第二章_半导体三极管及其基本电路(附答案)[1].
电子课件电子技术基础第六版第二章半导体三极管及放大电路
(2)静态工作点的调整 (3)图解分析放大器的动态工作情况 (4)波形失真与静态工作点的关系 1)静态工作点偏高易引起饱和失真。 2)静态工作点偏低易引起截止失真。
§2-3 分压式射极偏置电路
学习目标
1. 了解影响静态工作点稳定的主要因素。 2. 掌握分压式射极偏置电路的结构特点。 3. 理解分压式射极偏置电路稳定静态工作点的原理, 会进行简单的计算。
放大器动态工作时,各电极电压和电流的工作波形,如图 所示。
共射极基本放大电路各极电压和电流的工作波形
三、共射极放大电路的分析方法
对放大电路进行定量分析,常用的分析方法是近似估算法 和图解分析法。现以共射极放大电路为例进行分析,其他接 法的放大电路或更为复算法 已知电路各元器件的参数,利用公式通过近似计算来分析 放大器性能的方法称为近似估算法。在分析低频小信号放大 器时,一般采用估算法较为简便。
当放大器输入交流信号后,由于放大器中总是同时存在着 直流分量和交流分量两种成分,而放大器中通常都存在电抗 元件,所以直流分量和交流分量的通路是不一样的。在进行 电路分析和计算时,把两种不同分量作用下的通路区别开来 ,将使电路的分析更为简便。
(1)近似估算放大器的静态工作点 (2)近似估算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大 倍数
放大器的输入电阻和输出电阻
2)输出电阻 ro 对负载来说,放大器又相当于一个具有内阻的信号源,这
个内阻就是放大电路的输出电阻。
3)电压放大倍数 Au 放大器的电压放大倍数是指输出电压 uo 与输入电压 ui 的 比值。
2. 图解分析法 利用三极管的输入、输出特性曲线和电路参数,通过作图 来分析放大器性能的方法,称为图解分析法,简称图解法。 (1)图解分析放大器的静态工作点 1)求 IBQ 2)作直流负载线 3)确定静态工作点
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1. 杂质半导体有哪些?与本征半导体相比导电性有什么不同?答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种,比本征半导体导电性能增强很多。
2.什么是PN 结?PN 结最基本的特性是什么? 答;P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起,在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3. 什么是半导体?半导体有哪些特性?答:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1. 在下图所示电路中,哪一个灯泡不亮?答:b 不亮2.如图所示的电路中,试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件(R ,VD A ,VD B )中通过的电流;(1)U A =U B =0V ;(2)U A =+3V ,U B =0V ;答:(1)V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I (2)D B 导通,D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3. 在下图所示电路中,设二极管是理想二极管,判断各二极管是导通还是截止?并求U AO =?答:a)图中,二极管导通,U AO=-6V;b)图,二极管截止,U AO=-12V;c)图V1导通,V2截止,U AO=0V。
II类题一、简答题1.从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?答:硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右;硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右;硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2.光电二极管和发光二极管有什么区别?答:发光二极管将电信号转化成光信号,工作时加正向电压;光电二极管将光信号转化成电信号,工作时加反向电压。
3.为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大?答:因二极管的非线性。
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案:b10.对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案:c11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案:b12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案:a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案:c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案:a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时,下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案:c16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案:b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案:b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ,则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案:c19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案:b20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案:a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案:c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案:c25. 既能放大电压,也能放大电流的是 _________ 放大电路。
电子技术半导体器件2 内容及习题
电子技术网络授课半导体器件2内容及习题6.2 三极管学习要求:理解掌握三极管的基本构造、电流放大作用、伏安特性和主要参数,会用万用表判断三极管的管型和管脚极性6.2.1 三极管的基本构造和符号6.2.2 三极管的工作状态1、三极管的工作电压和基本连接方式(观看视频)共射极接法E1为基极电源,又称偏置电源 Rb为基极电阻 VT三极管 Rc集电极电阻 E2集电极电源另外还有共基极和共集电极接法,如下图所示。
最常用的是共发射极接法。
三极管的基本作用是放大电信号。
三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。
2、三极管的电流放大作用(观看视频)1)三极管的电流放大作用——基极电流 IB 微小的变化,引起集电极电流 IC 较大变化。
2)交流电流放大系数β——表示三极管放大交流电流的能力ββ=ΔΔII CCΔΔII BB3)直流电流分配关系II EE=II CC+II BB(观看视频)4)直流电流放大系数ββ̄ —— 表示三极管放大直流电流的能力ββ̄=II CC II BB5)通常ββ=ββ̄,II CC=ββ̄II BB,所以可表示为II CC=ββII BB3、三极管的伏安特性(视频:三极管的输出特性)1)伏安特性的概念:2)输入特性曲线是指三极管集电极-发射极电压UU BBEE为某一定值时,输入回路中基极电流II BB和发射结偏压UU BBEE之间的关系曲线。
由于发射结正向偏置,所以等效成一个二极管,因此三极管的输入特性就是二极管的伏安特性。
当UU BBEE很小时,II BB =0,三极管截止,只有UU BBEE大于死区电压(硅管0.5V/锗管0.2V)时,三极管导通。
导通后UU BBEE几乎不变,硅管约0.7V,锗管约0.3V2)输出特性曲线是指三极管基极电流II BB为某一定值时,输出端集电极电流II CC与集电极-发射极间的电压UU CCEE的关系曲线,不同的II BB会得到不同的曲线,故三极管的输出特性曲线是一个曲线族(1)截止区:在II BB=0这条曲线以下的区域。
电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答
第二章半导体三极管及其电路分析题 有二个晶体管,一个β=200,I CEO =200µA;另一个β=50,I CEO =10µA 其余参数大致相同。
你以为应选用哪个管子较稳固?解: 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳固。
题 有甲、乙两个三极管一时识别不出型号,但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压别离为:甲管V X =9V ,V Y =6V ,V Z =;乙管V X =9V ,V Y =6V ,V Z =。
试分析三个电极中,哪个是发射极、基极、集电极?它们别离是NPN 型仍是PNP 型,是锗管仍是硅管?解: 甲管为NPN 型硅管,其中X 为C 极,Y 为E 极,Z 为B 极;乙管为PNP 型锗管, 其中X 为C 极,Y 为E 极,Z 为B 极。
题 共射电路如图题所示。
现有以下各组参数:(1) V CC =15V ,R b =390k Ω,R c =Ω,β=100(2) V CC =18V ,R b =310k Ω,R c =Ω,β=100(3) V CC =12V ,R b =370k Ω,R c =Ω,β=80(4) V CC =6V ,R b =210k Ω,R c =3 k Ω,β=50判定电路中三极管T 的工作状态(放大、饱和、截止)。
图题解: (1)工作在放大状态(工作在放大区);(2)工作在饱和状态(工作在饱和区);(3)工作在放大状态(工作在放大区);(4)工作在放大状态(工作在放大区)。
题 从图题所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
(1) 是锗管仍是硅管?(2) 是NPN 型仍是PNP 型?(3) 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种?或是已经损坏?(指出哪个结已坏,是烧断仍是短路?)[提示:注意在放大区,硅管V V V V E B BE 7.0≈-=,锗管V V BE 3.0≈,且E C CE V V V -=>;而处于饱和区时,V V CE 7.0≤。
第二章半导体三极管与分立元件放大电路
IC IB
IE(1)IB
三、三极管的电流放大作用
(1)三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控 制了集电极电流IC较大的变化。
(2)三极管放大电流时,被放大的IC是由电源VCC提供 的,并不是三极管自身生成的,放大的实质是小信号对大信 号的控制作用。
(3)三极管是一种电流控制器件。
UB
Rb 2V CC Rb1 Rb2
若电路满足I1≥(5~10)IB,UB≥(5~10)UBE由上式可知, UB由Rb1、Rb2分压而定,与温度变化基本无关。
如果温度升高使IC增大,则IE增大,发射极电位UE=IERe升 高,结果使UBE=UB-UE减小,IB相应减小,从而限制了IC的增 大,使IC基本保持不变。上述稳定工作点的过程可表示为
这个值时,放大性能下降或损坏管子。
(2)反向击穿电压(Reverse breakdown voltage) U(BR)CBO : 发射极开路时,集电极-基极之间允许施加的最高 反向电压,超过此值,集电结发生反向击穿。 U(BR)EBO : 集电极开路时,发射极-基极之间允许施加的最高反 向电压。 U(BR)CEO:基极开路时,集电极与发射极之间所能承受的最高反 向电压。为可靠工作,使用时VCC取U(BR)CEO的1/2或2/3。在输出特 性曲线中,iB=0的曲线开始急剧上翘所对应的电压即为U(BR)CEO , 其值比U(BR)CBO小。T↑,U(BR)↓。
图(b)的电路,由于C1的隔断直流作用,VCC不能通过Rb 使管子的发射结正偏即发射结零偏,因此三极管不工作在放大 区,无放大作用。
2.2.4 共射基本电路的静态工作点
一般,三极管的UBE可视为已知量,硅管│UBE│取0.7V, 锗管│UBE│取0.2V,VCC>>UBE。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
1)开关S合上时,电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为
多少?
V:12V A1:12mA A2:6mA
2)开关S打开时,流过稳压管的电流为多少? IZ:12mA
3)开关S合上,且输入电压由原来30 V上升到33 V时,
此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少?
V:12V
A1:14mA A2:6mA
7.电路如图所示,试估算输出电压 U o 1 和 U o 2,
并标出输出电压对地极性。
-
-45V
+
+9V
8.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示
u2102si n t( V )试求:
(1)画出图中4只二极管和滤波电容(标出极性);
(2)正常工作时,Uo =? 12V
(3)若电容脱焊,Uo=? 9V
_偏置。
正向
反向
7.当_三_极管工作_在偏_置截_,止_集_电区极时_,_I_C≈偏0置;。发射极_
零或反向
反向
8.当_三正_极向_管_工偏作置在,_集_饱电_和极__区_正时_向,_U偏CE置≈。0。发射极
9.当NPN硅管处在放大状态时,在三个电极电位中, 以____集极电的电位最高,___发_射极电位最低, ____极基和____极发电射位差等于____。
28V
(5)若其中一个二极管开路,Uo =? 20V
10. 试分析图示电路的工作原理, 标出电容电压的极性和 数值,并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。
+
+
约
+
+
2 U 2 、 22 U 2 、 32 U 2 、 42 U 2
第二章 半导体三极管
一、填充题
1.三极管从结构上看可以分成__N_PN__和__PN_P__ 两种类型。
第二章_半导体三极管及其基本电路(附答案)[1]
第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1,中)当半导体三极管的正向偏置,反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。
2、(2-1,低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为,,三种。
3、(2-1,低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1,中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。
5、(2-1,低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R B,使其,则I B,这样可克服失真。
7、(2-1,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1,低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1,低)共射组态既有放大作用,又有放大作用。
10、(2-1,中)共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极为输出端。
11、(2-1,难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、(2-1,难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V,②2.8 V,③5V,试判断:a.①脚是,②脚是,③脚是(e, b,c);b.管型是(NPN,PNP);c.材料是(硅,锗)。
13、(2-1,中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。
14、(2-1,低)温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致I C,静态工作点。
15、(2-1,低)一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而,发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。
16、(2-1,低)画放大器交流通路时,和应作短路处理。
17、(2-2,低)在多级放大器里。
前级是后级的,后级是前级的。
电子技术试题及答案
电子技术试题及答案-(《电子技术基础》题库适用班级:2012级电钳3、4、5、6班备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。
一、填空题:第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类;○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。
★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。
第2章--半导体三极管及放大电路基础讲解
上一页
返回
2.2 场效应晶体管
3.结型场效应管的特性曲线(以N沟通结型场效应管为例) (1) 转移特性曲线据这个函数关系可得出它的特性曲线如图所示。
2.2 场效应晶体管
返回
上一页
下一页
(2) 输出特性曲线。 与三极管类似,输出特性曲线也为一簇曲线,如图所示。 可变电阻区(相当于三极管的饱和区) 恒流区(也称饱和区)(相当于三极管的放大区) 夹断区(相当于三极管的截止区)
可变电阻区
恒流区
截止区
i
(V)
(mA)
D
DS
u
GS
=6V
u
u
=5V
GS
=4V
u
GS
u
=3V
GS
下一页
2.3 基本交流电压放大电路
2.3.1 共射基本放大电路的组成
下一页
返回
图所示是一个典型的共射基本放大电路。电路中各元件的作用如下所述: (1)三极管T。它是放大电路的核心器件,具有放大电流的作用 (2)基极偏流电阻RB。其作用是向三极管的基极提供合适的偏置电流,并使发射结正向偏置。
2.1.3 半导体三极管的特性曲线
下一页
上一页
返回
IB(A)
UBE(V)
20
40
60
80
0.4
0.8
UCE1V
1.输入特性 输入特性是指在三极管集电极与发射极之间的电压UCE为一定值时,基极电流IB同基极与发射极之间的电压UBE的关系,即
2.1 半导体三极管
2. 输出特性 输出特性是指在基极电流为一定值时,三极管集电极电流IC同集电极与发射极之间的电压UCE的关系。即 在不同的IB下,可得出不同的曲线.所以二极管的输出特性曲线是一组曲线,
半导体二极管和三极管习题及答案
半导体二极管和三极管习题及答案一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的()价元素,形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后,()。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由()构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时,空间电荷区将()。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在()。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为()。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是()器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流12、场效应管是()器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻Rb的作用是()。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc的作用是()。
A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形,二者相位()。
电子技术——半导体三极管及其基本电路参考答案
第二章半导体三极管及其基本电路参考答案一、填空题1发射极,集电极,基,集电2、共基电路,共射电路,共集电路。
3、输入特性,输出特性4、I B,V BE5、合适的静态工作点,幅度适中6、截止,减小,增大7、输出电压,输入电压8、基极,集电极9、电压,电流10、发射,集电11、饱和,NPN12b,e,c ,NPN,硅13、发射结正偏、集电结反偏,I E=I C+I B14、增加,上移15、增大,减小16、电容,电源17、信号源,负载18、阻容耦合,直接耦合,变压器耦合。
19、第一级,输入级,差动放大电路20、阻容耦合,直接耦合,阻容耦合22、提高(增加),增加22、降低,降低23、直流,负,串联24、AF>1,φA+φF=2nπ(n=0,1,2,…)25、RC,LC26、振幅平衡、相位平衡27、放大器、反馈网络28、甲类,乙类,甲乙类29、PO输出功率,PD直流电源供给功率,η/效率,乙30、甲类,甲乙类,乙类,甲乙类二、选择题1、A2、B3、C4、C5、D6、D7、D8、A9、A10、C 11、B12、A13、D14、B15、C16、A17、B18、C19、C20、D21、A22、B23、B24、B25、B26、D27、C28、A29、B30、C31、A32、D33A30、D35、D36、A37、B38、D39、C40、D、A41、B42、C43、C44、C45、B46、B47、D48、D49、B50、B51、D52、B53、B54、C55、B56、C57、D58、C59、B60、D61、B62、A63、A64、B65、C66、B三、判断题1、错2、对3、错4、错5、错6、错7、错8、对9、错10、错11、错12、错13、错14、对15、错16、对17、错18、错19、对20、错21、错22、错23、错24、错25、错26、错27、错28、错29、错30、对31、错32、对33、错34、对35、对36、对37、对38、错39、错40、错41、错42、错43、对44、错45、对46、错47、错48、对49、错四、简答题1、(2-1,中)什么是静态工作点?静态工作点对放大电路有什么影响?答:放大电路在没有输入信号时所处的状态称为静态,又称直流状态。
电子技术基础第二单元《半导体三极管及其放大电路》测试卷
《电子技术基础》单元试卷班级: 姓名:学号:一、填空题:1、放大电路设置静态工作点的目的是。
2、放大器中晶体三极管的静态工作点是指、和。
3、在共射极放大电路中,输出电压u o和输入电压u i相位。
4、为防止失真,放大器发射结电压直流分量U BE比输入信号峰值U im,并且要大于发射结的。
5、画放大电路的直流通路时,把看成开路;画放大电路交流通路时,把和看成短路。
6、利用通路可估算放大器的静态工作点;利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。
7、小功率三极管的输入电阻r be= 。
8、放大电路中,静态工作点设置得太高,会使i C的半周期和u ce的半周期失真,称为失真;静态工作点设置的太低,会使i C的半周期和u ce的半周期失真,称为失真。
基本放大电路中,通常通过调整来消除失真。
9、若放大电路的电源电压U CC增大,其他条件不变,这放大器的静态工作点将移。
10、共射极基本放大电路中,若R B=240kΩ,R C=3Ω,U CC=12V,β=40,若忽略U BEQ,则I BQ= ,I CQ= ,U CEQ= ,A u= 。
11、在分压偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10kΩ,R C=2kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ,设U BEQ=0,则I CQ= ,I BQ= ,Au= 。
12、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。
13、多级放大器电路中每级放大电路的电压放大倍数分别为A u1、A u2、……、A un,则总的电压放大倍数为A u= 。
二、选择题:1、三极管构成放大器时,根据公共端不同,可有()种连接方式A、1B、2C、3D、42、放大器的静态是指()A、输入信号为零B、输出信号为零C、输入、输出信号均为零D、输入、输出信号均不为零3、表征放大器静态工作点的参数主要是指()A、I BQB、I EQC、U CEQD、I CQ4、放大电路的静态工作点是指输入信号()三极管的工作点A、为零时B、为正时C、为负时D、很小时5、放大电路工作在动态时,为避免失真,发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常为()A、直流分量大B、交流分量大C、直流分量和交流分量相等D、以上均可6、放大器输出信号的能量来源是()A、电源B、晶体三极管C、输入信号D、均有作用7、在单管共发射极放大电路中,其输出电压与输入电压()A、频率相同B、波形相似C、幅度相同D、相位相反8、放大器的交流通路是指()A、电压回路B、电流通过的路径C、交流信号流通的路径D、直流信号流通的路径9、某放大器的电压放大倍数为Au=-100,其负号表示()A、衰减B、表示输出信号与输入信号相位相同C、放大D、表示输出信号与输入信号相位相反10、当放大电路设置合适静态工作点时,如加入交流信号,这时工作点将()A、沿直流负载线移动B、沿交流负载线移动C、不移动D、沿坐标轴上下移动11、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号,这时基极电流的波形为图中()A B C12、已知电路处于饱和状态,要使电路恢复成放大状态,通常采用的方法是()A、增大电阻R BB、减小电阻R BC、电阻R B不变13、共发射极放大电路中,当输入信号为正弦电压时,输出电压波形的正半周出现平顶失真,则这种失真为()A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真D、频率失真14、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时,输出波形如图所示,则引起波形失真的原因是()A、静态工作天太高B、静态工作点太低C、静态工作点合适、但输入信号太大15、影响放大器工作点稳定的主要因素是()A、β值B、穿透电流C、温度D、频率16、在分压式射极偏置电路中,当环境温度升高时,通过三极管发射极电阻的自动调节,会使()A、U BE降低B、I B降低C、I C降低D、I C升高17、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为()A、3AuB、Au3C、Au18、阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于()A、第一级输入电阻B、各级输入电阻之和C、各级输入电阻之积D、末级输入电阻19、一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= —50,A u3=1,则总的电压放大倍数是()A、51B、100C、—5000D、120、多级放大器常见的耦合方式有()A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合三、判断题:1、放大器不设置静态工作点时,由于三极管的发射结有死区电压和三极管输入特性曲线的非线性,会产生失真()2、放大器带上负载后,放大倍数和输出电压都会上升()3、放大器具有能量放大作用()4、变压器能把电压升高,所以变压器也是放大器()5、放大器在工作时,电路同时存在直流和交流分量()6、放大电路的交流负载线比直流负载线陡()7、放电电路静态工作点过高时,在U CC和R C不变情况下,可增加基极电阻R B()8、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压的波动()9、放大电路的静态工作点一经设定后,不会守外界因素的影响()10、实际放电电路常采用分压式偏置电路,这是因为它的输入阻抗大()11、采用阻容耦合的放大电路,前后级的静态工作点互相影响()12、采用直接耦合的放大电路,前后级的静态工作点相互牵制()13、多级放大器总的电压放大倍数等于各级放大倍数之和()14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定()15、稳定静态工作点,主要是稳定三极管的集电极电流I C ()四、综合题:1、画出如图所示电路的直流通路和交流通路2、如图所示,在电路中,U CC=15V,R B=300kΩ,R C=3KΩ,R L=3kΩ,晶体三极管的β=50,求:(1)放大单路的静态工作点(2)放电电路的输入电阻、输出电阻(3)分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数3、单管放大电路与三极管特性曲线如图所示,已知U CC=12V,R B=200kΩ,R C=4kΩ,RL=4kΩ(1) 在输出特性曲线上做出直流负载线,并确定静态工作点(2)当RC由4kΩ增加到6kΩ,工作点将移至何处(3)当RB由200kΩ变为100kΩ时,工作点将移至何处(4)当电源电压由12V变为6V时,工作点将移至何处(5)在输出特性曲线上做出交流负载线3、在图所示电路中,RB1=60kΩ,RB2=20kΩ,RC=3kΩ,RE=2kΩ,RL=6kΩ,UCC=16V,β=50。
模拟电子技术综合复习(二)
9处于放大状态的NPN型晶体管,各电极的电 位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
10.处于放大状态的PNP型晶体管,各电极的 电位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V
二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、 2.3V和2V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和12V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.7V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
6、工作在放大状态的双极型晶体管是 ( )。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=1V,V2=1.3V,V3=-5V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e 8.用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e
电子技术基础(第五版)习题册参考答案
8. 正偏ꎻ 反偏ꎻ 正偏ꎻ 反偏ꎻ 零偏ꎻ 反偏ꎻ 零偏ꎻ 反偏
9. 控制ꎻ 用较小的电流控制较大的电流
10. U CE ꎻ I B ꎻ 无
238
11. 饱和ꎻ 截止ꎻ 发射ꎻ 集电
12. 增大ꎻ 增大ꎻ 减小ꎻ 向左移
13. 发射ꎻ 集电极与基极间的反向饱和
14. 较小ꎻ 不稳定
15. 放大ꎻ 开关
V CC 12
=
= 0 06 ( mA) = 60 ( μA)
R B 200
U CE = V CC - I C R C = 12 - 4I C
令 I C = 0ꎬ 则 U CE = 12 Vꎬ 得点 M (12ꎬ 0) ꎬ 令 U CE = 0ꎬ 则
8. 最大整流电流ꎻ 最高反向工作电压
9. 烧毁ꎻ 击穿
10. 硅ꎻ 稳压ꎻ 锗ꎻ 普通ꎻ 硅ꎻ 整流ꎻ 锗ꎻ 开关
11. 击穿ꎻ 开路
12. 小ꎻ 好
13. 电ꎻ 光ꎻ 光ꎻ 电ꎻ 发光二极管
二、 判断题
1.
8.
14.
× ꎻ 2.
× ꎻ 9.
× ꎻ 3.
× ꎻ 4. √ꎻ 5.
× ꎻ 10. √ꎻ 11.
× ꎻ 7. √ꎻ
× ꎻ 13. √ꎻ
三、 选择题
1. Cꎻ 2. Aꎻ 3. ACDꎻ 4. Aꎻ 5. Bꎻ 6. Aꎻ 7. Cꎻ 8. Aꎻ
9. ABDꎻ 10. Cꎻ 11. Cꎻ 12. Bꎻ 13. Dꎻ 14. Cꎻ 15. Bꎻ
16. Aꎻ 17. Cꎻ 18. Bꎻ 19. Cꎻ 20. Cꎻ 21. Aꎻ 22. Dꎻ
u o ( V)
0
0
导通 截止
0
半导体三极管及其放大电路练习及答案word精品
半导体三极管及其放大电路一、选择题1. 晶体管能够放大的外部条件是___________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:c2. 当晶体管工作于饱和状态时,其___________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:a3. 对于硅晶体管来说其死区电压约为__________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案:b4. 锗晶体管的导通压降约|UBE|为___________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的3为__________a 40b 50c 60答案:c6. 反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能 ___________a 越好b 越差c 无变化答案:a7. 与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能 ____________a 高b 低c 一样答案:a8. 温度升高,晶体管的电流放大系数__________a 增大b 减小c 不变答案:a9. 温度升高,晶体管的管压降|UBE| __________a 升高b 降低c 不变答案:b10. 对PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,____________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案:c11. 温度升高,晶体管输入特性曲线___________a 右移b 左移c 不变答案:b12. 温度升高,晶体管输出特性曲线___________a 上移b 下移c 不变答案:a12. 温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_____________a 不变b 减小c 增大答案:c12. 晶体管共射极电流放大系数 3 与集电极电流Ic 的关系是______________a 两者无关b 有关c 无法判断答案:a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic 时,下列说法正确的是 ____________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的 3 一定减小答案:c16. 对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强____________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案:b17. ___________________________________________________________________________测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V 、-8V 、-2.2V ,则该管为________________________________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案:b18. _______________________________________________________________________ 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V 、6V 、-2.2V ,则该管____________________________________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案:c19 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位 ______________a 同相b 反相c 相差90 度答案:b20 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案:a21. 引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是__________a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案:c23. 利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的___________a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案:c25. 既能放大电压,也能放大电流的是_____________ 放大电路。
(完整版)半导体三极管及其放大电路练习及答案
答案:×
60.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。()答案:×
三、解答题
r'
61.电路如图PT3.4所示,所有晶体管均为硅管,β均为60,试求:
(1)静态时T1管和T2管的发射极电流。
bb=100Ω,静态时|UBEQ|≈0.7V。
a zb 30MHzc 3MHz
52.单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时,输出电压的相位与中频区相比,在
量值上有度的附加值。
a180b 90c45
53 在单级阻容耦合放大电路的波特图中,
(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 20dB/ 十倍频, -20dB/ 十倍频,
b 20dB/ 十倍频, 20dB/ 十倍频,
c -20dB/ 十倍频, 20dB/ 十倍频,
(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 45 ° / 十倍频, -45 ° B/ 十倍频
b 45 ° / 十倍频, 45 ° B/ 十倍频
c - 45°/ 十倍频, -45 ° B/ 十倍频
54.工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的
a 晶体管的电流放大系数太大b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化答案:c
27.在放大电路中,直流负反馈可以
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性b 提高放大电路的放大倍数
c 稳定电路的静态工作点答案:c
28.可以放大电压,但不能放大电流的是放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案:c
a 差b 好c 差不多
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1,中)当半导体三极管的正向偏置,反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。
2、(2-1,低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为,,三种。
3、(2-1,低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1,中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。
5、(2-1,低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R B,使其,则I B,这样可克服失真。
7、(2-1,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1,低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1,低)共射组态既有放大作用,又有放大作用。
10、(2-1,中)共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极为输出端。
11、(2-1,难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、(2-1,难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V,②2.8 V,③5V,试判断:a.①脚是,②脚是,③脚是(e, b,c);b.管型是(NPN,PNP);c.材料是(硅,锗)。
13、(2-1,中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。
14、(2-1,低)温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致I C,静态工作点。
15、(2-1,低)一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而,发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。
16、(2-1,低)画放大器交流通路时,和应作短路处理。
17、(2-2,低)在多级放大器里。
前级是后级的,后级是前级的。
18、(2-2,低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。
常用的耦合方式有:,,。
19、(2-2,中)输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动,因此要抑制零漂,首先要抑制的零漂。
目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
20、(2-2,中)在多级放大电路的耦合方式中,只能放大交流信号,不能放大直流信号的是放大电路,既能放大直流信号,又能放大交流信号的是放大电路,放大电路各级静态工作点是互不影响的。
22、(2-3,低)串联负反馈电路能够输入阻抗,电流负反馈能够使输出阻抗。
22、(2-4,低)放大电路中引入电压并联负反馈,可______输入电阻,_______输出电阻。
23、(2-4,中)在放大电路中,为了稳定静态工作点,宜引入________反馈;要展宽频、稳定增益,宜引入_______反馈;为了提高输入阻抗,宜引入_________反馈。
24、(2-4,难)正弦波振荡器的振幅起振条件是、相位起振条件是。
25、(2-4,难) 振荡器用来产生低频信号,而振荡器一般用来产生高频信号。
26、(2-4,低)要使电路产生稳定的振荡,必须满足和两个条件。
27、(2-4,低)正弦波振荡电路一般是由和组成,此外电路还应包含有选频网络和稳幅环节。
28、(2-5,低)常见的功率放大电路从功放管的工作状态分有________,_________,__________几种类型。
29、(2-5,难)功率放大器的性能指标主要有:,和;低频功率放大器主要有甲类、乙类和甲乙类等几种类型,最常用的是类功率放大器。
30、(2-5,中)甲类、乙类和甲乙类放大电路中,____________电路导通角最大;__________电路效率较高;_______________电路交越失真最大,为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
1、发射极,集电极,基,集电2、共基电路,共射电路,共集电路。
3、输入特性,输出特性4、I B,V BE5、合适的静态工作点,幅度适中6、截止,减小,增大7、输出电压,输入电压8、基极,集电极9、电压,电流10、发射,集电11、饱和,NPN 12、b,e,c ,NPN,硅13、发射结正偏、集电结反偏,I E=I C+I B 14、增加,上移15、增大,减小16、电容,电源17、信号源,负载18、阻容耦合,直接耦合,变压器耦合。
19、第一级,输入级,差动放大电路20、阻容耦合,直接耦合,阻容耦合22、提高(增加),增加22、降低,降低23、直流,负,串联24、AF>1,φA+φF=2nπ(n=0,1,2,…)25、RC,LC 26、振幅平衡、相位平衡27、放大器、反馈网络28、甲类,乙类,甲乙类29、PO输出功率,PD直流电源供给功率,η/效率,乙30、甲类,甲乙类,乙类,甲乙类二、选择题1、(2-1,中)下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0,V BE<V CE时C、V BE>0,V BE>V CE时D、V BE<0,V BE>V CE时2、(2-1,中)工作在放大区域的某三极管,当I B从20μA增大到40μA时,I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
A、10B、50C、80D、1003、(2-1,低)NPN型和PNP型晶体管的区别是。
A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、(2-1,难)三极管各极对公共端电位如图所示,则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、(2-1,低)当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时,则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、(2-1,低)为了使三极管可靠地截止,电路必须满足A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、(2-1,中)检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态(工作区),最简便的方法是测量A、I BQB、U BEC、I CQD、U CEQ8、(2-1,中)对放大电路中的三极管进行测量,各极对地电压分别为U B=2.7V,U E=2V,U C=6V,则该管工作在。
A、放大区B、饱和区C、截止区D、无法确定9、(2-1,低)某单管共射放大电路在处于放大状态时,三个电极A、B、C对地的电位分别是U A=2.3V,U B=3V,U C=0V,则此三极管一定是A、PNP硅管B、NPN硅管C、PNP锗管D、NPN锗管10、(2-1,难)电路如图所示,该管工作在。
A、放大区B、饱和区C、截止区D、无法确定11、(2-1,中)测得三极管I B=30μA时,I C = 2.4mA ;I B=40μA时,I C = 1mA,则该管的交流电流放大系数为。
A、80B、60C、75D、10012、(2-1,中)当温度升高时,半导体三极管的β、穿透电流、U BE的变化为A、大,大,基本不变B、小,小,基本不变C、大,小,大D、小,大,大13、(2-1,低)三极管的I CEO大,说明该三极管的。
A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差14、(2-1,低)用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则。
A、1为e 2为b 3为cB、1为e 3为b 2为cC、2为e 1为b 3为cD、3为e 1为b 2为c15、(2-1,低)晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线对应一个特定的。
A、i CB、u CEC、i BD、i E16、(2-1,低)某晶体管的发射极电流等于1 mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于A、0.98 mAB、1.02 mAC、0.8 mAD、1.2 Ma17、(2-1,中)下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。
A、共射接法B、共基接法C、共集接法D、任何接法18、(2-1,中)下图所示为三极管的输出特性。
该管在U CE=6V,I C=3 mA处电流放大倍数β为。
A、60B、80C、100D、10U CE/V19、(2-1,低)放大电路的三种组态。
A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用20、(2-1,中)三极管参数为P CM=800 mW,I CM=100 mA,U BR(CEO)=30 V,在下列几种情况中,属于正常工作。
A、U CE =15 V,I C =150 mAB、U CE =20 V,I C =80 mAC、U CE =35 V,I C =100 mAD、U CE =10 V,I C =50 mA21、(2-1,低)晶体管构成的三种放大电路中,没有电压放大作用但有电流放大作用的是A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是22、(2-1,中)三极管各个极的电位如下,处于放大状态的三极管是。
A、V B = 0.7 V,V E = 0 V,V C = 0.3 VB、V B = - 6.7 V,V E = - 7.4 V,V C = - 4 VC、V B = -3 V,V E = 0 V,V C = 6 VD、V B = 2.7 V,V E = 2 V,V C = 2 V23、(2-1,中)在单管共射固定式偏置放大电路中,为了使工作于截止状态的晶体三极管进入放大状态,可采用的办法是A、增大RcB、减小RbC、减小RcD、增大Rb24、(2-1,难)晶体管放大电路如图所示。
若要减小该电路的静态基极电流I BQ,应使A、Rb减小B、Rb增大C、Rc减小D、Rc增大25、(2-1,难)如图为某放大电路的输入波形与输出波形的对应关系,则该电路发生的失真和解决办法是A、截止失真,静态工作点下移B、饱和失真,静态工作点下移C、截止失真,静态工作点上移D、饱和失真,静态工作点上移26、(2-1,低)放大电路中,微变等效电路分析法。
A、能分析静态,也能分析动态B、只能分析静态C、只能分析动态D、只能分析动态小信号27、(2-1,低)温度影响了放大电路中的,从而使静态工作点不稳定。
A、电阻B、电容C、三极管D、电源28、(2-1,难)电路如下图所示,其输出波形发生了失真。
A、饱和B、截止C、交越D、线性29、(2-2,低)某放大器由三级组成,已知每级电压放大倍数为KV,则总放大倍数为。
A、3KVB、(KV)3C、(KV)3/3D、KV30、(2-2,低)在多级放大电路中,经常采用功率放大电路作为。
A、输入级B、中间级C、输出级D、输入级和输出级31、(2-2,低)一个三级放大器,各级放大电路的输入阻抗分别为Ri1=1MΩ,Ri2=100KΩ,Ri3=200KΩ,则此多级放大电路的输入阻抗为。