材料物理性能思考题.

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材料物理导论-思考题3

第二章材料的热学1. 讨论为什么高温下非密排结构晶体是稳定相，而低温时，密排结构晶体却为稳定相？1.高温下原子活动能力较强，为了满足高温下原子平衡跳动的需要，原子间距要大，所以为非密排结构；低温时，原子活动性弱，原子间距小，在最低能态的条件下，原子尽量以密排方式。

2. 如图，比较铜和铁的热传导系数随温度的变化情况，讨论为什么铜在1084℃、铁在912℃会出现跳跃？2.铜在1084℃、铁在912℃会出现相变，晶体结构有变化。

铜的热传导系数出现跳跃是因为在此温度下铜由固态变成了液态，发生了相变，由于吸热使得单位时间内通过单位垂直面积的热量骤减，故热传导系数骤减；而铁在912℃由α-Fe 转变成γ-Fe ，晶体结构发生改变，热传导系数骤增，出现跳跃。

3. 进一步讨论晶体结构是如何影响热膨胀系数的？举例说明。

3、物体的体积或长度随着温度的升高而增大的现象称为热膨胀（thermal expansion ）用先膨胀系数、体膨胀系数表示。

线（体）膨胀系数指温度升高1K 时，物体的长度（体积）的相对增加。

由于晶体结构类型变化伴随着材料比体积发生引起线膨胀系数发生不连续变化。

例如，有序—无序转变时，伴随着膨胀系数的变化，在膨胀曲线上出现拐折，其中Au —Cu50%（质量分数）的有序合金加热至300℃时，有序机构开始破坏，450℃完全变为无序结构。

在这个温度区间，膨胀系数增加很快，在450℃处，膨胀曲线上出现明显的拐折，拐折点对应于有序—无序转变温度。

从曲线可以看出，有序结构具有较小的膨胀系数，这是CuFe 温度，℃/热传导系数 ℃/mm 0.40.2题2图热传导系数与温度关系由于有序结构使合金原子间结合力增强的结果。

4. 根据题4图，如果变化相同的 T ，说明哪种材料的热膨胀系数更大，哪种材料的熔点更高，为什么？4、B 的热膨胀系数更大，A 的熔点更高。

材料的热膨胀与点阵中质点的位能有关，而质点的位能是由质点间的结合力特性所决定。

材料力学性能思考题

一、填空：1.提供材料弹性比功的途径有二，提高材料的，或降低。

2.退火态和高温回火态的金属都有包申格效应，因此包申格效应是具有的普遍现象。

3.材料的断裂过程大都包括裂纹的形成与扩展两个阶段，根据断裂过程材料的宏观塑性变形过程，可以将断裂分为与；按照晶体材料断裂时裂纹扩展的途径，分为和；按照微观断裂机理分为和；按作用力的性质可分为和。

4.滞弹性是指材料在范围内快速加载或卸载后，随时间延长产生附加的现象，滞弹性应变量与材料、有关。

5.包申格效应：金属材料经过预先加载产生少量的塑性变形,而后再同向加载,规定残余伸长应力；反向加载，规定残余伸长应力的现象。

消除包申格效应的方法有和。

6.单向静拉伸时实验方法的特征是、、必须确定的。

7.过载损伤界越，过载损伤区越，说明材料的抗过载能力越强。

8. 依据磨粒受的应力大小，磨粒磨损可分为、、三类。

9．解理断口的基本微观特征为、和。

10．韧性断裂的断口一般呈杯锥状，由、和三个区域组成。

11．韧度是衡量材料韧性大小的力学性能指标，其中又分为、和。

12.在α值的试验方法中，正应力分量较大，切应力分量较小，应力状态较硬。

一般用于塑性变形抗力与切断抗力较低的所谓塑性材料试验；在α值的试验方法中，应力状态较软，材料易产生塑性变形，适用于在单向拉伸时容易发生脆断而不能充分反映其塑性性能的所谓脆性材料；13.材料的硬度试验应力状态软性系数，在这样的应力状态下，几乎所有金属材料都能产生。

14. 硬度是衡量材料软硬程度的一种力学性能，大体上可以分为、和三大类；在压入法中，根据测量方式不同又分为、和。

15. 国家标准规定冲击弯曲试验用标准试样分别为试样和试样，所测得的冲击吸收功分别用、标记。

16. 根据外加压力的类型及其与裂纹扩展面的取向关系，裂纹扩展的基本方式有、和。

17. 机件的失效形式主要有、、三种。

18.低碳钢的力伸长曲线包括、、、、断裂等五个阶段。

19.内耗又称为，可用面积度量。

材料物理性能第一章思考题20110925(1)

《材料物理性能》思考题第一章热学性能1.1 概述1、材料的热学性能包括热传导、热稳定性、热容和热膨胀等。

2、什么是格波？答；由于晶体中的原子间存在着很强的相互作用，原子的微振动不是孤立的，原子的运动状态（或晶格振动）会在晶体中以波的形式传播，形成“格波”。

3、若三维晶体由N个晶胞组成，每个晶胞中含有S个原子，则晶体中格波数为3NS 个，格波支数为3S 个。

4、受热晶体的温度升高，实质是晶体中热激发出的声子数目的增加。

5、举例说明某一材料热学性能的具体应用。

1.2 热容1、什么是比热容和摩尔热容（区分：定压摩尔热容和定容摩尔热容）？答；比热容(c)：质量为1k g的物质在没有相变和化学反应条件下温度升高1 K所需要的热量。

[ J/(kg·K) ]摩尔热容( Cm )：1 mol物质在没有相变和化学反应条件下温度升高1 K所需要的热量。

[ J/(mol·K) ]3、固体热容的经验定律和经典理论只适用于高温，对低温不适用！4、由德拜模型可知，温度很低时，固体的定容摩尔热容与温度的三次方成正比（德拜T3定律）。

5、金属热容由晶格振动热容和自由电子热容两部分组成。

6、自由电子对热容的贡献在极高温和极低温度下不可忽视，在常温时与晶格振动热容相比微不足道！7、一级相变对热容的影响特征是什么？8、影响无机材料热容的因素有哪些？9、对于隔热材料，需使用低热容（如轻质多孔）隔热砖，便于炉体迅速升温，同时降低热量损耗。

10、什么是热分析法？DTA、DSA和TG分别是哪三种热分析方法的简称？举例说明热分析方法的应用。

答；在程序控制温度下，测量物质的物理性质（如质量、温度、热量、尺寸、力学特性、磁学特性等）与温度关系的一种技术差热分析差示扫描量热法1.3 热膨胀1、什么是线或体膨胀系数？答；温度升高1 K时，物体的长度（体积）的相对增加量。

2、固体材料的热膨胀本质，归结为点阵结构中质点平均距离随温度升高而增大。

材料物理习题和思考题

材料物理习题和思考题材料物理习题和思考题第⼀章材料的电⼦理论1、重要名词：⾃由电⼦近似波函数的归⼀化条件波恩－卡曼边界条件允许波长 K 空间状态密度费⽶能电⼦的费⽶－狄拉克统计分布布洛赫定理近⾃由电⼦近似能带允带禁带紧束缚近似布拉格定律布⾥渊区等能⾯费⽶⾯费⽶球电⼦密度泛函2、说明⾃由电⼦近似的基本假设。

在该假设下，⾃由电⼦在⼀维⾦属晶体中如何分布？电⼦的波长、能量各如何分布？3、何谓K 空间? K 空间中的（2，2，2）和（1，1，3）两点那个代表的能级能量⾼？4、何谓状态密度？状态密度与电⼦能量是何种关系？5、⽤公式1k exp 1F +??=T E-E f(E)解释左图的⾃由电⼦在0K 和T K时的能量分布，并说明T 改变时该能量分布如何变化。

6、说明的物理意义，并简要说明为什么在讨论左图的电⼦能量分布时不考虑和的区别？F E 0F E F E 7、近⾃由电⼦假设和⾃由电⼦假设中电⼦所处的势场有何区别？前者的主要假设是什么？8、画出⾃由电⼦近似和近⾃由电⼦近似下的E-K 曲线，并说明他们的区别，解释能带的概念。

9、从左图说明能带产⽣的原因。

10、什么是布⾥渊区？给出⼀维K 空间前三个布⾥渊区的范围，注意其特点。

将⼀维布⾥渊区的特点推⼴到⼆维、三维的情形，他们的第⼀、第⼆、第n 布⾥渊区有何种关系？11、解释左下图的⼆维晶体布⾥渊区的等能线，并说明能隙和能量交叠出现的原因。

12、画图说明⾃由电⼦近似和近⾃由电⼦近似下的状态密度的异同。

13、画图说明导体、半导体、绝缘体能带结构的异同。

14、简要说明⽤现代电⼦理论进⾏合⾦设计的主要思想。

15、简要说明电⼦密度泛函⽅法的主要思想。

第⼆章材料的晶态结构与缺陷1、重要名词：晶体，⾮晶态，准晶体，点阵（晶格），晶胞，点阵常数（晶格常数，晶格参数），晶系，布拉菲点阵，晶向指数，晶⾯指数，⾯⼼⽴⽅，体⼼⽴⽅，密排六⽅，同素异构现象，合⾦，固溶体，间隙式固溶体，置换式固溶体，中间相，正常价化合物，电⼦化合物，间隙相和间隙化合物，拓扑密堆相，超结构（超点阵，有序固溶体），径向分布函数，位置⽮径分布函数，陶瓷，特种陶瓷，硅氧四⾯体，岛状结构，组群状结构，链状结构，层状结构，架状结构，低维材料，吸附，物理吸附，化学吸附，解吸，凝结，临界晶核，稳定晶核，多晶体，外延⽣长，同质外延，异质外延，错配度，晶体缺陷，化学缺陷，点阵缺陷，点缺陷，线缺陷，⾯缺陷，空位和间隙原⼦，空位形成能，辐照损伤，位错，柏⽒⽮量，刃型位错，螺型位错，混合型位错，晶界，⼩⾓度晶界，⼤⾓度晶界，过冷液体模型，⼩岛模型，重合位置点阵模型，重合位置密度，孪晶，孪晶界，共格界⾯，⾮共格界⾯，外表⾯，清洁表⾯，实际表⾯，表⾯弛豫，表⾯重构，相界，2、晶体为何有各向异性？3、在晶胞中画出下列晶⾯和晶向：[111],[110], [111], [011], [120];(111), (110), (225), (101), (210)4、在图上标出下列晶向和晶⾯的指数5、计算⾯⼼⽴⽅和体⼼⽴⽅结构的致密度，画出其任意原⼦的配位原⼦，⽐较两种结构的区别。

材物性能思考题

热容C: 在没有相变和化学反应的条件下，材料温度升高1K时所吸收的热量1、Cp与Cv哪个大，为什么？对于固体材料，低温时有CP ≈CV，高温时二者差别就大了。

定压加热时，物体除升温外，还会对外做功，所以温度每提高1K需要吸收更多的能量，即CP > CV。

2、晶格热容的爱因斯坦模型采用了什么简化假设？该模型的成功与不足之处及其原因？假设：晶体中所有原子都以相同的角频率w E振动且各个振动相互独立成功：T→0时CV→0，这与实验一致。

不足：在T→0时该式按指数快速下降，实验结果却缓慢得多。

原因：爱因斯坦模型把具有频率差别的振动过于简化地认为具有相同的角频率 wE，而忽略了低温时低频振动对总能量的贡献。

3、晶格热容的德拜模型采用了什么简化假设？该模型的成功与不足之处及其原因？假设：晶体是各向同性的连续介质,晶格振动具有从0至ωmax的频率分布成功：低温时CV与T3成正比，这与绝缘材料的实验结果相符不足：一般温度下，电子热容比离子振动的热容小得多，所以只考虑后者就足够了。

但在温度很高和很低的情况下，自由电子对热容的贡献不可忽视。

德拜模型下德拜温度与T和材料特性无关，实际上德拜模型如需要在任何温度下与实际吻合，要求德拜温度是温度的函数，而且与材料性质相关，由德拜模型确立的频率分布函数与实际的频率分布函数存在较大的差异4、在极低温度和极高温下，金属材料的热容和半导体或者绝缘体材料的热容有区别吗？原因是什么？金属材料：在温度很高和很低的情况下，自由电子和离子振动对热容的贡献都要考虑。

无机非金属材料(与Debye热容理论相符): 低温时C V∝T3，高温时C V ≈ 25 J/ K·mol ，无机材料的热容与材料的结构关系不大。

5、什么是一级相变和二级相变，它们分别对热容有什么影响？一级相变：相变在某一温度点上完成，除体积突变外，还同时吸收和放出潜热的相变。

金属的三态转变、同素异构转变、合金的共晶和包晶转变及固态的共析转变等都是一级相变。

材料力学思考题 -回复

材料力学思考题 -回复
材料力学思考题需要具有一定的材料力学知识和解题能力，以下是一些常见的材料力学思考题：
1. 弹性模量的测定方法有哪些，各有何特点？
2. 实际工程中，为什么会出现材料的疲劳破坏现象，如何预防和延长材料的疲劳寿命？
3. 材料的断裂韧性与应变速率有关吗？如果有关，有什么特点？
4. 塑性变形过程中，为什么细晶粒材料比粗晶粒材料更容易发生断裂？
5. 如何通过研究材料的应力应变曲线，来判断材料的力学性能和断裂机制？
6. 岩石的强度是如何影响地质工程设计和施工的？
7. 材料的蠕变行为是什么？在高温环境下，材料的蠕变性能会如何变化？
8. 材料的固溶强化和位错强化是如何增强材料的力学性能的？
9. 如何通过组织显微结构的观察，来分析材料的力学性能和断裂特点？
10. 如何通过有限元分析方法，来解决复杂结构的力学问题？
以上仅是一些常见的材料力学思考题，如果你有具体的材料力学问题或者需要更深入的讨论，可以提供更具体的问题，以便提供更准确的回答。

《材料力学性能》课后思考题答案

第一章单向静拉伸力学性能一、解释下列名词。

1弹性比功：金属材料吸收弹性变形功的能力，一般用金属开始塑性变形前单位体积吸收的最大弹性变形功表示。

2．滞弹性：金属材料在弹性范围内快速加载或卸载后，随时间延长产生附加弹性应变的现象称为滞弹性，也就是应变落后于应力的现象。

3．循环韧性：金属材料在交变载荷下吸收不可逆变形功的能力称为循环韧性。

4．包申格效应：金属材料经过预先加载产生少量塑性变形，卸载后再同向加载，规定残余伸长应力增加；反向加载，规定残余伸长应力降低的现象。

5．解理刻面：这种大致以晶粒大小为单位的解理面称为解理刻面。

6．塑性：金属材料断裂前发生不可逆永久（塑性）变形的能力。

韧性：指金属材料断裂前吸收塑性变形功和断裂功的能力。

7.解理台阶：当解理裂纹与螺型位错相遇时，便形成一个高度为b 的台阶。

8.河流花样：解理台阶沿裂纹前端滑动而相互汇合,同号台阶相互汇合长大,当汇合台阶高度足够大时,便成为河流花样。

是解理台阶的一种标志。

9.解理面：是金属材料在一定条件下，当外加正应力达到一定数值后，以极快速率沿一定晶体学平面产生的穿晶断裂，因与大理石断裂类似，故称此种晶体学平面为解理面。

10.穿晶断裂：穿晶断裂的裂纹穿过晶内，可以是韧性断裂，也可以是脆性断裂。

沿晶断裂：裂纹沿晶界扩展，多数是脆性断裂。

11.韧脆转变：具有一定韧性的金属材料当低于某一温度点时，冲击吸收功明显下降，断裂方式由原来的韧性断裂变为脆性断裂，这种现象称为韧脆转变12.弹性极限：试样加载后再卸裁，以不出现残留的永久变形为标准，材料能够完全弹性恢复的最高应力。

13.比例极限：应力—应变曲线上符合线性关系的最高应力。

14.解理断裂：沿一定的晶体学平面产生的快速穿晶断裂。

晶体学平面－－解理面，一般是低指数、表面能低的晶面。

15.解理面：在解理断裂中具有低指数，表面能低的晶体学平面。

16.静力韧度：材料在静拉伸时单位体积材料从变形到断裂所消耗的功叫做静力韧度。

材料物理性能测试思考题答案

有效电子数：不是所有的自由电子都能介入导电，在外电场的作用下，只有能量接近费密能的少部分电子，方有可能被激发到空能级上去而介入导电.这种真正介入导电的自由电子数被称为有效电子数.之羊若含玉创作K状态：一般与纯金属一样，冷加工使固溶体电阻升高，退火则下降.但对某些成分中含有过渡族金属的合金，尽管金相剖析和Ｘ射线剖析的成果认为其组织仍是单相的，但在回火中发明合金电阻有反常升高，而在冷加工时发明合金的电阻显著下降，这种合金组织出现的反常状态称为K状态.X射线剖析发明，组元原子在晶体中不平均散布，使原子间距的大小显著摇动，所以也把K状态称为“不平均固溶体”.能带：晶体中大量的原子聚集在一起，并且原子之间距离很近，致使离原子核较远的壳层产生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，从而使原本处于同一能量状态的电子产生微小的能量差别，与此相对应的能级扩大为能带. 禁带：允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的规模是不允许电子占据的，此规模称为禁带.价带：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带.导带：价带以上能量最低的允许带称为导带.金属资料的根本电阻：幻想金属的电阻只与电子散射和声子散射两种机制有关，可以算作为根本电阻，根本电阻在绝对零度时为零.残存电阻(剩余电阻)：电子在杂质和缺陷上的散射产生在有缺陷的晶体中，绝对零度下金属呈现剩余电阻.这个电阻反应了金属纯度和不完整性.相对电阻率：ρ (300K)／ρ (4.2K)是权衡金属纯度的重要指标.剩余电阻率ρ’：金属在绝对零度时的电阻率.实用中常把液氦温度(4.2K)下的电阻率视为剩余电阻率.相对电导率：工程中用相对电导率( IACS%) 表征导体资料的导电性能.把国际尺度软纯铜(在室温20 ℃下电阻率ρ= 0 .017 24Ω·mm2/ m)的电导率作为100% , 其他导体资料的电导率与之相比的百分数即为该导体资料的相对电导率.马基申定章(马西森定章)：ρ＝ρ’＋ρ(T)在一级近似下，不合散射机制对电阻率的进献可以加法求和.ρ’：决议于化学缺陷和物理缺陷而与温度无关的剩余电阻率.ρ(T)：取决于晶格热振动的电阻率(声子电阻率)，反应了电子对热振动原子的碰撞.晶格热振动：点阵中的质点(原子、离子)围绕其平衡位置邻近的微小振动.格波：晶格振动以弹性波的形式在晶格中传播，这种波称为格波，它是多频率振动的组合波.热容：物体温度升高1K时所需要的热量(J/K)表征物体在变温进程中与外界热量交流特性的物理量，直接与物质内部原子和电子无规矩热运动相接洽.比定压热容：压力不变时求出的比热容.比定容热容：体积不变时求出的比热容.热导率：表征物质热传导才能的物理量为热导率.热阻率：界说热导率的倒数为热阻率ω，它可以分化为两部分，晶格热振动形成的热阻(ωp )和杂质缺陷形成的热阻(ω0).导温系数或热扩散率：它暗示在单位温度梯度下、单位时间内通过单位横截面积的热量.热导率的单位：W/(m·K)热剖析：通过热效应来研究物质内部物理和化学进程的实验技巧.原理是金属资料产生相变时，陪同热函的突变.反常膨胀：对于铁磁性金属和合金如铁、钴、镍及其某些合金，在正常的膨胀曲线上出现附加的膨胀峰，这些变更称为反常膨胀.其中镍和钴的热膨胀峰向上为正，称为正反常；而铁和铁镍合金具有负反常的膨胀特性.交流能：交流能E ex =－2A σ1σ2cos φ A —交流积分常数.当A ＞0，φ＝0时，E ex 最小，自旋磁矩自发分列同一偏向，即产生自发磁化.当A ＜0，φ＝180°时，E ex 也最小，自旋磁矩呈反向平行分列，即产生反铁磁性.交流能是近邻原子间静电相互作用能，各向同性，比其它各项磁自由能大102～104数量级.它使强磁性物质相邻原子磁矩有序分列，即自发磁化.磁滞损耗：铁磁体在交变磁场作用下，磁场交变一周，B-H 曲线所描写的曲线称磁滞回线.以热的形式而释放.技巧磁化：技巧磁化的实质是外加磁场对磁畴的作用进程即外加磁场把各个磁畴的磁矩偏向转到外磁场偏向(和)或近似外磁场偏向的进程.技巧磁化的两种实现方法是的磁畴壁迁移和磁矩的转动.请画出纯金属无相变时电阻率—温度关系曲线，它们分为几个阶段，各阶段电阻产生的机制是什么？为什么高温下电阻率与温度成正比？1—ρ电-声∝T( T > 2/ 3ΘD ) ；2—ρ电-声∝T 5 ( T< <ΘD )；3—ρ电-电∝T 2 ( T ≈2K )分为三个阶段：(1)温度T > (2/ 3)ΘD 阶段, 电阻率正比于温度，即ρ(T) =αT .电阻产生的机制是电子—声子(离子)散射.(2)温度T< <ΘD 阶段，电阻率与温度成五次方关系, 即ρ∝T 5.电阻产生的机制是电子—声子(离子)散射，(3)在极低温度(T ≈2K)阶段，电阻率与温度成2 次方关系, 即ρ∝T 2 , 电阻产生的机制是电子—电子之间的散射.**212=m v L n e 称为散射系数).对金属来说，温度升高离子热振动的振幅愈大，电子就愈易受到散射，故可以认为(因为式子中其他的量均与温度无关)，这就是高温下电阻率与温度成正比的原因.用电阻法研究金属冷加工时为什么要在低温？依据马西森定律, 冷加工金属的电阻率可写成ρ= ρ′+ρM式中：ρM 暗示与温度有关的退火金属电阻率；ρ′是剩余电阻率.实验证明，ρ′与温度无关，换言之，dρ/ dT 与冷加工程度无关.总电阻率ρ愈小，ρ′/ ρ比值愈大，所以ρ′/ ρ的比值随温度下降而增高.显然，低温时用电阻法研究金属冷加工更为适合.从导体、半导体、绝缘体资料能带构造剖析其导电性能不合的原因.导体：价带与导带重叠，无禁带.或价带未被电子填满，这种价带自己即为导带.这两种情况下价电子都是自由的，就像金属具有大量的这样的自由电子，所以具有很强的导电才能.半导体和绝缘体：满价带和空导带之间具有禁带.半导体：禁带宽度小，在热、光等外界条件作用下，价带中的部分电子有可能获得足够的能量而越过禁带到达其上面的空带，形成导带.并且价带中出现了电子留下的空穴.导带中的电子和价带中的空穴在电场的作用下沿相反的偏向定向移动，产生电流.导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的导电方法称为本征导电，其特征是介入导带的电子和空穴浓度相等，这种半导体称为本征半导体.绝缘体：禁带宽度很大，电子很难越过禁带到达其上面的空带，外电场的作用下几乎不产生电流.金属资料电阻产生的实质.当电子波通过一个幻想晶体点阵时(0K) , 它将不受散射；只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方, 电子波才受到散射(不相干散射) , 这就是金属产生电阻的根起源基本因.由于温度引起的离子运动(热振动) 振幅的变更(通经常使用振幅的均方值暗示)，以及晶体中异类原子、位错、点缺陷等都邑使幻想晶体点阵的周期性遭到破坏.这样，电子波在这些地方产生散射而产生电阻，下降导电性.为什么金属资料的导电性随温度的升高而下降，而非金属资料的导电性随温度的升高而升高？对于金属资料：温度升高，晶格热振动加剧，声子电阻率升高，而剩余电阻率不变，故金属资料的导电性随温度的升高而下降.对于非金属资料：温度升高，资料的电子或载流子运动才能增强，数量也增加，传递电荷的才能增强，导电性增强.金属资料受力后电阻率的变更.(1)拉力在弹性规模内单向拉伸或扭转应力能提高金属的ρ，并有(2)压力对大多半金属来说，在受压力情况下电阻率下降压力系数，为负. 几乎所有纯元素随温度变更电阻压力系数几乎不变.0(1)γρρασ=+正常金属元素：电阻率随压力增大而下降；(铁、钴、镍、钯、铂、铱、铜、银、金、锆、铪等)反常金属元素：碱金属、碱土金属、稀土金属和第V族的半金属，它们有正的电阻压力系数，但随压力升高一定值后系数变号，研究标明，这种反常现象和压力作用下的相变有关.高压力还能导致物质的金属化，引起导电类型的变更，并且有助于从绝缘体—半导体—金属—超导体的某种转变.固溶、冷加工对金属资料电阻率的影响及原因.形成固溶体时，导电性能下降.即使是在低导电性的金属中溶入高导电性的金属溶质也是如此，但电阻随成分持续变更而无突变.对于持续固溶体，当组元A溶入组元B时，电阻由B组元的电阻值逐渐增大至极大值后再逐渐减小到A组元的电阻值.原因：(1)引起晶体点阵畸变，增加了电子的散射，原子半径差越大，固溶体的电阻也越大；(2)杂质对幻想晶体的局部破坏；(3)合金化引起能带构造变更，移动费米面(0K时电子最高能级)并转变了电子能态的密度和有效导电电子数；(4)合金化影响弹性常数，使点阵振动的声子谱转变.一般，冷加工引起电阻率增大.室温下测得经相当大的冷加工变形后纯金属(如铁、铜、银、铝)的电阻率, 比未经变形的总共只增加2%～6%.只有金属钨、钼破例, 当冷变形量很大时, 钨电阻可增加30%～60% , 钼增加15%～20%.一般单相固溶体经冷加工后, 电阻可增加10%～20%.而有序固溶体电阻增加100% , 甚至更高.也有相反的情况, 如Ni-Cr，Ni-Cu-Zn，Fe-Cr-Al等中形成K状态, 则冷加工变形将使合金电阻率下降.原因：冷加工引起金属晶格畸变，增加电子散射几率；同时也会引起金属晶体原子联合键的转变，导致原子间距变更.固溶体的有序化对其电阻率有何影响？为什么？固溶体产生有序时，其电阻率显著下降.固溶体产生有序化时对导电性的影响：(1)使点阵纪律性增强，削减了对电子的散射而使电阻率下降(2)使组元间的相互化学作用增强，使有效电子数削减，从而引起电阻率的升高.上述两种相反的作用中，第一种作用占主导地位，因此有序化一般表示为电阻率下降.有序化程度越高，电阻率就越低.将下列物质按热导率大小排序，并说明来由：(1)铬(2)银(3)Ni-Cr合金(4)石英(5)铁(2)银＞(5)铁＞(3) Ni-Cr合金＞(1)铬＞(4)石英银在五种物质中导电性能最佳，铁次之.合金热导率通常小于纯金属.铬的性质比较接近半导体.石英是绝缘体.导电率：(2)银＞(5)铁＞(3) Ni-Cr合金＞(1)铬＞(4)石英.依据魏德曼—弗兰兹定律，热导率与电导率之间存在如下关系：/LT λσ=.所以，(2)银＞(5)铁＞(3) Ni-Cr 合金＞(1)铬＞(4)石英.为什么说资料热学性能的物理实质都与晶格热振动有关?固体资料的各类热学性能就其物理实质而言，均与组成资料的质点(原子、离子)热振动有关.固体资料由晶体或非晶体组成，点阵中的质点（原子、离子）总是围绕其平衡位置作微小振动，这种振动称为晶格热振动.资估中质点之间的振动存在的关系和作用.资料内能的实质、热容的物理实质.C p 与C v 的物理意义是什么？可否通过实验丈量？C p 与C v 哪个大，为什么？若温度升高时物体的体积不变，物体吸收的热量只用来知足温度升高物体内能的增加，此种条件下的热容称为定容热容(C v ).若温度升高时物体的压力不变，物体吸收的热量除了用来知足温度升高物体内能的增加外，还对外做功，此种条件下的热容称为定压热容(C p ).对于金属，C v 不克不及直接通过实验丈量，需由实验测得C p ，再换算得到C v .C p 大于C v ，这是因为定压比热容中含有体积膨胀功，2m α-=V P V V Tc c K .故在相同质量的条件下，C p 更大.资料热容随温度的变更纪律.Ⅰ区：T ：0～5K ，C v ∝T Ⅱ区： c v ∝T 3，T 达到时，C v ＝3R.Ⅲ区： c v ＞3R ，增加部分主要是自由电子热容的进献.热容经验定律的内容及其与实际相符的情况.若晶体有N 个原子，则有3N 个自由度.金属原子的热振动既具有动能，又具有位能，两者不竭地相互转换，且平均动能与平均位能统计地相等(每个振动自由度U m ＝3NkT ＝3RT.金属的定容摩尔热容为：热容经验定律杜隆－珀替定律(Dulong-Petit rule)的内容是所有金属的摩尔热容是一个与温度无关的常数，其数值接近于3R.与实际相符的情况是：(1)认为热容与温度无关，与事实不符.(2)认为所有元素热容相同，组成化合物时，分子热容等于各原子热容之和，与事实不完全相符.(3)低温时、轻元素与事实不同很大.(4)除轻元素外，大部分元素与固体物质在非低温时，与事实十分接近.与实际不相符的原因：假设与前提问题，原子(各类元素、任何温度)平均动能、位能相等，模子过于简化.把原子的振动能量看作是持续的，不相符能量不持续性的量子化条件.热容爱因斯坦模子、德拜模子的前提及其与事实相符情况，不完全相符的原因.爱因斯坦模子(1)前提：晶格中每个原子(离子)都在其格点作振动，各个原子的振动是自力而互不依赖，每个原子都具有相同的周围情况，因而其振动频率v都是相同的，原子振动的能量是不持续的、量子化的.可把原子的振动看作是谐振子的振动.(2)事实相符情况：在高温时热容和杜隆—珀替定律一致，并和热容曲线相符得较好.值一般在100～300K规模.(3)不完全相符的原因：在低温时，热容与温度之间的关系中存在指数项，不相符实验的C v=T3 关系，即随着温度的下降，爱因斯坦热容理论值比实验值要更快地下降而趋近于零.原因在于把原子的振动算作是孤立的，并疏忽了振子振动频率的不同.德拜模子(1)前提：在爱因斯坦量子热容理论基本上加以完善的.认为：晶体中各原子间存在着弹性的斥力和吸力，这种力使原子热振动相互受牵连而达到相邻原子间协调地振动.波长较长，属于声频波规模(相当于弹性振动波).由于弹性波波长远大于晶格常数，可近似地把晶体视为持续介质，把弹性波的振动也可近似地视为持续的，其振动频率可持续散布在零到v m之间.(2)事实相符情况：在高温下原子都几乎以最大频率振动，因而使热容接近于一个常数.此时德拜热容理论与经典热容理论、爱因斯坦热容理论一致.在低温时，金属温度升高所吸收的热量主要是用来增强晶格的振动，即使得具有高频振动的振子数急剧地增多，C v与T3 成正比.当T=0K时，C v=0.这也完全相符实验纪律.(3)不完全相符的原因：在很接近0K的温度规模，德拜热容理论与实验纪律存在着误差.原因在于德拜理论只斟酌了晶格振动对热容的进献，而未斟酌自由电子对热容的进献.在极低的温度下，由于晶格振动的能量已趋近于零，自由电子的动能便不成被疏忽，它成为对热容的主要进献者.资料热容与温度关系的经验公式.会使釉层脱资料热膨胀系数随温度的变更情况.资料热膨胀的机理.格律乃森定律的内容及原因.格律乃森(Grüneisen)从晶格振动理论导出金属体膨胀系数与热容间存在的关系式：式中：γ是格律乃森常数，是暗示原子非线性振动的物理量，一般物质γ在1 .5 - 2 .5 间变更；K 是体积模量； V 是体积；C V 是等容热容.从热容理论知, 低温下C V 随温度T 3 变更, 则膨胀系数在低温下也按T 3 纪律变更, 即膨胀系数和热容随温度变更的特征根本一致.体膨胀系数与定容热容成正比，它们有相似的温度依赖关系，在低温下随温度升高急剧增大，而到高温则趋向平缓.程减小，热哪些因素会影响资料的热导率？如何影响？(1)对于纯金属，影响其电导率因素有：温度、晶粒大小、晶向、杂质.具体地来说：依据导热机制可以推论高电导率的金属就有高的热导率.①热导率与温度关系：在低温时, 热导率随温度升高而不竭增大，并达到最大值.随后，热导率在一小段温度规模内根本保持不变；当温度升高到某一温度后，热导率开端急剧下降，并在熔点处达到最低值.但像铋和锑这类金属熔化时, 它们的果. 0(1)r T λλα=+.在德拜温度以下，某些金属的热导率遵循格留涅申定律而变更，-3T λα=铁磁性金属或合金的热导率与温度曲线在居里点时有转折.②晶粒大小的影响：一般情况是晶粒粗大，热导率高；晶粒愈细，热导率愈低. ③立方晶系的热导率与晶向无关.非立方晶系晶体热导率表示出各向异性.④所含杂质强烈影响热导率.当参加少量杂质时，组元的热导率下降很激烈，但随着浓度的增加对热导率的影响要小得多.(2)对于合金两种金属组成持续无序固溶体时, 溶质组元浓度愈高, 热导率下降愈多, 并且热导率最小值接近原子浓度50%处.当组元为铁及过渡族金属时，热导率最小值比50%处有较大的偏离.当为有序固溶体时，热导率提高，最大值对应于有序固溶体化学组分.(3)对于无机非金属资料比较而言, 金属资料热导率的影响因素比较单一，而无机非金属资料就庞杂一点.因此，金属资料热导率的影响因素对无机非金属资料都同样的有作用，只是由于陶瓷资料相构造庞杂一点，包含玻璃相和一定孔隙率.①化学组成的影响：对于无机非金属资料来说，资料构造的相对原子质量愈小，密度愈小，弹性模量愈大, 德拜温度愈高, 则热导率愈大, 所以轻元素的固体和联合能大的固体热导率较大，固溶体的情况与金属固溶体的变更趋势相似，和金属固溶体相似，杂质浓度很低时，杂质下降热导率效应十分显著；杂质浓度增高时，杂质效应削弱，在低温下杂质效应将会更显著.②晶体构造的影响：晶体构造愈庞杂，晶格振动的非线性程度愈大，其散射程度愈大，因此声子平均自由程较小，所以热导率便低了.③晶粒大小和各向异性的影响：与对金属的热导率影响相同.同样化学组成的多晶体的热导率总比单晶小.④非晶体的热导率：非晶体的热导率在所有温度下都比晶体小.玻璃是无机的非晶体资料，其热导率变更有其特殊性.中.热导率可以按下式盘算：式中：κc、κd分离为持续相和疏散相的热导率；φd为疏散相的体积分数.⑥气孔率的影响：无机资料常含有气孔，气孔对热导率的影响较庞杂.如果温度不是很高，且气孔率不大，尺寸很小，散布又平均，可以认为此时的气孔是复相陶瓷的疏散相, 此时热导率可以按上式处理.只是由于与固相相比，其热导率很小，可以近似认为零, 且κc/κd很大，此时κ≈κs ( 1-φ气孔).式中：κs为陶瓷固相热导率；φ气孔为气孔的体积分数.斟酌气孔的辐射传热时，按下式盘算：式中：P 为气孔面积分数；PL 是气孔的长度分数；ε为辐射面的热发射率；G 是几何因子；纵向长条气孔G=1，横向圆柱形气孔G =π/4, 球形气孔G = 2/ 3；d 是气孔最大尺寸.(5)对于本征半导体在本征半导体中，导带中电子和价带中的空穴随温度升高而增加，这导致热导率随温度升高而升高.可以采纳哪些措施提高资料的磁导率？其理论依据是什么？(1)消除资估中的杂质；(2)把晶粒培养到足够大并呈等轴状；(3)形成再结晶织构；(4)采取磁场中退火.(1)的理论依据是如当杂质固溶在资估中会造成点阵扭曲，当杂质呈搀杂物存在时则使畴壁穿孔，这都邑给畴壁迁移造成阻力，导致磁导率下降，矫顽力上升.(2)的理论依据是晶粒足够大，使得晶界削减，畴壁迁移变得加倍容易.(3)的理论依据是再结晶织构具有偏向性，在该偏向的磁导率会显著增大.(4)的理论依据是在沿轴向的磁场中迟缓冷却时，磁畴将在室温磁化时沿应伸长(在正磁致伸缩情况下)的偏向预先伸长，这样经由磁场中退火的样品，其磁致伸缩将无妨害磁化，样品的磁化将变得加倍容易，从而在该偏向会有高的磁导率.铁磁性物质中的相互作用能有哪些？各有什么特点？其中哪种能量最大？铁磁性物质中的相互作用能有：磁晶各向异性能、磁弹性能、交流作用能、退磁能.磁晶各向异性能是指沿不合晶轴偏向的能量差.其特点是在易磁化轴上，磁晶各向异性能最小.物体在磁化时要伸长(或收缩)，如果受到限制，不克不及伸长(或缩短)，则在物体内部产生压应力(或拉应力)，物体内部将产生的磁弹性能.其特点是物体内部缺陷、杂质等都可能增加其磁弹性能.交流作用能是指近邻原子间静电相互作用能，其特点是各向同性，比其它各项磁自由能大102～104数量级.它使强磁性物质相邻原子磁矩有序分列，即自发磁化.而其它各项磁自由能退磁能是指退磁场与铁磁体的相互作用能.其特点是退磁能与资料的退磁因子N，磁化强度M的平方成正比.N值、M2越大，退磁能越大.总的来说，磁晶各向异性能、磁弹性能、退磁能不转变其自发磁化的实质，而仅转变其磁畴构造.其中，交流作用能的能量最大.物质抗磁性产生的根源是什么？为什么任何物质在磁场中都产生抗磁性？理论研究证明, 抗磁性起源于电子轨道运动, 故可以说任何物质在外磁场作用下均应有抗磁性效应.但只有原子的电子壳层完全填满了电子的物质, 抗磁性才干表示出来, 不然抗磁性就被此外磁性掩盖了.无外H的时候：电子壳层已填满的原子总磁矩为0.有外H作用时：即使总磁矩为0的原子，也会产生磁矩.不管循轨运动的偏向是绕H轴向顺时针照样逆时针，电子的循轨运动在外H作用下都邑产生抗磁矩,即产生的附加磁矩总是与外H偏向相反，这就是物质产生抗磁性的原因.物质顺磁性产生的根源是什么？物质的顺磁性是如何产生的？物质顺磁性产生的根源是：原子(离子)的固有磁矩.无外H的时候：由于热运动的影响，固有磁矩的取向为无序的，宏不雅上无磁性.外H作用下：固有磁矩与H作用，有较高的静磁能，为下降静磁能，固有磁矩转变与H的夹角，趋于排向外H偏向，表示为正向磁化.在常温和H不是很高的情况下，M与H成正比，磁化要战胜热运动的干扰，磁矩难以有序分列，故顺磁化进行十分艰苦，磁化率较小.铁磁性资料为什么会形成一定形状和大小的磁畴？为了最大限度地减小退磁能，磁畴必须形成三角畴的关闭构造，即呈关闭磁路，这样可使退磁能等于零.当铁磁晶体形成磁畴时，虽然下降了退磁场能，但增加了畴壁能.对大块晶粒来说，后者比前者要小许多，因此分畴在能量上是有利的.影响磁畴壁迁移的因素有哪些？如何影响？(1)铁磁资估中的搀杂物、第二相、闲暇的数量及其散布.(2)内应力起伏大小和散布，起伏越大、散布越不平均，对磁畴壁的迁移阻力越大.为提高资料磁导率，就必须削减搀杂物的数量，削减内应力.(3)磁晶各向异性能的大小，因为壁移实质上是原子磁矩的转动，它必定要通过难磁化偏向，故下降磁晶各向异性能也可提高磁导率.(4)磁致伸缩性能和磁弹性能也影响较小壁移进程，因为壁移也会引起资料某一偏向的伸长, 另一偏向则要缩短, 故要增加磁导率, 应使资料具有较小的磁致伸缩和磁弹性能.。

材料物理性能思考题.

材料物理性能思考题第一章：材料电学性能1如何评价材料的导电能力？如何界定超导、导体、半导体和绝缘体材料？2 经典导电理论的主要内容是什么？它如何解释欧姆定律？它有哪些局限性？3 自由电子近似下的量子导电理论如何看待自由电子的能量和运动行为？4 根据自由电子近似下的量子导电理论解释：准连续能级、能级的简并状态、简并度、能态密度、k空间、等幅平面波和能级密度函数。

5 自由电子近似下的等能面为什么是球面？倒易空间的倒易节点数与不含自旋的能态数是何关系？为什么自由电子的波矢量是一个倒易矢量？6 自由电子在允许能级的分布遵循何种分布规律？何为费米面和费米能级？何为有效电子？价电子与有效电子有何关系？如何根据价电子浓度确定原子的费米半径？7 自由电子的平均能量与温度有何种关系？温度如何影响费米能级？根据自由电子近似下的量子导电理论，试分析温度如何影响材料的导电性。

8 自由电子近似下的量子导电理论与经典导电理论在欧姆定律的微观解释方面有何异同点？9 何为能带理论？它与近自由电子近似和紧束缚近似下的量子导电理论有何关系？10 孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？11 在布里渊区的界面附近，费米面和能级密度函数有何变化规律？哪些条件下会发生禁带重叠或禁带消失现象？试分析禁带的产生原因。

12 在能带理论中，自由电子的能量和运动行为与自由电子近似下有何不同？13 自由电子的能态或能量与其运动速度和加速度有何关系？何为电子的有效质量？其物理本质是什么？14 试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。

15 能带论对欧姆定律的微观解释与自由电子近似下的量子导电理论有何异同点？16 解释原胞、基矢、基元和布里渊区的含义17 试指出影响材料导电性的内外因素和影响规律，并分析其原因。

18 材料电阻的测试方法由哪几种？各有何特点？19 简述用电阻法测绘固溶度曲线的原理和方法。

材料物理思考题2016最终版(北京化工大学四位男生吐血整理)

第 2 章晶体缺陷
1、重要名词：晶体缺陷：将晶体中偏离理想的完整结构的区域称为晶体缺陷。化学缺陷：是指由局部的成分与基体不同导致的缺陷。点阵缺陷：是指原子排列处于几何上的混乱状态，而与构成晶体的元素无关的晶体缺陷。点缺陷：是指在 x、y、z 方向的尺寸都很小（相当于原子尺寸）的点阵缺陷，也称为零维缺陷。线缺陷：是指在两个方向上尺寸都很小，另一个方向上相对很长的点阵缺陷，也称一维缺陷。面缺陷：是指在两个方向上尺寸很大，另一个方向上尺寸很小的点阵缺陷，也称二维缺陷。空位：空位是指由于原子迁移到点阵中其他位置形成的空结点。间隙原子：是指处于点阵中间隙位置的原子。空位形成能：单个空位形成所需的能量，通常用 Ef 表示。辐照损伤：是点缺陷影响晶体性能ห้องสมุดไป่ตู้另一种形式，其含义为电子、中子、质子、α粒子等高能粒子照射材料，在材料中导入大量空位和间隙原子，引起的材料损伤。
电子化合物：是在特定电子浓度下形成的化合物。电子浓度定义为合金中价电子数目 e 与原子数目 a 的比
值。
e A(100 x) Bx
a
100
间隙相和间隙化合物：是指过渡金属与 H、B、C、N 等非金属小原子形成的化合物。超结构（超点阵，有序固溶体）：是指在一定温度下，成分接近于一定原子比的短程有序的固溶体可能转
材料物理思考题 2016
(考试范围不限于此思考题)
第 1 章材料的晶态结构
1、重要名词：晶体:原子（或分子）在三维空间作有规则的周期性重复排列的材料称为晶体。非晶体：如果材料中的原子（或分子）不规则地排列则称为非晶体。准晶体：准晶体是一种介于晶体和非晶体之间的有序结构。（晶体、非晶体、准晶体结构的区别可从其原子排列的旋转对称性来说明。晶体可看成是相同的单胞按同样的规则堆垛形成；非晶体是长程无序的无单胞，也没有原子排列的对称性；准晶体是不同的单胞或形状相同取向不同的单胞按一定的规则周期性地重复堆垛形成，是介于晶体和非晶体之间的长程有序结构。）点阵（晶格）：将周围环境相同，彼此等同的原子、分子或原子群、分子群的中心抽象为规则排列于空间的无数个几何点，这种几何点的空间排列称为空间点阵，简称点阵。晶胞：在点阵中取出一个具有代表性的基本单元作为点阵的组成单元，称为晶胞。点阵常数（晶格常数，晶格参数）：a,b,c;α，β，γ。晶系：晶体根据其在晶体理想外形或综合宏观物理性质中呈现的特征对称元素可划分为立方、六方、三方、四方、正交、单斜、三斜等 7 类，是为 7 个晶系。布拉菲点阵：按“每个阵点周围环境相同”的要求，空间点阵只能有 14 种形式，称为布拉菲点阵，它们分别是：简单三斜、简单单斜、底心单斜、简单正交、底心正交、体心正交、面心正交、简单六方、菱形（三角）、简单四方、体心四方、简单立方、体心立方、面心立方。晶向指数：[uvw] 晶面指数：（hkl）或{hkl} 面心立方：（1）晶胞内原子数：4；（2）点阵常数：a；（3）配位数和致密度：12、74%。体心立方：（1）晶胞内原子数：2；（2）点阵常数：a；（3）配位数和致密度：8、68%。密排六方：（1）晶胞内原子数：6；（2）点阵常数：a、c、c/a=1.633；（3）配位数和致密度：6（6+6）、 74%。同素异构现象（多晶型性）：合金：由两种或两种以上的金属或金属与非金属，经熔炼、烧结或其他方法组合而成的具有金属特性的物质。固溶体：两种或多种元素混合所形成的单一结构的结晶相，其结构与某一组成元素相同。间隙式固溶体：也称为填隙固溶体，是指溶质原子处于溶剂结构中的间隙位置形成的固溶体。

材料物理化学思考题-GZ版

材料物理化学思考题-GZ版第一章.1材料物理-材料的电学性能1．何谓能带结构？满带，导带，价带，空带和禁带？能带结构：由于晶体中各原子间的相互影响，原来各原子中能量相近的能级将分裂成一系列和原能级接近的新能级，这些新能级基本上连成一片，形成能带(energy band)。

满带：能带中各能级都被电子填满。

导带：被电子部分填充的能带及空带（一般与价带相邻）。

价带：价电子能级分裂后形成的能带。

一般情况下，价带是被电子所填充的能量最高的能带。

空带：所有能级均未被电子填充的能带。

禁带：在能带之间的能量间隙区，电子不能填充。

2.简述绝缘体、半导体与导体的能带结构差异及对其导电性的影响；导体：分两类，一类是价带和导带交叠，加电压后电子能够很容易从价带顶部跃迁到导带底部而导电。

另一类是价带和导带不交叠，但它的价带未填满，因而加电压后电子也能够很容易从价带顶部跃迁到导带底部而导电绝缘体：价带和导带不交叠存在很大的能量间隙，且价带被填满因而加电压后电子不能够很容易从价带顶部跃迁到导带底部，故不导电。

半导体：价带和导带不交叠，但能隙很小。

1.本征半导体，当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流，电子电流和空穴电流。

自由电子和空穴都称为载流子。

(1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差；(2) 温度愈高，载流子的数目愈多, 半导体的导电性能也就愈好。

所以，温度对半导体器件性能影响很大。

2. n型半导体，电子导电3. p 型半导体，空穴导电。

3.简述造成半导体材料与金属材料在电导温度函数上的差别原因；半导体的导电特性：即热敏性，温度愈高，载流子的数目愈多，导电能力显著增强，正比关系。

在杂质半导体中多数载流子的数量与掺杂浓度有关，而少数载流子的数量与温度有关，且当温度升高时，少数载流子的数量增多。

在Ｐ型半导体中，多数载流子为空穴，少数载流子为电子，而在Ｎ型半导体中，多数载流子为电子，少数载流子为空穴。

材料力学实验思考题答案

材料力学实验思考题答案1. 引言。

材料力学实验是材料力学课程的重要组成部分，通过实验可以更直观地了解材料的性能和行为。

在实验过程中，学生需要不断思考和分析，以深化对材料力学知识的理解。

本文将针对材料力学实验中的一些思考题进行解答，希望能够帮助学生更好地掌握相关知识。

2. 实验思考题答案。

2.1 为什么在材料力学实验中常常使用金属材料？答，金属材料具有良好的可塑性和韧性，适用于各种加载条件下的实验。

同时，金属材料的力学性能稳定，易于加工和制备，因此在材料力学实验中被广泛应用。

2.2 为什么在拉伸试验中会出现颈缩现象？答，在拉伸试验中，当金属材料受到拉力作用时，由于材料内部应力分布不均匀，会出现局部应力集中的现象，导致材料发生颈缩。

这是由于材料的塑性变形导致的，属于材料的典型失效形式。

2.3 为什么在材料力学实验中需要进行应力应变曲线的测定？答，应力应变曲线是材料力学性能的重要指标，通过曲线的测定可以了解材料的屈服强度、抗拉强度、延伸率等性能参数。

这对于材料的选用和设计具有重要意义，因此在材料力学实验中需要进行应力应变曲线的测定。

2.4 为什么在材料力学实验中需要进行硬度测试？答，硬度是材料抵抗局部变形的能力，是材料力学性能的重要指标之一。

通过硬度测试可以快速了解材料的硬度水平，评估材料的耐磨性和耐腐蚀性能，对于材料的使用和维护具有重要意义。

2.5 为什么在材料力学实验中需要进行冲击试验？答，冲击试验可以评估材料的韧性和抗冲击性能，对于材料在受到冲击载荷时的表现具有重要意义。

通过冲击试验可以了解材料在实际工作条件下的表现，为工程设计和材料选择提供重要参考。

3. 结语。

通过对材料力学实验思考题的解答，可以更深入地了解材料力学知识的实际应用。

希望学生在实验过程中能够不断思考和分析，提高对材料力学的理解和掌握，为将来的工程实践奠定坚实的基础。

材料物理性能测试思考题答案

灵验电子数：没有是所有的自由电子皆能介进导电，正在中电场的效率下，惟有能量靠近费稀能的少部分电子，圆有大概被激励到空能级上去而介进导电.那种真真介进导电的自由电子数被称为灵验电子数.之阳早格格创做K状态：普遍与杂金属一般，热加工使固溶体电阻降下，退火则落矮.但是对付某些身分中含有过度族金属的合金，纵然金相领会战Ｘ射线领会的截止认为其构制仍是单相的，但是正在回火中创制合金电阻有反常降下，而正在热加工时创制合金的电阻明隐落矮，那种合金构制出现的反常状态称为K状态.X射线领会创制，组元本子正在晶体中没有匀称分集，使本子间距的大小隐著动摇，所以也把K状态称为“没有匀称固溶体”.能戴：晶体中洪量的本子集中正在所有，而且本子之间距离很近，以致离本子核较近的壳层爆收接叠，壳层接叠使电子没有再限制于某个本子上，有大概变化到相邻本子的相似壳层上去，也大概从相邻本子疏通到更近的本子壳层上去，进而使本本处于共一能量状态的电子爆收微强的能量好别，与此相对付应的能级扩展为能戴.禁戴：允许被电子吞噬的能戴称为允许戴，允许戴之间的范畴是没有允许电子吞噬的，此范畴称为禁戴.价戴：本子中最中层的电子称为价电子，与价电子能级相对付应的能戴称为价戴.导戴：价戴以上能量最矮的允许戴称为导戴.金属资料的基础电阻：理念金属的电阻只与电子集射战声子集射二种体制有关，不妨瞅成为基础电阻，基础电阻正在千万于整度时为整.残存电阻(结余电阻)：电子正在杂量战缺陷上的集射爆收正在有缺陷的晶体中，千万于整度下金属浮现结余电阻.那个电阻反映了金属杂度战没有完备性.相对付电阻率：ρ (300K)／ρ (4.2K)是衡量金属杂度的要害指标.结余电阻率ρ’：金属正在千万于整度时的电阻率.真用中常把液氦温度(4.2K)下的电阻率视为结余电阻率.相对付电导率：工程中用相对付电导率( IACS%) 表征导体资料的导电本能.把国际尺度硬杂铜(正在室温20 ℃下电阻率ρ= 0 .017 24Ω·mm2/ m)的电导率动做100% , 其余导体资料的电导率与之相比的百分数即为该导体资料的相对付电导率.马基申定则(马西森定则)：ρ＝ρ’＋ρ(T)正在一级近似下，分歧集射体制对付电阻率的孝敬不妨加法供战.ρ’：决断于化教缺陷战物理缺陷而与温度无关的结余电阻率.ρ(T)：与决于晶格热振荡的电阻率(声子电阻率)，反映了电子对付热振荡本子的碰碰.晶格热振荡：面阵中的量面(本子、离子)盘绕其仄稳位子附近的微强振荡.格波：晶格振荡以弹性波的形式正在晶格中传播，那种波称为格波，它是多频次振荡的推拢波.热容：物体温度降下1K时所需要的热量(J/K)表征物体正在变温历程中与中界热量接换个性的物理量，间接与物量里里本子战电子无准则热疏通相通联.比定压热容：压力没有变时供出的比热容.比定容热容：体积没有变时供出的比热容.热导率：表征物量热传导本领的物理量为热导率.热阻率：定义热导率的倒数为热阻率ω，它不妨领会为二部分，晶格热振荡产死的热阻(ωp)战杂量缺陷产死的热阻(ω0).导温系数或者热扩集率：它表示正在单位温度梯度下、单位时间内通过单位横截里积的热量.热导率的单位：W/(m·K)热领会：通过热效力去钻研物量里里物理战化教历程的真验技能.本理是金属资料爆收相变时，伴伴热函的突变.反常伸展：对付于铁磁性金属战合金如铁、钴、镍及其某些合金，正在仄常的伸展直线上出现附加的伸展峰，那些变更称为反常伸展.其中镍战钴的热伸展峰进与为正，称为正反常；而铁战铁镍合金具备背反常的伸展个性.接换能：接换能E ex=－2Aσ1σ2cosφ A—接换积分常数.当A＞0，φ＝0时，E ex最小，自旋磁矩自收排列共一目标，即爆收自收磁化.当A＜0，φ＝180°时，E ex也最小，自旋磁矩呈反背仄止排列，即爆收反铁磁性.接换能是近邻本子间静电相互效率能，各背共性，比其余各项磁自由能大102～104数量级.它使强磁性物量相邻本子磁矩有序排列，即自收磁化.磁滞耗费：铁磁体正在接变磁场效率下，磁场接变一周，B-H直线所描画的直线称磁滞回线.费，常常以热的形式而释搁.技能磁化：技能磁化的真量是中加磁场对付磁畴的效率历程即中加磁场把各个磁畴的磁矩目标转到中磁场目标(战)或者近似中磁场目标的历程.技能磁化的二种真止办法是的磁畴壁迁移战磁矩的转化.请画出杂金属无相变时电阻率—温度关系直线，它们分为几个阶段，各阶段电阻爆收的体制是什么？为什么下温下电阻率与温度成正比？1—ρ电-声∝T( T > 2/ 3ΘD ) ；2—ρ电-声∝T 5 ( T< <ΘD )；3—ρ电-电∝T 2 ( T ≈2K )分为三个阶段：(1)温度T > (2/ 3)ΘD 阶段, 电阻率正比于温度，即ρ(T) =αT .电阻爆收的体制是电子—声子(离子)集射.(2)温度T< <ΘD 阶段，电阻率与温度成五次圆关系, 即ρ∝T 5.电阻爆收的体制是电子—声子(离子)集射，(3)正在极矮温度(T ≈2K)ρ∝T 2 , 电阻爆收的体制是电子—电子之间的集射.*2=L n e 称为集射系数).对付金属去道，温度降下离子热振荡的振幅愈大，电子便愈易受到集射，故不妨认也便与温度成正比(果为式子中其余的量均与温度无关)，那便是下温下电阻率与温度成正比的本果.用电阻法钻研金属热加工时为什么要正在矮温？根据马西森定律, 热加工金属的电阻率可写成ρ= ρ′+ρM式中：ρM 表示与温度有关的退火金属电阻率；ρ′是结余电阻率.真验道明，ρ′与温度无关，换止之，dρ/ dT 与热加工程度无关.总电阻率ρ愈小，ρ′/ ρ比值愈大，所以ρ′/ ρ的比值随温度落矮而删下.隐然，矮温时用电阻法钻研金属热加工更为符合.从导体、半导体、绝缘体资料能戴结构领会其导电本能分歧的本果.导体：价戴与导戴沉叠，无禁戴.或者价戴已被电子挖谦，那种价戴自己即为导戴.那二种情况下价电子皆是自由的，便像金属具备洪量的那样的自由电子，所以具备很强的导电本领.半导体战绝缘体：谦价戴战空导戴之间具备禁戴.半导体：禁戴宽度小，正在热、光等中界条件效率下，价戴中的部分电子有大概赢得脚够的能量而越过禁戴到达其上头的空戴，产死导戴.而且价戴中出现了电子留住的空穴.导戴中的电子战价戴中的空穴正在电场的效率下沿好同的目标定背移动，爆收电流.导戴中的电子导电战价戴中的空穴导电共时存留的导电办法称为本征导电，其个性是介进导戴的电子战空穴浓度相等，那种半导体称为本征半导体.绝缘体：禁戴宽度很大，电子很易越过禁戴到达其上头的空戴，中电场的效率下险些没有爆收电流.金属资料电阻爆收的真量.当电子波通过一个理念晶体面阵时(0K) , 它将没有受集射；惟有正在晶体面阵完备性受到益害的场合, 电子波才受到集射(没有相搞集射) , 那便是金属爆收电阻的基本础基本果.由于温度引起的离子疏通(热振荡) 振幅的变更(通时常使用振幅的均圆值表示)，以及晶体中同类本子、位错、面缺陷等皆市使理念晶体面阵的周期性受到益害.那样，电子波正在那些场合爆收集射而爆收电阻，落矮导电性.为什么金属资料的导电性随温度的降下而落矮，而非金属资料的导电性随温度的降下而降下？对付于金属资料：温度降下，晶格热振荡加剧，声子电阻率降下，而结余电阻率没有变，故金属资料的导电性随温度的降下而落矮.对付于非金属资料：温度降下，资料的电子或者载流子疏通本领巩固，数量也减少，传播电荷的本领巩固，导电性巩固.金属资料受力后电阻率的变更.(1)推力正在弹性范畴内单背推伸或者扭转应力能普及金属的ρ，并有(2)压力对付大普遍金属去道，正在受压力情况下电阻率落矮压力系数，为背.险些所有杂元素随温度变更电阻压力系数险些没有变.仄常金属元素：电阻率随压力删大而下落；(铁、钴、镍、钯、铂、铱、铜、银、金、锆、铪等)反常金属元素：碱金属、碱土金属、稀土金属战第V 族的半金属，它们有正的电阻压力系数，但是随压力降下一定值后系数变号，钻研标明，那种反常局里战压力效率下的相变有关.下压力还能引导物量的金属化，引起导电典型的变更，而且有帮于从绝缘体—半导体—金属—超导体的某种转化.固溶、热加工对付金属资料电阻率的效率及本果.产死固溶体时，导电本能落矮.纵然是正在矮导电性的金属中溶进下导电性的金属溶量也是如许，但是电阻随身分连绝变更而无突变.对付于连绝固溶体，当组元A 溶进组元B 时，电阻由B 组元的电阻值渐渐删大至极大值后再渐渐减小到A 组元的电阻值.本果：(1)引起晶体面阵畸变，减少了电子的集射，本子半径好越大，固溶体的电阻也越大；(2)杂量对付理念晶体的局部益害；(3)合金化引起能戴结构变更，移动费米里(0K 时电子最下能级)并改变了电子0(1)γρρασ=+能态的稀度战灵验导电电子数；(4)合金化效率弹性常数，使面阵振荡的声子谱改变.普遍，热加工引起电阻率删大.室温下测得经相称大的热加工变形后杂金属(如铁、铜、银、铝)的电阻率, 比已经变形的总合只减少2%～6%.惟有金属钨、钼例中, 当热变形量很大时, 钨电阻可减少30%～60% , 钼减少15%～20%.普遍单相固溶体经热加工后, 电阻可减少10%～20%.而有序固溶体电阻减少100% , 以至更下.也有好同的情况, 如Ni-Cr，Ni-Cu-Zn，Fe-Cr-Al等中产死K状态, 则热加工变形将使合金电阻率落矮.本果：热加工引起金属晶格畸变，减少电子集射几率；共时也会引起金属晶体本子分离键的改变，引导本子间距变更.固溶体的有序化对付其电阻率有何效率？为什么？固溶体爆收有序时，其电阻率明隐落矮.固溶体爆收有序化时对付导电性的效率：(1)使面阵顺序性加强，缩小了对付电子的集射而使电阻率落矮(2)使组元间的相互化教效率加强，使灵验电子数缩小，进而引起电阻率的降下.上述二种好同的效率中，第一种效率占主宰职位，果此有序化普遍表示为电阻率落矮.有序化程度越下，电阻率便越矮.将下列物量按热导率大小排序，并道明缘由：(1)铬(2)银(3)Ni-Cr合金(4)石英(5)铁(2)银＞(5)铁＞(3) Ni-Cr合金＞(1)铬＞(4)石英银正在五种物量中导电本能最好，铁次之.合金热导率常常小于杂金属.铬的本量比较靠近半导体.石英是绝缘体.导电率：(2)银＞(5)铁＞(3) Ni-Cr合金＞(1)铬＞(4)石英.根据魏德曼—弗兰兹定律，热导率与电导率之间存留如下关系：所以，(2)银＞(5)铁＞(3) Ni-Cr合金＞(1)铬＞(4)石英.为什么道资料热教本能的物理真量皆与晶格热振荡有关?固体资料的百般热教本能便其物理真量而止，均与形成资料的量面(本子、离子)热振荡有关.固体资料由晶体或者非晶体组成，面阵中的量面（本子、离子）经常盘绕其仄稳位子做微强振荡，那种振荡称为晶格热振荡.资料中量面之间的振荡存留的关系战效率.资料内能的真量、热容的物理真量.C p与C v的物理意思是什么？是可通过真验丈量？C p与C v哪个大，为什么？若温度降下时物体的体积没有变，物体吸支的热量只用去谦脚温度降下物体内能的减少，此种条件下的热容称为定容热容(C v).若温度降下时物体的压力没有变，物体吸支的热量除了用去谦脚温度降下物体内能的减少中，还对付中搞功，此种条件下的热容称为定压热容(C p).对付于金属，C v没有克没有及间接通过真验丈量，需由真验测得C p，再换算得到C v.C p大于C v，那是果为定压比热容中含有体积伸展功，2mα-=VP VV Tc cK.故正在相共品量的条件下，C p更大.资料热容随温度的变更顺序.Ⅰ区：T：0～5K，C v∝TⅡ区： c v∝T3，T达到时，C v＝3R.Ⅲ区： c v＞3R，减少部分主假如自由电子热容的孝敬.热容体味定律的真量及其与本量切合的情况.若晶体有N个本子，则有3N个自由度.金属本子的热振荡既具备动能，又具备位能，二者没有竭天相互变换，且仄稳动能与仄稳位能统计天相等(每个振荡自由度仄稳动能战仄稳位能皆为U m＝3NkT＝3RT.金属的定容摩我热容为：热容体味定律杜隆－珀替定律(Dulong-Petit rule)的真量是所有金属的摩我热容是一个与温度无关的常数，其数值靠近于3R.与本量切合的情况是：(1)认为热容与温度无关，与究竟没有符.(2)认为所有元素热容相共，形成化合物时，分子热容等于各本子热容之战，与究竟没有真足相符.(3)矮温时、沉元素与究竟没有共很大.(4)除沉元素中，大部分元素与固体物量正在非矮温时，与究竟格中靠近.与本量没有切合的本果：假设与前提问题，本子(百般元素、所有温度)仄稳动能、位能相等，模型过于简化.把本子的振荡能量瞅做是连绝的，没有切合能量没有连绝性的量子化条件.热容爱果斯坦模型、德拜模型的前提及其与究竟切合情况，没有真足相符的本果.爱果斯坦模型(1)前提：晶格中每个本子(离子)皆正在其格面做振荡，各个本子的振荡是独力而互没有依好，每个本子皆具备相共的周围环境，果而其振荡频次v皆是相共的，本子振荡的能量是没有连绝的、量子化的.可把本子的振荡瞅做是谐振子的振荡. (2)究竟切合情况：正在下温时热容战杜隆—珀替定律普遍，并战热容直线切合得较好.值普遍正在100～300K范畴.(3)没有真足相符的本果：正在矮温时，热容与温度之间的关系中存留指数项，没有切合真验的C v=T3 关系，即随着温度的落矮，爱果斯坦热容表里值比真验值要更快天下落而趋近于整.本果正在于把本子的振荡瞅成是孤坐的，并忽略了振子振荡频次的没有共.德拜模型(1)前提：正在爱果斯坦量子热容表里前提上加以完备的.认为：晶体中各本子间存留着弹性的斥力战吸力，那种力使本子热振荡相互受牵连而达到相邻本子间协做天振荡.波少较少，属于声频波范畴(相称于弹性振荡波).由于弹性波波深刻大于晶格常数，可近似天把晶体视为连绝介量，把弹性波的振荡也可近似天视为连绝的，其振荡频次可连绝分集正在整到v m之间.(2)究竟切合情况：正在下温下本子皆险些以最大频次振荡，果而使热容靠近于一个常数.此时德拜热容表里与典范热容表里、爱果斯坦热容表里普遍.正在矮温时，金属温度降下所吸支的热量主假如用去加强晶格的振荡，纵然得具备下频振荡的振子数慢遽天删加，C v与T3 成正比.当T=0K时，C v=0.那也真足切合真验顺序. (3)没有真足相符的本果：正在很靠近0K的温度范畴，德拜热容表里与真验顺序存留着偏偏好.本果正在于德拜表里只思量了晶格振荡对付热容的孝敬，而已思量自由电子对付热容的孝敬.正在极矮的温度下，由于晶格振荡的能量已趋近于整，自由电子的动能便没有成被忽略，它成为对付热容的主要孝敬者.资料热容与温度关系的体味公式.会使釉层脱资料热伸展系数随温度的变更情况.资料热伸展的机理.格律乃森定律的真量及本果.格律乃森(Grüneisen)从晶格振荡表里导出金属体伸展系数与热容间存留的关系式：式中：γ是格律乃森常数，是表示本子非线性振荡的物理量，普遍物量γ正在1 .5 - 2 .5 间变更；K 是体积模量； V 是体积；C V 是等容热容.从热容表里知, 矮温下C V 随温度T 3 变更, 则伸展系数正在矮温下也按T 3 顺序变更, 即伸展系数战热容随温度变更的个性基础普遍.体伸展系数与定容热容成正比，它们有相似的温度依好关系，正在矮温下随温度降下慢遽删大，而到下温则趋背仄缓.固溶战热加工对付资料的λ(热导率)有何效率？为什么？程减小，热哪些果素会效率资料的热导率？怎么样效率？(1)对付于杂金属，效率其电导率果素有：温度、晶粒大小、晶背、杂量.简直天去道：根据导热体制不妨推论下电导率的金属便有下的热导率.①热导率与温度关系：正在矮温时, 热导率随温度降下而没有竭删大，并达到最大值.随后，热导率正在一小段温度范畴内基础脆持没有变；当温度降下到某一温度后，热导率启初慢遽下落，并正在熔面处达到最矮值.但是像铋战锑那类金属熔化时, 它们的热导率减少一倍，那大概是过度至液态时，共价键合减强，而金属键合加强的截止.正在德拜温度以上略成直线关系， 0(1)r T λλα=+.正在德拜温度以下，某些金属的热导率按照格留涅申定律而变更，-3T λα=铁磁性金属或者合金的热导率与温度直线正在居里面时有转合.②晶粒大小的效率：普遍情况是晶粒细大，热导率下；晶粒愈细，热导率愈矮. ③坐圆晶系的热导率与晶背无关.非坐圆晶系晶体热导率表示出各背同性. ④所含杂量热烈效率热导率.当加进少量杂量时，组元的热导率落矮很剧烈，但是随着浓度的减少对付热导率的效率要小得多.(2)对付于合金二种金属形成连绝无序固溶体时, 溶量组元浓度愈下, 热导率落矮愈多, 而且热导率最小值靠拢本子浓度50%处.当组元为铁及过度族金属时，热导率最小值比50%处有较大的偏偏离.当为有序固溶体时，热导率普及，最大值对付应于有序固溶体化教组分.(3)对付于无机非金属资料比较而止, 金属资料热导率的效率果素比较简朴，而无机非金属资料便搀杂一面.果此，金属资料热导率的效率果素对付无机非金属资料皆共样的灵验率，不过由于陶瓷资料相结构搀杂一面，包罗玻璃相战一定孔隙率.①化教组成的效率：对付于无机非金属资料去道，资料结构的相对付本子品量愈小，稀度愈小，弹性模量愈大, 德拜温度愈下, 则热导率愈大, 所以沉元素的固体战分离能大的固体热导率较大，固溶体的情况与金属固溶体的变更趋势相似，战金属固溶体类似，杂量浓度很矮时，杂量落矮热导率效力格中明隐；杂量浓度删下时，杂量效力减强，正在矮温下杂量效力将会更隐著.②晶体结构的效率：晶体结构愈搀杂，晶格振荡的非线性程度愈大，其集射程度愈大，果此声子仄稳自由程较小，所以热导率便矮了.③晶粒大小战各背同性的效率：与对付金属的热导率效率相共.共样化教组成的多晶体的热导率总比单晶小.④非晶体的热导率：非晶体的热导率正在所有温度下皆比晶体小.玻璃是无机的非晶体资料，其热导率变更有其特殊性.相中.热导率不妨按下式估计：式中：κc、κd分别为连绝相战分别相的热导率；φd为分别相的体积分数.⑥气孔率的效率：无机资料常含有气孔，气孔对付热导率的效率较搀杂.如果温度没有是很下，且气孔率没有大，尺寸很小，分集又匀称，不妨认为此时的气孔是复相陶瓷的分别相, 此时热导率不妨按上式处理.不过由于与固相相比，其热导率很小，不妨近似认为整, 且κc/κd很大，此时κ≈κs ( 1-φ气孔).式中：κs为陶瓷固相热导率；φ气孔为气孔的体积分数.思量气孔的辐射传热时，按下式估计：式中：P 为气孔里积分数；PL 是气孔的少度分数；ε为辐射里的热收射率；G 是几许果子；纵背少条气孔G=1，横背圆柱形气孔G =π/4, 球形气孔G = 2/ 3；d 是气孔最大尺寸.(5)对付于本征半导体正在本征半导体中，导戴中电子战价戴中的空穴随温度降下而减少，那引导热导率随温度降下而降下.不妨采与哪些步伐普及资料的磁导率？其表里依据是什么？(1)与消资料中的杂量；(2)把晶粒培植到脚够大并呈等轴状；(3)产死再结晶织构；(4)采与磁场中退火.(1)的表里依据是如当杂量固溶正在资料中会制成面阵扭直，当杂量呈夹杂物存留时则使畴壁脱孔，那皆市给畴壁迁移制成阻力，引导磁导率下落，矫顽力降下.(2)的表里依据是晶粒脚够大，使得晶界缩小，畴壁迁移变得越收简单.(3)的表里依据是再结晶织构具备目标性，正在该目标的磁导率会明隐删大.(4)的表里依据是正在沿轴背的磁场中缓缓热却时，磁畴将正在室温磁化时沿应伸少(正在正磁致伸缩情况下)的目标预先伸少，那样通过磁场中退火的样品，其磁致伸缩将无妨碍磁化，样品的磁化将变得越收简单，进而正在该目标会有下的磁导率.铁磁性物量中的相互效率能有哪些？各有什么个性？其中哪种能量最大？铁磁性物量中的相互效率能有：磁晶各背同本能、磁弹本能、接换效率能、退磁能.磁晶各背同本能是指沿分歧晶轴目标的能量好.其个性是正在易磁化轴上，磁晶各背同本能最小.物体正在磁化时要伸少(或者中断)，如果受到节制，没有克没有及伸少(或者支缩)，则正在物体里里爆收压应力(或者推应力)，物体里里将爆收的磁弹本能.其个性是物体里里缺陷、杂量等皆大概减少其磁弹本能.接换效率能是指近邻本子间静电相互效率能，其个性是各背共性，比其余各项磁自由能大102～104数量级.它使强磁性物量相邻本子磁矩有序排列，即自收磁化.而其余各项磁自由能退磁能是指退磁场与铁磁体的相互效率能.其个性是退磁能与资料的退磁果子N，磁化强度M的仄圆成正比.N值、M2越大，退磁能越大.总的去道，磁晶各背同本能、磁弹本能、退磁能没有改变其自收磁化的真量，而仅改变其磁畴结构.其中，接换效率能的能量最大.物量抗磁性爆收的基础是什么？为什么所有物量正在磁场中皆爆收抗磁性？表里钻研道明, 抗磁性基础于电子轨讲疏通, 故不妨道所有物量正在中磁场效率下均应有抗磁性效力.但是惟有本子的电子壳层真足挖谦了电子的物量, 抗磁性才搞表示出去, 可则抗磁性便被别的磁性掩盖了.无中H的时间：电子壳层已挖谦的本子总磁矩为0.有中H效率时：纵然总磁矩为0的本子，也会爆收磁矩.没有管循轨疏通的目标是绕H轴背顺时针仍旧顺时针，电子的循轨疏通正在中H效率下皆市爆收抗磁矩,即爆收的附加磁矩经常与中H目标好同，那便是物量爆收抗磁性的本果.物量顺磁性爆收的基础是什么？物量的顺磁性是怎么样爆收的？物量顺磁性爆收的基础是：本子(离子)的固有磁矩.无中H的时间：由于热疏通的效率，固有磁矩的与背为无序的，宏瞅上无磁性.中H效率下：固有磁矩与H效率，有较下的静磁能，为落矮静磁能，固有磁。

材料力学实验报告思考题答案

材料力学实验报告思考题答案在材料力学实验中，我们通过对材料的拉伸、压缩、弯曲等力学性能进行测试，从而了解材料的力学性能和力学行为。

在实验过程中，我们遇到了一些思考题，下面我将对这些思考题进行回答。

1. 为什么在拉伸试验中，材料会出现颈缩？颈缩是材料在拉伸过程中出现的一种现象，它是由于材料在拉伸过程中受到局部应力过大而发生的。

当材料受到拉伸力时，材料内部会出现应力集中的现象，导致局部应力过大，从而引起颈缩。

在颈缩过程中，材料的截面积会逐渐减小，从而导致材料的抗拉强度降低。

2. 为什么金属材料在拉伸过程中会出现冷加工硬化现象？冷加工硬化是金属材料在拉伸过程中出现的一种现象，它是由于材料在冷加工过程中发生了位错密集和滑移运动，从而导致材料的晶粒变形和变形结构的改变。

在拉伸过程中，冷加工硬化会使材料的抗拉强度和屈服强度增加，但同时也会使材料的塑性变形能力降低。

3. 在压缩试验中，为什么材料的抗压强度大于抗拉强度？在压缩试验中，材料的抗压强度通常会大于抗拉强度，这是由于在压缩过程中，材料受到的应力是沿着材料的纵向方向作用的，而在拉伸过程中，材料受到的应力是沿着材料的横向方向作用的。

由于材料在纵向方向上的结构强度通常会大于横向方向上的结构强度，因此导致了材料的抗压强度大于抗拉强度。

4. 在弯曲试验中，为什么材料的弯曲变形会出现弯曲曲线？在弯曲试验中，当材料受到弯曲力作用时，材料会发生弯曲变形，从而导致弯曲曲线的出现。

弯曲曲线是由于材料在弯曲过程中受到不均匀的应力分布，从而导致材料的上表面和下表面出现了不同程度的变形，最终形成了弯曲曲线。

通过对以上思考题的回答，我们对材料力学实验中的一些现象和现象背后的原理有了更深入的了解。

在今后的实验和学习中，我们应该继续加强对材料力学的理解，不断提高自己的实验能力和分析能力，从而更好地应用和发展材料力学的理论和实践。

材料物理热学思考题

1、讨论晶格振动时取简谐近似，而讨论热传导和热膨胀时却不能？这之间不是存在矛盾吗？
2、材料的热学性能包括哪些内容？这些性能的本质都与晶格振动有关吗？
3、材料的热膨胀的本质是什么？影响热膨胀的因素有哪些？有没有材料具有负热膨胀系数？
4、材料的热容本质是什么？
5、所有的材料都存在红外光吸收吗？它与材料的光吸收的区别与联系？
6、绝对零度时还存在格波吗？材料中谁最先感知冷热？
7、热容与结构存在何种关系？
8、材料的热传导机理各不相同或热传导的载体不同。

那么如何确定某种材料的热传导机理？。

材料物理思考题

材料物理思考题1、表面张力的定义。

答：表面张力也可以理解为系统增加单位面积时所需做的可逆功。

2、简述影响聚合物表面张力的因素，举例说明减少聚合物表面张力的方法。

答：（1）①温度:Guggenheim 自低分子出发，提出了可用于聚合物表面张力与温度关系的公式： 9/110)/1(C T T -=γγ γ0—温度为0K 时的表面张力 TC —临界温度 ②化学结构:表面张力大小主要取决于聚合物分子中的链节单元结构。

通常，非极性聚合物较极性聚合物的表面张力值低。

③分子量及其分布:聚合物分子量分布对其表面张力也有一定的影响。

聚合物中分子量小的部分会使其表面张力减小，尤其是它们有浓集于聚合物表面的趋势，从而引起表面张力γ值下降。

④高分子物态转变的影响:当聚合物从玻璃态转变为橡胶态时，其表面张力出现转折的连续性变化，而结晶－熔融转变过程中的表面张力变化具有非连续性。

在两力学状态下的聚合物表面张力随温度变化之系数也有不同数值。

⑤共混:共混物的表面张力大小往往受其体系的相容性影响。

通常，共混物的表面张力随其相容性的减小而增加。

⑥添加剂:低表面能添加剂具有降低聚合物表面张力的作用。

（2）3、解释聚合物表面组成、形态与内部不同的原因。

答：因为材料内部原子受到周围原子的相互作用是相同的，而处在材料表面的原子所受到的力场却是不平衡的因此材料的表面与其内部本体，无论在结构上还是化学组成上都有明显的差别。

5、什么是粉体活性。

答：粉体的活性是指组成粉体颗粒的各种质点（分子、原子、离子）的活动性。

即指质点脱离粉体颗粒中各种结合键的束缚，进入“自由”空间的能力。

6、粉体的尺寸是怎样划分的，决定它大小的因素是什么？答：通常将颗粒尺寸为150~500μm 的粉体称为粗粉体；40~150μm 的称为中等粉体；10~40μm 的称细粉体；0.5~10μm 的称为极细粉体；0.5μm 以下的则是超细粉体。

7、粉体具有什么样的聚集态特征。

材料力学思考题

材料力学思考题材料力学是研究材料在外力作用下的变形、破坏和失效行为的学科。

在研究材料力学时，我们常常会遇到一些思考题，通过思考和解答这些问题，我们可以更深入地理解材料力学的原理和应用。

下面是一些材料力学的思考题：1. 什么是材料的弹性模量？如何计算弹性模量？弹性模量是反映材料抵抗变形的能力的物理量，定义为材料应力与应变之间的比值。

计算弹性模量的方法有很多，常见的计算方法有拉伸和压缩试验、弯曲试验和剪切试验等方法。

2. 金属为什么会产生塑性变形？金属之所以会产生塑性变形，是因为金属晶体的滑移和位错运动导致晶体之间相对位移。

当外力作用于金属上时，晶体内部的滑移和位错运动会使原子发生相对位移，从而使金属产生塑性变形。

3. 为什么材料的应力和应变不是线性关系？在小应变范围内，材料的应力和应变呈线性关系，即服从胡克定律。

然而，在大应变范围内，材料的应力和应变不再线性关系，因为大应变条件下会发生晶体滑移、位错运动等塑性变形机制，从而导致应力和应变之间的非线性关系。

4. 什么是疲劳破坏？是什么原因导致材料发生疲劳破坏？疲劳破坏是材料在受循环应力作用下产生的断裂失效。

材料的疲劳破坏是由于循环应力引起的微观裂纹的扩展，导致裂纹逐渐扩展并最终导致材料断裂。

疲劳破坏的原因有多种，包括材料内部缺陷、应力集中、氧化、腐蚀等。

5. 为什么金属在高温下更容易失效？金属在高温下更容易发生失效，是因为高温条件下金属的晶界扩散速率增大，晶界扩散会导致金属晶粒的生长和晶界的消失，从而导致金属的力学性能下降。

此外，高温条件下金属还容易发生相变、疏松等失效现象。

以上是一些关于材料力学的思考题，通过解答这些问题，可以加深对材料力学原理和应用的理解，并且能够帮助我们更好地应用材料力学知识解决实际的材料工程问题。

材料物理性能习题与思考题-引言与电学性能概述部分

材料物理性能习题与思考题——课程引言与电学性能概述部分1、处理材料性能问题，从材料专业技术人员角度出发，可以遵循的共性思路或方法包含那几个步骤或者组成部分？各自的内容要点是什么？2、材料电学性能如何界定其涵盖范围的？3、按照材料对于外部作用的响应过程中状态发生的变化出发，材料电学性能粗略分成哪些类型？4、材料电学性能目前包含哪些内容(或者说可以细分为哪些具体的性能)？请对这些性能按照材料性能定义中作用因素和响应(响应的状态变化)的对应关系进行归纳总结(确定各自的涵盖面)。

5、材料电学性能与传感技术有何关系？说明其原因。

6、举例说明双作用因素下材料的电学性能表现。

能说明其具体应用吗？7、归纳总结固体材料的Hall效应。

请注意条理性和完整性。

8、请就材料电学性能的某个方面(除导电性和介电性外)，查阅文献资料，对其进行总结。

要求包含性能的现象、重要规律、所涉及的材料和应用，在此基础上分析讨论微观机理，并展开对材料制备方面的分析讨论。

(综合型大作业题目。

第五周前提交。

)9、传感技术是自动控制的基础。

非电量的电测技术是传感技术的重要组成部分。

为此，需要特殊的材料将非电量转变成电量，也就是具有特殊电学性能的材料是实现这种转变的关键材料。

目前，人们能够将哪些非电量转变成电量？将力、电磁辐射、磁场、温度等物理量转变成电量应当分别是哪些特殊电学性能的材料？查阅资料(以教科书和学术专著为主)，找出一些代表性的材料。

10、能够将电磁辐射转变成电信号进行检测的材料，按照材料性能分类有哪些类别？这些材料用于探测、记录电磁辐射有哪些实际应用？11、能够探测红外线并利用红外线成像，依赖什么特殊性能的材料？这种成像具有哪些特殊应用？12、数码技术记录图像，几乎完全替代了胶片记录。

这项技术目前主要分成CCD和CMOS两类。

请查阅资料，了解这两类技术的基本历史和目前的水平。

关注其中传感材料的情况。

13、请就数码相机的像素情况，对其中成像芯片部件的尺寸要求进行分析。