模电复习精要V1.1

模拟电子电路复习重点

第0章绪论电子系统组成：模电的核心主线：“电压放大”模电/数电的区别与联系：信号上：时间/幅度上是否离散/量化器件：三极管工作区域：放大/ 饱和、截至联系：理论：采样定理/电路：AD/DA转换课程要求：基本概念+基本电路+基本分析方法+一定的设计综合（应用）能力。

第1章常用半导体基础（数/模电基础）本征/杂志半导体中的两种载流子：多子/少子的概念PN结原理：多子扩散/少子漂移的平衡及偏置对平衡的影响结果PN结单向导电性：二极管等效电路：三极管特性：（三极2结）放大原理：Ib控制IC（流控电流源—>电流分配）Ube控制IC（压控电流源）三极管的输入输出特性曲线与三个工作区：放大（模拟）/饱和截至（数字电路）温度对三极管输入输出曲线、特性等的影响：温度影响电路性能的本质！I：增加1倍/10°。

CBO输入曲线：左移输出曲线：上移动（与二极管相同：沿远点逆时针转动）场效应管（不要求）第2章 **基本放大电路（三种放大电路接法）----重点！放大概念：（电压/电流/功率放大:突出有源器件的作用之一）衡量电路放大性能的参数及其意义： Ri ：从前往后看到底，包含RL ，不含RS Ro: 从后往前看到底，包含Rs ，不含RL负载效应/匹配的概念---》举例：大马拉小车/小马拉大车 A U / A US /A UL 定义（负载效应）其他参数：通频带/非线性失真系数/最大不失真输出电压/最大功率效率等线性失真/非线性失真区别。

放大电路原理：直流偏置与信号放大的关系：非线性系统的分段线性化：y=kx:线性系统y=kx+b 线性，本质上非线性系统（齐次性+叠加性）直流分析：正确偏置Q 点在线性区!发射结正偏，集电结反偏，会正确判断交流分析：图解法：特征点/交直流负载线参数法：h 参数低频交流小信号模型等效参数：三种方法电路的比较：共射/共集/共基等效电阻的“看法”：三种放大电路接法：第3章多级放大电路1、耦合方式：直接耦合/非直接耦合比较2、多级放大电路的计算（输入输出电阻/放大倍数）：Ri：看到底，往往决定于第一级Ro：看到底，往往决定于最后级Au: 多级放大倍数之积(特别注意负载效应！) 后级输入是前级的负载前级输出是后级的信号源内阻。

模电第1章复习精简版

第一章
半导体器件
价电子
(a) 硅、锗原子结构最外层电子称价电子 4 价元素
+4
惯性核
4 价元素的原子常常用 + 4 电荷的正离子和周围 4 个价电子表示。
(b) 简化模型
图 1-1 原子结构及简化模型
第一章
半导体器件
2）
本征半导体的原子结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
带负电的自由电子带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。 4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关（它随着温度的升高，基本按指数规律增加）。
I / mA
60 40 死区 20 电压
0 0.4 0.8 U / V
正向特性
第一章
半导体器件
I / mA
–50 –25
– 0.02
2. 反向特性二极管加反向电压，反向电流很小；当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和；
0U / V
反向饱和电流
– 0.04
反向特性
如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大；
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
杂质半导体的的简化表示法
第一章
半导体器件
1.2 半导体二极管
1）PN 结的形成
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。

模电期末复习重点讲解

复习和考试
模拟电子技术期末复习
例1：BJT放大电路的分析计算
第一步：直流电源单独工作（交流信号为0），分析直流
通路，计算静态工作点（IB,IC,VCE）；
第二步：求
rbe
rbb 'Fra bibliotek(1
)
26(mV ) IE (mA)
()
第三步：直流电源=0，交流电源单独工作，画出小信号
模型图（先画三极管的，再画公共端找出接地点，把其它
β(Rc // RL )
rb e
（同相,大）
R i Rb //[rbe (1 β)Re ] Rb //[rbe (1 β)(Re // RL )]
(中)
（最大）
Re
//
1
rbe β
（最小）
Ro
RC
(大 )
Re
// rbe (Rb // RS信号源内阻) （最小）1 β
RC (大 )
4. 三极管的中频小信号模型
ui R1
A
R2 10k
+VCC V T3 (+18V)
VT1 R4
R5 200 V T2 200
VT4
RL uo
VCC
R3
( 18V)
解：
1）Pom
VCC U CES 2RL
2
8W
2） π VCC UCES 69.8%
4
VCC
3）Au f
1
R3 R2
VCC
U CES 2U i
故VT1工作在放大区。欲使VT2也工作在放大区，需
U CQ2 VCC I CQ2 R4 U BQ2 4V
R4
VCC U BQ1 I CQ2

模电总结复习资料-模拟电子技术基础.doc

模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳u-时，uo=+Uom当u+2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。

3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。

4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。

放大器处于“自激振荡”状态。

二．反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。

2.反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。

3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。

（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。

具有稳定输出电流的作用。

（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。

Rs越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。

Rs越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。

（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）。

模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）

模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。

§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。

模电复习要点概要

模电复习重点第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法能否正确，用“×〞和“√〞表示判断结果填入空内。

( 1)在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

(√)( 2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

(×)〔电中性〕(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

(√)( 4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)〔基区非平衡少子〕( 5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层蒙受反向电压，才能保证其R GS大的特色。

(√)(6 )假定耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，那么其输入电阻会显然变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l)PN结加正向电压时，空间电荷区将A。

(2 )稳压管的稳压区是其工作在C。

(3 )当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C。

管习题选择适合答案填入空内。

在本征半导体中参加(A)元素可形成N型半导体，参加(C)元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价(2)当温度高升时，二极管的反向饱和电流将(A)。

A.增大B.不变C.减小工作在放大区的某三极管，假如当I B从12uA增大到22uA时，I C从lmA变成2mA，那么它的β约为(C)。

-1-(4)就地效应管的漏极直流电流I D从2mA 变成4mA时,它的低频跨导g m将(A)。

A.增大；B.不变；C.减小电路以下列图，u i10sin t(V)，试画出u i与u o的波形。

设二极管导通电压可忽视不计。

图解图解：u i与u o的波形如解图所示。

电路以下列图,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T26mV，电容C对沟通信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。

试问二极管中流过的沟通电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D (VU D)/R其动向电阻:r D U T/I D 10 图故动向电流的有效值：I d U i/r D1mA现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正导游通电压为。

模拟电子技术基础-总复习最终版

R1 R2 R3
Rf
ui3 i2 R3 i3
N
_
+ +
uo
uo
Rf
ui1 R1
ui2 R2
ui3 R3
R4
实际应用时, 可适当增加或减少输入端的个数, 以适应不同的需要。
2.同相求和运算
节点P的电流方程： i1 i2 i3 i4
Rf
ui1 uP ui2 uP ui3 uP uP
R1
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
2.共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
3.试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
4.画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
虚短路
u-= u+= ui
虚开路
uo ui ui
Rf
R
uo
(1
Rf R
)ui
Au
uo ui
1
Rf R
反馈方式: 电压串联负反馈。输入电阻高。
一、求和运算电路 ui1 R1
1.反相求和运算
uN uP 0
ui2 i1 R2
iF Rf
i1 i2 i3 iF
ui1 ui2 ui3 uo
（c）
第二章基本放大电路
知识点： 1、放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点
的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路，并计

模电知识点复习总结

3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法பைடு நூலகம்
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD=IS(e分vD段VT线性1)化，得到二极管特性的等效模型。（1）理想模型
（a）V-I特性（b）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）反向偏置时的电路模型
（2）恒压降模型
（3）折线模型
（a）V-I特性（b）电路模型
漂移运动：由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动.
扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动.
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体.此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区
特别注意： ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
（一）稳压二极管
I/mA
1 结构：面接触型硅二极管
2 主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性
• 较大的 I 较小的 U •工作在反向击穿状态. 在一定范围内,反向击穿具有可逆性。
则 = ICICEO
IB
当IC
IC
时
EO
， IC
IB
是另一个电流放大系数。同样，它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法,基极作为公共电极，用CB表示；共集电极接法,集电极作为公共电极，用CC表示.

模电重点总结复习必备

u
+
－
A
+
∞
i
f
R
i
i
f
i
i
i+
i-
i
+
+
T
-
i
+
u
R
i
i
i
b
i
f
2
虚短
3
虚断
1
串联负反馈，输入端电压求和
6
并联负反馈，输入端电流求和
5
虚断
4
虚短
判断能否自激的方法
（1）画出的波特图
（2）找出两个特定的频率
（3）判断
（4）若不自激，则判断幅度裕度和相位裕度
方法一：
方法二:
02
01
分析方法：分频段研究法和时间常数法
直流稳压电源
工作原理
整流
计算
稳压
滤波
g
g
d
S
d
i
工作在非线性区时的特点
工作在线性区时的特点
虚断
虚短虚断
运算放大器
波特图
画复杂电路或系统的波特图，关键在于一些基本因子
基本放大电路
01.
多级放大电路
01.
差分放大电路
01.
反馈放大电路
01.
运算放大器
01.
功率放大器
01.
频率响应
01.
直流稳压电源
01.
三、电路部分
共发射极、共集电极、共基极、共源、共漏
特点和典型功能：
较大，Ri很大；适于小信号电压放大
共漏放大电路
+
C
g3

模电复习提纲(已整理)

模拟电子线路课程内容概要（复习提纲）1.半导体器件基础：（1）了解半导体的结构，弄清什么是本征半导体，什么是N型半导体，什么是P型半导体，以及它们的多数载流子是什么？少数载流子是什么？答：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。

在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等，这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或N型半导体。

其多数载流子为电子，少数载流子为空穴；在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼，镓，铟等，这种杂质半导体主要依靠空穴导电的半导体称空穴半导体或P型半导体。

其多数载流子为空穴，少数载流子为电子。

（2）结具有哪些特性，主要特性是什么？二极管的导通条件是什么？二极管的管压降为多少？什么是门坎电压？必须了解二极管的伏安曲线。

答：结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性，其主要特性是单向导电性。

二极管的导通条件是结正向偏置。

硅二极管的管压降为0.6~0.8V，锗二极管的管压降为0.2~0.3V。

门坎电压即死区电压，是指二极管刚好导通时两端的电压差，硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。

（3）三极管的导电机理是什么？三极管起正常放大作用的外部条件是什么？能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。

三极管的输出特性曲线分为哪几个区域？起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上？答：三极管导电机理是当基极电压有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流的控制，集电极电流会有一个很大的变化，基极电流越大，集电极电流也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。

三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

发射极反偏，集电极反偏为截止状态；发射极正偏，集电极反偏为放大状态；发射极正偏，集电极正偏为饱和状态，由此来判断它的工作状态。

三极管的输出特性曲线分饱和区、放大区和截止区，起正常放大作用的三极管必须工作在放大区。

（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案

（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案《模电》第⼀章重点掌握内容：⼀、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产⽣本征激发，形成电⼦和空⽳，电⼦带负电，空⽳带正电。

它们在外电场作⽤下均能移动⽽形成电流，所以称载流⼦。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺⼊三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，空⽳为多数载流⼦（称多⼦）⽽电⼦为少⼦。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺⼊五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，电⼦为多⼦、⽽空⽳为少⼦。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截⽌。

所以正向电流主要由多⼦的扩散运动形成的，⽽反向电流主要由少⼦的漂移运动形成的。

8、⼆极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、⼆极管由⼀个PN结组成，所以⼆极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈⼩电阻，⼤电流，反偏时截⽌，呈⼤电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是⼯作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的⼆极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截⽌，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满⾜U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、⼆极管主要⽤途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

⼆、应⽤举例：（判⼆极管是导通或截⽌、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第⼆章再判）参考答案：a、因阳极电位⽐阴极⾼，即⼆极管正偏导通。