第二章_半导体三极管及其基本电路(附答案)[1].
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
2021/5/27
20
6．图示电路中，已知2CW5的参数如下：
稳定电压UZ 1V2，最大稳定电流IZM2m 0 ，A若流经电
压表V的电流可忽略不计。求：
1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为
多少？
V：12V A1：12mA A2：6mA
2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？ IZ：12mA
20.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多大，其 中影响最大的是＿＿＿＿＿＿ 。
晶体管。
3.设晶体管的压降 U CE 不变，基极电流为20μA时，集电 极电流等于2mA，则 =_1_0_0_。若基极电流增大至
25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA，则 =__1_2_0。
2021/5/27
26
4.三极管的电流放大作用是指三极管的＿集＿电＿极＿＿ 电流约是＿＿基＿极＿＿电流的倍，即利用＿基＿极＿ ＿＿电流，就可实现对＿集＿电＿极＿＿电流的控制。
以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，
UBE等于＿发＿射＿＿。
集电
11.晶体三极管放大电-0路.3中V 三个电极的电位分别为
,试判断三极管的
V 类1 型 是4 V ＿,V ＿2 ＿ ＿1 .，2 V 材,V 料3 是 ＿1 .＿5 V ＿＿。
PNP
锗
2021/5/27
28
新版西华大学电子信息考研经验考研参考书考研真题
在决定考研的那一刻，我已预料到这一年将是怎样的一年，我做好了全身心地准备和精力来应对这一年枯燥、乏味、重复、单调的机械式生活。可是虽然如此，我实在是一个有血有肉的人呐，面对诱惑和惰性，甚至几次妥协，妥协之后又陷入对自己深深的自责愧疚当中。这种情绪反反复复，曾几度崩溃。
所以在此想要跟各位讲，心态方面要调整好，不要像我一样使自己陷入极端的情绪当中，这样无论是对自己正常生活还是考研复习都是非常不利的。
所以我想把这一年的经历写下来，用以告慰我在去年饱受折磨的心脏和躯体。告诉它们今年我终于拿到了心仪学校的录取通知书，你们的付出和忍耐也终于可以扬眉了。
知道自己成功上岸的那一刻心情是极度开心的，所有心酸泪水，一扫而空，只剩下满心欢喜和对未来的向往。
首先非常想对大家讲的是，大家选择考研的这个决定实在是太正确了。非常鼓励大家做这个决定，手握通知书，对未来充满着信念的现在的我尤其这样认为。当然不是说除了考研就没有了别的出路。只不过个人感觉考研这条路走的比较方便，流程也比较清晰。没有太大的不稳定性，顶多是考上，考不上的问题。
而考得上考不上这个主观能动性太强了，就是说，自己决定自己的前途。所以下面便是我这一年来积攒的所有干货，希望可以对大家有一点点小小的帮助。
由于想讲的实在比较多，所以篇幅较长，希望大家可以耐心看完。文章结尾会附上我自己的学习资料，大家可以自取。
西华大学电子信息的初试科目为：
（101）思想政治理论(204)英语二(302)数学二(821)电路原理或(822)电子技术(数、模)
跟大家先说一下英语的复习吧。
电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答
第二章
半导体三极管及其电路分析
题 有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200µA；另一个β=50，I CEO =10µA 其余参数大致相同。你以为应选用哪个管子较稳固？
解： 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳固。
题 有甲、乙两个三极管一时识别不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压别离为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =。试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们别离是NPN 型仍是PNP 型，是锗管仍是硅管？
解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管， 其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题 共射电路如图题所示。现有以下各组参数：
（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =Ω，β=100
（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =Ω，β=100
（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =Ω，β=80
（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50
判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。
图题解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)；
(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)；
(3)工作在放大状态(工作在放大区)；
(4)工作在放大状态(工作在放大区)。
题 从图题所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
新版天水师范学院电子信息考研经验考研参考书考研真题
经过一年的努力奋斗终于如愿以偿考到自己期望的学校，在这一年的时间内，我秉持着天将降大任于斯人也必先苦其心志劳其筋骨饿其体肤空乏其身的信念终于熬过了这段难熬却充满期待和自我怀疑的岁月。
可谓是痛并快乐着。
在这期间，我不止一次地怀疑自己有没有可能成功上岸，这样的想法，充斥在我的头脑中太多次，明知不可想这么多，但在休息时，思想放空的时候就会凭空冒出来，难以抵挡。
这对自己的心绪实在是太大的干扰，所以在此想跟大家讲，调整好心态，无论成功与否，付出自己全部的努力，到最后，总不会有那种没有努力过而与成功失之交臂的遗憾。
总之就是，付出过，就不会后悔。
在此，我终于可以将我这一年来的所有欣喜，汗水，期待，惶惑，不安全部写出来，一来是对这一重要的人生转折做一个回顾和告别，再有就是，希望我的这些经验，可以给大家以借鉴的作用。无论是心态方面，考研选择方面，还是备考复习方面。都希望可以跟大家做一个深入交流，否则这一年来的各种辛酸苦辣真是难吐难吞。
由于心情略微激动了些，所以开篇部分可能略显鸡汤，不过，认真负责的告诉大家，下面的内容将是满满的干货。
只是由于篇幅过长还望大家可以充满耐心的把它看完。文章结尾会附赠我的学习资料供各位下载使用。
天水师范学院电子信息的初试科目为：
（101）思想政治理论(204)英语二(302)数学二(849)电子技术
参考书目为：
《电子技术基础》(模拟部分和数字部分)，康华光著，高等教育出版社.
关于英语复习的建议
考研英语复习建议:一定要多做真题，通过对真题的讲解和练习，在不断做题的过程中，对相关知识进行查漏补缺。对于自己不熟练的题型，加强训练，总结做题技巧，达到准确快速解题的目的。
《电子技术基础》练习册
第一章整流滤波电路
一、填空题
1、把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。
2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。
3、利用二极管的，可将交流电变成。
4、根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。
6、硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。
7、整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。
8、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。
10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
11、发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。
12、整流是把转变为。滤波是将转变为。电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。
13、设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流
电压U L（AV）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（AV）= 。
14、除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。
15、常用的整流电路有和。
16、为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。
17、电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。
18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程
半导体三极管及其基本放大电路半导体三极管
iC
T2 > T2
温度每升高1 C， 0.5% 1%
输出特性曲线间距增大
iB
=
0 uCE
第二章 半导体三极管
2.1.2 晶体三极管的主要参数
一、电流放大系数
1. 共发射极电流放大系数
4 iC / mA
50 µA 40µA
— 直流电流放大系数
3
ICN IC ICBO IC 2
（基区空穴运动因浓度低而忽略）
IB
2) 电子到达基区后
大部分向BC结方向扩散，形成ICN
I BN
IE
少部分与空穴复合，形成 IBN 。
基区空穴来源：
基极电源提供( IB ) 集电区少子漂移 (ICBO)
即：I BN I B + I CBO IB = IBN – ICBO
3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 I C
IE = IC + IB
IC IB ICEO IE (1 ) IB ICEO
IE IC IB
IC IB IE (1 ) IB
第二章 半导体三极管
2.1.2 晶体三极管的特性曲线
iC
一、输入特性
iB f (uBE) uCE常数 uCE 0 与二极管特性相似
第二章 半导体三极管
第 2 章 半导体三极管 (Semiconductor Transistor)
三极管,笔试
竭诚为您提供优质文档/双击可除
三极管,笔试
篇一：三极管单元测试题
三极管单元测试题
一、单选题(每题2分)
1.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。
a.u(bR)ceou(bR)cbou(bR)ebo
b.u(bR)cbou(bR)ceou(bR)eb o
c.u(bR)cbou(bR)ebou(bR)ceo
d.u(bR)ebou(bR)ceou(bR)cb o
2.某三极管的pcm100mw,icm20ma,u(bR)ceo15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。
a.uce3V,ic10ma
b.uce2V,ic40ma
c.uce6V,ic20ma
d.uce20V,ic2ma
3.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中
三极管的工作状态为（
）。
a.截止
b.饱和
c.放大
d.无法确定
4.（）具有不同的低频小信号电路模型。
a.npn管和pnp管
b.增强型场效应管和耗尽型场效应管
c.n沟道场效应管和p沟道场效应管
d.三极管和二极管
5.（）情况下，可以用h参数小信号模型分析放大电路。
a.正弦小信号
b.低频大信号
c.低频小信号
d.高频小信号
6.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压uce=0.3V，则此时三极管工作于（状态。
a.饱和
b.截止
c.放大
d.无法确定
7.已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（
）。
a.增强型pmos
b.增强型nmos
c.耗尽型pmos
d.耗尽型nmos
8.下面的电路符号代表（）管。
１）
a.耗尽型pmos
b.耗尽型nmos
c.增强型pmos
模拟电子技术基础习题(判断题)2
第1页 共2页 模拟电子技术基础习题（判断题）
判断下列各题，在题后括号内，正确的打“√”，错误的打 “X ”。
二、半导体二极管及其基本电路
1. 稳压管的稳压区是工作在反向击穿区。（ ）
三、半导体三极管及放大电路基础
2. 某电路中晶体三极管的符号如题2图，测得各管脚电位标在
图上，则该管所处工作状态为放大状态。（
3. 已知某晶体三极管的V BE =0.7V,V CE =0.3V,则该管是由锗材料
制造的。（ ）
4. 将两个晶体二极管背靠背连接可构成一只晶体三极管。
（ ）
5. 已知某晶体三极管的V BE =0.7V,V CE =0.3V,则该管工作在饱和
区。（ ）
6. 晶体管的输入电阻r be 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ ）
7. 具有相同参数的放大电路，在组成一个两级放大器时，它
的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降
6dB 。（ ）
8. 通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的
电流放大作用。（ ）
9. 当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约
下降到中频时的0.5倍。（ ） 10. 测出某三极管V BE =0.7V ，V CE =0.3V ，则该管工作
在截止工作区。（ ）
11. 题11图电路能实现正常电压放大作用。（ ）
四、场效应管放大电路
12. 就V GS 而言，增强型MOS 管是双极性的。
（ ）
13. 题13图所示电路能够放大正弦交流信号，设图
中所有电容对交流信号均可视为短路。
（ ）
14. 题14图所示电路是能够放大正弦交流信号。
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
一、单项选择题
1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。(2 分)
A.NPN管的集电极
B.PNP管的集电极
C.NPN管的发射极
D.PNP管的基极
2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、
-14V,下列符合该三极管的有( )。(2 分)
A.PNP型三极管
B.硅三极管
C.1脚是发射极
D.2脚是基极
3.一般要求放大电路的( )。(2 分)
A.输入电阻大,输出电阻大
B.输入电阻小,输出电阻大
C.输入电阻大,输出电阻小
D.输入电阻小,输出电阻小
4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。(2 分)
A.用R×1挡或R×10挡
B.先判别出基极B
C.先判别出发射极E
D.不需判别是NPN还是PNP
5.三极管按内部结构不同,可分为( )。(2 分)
A.NPN型
B.PNP型
C.硅管
D.锗管
6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。(2 分)
A.51
B.100
C.-5000
D.1
7.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。(2 分)
A.频率相同
B.波形相似
C.幅度相同
D.相位相反
8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。(2 分)
A.β=50,I CEO=0.5 mA
B.β=140,I CEO=2.5 mA
C.β=10,I CEO=0.5 mA
9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。(2 分)
电子技术试题及答案 (
《电子技术基础》题库
适用班级： 2012 级电钳 3、4、5、6 班
备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、 填空题：
第一章半导体二极管
○ 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体， 半导体 和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是 半导体 。 ○3、半导体具有 热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN 结正偏时， P 区接电源的 正极， N 极接电源的负极。 ○5、PN 结具有 单向导电 特性。 ○6、二极管的 P 区引出端叫 正极 或阳极， N 区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为 硅二极管 和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、 稳压二极管 、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是 二极管正极接电源的正极 ，负极接电源的负极；反响接法 相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约 0.7V ，锗二极管导通时的管压降约 0.3V 。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是 最大整流电流 ，最高反向电压和反向电 流。
★12、发光二极管将电信号转换为 光信号 。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中， 通过改变其 反向偏置电压 来 自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为 零。 第二章半导体三极管及其放大电路
○15、三极管是 电流 控制元件。 ○ 16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 变大，发射结压降 变小 。 Δ 18、 三极管处在放大区时， 其 集电结 电压小于零， 发射结 电压大于零。 ★19、三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。 Δ20、 三极管实现放大作用的内部条件是： 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度， 同时基区厚度要很小 . Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当 I B 从 12μA 增大到 22μA 时， I C 从 1mA 变为 2mA ，那么它的 β 约为 100 。
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及
其基本应用
1.1填空题
1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体,其多数载流子是3±—;若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体,其多数载流子是空穴o
3. PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为V,该二极管的直流电阻等于650 交流电阻
等于26 Q。
1. 2单选题
1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）。
A.温度
B.掺杂工艺
C.掺杂浓度
D.晶格缺陷
2. PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。
A.价电子
B.自由电子
C.空穴
D.杂质离子
3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B ）。
A.减小
B.基本不变
C.增大
4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C ）o A.增大B.基本不变C.减小
5.变容二极管在电路中主要用作（D ）o、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器
1.3是非题
1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（V ）
2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（X ）
3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。（X ）
电子技术——半导体三极管及其基本电路参考答案
第二章半导体三极管及其基本电路参考答案一、填空题
1发射极，集电极，基，集电
2、共基电路，共射电路，共集电路。
3、输入特性，输出特性
4、I B，V BE
5、合适的静态工作点，幅度适中
6、截止，减小，增大
7、输出电压，输入电压
8、基极，集电极
9、电压，电流
10、发射，集电
11、饱和，NPN
12b，e，c ，NPN，硅
13、发射结正偏、集电结反偏，I E=I C+I B
14、增加，上移
15、增大，减小
16、电容，电源
17、信号源，负载
18、阻容耦合，直接耦合，变压器耦合。
19、第一级，输入级，差动放大电路
20、阻容耦合，直接耦合，阻容耦合
22、提高（增加），增加
22、降低，降低
23、直流，负，串联
24、AF＞1，φA＋φF＝2nπ（n=0,1,2,…）
25、RC，LC
26、振幅平衡、相位平衡
27、放大器、反馈网络
28、甲类，乙类，甲乙类
29、PO输出功率，PD直流电源供给功率，η/效率，乙
30、甲类，甲乙类，乙类，甲乙类
二、选择题
1、A
2、B
3、C
4、C
5、D
6、D
7、D
8、A
9、A
10、C 11、B
12、A
13、D
14、B
15、C
16、A
17、B
18、C
19、C
20、D
21、A
22、B
23、B
24、B
25、B
26、D
27、C
28、A
29、B
30、C
31、A
32、D
33A
30、D
35、D
36、A
37、B
38、D
39、C
40、D、A
41、B
42、C
43、C
44、C
45、B
46、B
47、D
48、D
49、B
50、B
51、D
52、B
53、B
54、C
55、B
56、C
57、D
58、C
59、B
60、D
电子技术基础试题
。电子技术基础试题库（第四版）
第一章:半导体二极管
一、填空题
1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体
2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止
3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
0.7、0.3
4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压
5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________
小、好
6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体，
绝缘体，半导体
7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结
_________。单向导电性，导通，截止
二，判断题
１、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N
２、二极管是线性元件。（）N
３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N
４、二极管具有单向导电性。（）Y
５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N
６、二极管加正向压时一定导通（）N
7、晶体二极管是线性元件。（）N
8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y
模电第2章 作业答案
模拟电子技术作业答案
班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路
1．简答题：
（1）放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？
答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。
（2）说明利用三极管组成放大电路的基本原则。
答：不论那种组态的放大电路，如果希望能够正常放大信号，必须遵守以下原则。
①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数，以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点，使三极管工作在放大区。
②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上，经过三极管放大后，又能传给放大电路的下一级或负载。
(3) 分析放大电路有哪几种方法？几种方法分别有什么特点？
答：分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。近似法简洁、精确，工程上常用来分析放大电路的静态工作点；微变等效法方便分析放大电路的动态；图解法直观，可同时用于分析放大电路的静态和动态。
（4）共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法，而反相电压放大器，电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系，如何从物理概念上来理解？
答：共射电路有电压放大作用，且输出电压与输入电压相位相反。为此，称这种放大电路为反相电压放大器。共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。因此，可将这种放大电路称为电压跟随器。共基电路有输出电流与输入电流接近相等。为此，可将它称为电流跟随器。
(完整版)半导体三极管及其放大电路练习及答案
a 电压b 电流c 功率答案：a
30.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：b
31.与空载相比， 接上负载后，放大电路的动态范围一定
a 不变b 变大c 变小答案：c
32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为
21.引起上题 放大电路输出波形失真的主要原因是a 输入电阻太小 b 静态工作点偏低 c 静态工作点偏高答案：c
23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的a 输出功率 b 静态工作点 c 交流参数
答案：c
25.既能放大电压，也能放大电流的是放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：a
26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是
a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c
19在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位
a 同相b 反相c 相差 90度答案：b
20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是失真
a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a
a 阻容耦合b 变压器耦合c 直接耦合
38.若三级放大电路的Au1 =Au2=30dB，Au3=20dB，电路将输入信号放大了倍。
模拟电子技术基础第三版课后答案王远
模拟电子技术基础第三版课后答案王远
【篇一：模电资料】
术基础是高等院校电气、信息类（包括原自动化、电气类、电子类）专业知识平台重要核心课程，是学生在电子技术入门阶段的专业基
础课。
课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容，工程实践性
很强。课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、
基本知识及基本分析方法。旨在培养学生综合应用能力、创新能力
和电子电路计算机分析、设计能力。课程学习完成能为学生以后深
入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础；其一是正
确使用电子电路特别是集成电路的基础；其二是为将来进一步学习
设计集成电路专用芯片打好基础。
《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论，基
本知识和基本技能。本课程在介绍半导体器件的基础上，重点要求
掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器
及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和
设计方法，使学生具有一定的实践技能和应用能力。培养学生分析
问题、解决问题的能力和创新思维能力，为后续课程和深入学习这
方面的内容打好基础。
教学大纲
一、课程名称
模拟电子技术基础 analog electronics
二、学时与学分
本课程学时： 60学时(课内) 本课程学分： 3.5学分
三、授课对象
电类本科生、专科生
四、先修课程
电路理论、电路测试与实验技术
五、教学目的
《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程，是实践性
很强的技术基础课。课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第二章半导体三极管及其基本电路
一、填空题
1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。
11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于
区的型的三极管。
12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：
a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；
b．管型是（NPN，PNP）；
c．材料是（硅，锗）。
13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。
14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。
15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。
16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。
17、(2-2，低)在多级放大器里。前级是后级的，后级是前级的。
18、(2-2，低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式有：，，。
19、(2-2，中)输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动，因此要抑制零漂，首先要抑制的零漂。目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
20、(2-2，中)在多级放大电路的耦合方式中，只能放大交流信号，不能放大直流信号的是放大电路，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是放大电路，放大电路各级静态工作点是互不影响的。
22、(2-3，低)串联负反馈电路能够输入阻抗，电流负反馈能够使输出阻抗。
22、(2-4，低)放大电路中引入电压并联负反馈，可______输入电阻，_______输出电阻。
23、(2-4，中)在放大电路中，为了稳定静态工作点，宜引入________反馈；要展宽频、稳定增益，宜引入_______反馈；为了提高输入阻抗，宜引入_________反馈。
24、(2-4，难)正弦波振荡器的振幅起振条件是、相位起振条件是。
25、(2-4，难) 振荡器用来产生低频信号，而振荡器一般用来产生高频信号。
26、(2-4，低)要使电路产生稳定的振荡，必须满足和两个条件。
27、(2-4，低)正弦波振荡电路一般是由和组成，此外电路还应包含有选频网络和稳幅环节。
28、(2-5，低)常见的功率放大电路从功放管的工作状态分有________，_________，__________几种类型。
29、(2-5，难)功率放大器的性能指标主要有：，和；低频功率放大器主要有甲类、乙类和甲乙类等几种类型，最常用的是类功率放大器。
30、(2-5，中)甲类、乙类和甲乙类放大电路中，____________电路导通角最大；__________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
1、发射极，集电极，基，集电
2、共基电路，共射电路，共集电路。
3、输入特性，输出特性
4、I B，V BE
5、合适的静态工作点，幅度适中
6、截止，减小，增大
7、输出电压，输入电压8、基极，集电极9、电压，电流
10、发射，集电11、饱和，NPN 12、b，e，c ，NPN，硅13、发射结正偏、集电结反偏，I E=I C+I B 14、增加，上移15、增大，减小
16、电容，电源17、信号源，负载18、阻容耦合，直接耦合，变压器耦合。
19、第一级，输入级，差动放大电路20、阻容耦合，直接耦合，阻容耦合
22、提高（增加），增加22、降低，降低23、直流，负，串联
24、AF＞1，φA＋φF＝2nπ（n=0,1,2,…）25、RC，LC 26、振幅平衡、相位平衡
27、放大器、反馈网络28、甲类，乙类，甲乙类
29、PO输出功率，PD直流电源供给功率，η/效率，乙30、甲类，甲乙类，乙类，甲乙类
二、选择题
1、(2-1，中)下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE B、V BE<0，V BE C、V BE>0，V BE>V CE时 D、V BE<0，V BE>V CE时 2、(2-1，中)工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。 A、10 B、50 C、80 D、100 3、(2-1，低)NPN型和PNP型晶体管的区别是。 A、由两种不同的材料硅和锗制成的 B、掺入的杂质元素不同 C、P区和N区的位置不同 D、管脚排列方式不同 4、(2-1，难)三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是 A、B、C、D、 5、(2-1，低)当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将 A、增大 B、减少 C、反向 D、几乎为零 6、(2-1，低)为了使三极管可靠地截止，电路必须满足 A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结反偏，集电结正偏 C、发射结和集电结都正偏 D、发射结和集电结都反偏 7、(2-1，中)检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量 A、I BQ B、U BE C、I CQ D、U CEQ 8、(2-1，中)对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。 A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定 9、(2-1，低)某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是U A=2.3V，U B=3V，U C=0V，则此三极管一定是 A、PNP硅管 B、NPN硅管 C、PNP锗管 D、NPN锗管 10、(2-1，难)电路如图所示，该管工作在。 A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定 11、(2-1，中)测得三极管I B=30μA时，I C = 2.4mA ；I B=40μA时， I C = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。 A、80 B、60 C、75 D、100 12、(2-1，中)当温度升高时，半导体三极管的β、穿透电流、U BE