《数字电子技术基础》第五版 阎石 第7章 课件PPT

制电路构成。 制电路构成。 P368图7.3.2 图
7.4 存储容量的扩展
存储容量＝ 存储容量＝ 字数× 字数×位数
地址输入端
位线
字线 存储容量＝ 存储容量＝ 22×4＝4×4 ＝ ×
数 据 输 出 端
位扩展
8片1024×1位RAM接成 片 接成1024×8位的 位的RAM。 × 位 接成 × 位的 。
解：化为最小项之和的形式： 化为最小项之和的形式：
Y1 = A′BCD′ + A′BCD + A′B′CD′ + A′B′CD Y = AB′CD′ + A′BCD′ + ABCD′ + A′BCD 2 Y3 = ABCD′ + A′BC ′D′ Y4 = A′B′CD′ + ABCD
字扩展
4片256×8位的 片 位的RAM接成 接成1024 ×8位的 位的RAM。 × 位的 接成 位的 。
7.5 用存储器实现组合逻辑函数
试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数 例7.5.2 试用 产生如下一组多输出逻辑函数
Y1 = A′BC + A′B′C Y = AB′CD′ + BCD′ + A′BCD 2 Y3 = ABCD′ + A′BC ′D′ Y4 = A′B′CD′ + ABCD
7.1
概述
半导体存储器是一种能存储大量二 值信息的半导体器件。 值信息的半导体器件。
按存储 功能分 只读存储器（ROM） 只读存储器（ ） 随机存储器（ 随机存储器（RAM） ） 双极性 MOS型 型
按制造 工艺分
7.2
只读存储器（ 只读存储器（ROM)
Read Only Memory
优点：电路结构简单，断电后数据不丢失， 优点：电路结构简单，断电后数据不丢失，具
有非易失性。 有非易失性。
缺点：只适用于存储固定数据的场合。 缺点：只适用于存储固定数据的场合。
电 路 结 构
只读存储器分类： 只读存储器分类：
掩膜ROM：出厂后内部存储的数据不能改动，只 ：出厂后内部存储的数据不能改动， 掩膜 能读出。 能读出。 PROM：可编程，只能写一次。 ：可编程，只能写一次。 EPROM:用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次 用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢， 用紫外线擦除 数也不宜多。 数也不宜多。 E2PROM:电信号擦除，擦除和写入时需要加高电 电信号擦除， 电信号擦除 压脉冲，擦、写时间仍较长。 压脉冲， 写时间仍较长。 快闪存储器(Flash Memory)：吸收了 快闪存储器 ：吸收了EPROM结 结 构简单，编程可靠的优点，又保留了E 用 构简单，编程可靠的优点，又保留了 2PROM用 隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。 隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。
7.3
随机存储器（ 随机存储器（RAM)
Random Access Memory . . . 优点： 写方便,使用灵活 使用灵活。 优点：读、写方便 使用灵活。 缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（易 缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（
失性）。 失性）。
基本结构：地址译码器、存储矩阵和读\写控 基本结构：地址译码器、存储矩阵和读 写控
′ 3 =′ 4 = ′ D′ D′ + +′BA′ ′ Y1 =YA′= AD′CD′YBCD + DA+B′+ D′′BCABCD YABC ′ ′ ABC ′ ′CD 2 BCB + A + A BC A B CC ADA+ ′DBCD
第七章
半导体存储器
ห้องสมุดไป่ตู้
教学内容
§7.1 概述 §7.2 只读存储器 §7.3 随机存储器 §7.4 存储容量的扩展 §7.5 用存储器实现组合逻辑函数
教学要求
1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构 和存储单元结构；会用ROM实现组合逻 辑函数。 2.熟悉RAM的结构和操作过程；了解 RAM的扩展方式。