V 输出Y为低电平。
5 − 0.7 iB = mA = 1mA 4 .3
Y=A
RD 20kΩ
+VDD +10V Y D B A 1 Y
A
G S
电路图
逻辑符号
①当uA=0V时,由于uGS =uA=0V,小于开启电压UT, 所以MOS管截止。输出电压为uY=VDD=10V。 ②当uA=10V时,由于uGS=uA=10V,大于开启电压UT, 所以MOS管导通,且工作在可变电阻区,导通电阻很小, 只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。
TTL 与或非门电路
①A和B都为高电平(T2导通)、或C和D都为高电平(T‘2导通)时, T5饱和导通、T4截止,输出Y=0。 ②A和B不全为高电平、并且C和D也不全为高电平(T2和T‘2同时 截止)时,T5截止、T4饱和导通,输出Y=1。
Y = A⋅ B + C ⋅ D
与 门
A B
& AB ≥1
OC门
A B uB1 T1 T2 T3 R Y A B & Y1
+VCC
R Y
C D
& Y2 OC 门线与图
OC 与非门的电路结构
问题的提出:为解决一般TTL与非门不能线与而设计的。 接入外接电阻R后: ①A、B不全为1时,uB1=1V,T2、T3截止,Y=1。 Y = A⋅B ②A、B全为1时,uB1=2.1V,T2、T3饱和导通,Y=0。 外接电阻R的 VCC − U OL max ≤R≤ VCC − U OH min nI OH − mI IH 取值范围为: I OL − mI IL
1
Y=AB=AB
A B
&
Y
或 门
A B
A B
1 A+B
& ≥1 ≥1 Y
Y=A+B=A+B
A B
≥1
Y

A B
=1
Y
Y = A ⋅ B + A + B = A ⋅ B( A + B) = ( A + B )( A + B ) = A B + AB = A⊕ B
门及TSL门 3、OC门及 门及 门
+VCC
第三章 逻辑门电路
3. 1 概述 3.2 分立元件门电路 3.3 TTL集成门电路 TTL集成门电路 3.4 CMOS集成门电路 CMOS集成门电路 3.5 集成逻辑门电路的应用 *3.6 逻辑符号的等效变换 返回主目录 退出
3.1 概述
逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电 路。简称门电路。 基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、 与非门、或非门、与或非门和异或门等。 逻辑0和1: 电子电路中用高、低电平来表示。 获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件 的导通、截止(即开、关)两种工作状态。
Y=AB
A B
&
Y
2、二极管或门
5V A D1 0V B D2 R Y
A
0 0 1 1
B
0 1 0 1
Y
0 1 1 1
3kΩ
uA uB
0V 0V 5V 0V 5V 0V
uY
0V 4 .3 V 4 .3 V 4 .3 V
D1 D2 截止 截止 截止 导通 导通 截止 导通 导通
Y=A+B
A B
≥1
Y
74LS00 的引脚排列图
74LS00内含4个2输入与非门, 74LS20内含2个4输入与非门。
非门、 2、TTL非门、或非门、与或非门、与门、或门及异或门 非门 或非门、与或非门、与门、 TTL非门
+VCC R1 3kΩ A T1 R2 750Ω T3 T2 R3 360Ω R5 3kΩ T4 R4 100Ω VCC 4A 4Y 5A 5Y 6A 6Y 14 13 12 11 10 9 8
Y
T5
74LS04 1 2 3 4 5 6 7
1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND TTL 反相器电路 6 反相器 74LS04 的引脚排列图
①A=0时,T2、T5截止,T3、T4导通,Y=1。 ②A=1时,T2、T5导通,T3、T4截止,Y=0。
Y = A
TTL或非门
+VCC R1 T1 R'1 B T '1 T '2 TTL 或非门电路 R2 T3 A T2 R3 R5 T4 R4 VCC 3Y 3B 3A 4Y 4B 4A 14 13 12 11 10 9 8
D uo=+VDD S
四、 分立元件门电路
1、二极管与门
+VCC(+5V) R 3kΩ
A
0 0 1 1
B
0 1 0 1
Y
0 0 0 1
5V
D1 A D2 B
Y
0V
uA uB
0V 0V 0V 5V 5V 0V 5V 5V
uY
0.7V 0.7V 0.7V 5V
D1 D2 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止
场效应管的开关特性 三 *、场效应管的开关特性 +VDD D G ui S
0 UT uGS(V) 0 iD (mA) iD (mA) uGS=10V 8V 6V
RD
ui
4V 2V uDS(V)
工作原理电路 截止状态 RD G ui<UT +VDD
转移特性曲线 导通状态 G ui>UT
输出特性曲线 +VDD RD D uo≈0 S
iB>IBS 发射结正偏 集电结正偏 uBE>0,uBC>0 iC=ICS uCE=UCES= 0.3V 很小, 相当开关闭合
Rc Rb
b iB
+VCC iC uo c
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