新型GalnNAs系低功耗HBT研究进展

合集下载

HBT结构的新进展

HBT结构的新进展
石瑞英;刘训春;等
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】2002(27)6
【摘要】介绍了以In0.03Ga0.97As0.99N0.01材料为基区的GaAs异质结双极型晶体管和以GaAs0.51Sb0.49材料为基区的InP HBT。

讨论了GaAs和InP HBT 结构的新进展及其对性能的改善,并对各结构的适用范围和优缺点进行了比较。

【总页数】5页(P69-72)
【关键词】结构;异质结双极型;晶体管;InP;GaAs
【作者】石瑞英;刘训春;等
【作者单位】中科院微电子中心，北京100010
【正文语种】中文
【中图分类】TN322.8
【相关文献】
1.横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响 [J], 赵彦晓;张万荣;谢红云;黄鑫;张良浩;金子超;付强
2.InP基HEMT／HBT器件工艺的最新进展 [J], Inoue,K;吴阿慧
3.新型SiGe HBT结构研究 [J], 武瑜
4.面向HBT干涉定位的直线式传感阵列结构优化 [J], 刘梦然;李善强;贾雯;聂磊
5.HBT干涉声源定位技术的拓扑结构优化研究 [J], 聂磊;贾雯;李善强;刘梦然
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

HBT分子核磁共振谱和热力学性质的理论计算

乏第９１７第３期
３５卷
（总第１８８期）
Ｊ０Ｎ工０ｕＩｚ－Ｈｉ￣－（）ｕｕＮＩｖ／ｔＥ４ＲｓＯＦ ’ ＥＮＧＩＮＥＥ … ＲＩＮＧＳｃＩＥＥ
贵州工稗
田技术学院学报
ＮＯ．３，２０１７Ｖｏｌ＿３５ＧｅｎｅｒａｌＮｏ．１８８
ＨＢＴ分子核磁共振谱和热力学性质的理论计算
李术学院理学院，贵州毕节５５１７００）
要产物为氮气、水和二氧化碳，因此，ＨＢＴ含能材料有望成为一种 “ 绿色 ” 的高能量密度材料。。本文基
于密度泛函理论，计算了ＨＢＴ分子的结构参数、红外光谱和溶剂效应下的核磁共振谱，同时我们研究了不同温度下的气态分子热力学性质。理论计算为深入研究ＨＢＴ分子的物化特性提供参考。
基金项目：贵州省科技厅联合基金项目“ 新型含能材料ＨＢＴ的密度泛函理论研究 ” ，项目编号：黔科合ＬＨ字［２０１４１７５２５。作者简介：李佐（１９８３一），男，陕西陇县人，贵州工程应用技术学院理学院讲师，理学硕士。研究方向：极端条件下含能材料的性质研究。
・
６３・
如图１所示，属于Ｃ．点群。具体的结构参数如表ｌ所示，由表中数据可以发现基组对原子问的键长和键角影响较小。和实验值相比较，除了Ｎ — Ｎ键长接近实验值外。其余数据差别较大，尤其是二面角

全氢聚硅氮烷涂层在光电领域的研究进展

收稿日期:２０２２－１０－０３ꎮ基金项目:国家自然科学基金面上项目(２１８７５０９６)ꎮ作者简介:孟帅(１９８５ )ꎬ男ꎬ博士ꎬ研究方向为化学领域专利审查ꎮ㊀∗通信作者:冯刚(１９８２ )ꎬ男ꎬ教授ꎬ博士ꎬ研究方向为催化化学ꎮＥ￣ｍａｉｌ:ｆｅｎｇｇａｎｇ＠ｎｃｕ.ｅｄｕ.ｃｎꎮ孟帅ꎬ李开扬ꎬ叶润平ꎬ等.全氢聚硅氮烷涂层在光电领域的研究进展[Ｊ].南昌大学学报(工科版)ꎬ２０２３ꎬ４５(２):１２８－１３５.ＭＥＮＧＳꎬＬＩＫＹꎬＹＥＲＰꎬｅｔａｌ.Ｒｅｓｅａｒｃｈｐｒｏｇｒｅｓｓｏｆｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅｃｏａｔｉｎｇｉｎｔｈｅｆｉｅｌｄｏｆｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ[Ｊ].ＪｏｕｒｎａｌｏｆＮａｎ￣ｃｈａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ(Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ)ꎬ２０２３ꎬ４５(２):１２８－１３５.全氢聚硅氮烷涂层在光电领域的研究进展孟帅１ꎬ李开扬１ꎬ叶润平２ꎬ张荣斌２ꎬ冯刚２∗(１.国家知识产权局专利局化学发明审查部ꎬ北京１０００８８ꎻ２.南昌大学化学化工学院ꎬ江西南昌３３００３１)㊀㊀摘要:以全氢聚硅氮烷(ＰＨＰＳ)作为前驱体制备的涂层在光电领域有较高的应用价值ꎮ介绍了ＰＨＰＳ分子结构和ＰＨＰＳ涂层的形成机理ꎬ搜集整理了ＰＨＰＳ涂层的期刊文献与专利文献ꎬ根据功能将ＰＨＰＳ涂层分为介电层㊁阻隔层㊁光学层ꎬ以及其他功能层ꎬ分析了不同功能涂层中ＰＨＰＳ结构㊁改性原料㊁制备方法㊁涂层结构等因素对涂层性能的影响ꎬ对ＰＨＰＳ涂层在我国应用现状进行总结并提出未来的展望ꎮ关键词:全氢聚硅氮烷ꎻ涂层ꎻ光电ꎻ专利中图分类号:ＴＱ１２７.２㊀㊀㊀㊀文献标志码:Ａ㊀㊀㊀㊀文章编号:１００６－０４５６(２０２３)０２－０１２８－０８ＲｅｓｅａｒｃｈｐｒｏｇｒｅｓｓｏｆｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅｃｏａｔｉｎｇｉｎｔｈｅｆｉｅｌｄｏｆｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＭＥＮＧＳｈｕａｉ１ꎬＬＩＫａｉｙａｎｇ１ꎬＹＥＲｕｎｐｉｎｇ２ꎬＺＨＡＮＧＲｏｎｇｂｉｎ２ꎬＦＥＮＧＧａｎｇ２∗(１.ＣｈｅｍｉｃａｌＩｎｖｅｎｔｉｏｎＥｘａｍｉｎａｔｉｏｎＤｅｐａｒｔｍｅｎｔꎬＳＩＰＯꎬＢｅｉｊｉｎｇ１０００８８ꎬＣｈｉｎａꎻ２.ＳｃｈｏｏｌｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＣｈｅｍｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＮａｎｃｈａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＮａｎｃｈａｎｇ３３００３１ꎬＣｈｉｎａ)Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｃｏａｔｉｎｇｓｐｒｅｐａｒｅｄｗｉｔｈｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ(ＰＨＰＳ)ａｓｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓｈａｖｅｈｉｇｈａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｖａｌｕｅｉｎｔｈｅｆｉｅｌｄｏｆｏｐｔｏｅｌｅｃ￣ｔｒｏｎｉｃｓ.ＴｈｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＰＨＰＳａｎｄｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＰＨＰＳｃｏａｔｉｎｇｗｅｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｃｏｌｌｅｃｔｓａｎｄｓｏｒｔｓｊｏｕｒｎａｌｌｉｔｅｒａｔｕｒｅａｎｄｐａｔｅｎｔｌｉｔｅｒａｔｕｒｅｏｆＰＨＰＳｃｏａｔｉｎｇ.Ｔｈｅｃｏａｔｉｎｇｓｗｅｒｅｄｉｖｉｄｅｄｉｎｔｏｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｌａｙｅｒꎬｇａｓｂａｒｒｉｅｒｌａｙｅｒꎬｏｐｔｉｃａｌｌａｙｅｒａｎｄｏｔｈｅｒｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｌａｙｅｒｓａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅｉｒｆｕｎｃｔｉｏｎｓ.ＴｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＰＨＰＳｓｔｒｕｃｔｕｒｅꎬｍｏｄｉｆｉｅｄｒａｗｍａｔｅｒｉａｌｓꎬｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｓꎬｃｏａｔｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｏｔｈｅｒｆａｃｔｏｒｓｏｎｔｈｅｃｏａｔｉｎｇｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄｉｎｄｉｆｆｅｒｅｎｔｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｃｏａｔｉｎｇｓ.ＩｎａｄｄｉｔｉｏｎꎬｔｈｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｔａｔｕｓｏｆＰＨＰＳｃｏａｔｉｎｇｉｎｏｕｒｃｏｕｎｔｒｙｗａｓｓｕｍｍａｒｉｚｅｄａｎｄｔｈｅｐｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｓｉｎｔｈｉｓｆｉｅｌｄｗａｓｐｒｏｖｉｄｅｄ.ＫｅｙＷｏｒｄｓ:ｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅꎻｃｏａｔｉｎｇꎻｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃꎻｐａｔｅｎｔ㊀㊀聚硅氮烷是主链由ＳｉＮ键构成的聚合物ꎬ其性质比较活泼ꎬ与水㊁极性化合物㊁氧气等具有高的反应活性ꎬ在陶瓷㊁航空航天㊁涂料等领域具有广泛的应用ꎮ聚硅氮烷可分为有机聚硅氮烷和无机聚硅氮烷ꎬ有机聚硅氮烷是侧链含有机基团的硅氮聚合物ꎬ无机聚硅氮烷是侧基全为氢的硅氮聚合物ꎬ又称为全氢聚硅氮烷(ｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅꎬＰＨＰＳ)ꎬ其分子中仅含硅㊁氮㊁氢３种元素ꎮ相比有机聚硅氮烷ꎬＰＨＰＳ结构较单一ꎬ市场价值大[１]ꎬ可用于陶瓷前驱体㊁隔热材料制备等ꎮ由于ＰＨＰＳ不含有机基团ꎬ可通过多种方式实现低温转化ꎬ与基底黏附好ꎬ其转化形成的涂层具有耐腐蚀㊁耐高低温㊁隔气㊁长期耐候性㊁透明和耐划刻等特点而被广泛用于涂层制备[２]ꎮ光电技术在现代科学中占有重要地位ꎬ光电领域涂层的制备依然是阻碍其发展的难题ꎬＰＨＰＳ涂层技术作为光电技术重要分支ꎬ对于改善光电器件性能㊁解决光电领域卡脖子的关键技术问题具有重要的意义ꎮ１㊀ＰＨＰＳ结构及涂层形成机理１.１㊀ＰＨＰＳ结构ＰＨＰＳ是一种主链为ＳｉＮ结构ꎬ侧基全为Ｈ的含硅聚合物ꎬ其链段中的基本结构单元为[ (ＳｉＨ２ＮＨ)ｎ ]ꎬＰＨＰＳ中的最简单结构是具第４５卷第２期２０２３年６月㊀㊀㊀㊀㊀㊀南昌大学学报(工科版)ＪｏｕｒｎａｌｏｆＮａｎｃｈａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ(Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ)Ｖｏｌ.４５Ｎｏ.２Ｊｕｎ.２０２３㊀有图１的重复单元(ａ)的链状结构ꎬＰＨＰＳ分子内也可同时具有链状结构与环状结构ꎬ例如分子内可以具有由图１通式(ｂ)~(ｆ)所表示的重复单元与下述通式图１(ｇ)所表示的末端基团ꎮSi N HH H Si NH H SiN HSiNSiNH H HSiN HHH Si (a)(g)(f)(e)(d)(c)(b)图１㊀ＰＨＰＳ基本结构单元Ｆｉｇ.１㊀ＢａｓｉｃｓｔｒｕｃｔｕｒａｌｕｎｉｔｏｆＰＨＰＳ㊀㊀这样的ＰＨＰＳ分子内可以具有支链结构或环状结构ꎬ其部分结构可如图２(ａ)所表示ꎬ另外ꎬ如图２(ｂ)所示ꎬＰＨＰＳ也可具有多个ＳｉＮ分子链进行交联而得到的结构[３]ꎮ具有不同结构㊁组成和分子量的ＰＨＰＳ所形成的涂层的性能也相应有所不同ꎮSiH 2SiH H NHN H 3SiH 2SiH 2Si H 2SiH 3Si SiHHN N HN HSi H 2Si Si Si H 2SiH NHNH HNHNN N NNN NHN (ａ)Si N NNNN N Si Si SiSiSi(ｂ)图２㊀ＰＨＰＳ不同组成结构Ｆｉｇ.２㊀ＤｉｆｆｅｒｅｎｔｃｏｎｓｔｉｔｕｅｎｔｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｆＰＨＰＳ１.２㊀ＰＨＰＳ涂层形成机理ＰＨＰＳ在氧气或水存在的条件下ꎬ在有/无催化剂的条件下ꎬ经高温或光照处理可得到氧化硅涂层ꎮ大量学者研究了不同条件下ＰＨＰＳ的成膜机理[４－６]ꎬ特别是王丹等[７]研究了高温处理条件下ＰＨＰＳ－氧化硅转化所发生的化学反应和相变过程(分别参见图３和图４)ꎮ图３展示了ＰＨＰＳ转化过程中的相演变过程ꎬ其中ＰＨＰＳ相如图３(ａ)所示ꎬＰＨＰＳ相为连续相的海岛结构如图３(ｂ)所示ꎬ双连续相结构如图３(ｃ)所示ꎬ氧化硅为连续相的海岛结构如图３(ｄ)所示ꎮ图４的化学反应涵盖了ＰＨＰＳ转化过程中常见的水解㊁缩合和氧化反应ꎮ研究结果表明ꎬ当转化温度低于１８０ħ时ꎬＰＨＰＳ的转化以ＳｉＨ和ＳｉＮ的水解缩合反应为主ꎬ转化程度较低ꎬ形成的是氧化硅为分散相㊁ＰＨＰＳ为连续相的结构ꎬ此时样品的折光指数较高㊁模量和硬度较低ꎮ转化温度在１８０~３００ħ时ꎬＰＨＰＳ的转化以ＳｉＨ和ＳｉＮ的氧化反应为主ꎬ氧化硅相逐渐生长ꎬ形成双连续的相结构ꎬ且在温度高于２００ħ时发生相反转现象ꎬ氧化硅相成为连续相ꎬ样品的力学性能显著增加ꎮ转化温度在３００~６００ħ时ꎬ氧化硅网络骨架基本形成ꎬ在高温的作用下进一步发生致密化ꎮ形成生长相反转(a)(d)(c)(b)图３㊀ＰＨＰＳ转化过程中的相演变示意图Ｆｉｇ.３㊀ＳｃｈｅｍａｔｉｃｄｉａｇｒａｍｏｆｐｈａｓｅｅｖｏｌｕｔｉｏｎｉｎｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｏｆＰＨＰＳｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ２㊀ＰＨＰＳ涂层的分类与应用㊀㊀ＰＨＰＳ作为涂层的研究已有相关报道ꎬ张宗波等陆续报道了ＰＨＰＳ涂层材料研究进展[８]㊁ＰＨＰＳ用于塑料表面硬化涂层的研究进展[９]㊁ＰＨＰＳ制备氧化硅气体阻隔涂层的研究进展[１０]等ꎮ但上述文章中均未涉及专利文献ꎬＰＨＰＳ涂层具有很高的应用价值ꎬ作为重要研究主体的企业申请人ꎬ他们通常将ＰＨＰＳ涂层的研究成果提交专利申请而非撰写学术论文ꎬ且检索发现涉及ＰＨＰＳ涂层研究的专利数９２１第２期㊀㊀㊀㊀㊀孟帅等:全氢聚硅氮烷涂层在光电领域的研究进展量远超期刊论文数量ꎮ本文同时选取ＰＨＰＳ涂层相关专利及论文作为研究对象ꎬ在国家知识产权局专利局智能检索系统的ＣＮＴＸＴ㊁ＶＥＮ㊁ＷｅｂｏｆＳｃｉｅｎｃｅ数据库中使用分类号Ｃ０８Ｌ８３/１６及关键词全氢聚硅氮烷㊁ＰＨＰＳ㊁ｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ等作为检索入口进行检索ꎬ以２０２２年１２月１日之前公开的文献作为统计分析的数据基础(专利从申请到公开有１８个月的滞后期ꎬ故２０２１年至今的数据仅供参考)ꎮ—图４㊀ＰＨＰＳ转化过程中常见的水解与缩合反应Ｆｉｇ.４㊀ＣｏｍｍｏｎｈｙｄｒｏｌｙｓｉｓａｎｄｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎｒｅａｃｔｉｏｎｓｄｕｒｉｎｇＰＨＰＳｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ２.１㊀ＰＨＰＳ涂层作为介电层二氧化硅有着良好的热稳定性㊁抗湿性以及绝缘性ꎬ在层间绝缘以及沟槽填充方面成为不可或缺的介电材料ꎮＰＨＰＳ液相法制备的二氧化硅介电层可克服热氧化法㊁ＣＶＤ㊁ＰＥＣＶＤ等方法所存在的缺陷ꎬ因而得到广泛应用ꎮＰＨＰＳ原料结构影响介电层的性能ꎮ文献[１１]使用相对分子质量在８００~２５００和３０００~８０００的范围内具有极大值ꎬ且重均分子量和数均分子量Ｍｗ/Ｍｎ为６~１２的ＰＨＰＳ制备涂布组合物ꎬ通过将该涂布组合物涂布到具有间隙的基板上ꎬ并在１０００ħ以下加热形成埋设到间隙深部的硅质膜ꎮ除关注相对分子质量外ꎬ更多的研究工作关注ＰＨＰＳ中元素或基团含量对涂层性能的影响ꎮ文献[１２－１３]中使用不含ＮＨ㊁不含Ｃ且富含Ｓｉ的ＰＨＰＳ组合物ꎬ该组合物包含单元:[ Ｎ(ＳｉＨ３)ｘ(ＳｉＨ２ )ｙ]ꎬ其中当ｘ＋ｙ＝２时ꎬｘ＝０㊁１或２且ｙ＝０㊁１或２ꎻ并且当ｘ＋ｙ＝３时ꎬｘ＝０㊁１或２且ｙ＝１㊁２或３ꎮ将该ＰＨＰＳ与不同催化剂配合制得氧化物膜ꎬ所得氧化物膜具有低收缩率ꎬ特别适用于半导体间隙的填充ꎮ文献[１４]使用了特定的ＰＨＰＳꎬ该ＰＨＰＳ的１ＨＮＭＲ光谱满足以下条件:从Ｎ３ＳｉＨ１和Ｎ２ＳｉＨ２导出的波峰称为波峰１ꎬ从ＮＳｉＨ３导出的波峰称为波峰２ꎬ[Ｐ１/(Ｐ１＋Ｐ２)]比率大于或等于０.７７ꎻ从波峰１与波峰２之间的最小点到４.７８ｐｐｍ的面积称为区域Ｂꎬ从４.７８ｐｐｍ到波峰１的最小点的面积称为区域Ａꎬ区域Ａ的面积(ＰＡ)相对于区域Ｂ的面积(ＰＢ)的比率(ＰＡ/ＰＢ)大于或等于１.５ꎬ使用该特定ＰＨＰＳ可制备层厚度均一性极佳的二氧化硅层ꎮ文献[１５]中制备了重均分子量(ＭＷ)为８０００至１５０００ꎬ氮含量占ＰＨＰＳ总重量的２５％至约３０％的ＰＨＰＳꎬ由该ＰＨＰＳ制备的二氧化硅层具有极佳的抗蚀刻性ꎮ除了研究ＰＨＰＳ结构对涂层性能的影响ꎬ大量研究将不同的改性原料与ＰＨＰＳ配合使用ꎬ从而制备具有不同性能的涂层ꎮ文献[１６]中使用数均分子量为１００~５００００的ＰＨＰＳꎬ以及以铝与硅的摩尔０３１南昌大学学报(工科版)２０２３年㊀比计含铝量不小于１.０ˑ１０－８且不大于１.０ˑ１０－４的铝化合物的涂料组合物ꎬ制备了具有较小平带位移(ｆｌａｔｂａｎｄｓｈｉｆｔ)的硅质膜ꎮ文献[１７－１８]中通过将ＰＨＰＳ溶液与含铝溶液㊁聚丙烯酸酯类溶液混合制备组合物ꎬ该组合物经过涂布㊁加热干燥后得到介电常数低于２.５并在环境气氛下基本上保持这种较低的介电常数而无须进行抗水处理的多孔硅石涂层ꎮ而文献[１９]中将包含不小于５个ＣＣ键间隔的含２个氨基的特定胺化合物与ＰＨＰＳ共用ꎬ从而以更快速度并在更低的温度下形成致密的硅质薄膜ꎮ此外ꎬ大量的文献报道了制备方法如何影响涂层性能ꎮ文献[２０]中通过涂布㊁干燥和紫外线照射ＰＨＰＳ原料得到氮氧化硅膜ꎬ该制备方法可克服氮氧化硅膜制备方法复杂㊁制备成本高的问题ꎮＰａｒｋ等[２１]将Ｎ２Ｏ等离子体处理ＰＨＰＳ并经６５０ħ空气转化制备ＳｉＯ２作为插层介电层(ＩＬＤ)ꎬ研究显示ＰＨＰＳ对纵横比为２３和宽为１５ｎｍ的沟槽形状具有非常好的填充性能ꎬ同时对亚３０ｎｍ硅电路具有非常好的平坦化性能ꎬＮ２Ｏ等离子后处理的ＩＬＤ可有效减少ＳｉＯ２的表面污染ꎮＳｕｚｕｒｉｋａｗａ等[２２]使用ＰＨＰＳ制备了光寻址电位传感器(ＬＡＰＳ)的钝化膜ꎬ并研究了Ｏ２等离子体处理对膜性能的影响ꎬ其中膜厚可达６００ｎｍꎬ薄膜ＬＡＰＳ的寿命可能超２周ꎮＭｅ￣ｈｔａ等[２３]同时研究了处理方式和后处理对涂层性能的影响ꎬ其使用ＵＶ处理㊁蒸汽退火处理旋涂ＰＨＰＳ薄膜ꎬ研究发现在蒸汽退火之前旋涂ＰＨＰＳ薄膜的宽带紫外线辐射可提高长宽比(>７１)间隙填充结构内最终ＳｉＯ２的密度ꎮ与仅经过蒸汽退火的薄膜相比ꎬ蒸汽退火后湿法蚀刻速率在ＵＶ处理平坦薄膜中的提高达１８％ꎬ在ȡ７１的长宽比间隙填充结构中的提高达２６％ꎬ其中紫外线的剂量对最终薄膜致密化起到了关键作用ꎮ２.２㊀ＰＨＰＳ涂层作为阻隔层阻隔层ꎬ特别是包括水蒸气在内的气体的阻隔层是电子及光学器件常用的表面涂层ꎮ文献[２４]中采用ＰＨＰＳ制备了阻隔层ꎬ该阻隔层和黏着剂层共同构成了黏着片ꎮ阻隔层的表层部的膜密度为２.４~４.０ｇｃｍ－３ꎬ相对于所述阻隔层的表层部中的氧㊁氮㊁硅的总量ꎬ氧原子㊁氮原子和硅原子的比例为６０％~７５％㊁０％~１０％㊁２５％~３５％ꎬ这是较早采用ＰＨＰＳ制备阻隔层的专利报道ꎮ文献[２５]也研究了ＰＨＰＳ结构对气体阻隔膜的影响ꎬ其使用了改性ＰＨＰＳ作原料ꎬ其中ＳｉＨ３与ＳｉＨ和ＳｉＨ２的总和之比[(ＳｉＨ３) (ＳｉＨ＋ＳｉＨ２)]为１ (１０~３０)ꎬ该结构ＰＨＰＳ制备所得的气体阻隔膜在高温高湿条件下保存稳定性优异ꎮ除仅使用ＰＨＰＳ原料ꎬＰＨＰＳ常与改性原料配合使用制备阻隔层ꎮ文献[２６]使用ＰＨＰＳ与金属化合物如三仲丁氧基铝制备得到结构式为ＳｉＯｘＮｙＭｚ的含硅膜ꎬ其中０.００１ɤＹ/(Ｘ＋Ｙ)ɤ０.２５㊁３.３０ɤ３ｙ＋２ｘɤ４.８０(上述化学式中ꎬＭ表示元素周期表的第２~第１４族元素中的至少一种(但不包括硅及碳)ꎬｘ为氧相对于硅的原子比ꎬｙ为氮相对于硅的原子比ꎬｚ为Ｍ相对于硅的原子比且为０.０１~０.３ꎬＸ＝ｘ/(１＋(ａｚ/４))ꎬＹ＝ｙ/(１＋(ａｚ/４)ꎬ其中ꎬａ为元素Ｍ的价数)ꎬ该气体阻隔膜在高温高湿条件下保存稳定性优异ꎮ文献[２７]使用ＰＨＰＳ和以下添加剂中的一种:１)烃基取代的胍类ꎻ２)包含氧以及氮作为组成成分的冠醚胺类ꎻ３)具有氨基取代的多环结构的环烷基类ꎻ４)烃基取代的肟类从而使所制备的膜具有良好的气体阻隔性能ꎮ除添加剂外ꎬ溶液也会影响ＰＨＰＳ阻隔层的性能ꎬ文献[２８]中通过限定ＰＨＰＳ具有下述式(１)[ ＳｉＨ２ＮＨ ]和(２)[ ＳｉＨＲＮＨ ]表示的结构单元ꎬ并限定结构单元(１)和(２)中ＳｉＲ键的数目相对于ＳｉＨ键与ＳｉＲ键的总数的比为０.０１以上０.０５(其中Ｒ为选自碳原子１~６的脂肪族烃基㊁碳原子数为６~１２的芳香族烃基㊁碳原子数为１~６的烷氧基的基团)ꎬ从而使其溶解于脂肪族烃类溶剂中ꎬ可使用该组合物制备水蒸气透过率低的类二氧化硅玻璃阻隔层ꎮ此外ꎬ还有大量文献研究制备方法对阻隔层的影响ꎬ例如文献[２９]中使用加热和等离子体处理的方法ꎬ以ＰＨＰＳ作原料制备厚度为１０~５００ｎｍ㊁折射率为１.４８~１.６３的隔气膜ꎮ文献[３０]在真空紫外照射条件下使用ＰＨＰＳ在高分子基材如聚碳酸酯㊁环烯烃聚合物㊁环烯烃共聚物和纤维素衍生物基材上制备生产率优异㊁具有非常优异的气体阻隔性且兼具相位差膜功能的气体阻隔性膜ꎬ该膜可用作挠性电子设备如ＯＬＥＤ的气体阻隔膜ꎮ文献[３１]中使用ＰＨＰＳ作为原料涂覆在基材上ꎬ照射最大峰波长为１６０~１７９ｎｍ的光ꎬ接着用最大峰波长比之前照射光的最大峰波长还长１０~７０ｎｍ的光进行照射ꎬ得到了具有良好阻气性能的硅质膜ꎮＳａｓａｋｉ等[３２]研究并讨论了真空紫外(ＶＵＶ)诱导与ＳｉＮ键数㊁ＰＨＰＳ薄膜组成和自由体积(存在于形成的ＳｉＮ网络中)对ＰＨＰＳ致密化过程的影响ꎬ发现ＶＵＶ辐照时通过形成ＳｉＮ键引起快速的氢释放和薄膜致密化ꎬ薄膜组成与残余氢原子和ＳｉＮ键的数量密１３１第２期㊀㊀㊀㊀㊀孟帅等:全氢聚硅氮烷涂层在光电领域的研究进展切相关ꎬ其研究结果可以作为开发具有较高密度和优异气体阻隔性能(与真空处理阻隔膜所表现出的性能相当)的溶液处理纳米ＳｉＮ薄膜的指南ꎮＳａｓａｋｉ等[３３]进一步在室温下氮气气氛中通过真空紫外(ＶＵＶ)辐照全氢聚硅氮烷(ＰＨＰＳ)溶液制备气体阻挡层ꎬ该层可具有４.８ˑ１０－５ｇｍ－２ｄ－１(阻隔性能接近玻璃)的阻气性能ꎬ这使其成为迄今为止性能最好的水蒸气阻隔材料之一ꎮ具有该性能的阻隔层厚度仅为９９０ｎｍꎬ在短的ＶＵＶ照射时间(每个ＰＨＰＳ层２.４ｍｉｎ)即可制备得到ꎮ许多文献专门研究了层叠膜工艺对于膜性能的影响ꎮ文献[３４]中气体阻隔性膜的制造方法包含在基材上形成第１阻隔层的工序和在上述第１阻隔层上形成第２阻隔层的工序ꎬ形成第２阻隔层的工序包含:在氧气浓度为２.０ˑ１０－４以下㊁水蒸气浓度为１.０ˑ１０－４以下的环境中使ＰＨＰＳ与金属化合物反应而制备涂布液㊁在上述第１阻隔层上涂布上述涂布液和对上述涂膜照射真空紫外线而对聚硅氮烷进行改性ꎬ所得到的膜在高温高湿条件下的稳定性优异ꎮ文献[３５]中提供了气体阻隔性膜ꎬ其结构是在基材上依次具有锚固涂层以及与上述锚固涂层接触且通过真空成膜法形成的气体阻隔层ꎬ上述锚固涂层是用真空紫外照射ＰＨＰＳ而得到的ꎬ并且将上述锚固涂层的厚度设为Ａ(ｎｍ)㊁将上述锚固涂层整体的氮原子相对于硅原子的原子比(Ｎ/Ｓｉ)设为Ｂ时ꎬＡˑＢɤ６０ꎬ使用该气体阻隔性膜的涂层使得电子设备在高温高湿环境下的耐久性优异ꎮ文献[３６]中使用ＰＨＰＳ制备了阻气性优异且无色透明性优异的阻气性层合体ꎬ其具有基材和阻气性单元ꎬ所述阻气性单元包含在所述基材一侧的阻隔层(１)和在所述阻隔层(１)的与基材一侧相反的面上的阻隔层(２)ꎬ所述阻气性单元的厚度为１７０ｎｍ~１０μｍꎬ折射率为１.４０~１.５０ꎬ所述阻隔层(２)的折射率为１.５０~１.７５ꎬ[阻隔层(１)的光学膜厚]/[阻隔层(２)的光学膜厚]为３.０以上ꎮ文献[３７]中公开了透明导电层叠层用膜㊁其制造方法及透明导电膜ꎬ使用ＰＨＰＳ制备的阻隔层使得具有该透明阻隔层的透明树脂膜基材的ＪＩＳＫ７１２９所规定的４０ħˑ９０％ＲＨ的水蒸气透过率为１.０ˑ１０－３ｇｍ－２ｄ以下ꎬ相当于１００μｍ该透明树脂层的ＪＩＳＫ７１２９所规定４０ħˑ９０％ＲＨ的水蒸气透过率为２０ｇｍ－２ｄ以下ꎮ２.３㊀ＰＨＰＳ涂层作为光学膜ＰＨＰＳ也经常被用于制备光学膜ꎬ例如可与改性原料一起形成组合物来制备光学膜ꎮ文献[３８]中通过(Ａ)ＰＨＰＳ和(Ｂ)从含硅氮烷的有机聚合物㊁含硅氧硅氮烷的有机聚合物㊁含脲硅氮烷的有机聚合物中选出的至少一种有机聚合物的组合物制备低折射率膜ꎮ文献[３９]中将含ＰＨＰＳ的溶液与含氟聚合物的溶液进行混合㊁涂布ꎬ从而制备强度高㊁耐油酸滑动的二氧化硅光学膜层ꎮ而Ｙａｍａｎｏ等[４０]使用ＰＨＰＳ的二甲苯溶液作为前体制备了掺杂螺吡喃(ＳＰ)的二氧化硅涂层ꎬ掺杂ＳＰ的ＰＨＰＳ薄膜是透明的和浅黄色的ꎬ随着ＰＨＰＳ向二氧化硅转化的进行ꎬ颜色变为红色ꎬ并且５００ｎｍ处的吸光度增加ꎮ曝光处理后ꎬ薄膜在空气中避光保存７３ｈ后ꎬ５００ｎｍ处的吸光度进一步增加ꎬ薄膜由红色变为深红色ꎮ由此获得的掺杂ＳＰ的二氧化硅涂层显示出可逆的光致变色反应ꎬ当薄膜分别用可见光和紫外光照射时ꎬ５００ｎｍ处的吸光度分别降低和增加ꎬ所制备的薄膜可用作光学膜ꎮ除使用有机或高分子改性原料外ꎬＫｈａｎ等[４１]在ＰＨＰＳ溶液中加入无机原料ＺｎＳ:Ｍｎ２＋纳米粒子的胶体溶液ꎬ通过刮刀法制备了发光薄膜ꎮ除原料影响产物性能外ꎬ制备方法也会影响光学膜的性能ꎮＮａｋａｇａｗａ等[４２]采用溶胶－凝胶法制备ＰＨＰＳ转化成的有机－无机杂化薄膜ꎬ然后将其涂覆在４层结构有机发光二极管(ＯＬＥＤ)的活性层上ꎮ相比不采用溶胶凝胶法制备活性层的ＯＬＥＤꎬ采用溶胶凝胶法制备的ＯＬＥＤ具有明显的电致发光性能ꎬ该性能可归因于活性层的不溶解ꎮ除关注具体的制备方法外ꎬ更多的文献报道了工艺参数对ＰＨＰＳ的影响ꎮＬｅｅ等[４３]通过二丁基醚溶液在Ｓｉ(１００)上制备了ＰＨＰＳ旋涂层ꎬ在４０５ｎｍＵＶ照射的条件下ꎬ在水或双氧水溶液中制备得到了致密氧化硅交联层ꎬ该层中Ｏ/Ｓｉ的化学计量比为１.５~１.７ꎬ折射率为１.４５~１.４７ꎮＢａｅｋ等[４４]在空气环境中和低温下使用强脉冲紫外光(ＩＰＬ)通过各种曝光能量(４.２㊁８.４和１２.６Ｊｃｍ－２)制备了ＰＨＰＳ衍生的ＳｉＯｘ层ꎬ然后测试了它们的化学性能㊁组成㊁转化率和折射率ꎬ所得的ＳｉＯｘ层表现出与热处理二氧化硅层(６００ħ)相似的１００％转化率和与无定形ＳｉＯ２(１.４５)相同的折射率ꎮ该ＩＰＬ工艺可有效地将ＰＨＰＳ转化为具有良好硬度㊁弹性模量和透明度的柔性聚合物薄膜上的ＳｉＯｘ层ꎬ可大规模应用于卷对卷制造工艺及光学薄膜行业ꎮ２.４㊀ＰＨＰＳ涂层作为其他功能膜太阳能电池用涂层是近年来ＰＨＰＳ应用比较活跃的领域ꎬ其在太阳能电池器件中所发挥的作用各２３１南昌大学学报(工科版)２０２３年㊀有不同ꎮ例如文献[４５]中公开了使用ＰＨＰＳ制备太阳能电池的介电阻挡层ꎬ阻挡层位于由金属或玻璃构成的基材和铜－铟－硫化物(ＣＩＳ)或铜－铟－镓－硒化物(ＣＩＧＳｅ)型光伏层状结构之间ꎮ文献[４６]中采用ＰＨＰＳ制备了薄膜太阳能电池的包封层ꎬ所制备的黄铜矿太阳能电池对于波长范围为３００~９００ｎｍ的光具有低于９５％的平均相对反射率ꎬ对于波长范围为１１００~１５００ｎｍ的光具有大于２００％的平均相对反射率ꎬ所得到的膜具有良好的抗老化性能ꎮ文献[４７]中采用ＰＨＰＳ制备了太阳能电池用防眩膜ꎬ防眩膜具有适合防眩性的表面凹凸ꎬ并能有效去除附着在表面上的污染物质ꎮ而Ｋｉｍ等[４８]通过真空紫外辐照将ＰＨＰＳ转化为二氧化硅的方法来封装柔性钙钛矿太阳能电池(ＰＳＣ)ꎮ为了避免ＰＨＰＳ溶液和ＶＵＶ(λ＝１７２ｎｍ)的高能光照射导致ＰＳＣ的降解ꎬ将ＣｄＳｅ/ＺｎＳ量子点作为阻挡层扩散在聚二甲基硅氧烷基质中ꎬ所得封装层水蒸气透过率为８.６３ˑ１０－３ｇｍ－２ｄ－１(３７.８ħꎬ１００％ＲＨꎬ相对湿度)ꎬ将这种方法应用于柔性太阳能电池ꎬ其室温寿命延长了４００多小时ꎮ进一步地ꎬＫｉｍ等[４９]也通过真空紫外辐照将ＰＨＰＳ转化为二氧化硅的方法来封装柔性钙钛矿太阳能电池(ＰＳＣ)ꎬ所得的封装层呈ＰＨＰＳ/聚对苯二甲酸乙二醇酯(ＰＥＴ)/ＰＨＰＳ三明治结构ꎬ所得封装层水蒸气透过率为０.９２ˑ１０－３ｇｍ－２ｄ－１(３７.８ħꎬ１００％ＲＨꎬ相对湿度)ꎬ可使得电池在环境温度下工作１０００ｈ后仍保持稳定ꎮ此外文献[５０]中将ＰＨＰＳ溶解于二甲苯中而形成界面液ꎬ界面液的ＰＨＰＳ遇氨水后水解ꎬ将钙钛矿薄膜黏接在氧化钛致密层ꎬ从而推进了钙钛矿光伏产业的规模化生产ꎮ除了上述常用的介电层㊁阻隔层㊁光学层外ꎬＰＨＰＳ还可用于制备其他功能层ꎮ例如文献[５１]中使用ＰＨＰＳ在基材上制备化合物层ꎬ使化合物层中至少一部分的硅氮烷化合物转换为具有硅氧烷键的化合物ꎬ并且在化合物层上形成由银或以银为主要成分的合金构成的金属层ꎬ由此制备了透明的导电膜ꎮ文献[５２]中使用包含溶剂㊁ＰＨＰＳ和波长转换剂的组合物制备相对于水溶液具有５０％或更高的可见光透射率的波长转换薄膜ꎮ文献[５３]中制备了用于电子元器件的导热绝缘板ꎬ具体来说是在金属基板上依次层叠第一氧化物层㊁第二氧化物层和由ＰＨＰＳ固化得到的二氧化硅的涂层ꎬ所得到的绝缘板具有良好的导热性能及绝缘性能ꎮ文献[５４－５６]中在交联剂存在下通过光照交联反应制备ＰＨＰＳ嵌段共聚物ꎬ该ＰＨＰＳ包含具有含５个以上硅的聚硅烷骨架的直链或环状的嵌段Ａ和具有含２０个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段Ｂꎬ这种特殊结构的ＰＨＰＳ可用于制备厚度大㊁密度高和与基板亲和力强的牺牲膜ꎮ３　结论㊀㊀我国在光电领域的综合竞争力与发达国家仍存在较大的差距ꎬＰＨＰＳ涂层优异的加工性能和产物性能使其在光电领域具有广阔的应用前景ꎮ在ＰＨＰＳ的制备方面ꎬ我国的综合实力较弱[５７]ꎬ而对于ＰＨＰＳ涂层的应用ꎬＡＺ电子材料㊁三星株式会社㊁柯尼卡美能达株式会社㊁琳得科株式会社等发达国家的申请人在我国开展专利布局早ꎬ专利数量多ꎮ相比于国外在ＰＨＰＳ涂层方面的研究ꎬ国内的研究报道较少ꎬ针对ＰＨＰＳ在光电领域的应用研究更是鲜有报道ꎬ这无疑对我国光电行业的发展提出了挑战ꎮ我国应加强ＰＨＰＳ制备方法与应用方法的研究ꎬ突破ＰＨＰＳ制备与应用存在的难点并加强知识产权保护ꎬ打造有竞争力的ＰＨＰＳ涂层产业链ꎮ参考文献:[１]㊀张宗波ꎬ肖凤艳ꎬ罗永明ꎬ等.全氢聚硅氮烷的应用及产业化[Ｊ].精细与专用化学品ꎬ２０１３ꎬ２１(７):２５－２８. [２]ＫＯＺＵＫＡＨꎬＮＡＫＡＪＩＭＡＫꎬＵＣＨＩＹＡＭＡＨ.Ｓｕｐｅｒｉｏｒｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｓｉｌｉｃａｆｉｌｍｓｐｒｅｐａｒｅｄｆｒｏｍｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉ￣ｌａｚａｎｅｓｏｌｕｔｉｏｎｓａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｉｎｃｏｍｐａｒｉｓｏｎｗｉｔｈｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌａｌｋｏｘｉｄｅ￣ｄｅｒｉｖｅｄｓｉｌｉｃａｆｉｌｍｓ[Ｊ].ＡＣＳＡｐ￣ｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ＆Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓꎬ２０１３ꎬ５(１７):８３２９－８３３６. [３]冈村聪也ꎬ神田崇ꎬ樱井一成ꎬ等.全氢聚硅氮烷㊁以及包含其的组合物㊁以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法:ＣＮ２０１４８００６６１４２.６[Ｐ].２０１８－１０－１９. [４]ＬＥＥＪＹꎬＴＡＫＥＩＣＨＩＴꎬＳＡＩＴＯＲ.Ｓｔｕｄｙｏｎｓｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄｔｈｅｒｅａｃｔｉｏｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｉｎｅ/ｓｉｌｉｃａｎａｎｏ￣ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓｐｒｏｖｉｄｅｄｆｒｏｍｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ[Ｊ].Ｐｏｌｙ￣ｍｅｒꎬ２０１６ꎬ９９:５３６－５４３.[５]ＬＥＥＪＹꎬＳＡＩＴＯＲ.Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｃｙａｎｄｗａｔｅｒｖａｐｏｒｂａｒｒｉｅｒｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｉｎｅｓｉｌｉｃａｎａｎｏｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓｐｒｏ￣ｖｉｄｅｄｗｉｔｈｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ[Ｊ].ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉｅｎｃｅꎬ２０１６ꎬ１３３(４７):４４２３８. [６]ＳＯＫＲＩＭＮＭꎬＯＮＩＳＨＩＮＴꎬＤＡＩＫＯＹꎬｅｔａｌ.Ｈｙｄｒｏｐｈｏ￣ｂｉｃｉｔｙｏｆａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃａ￣ｂａｓｅｄｉｎｏｒｇａｎｉｃｏｒｇａｎｉｃｈｙｂｒｉｄｍａｔｅｒｉａｌｓｄｅｒｉｖｅｄｆｒｏｍｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅｃｈｅｍｉｃａｌｌｙｍｏｄｉｆｉｅｄｗｉｔｈａｌｃｏｈｏｌｓ[Ｊ].Ｍｉｃｒｏｐｏｒｏｕｓ＆ＭｅｓｏｐｏｒｏｕｓＭａｔｅｒｉａｌｓꎬ２０１５ꎬ２１５:１８３－１９０.[７]王丹ꎬ郭香ꎬ李鹏飞ꎬ等.全氢聚硅氮烷－氧化硅的转化３３１第２期㊀㊀㊀㊀㊀孟帅等:全氢聚硅氮烷涂层在光电领域的研究进展过程研究[Ｊ].化学学报ꎬ２０２２ꎬ８０(６):７３４－７４０. [８]张宗波ꎬ肖凤艳ꎬ罗永明ꎬ等.全氢聚硅氮烷(ＰＨＰＳ)涂层材料研究进展[Ｊ].涂料工业ꎬ２０１３ꎬ４３(４):７４－７９. [９]梁倩影ꎬ赵莉ꎬ孙宁ꎬ等.全氢聚硅氮烷用于塑料表面硬化涂层的研究进展[Ｊ].表面技术ꎬ２０１８ꎬ４７(５):９１－９７. [１０]张宗波ꎬ王丹ꎬ徐彩虹.全氢聚硅氮烷转化法制备氧化硅气体阻隔涂层[Ｊ].涂料工业ꎬ２０１６ꎬ４６(８):８２－８７. [１１]ＡＺ电子材料(日本)株式会社.含有聚硅氮烷的涂布组合物:ＪＰ２０１００００１８８３[Ｐ].２０１３－０３－２７.[１２]ＬＡＩＲｌｉｑｕｉｄｅꎬＳｏｃｉｅｔｅＡｎｏｎｙｍｅＰｏｕｒＬＥｔｕｄｅＥｔＬＥｘ￣ｐｌｏｉｔａｔｉｏｎＤｅｓＰｒｏｃｅｄｅｓＧｅｏｒｇｅｓＣｌａｕｄｅ.Ｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉ￣ｌａｚａｎｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓａｎｄｍｅｔｈｏｄｓｆｏｒｆｏｒｍｉｎｇｏｘｉｄｅｆｉｌｍｓｕｓｉｎｇｓａｍｅ:ＵＳ２０１９０１８９８５[Ｐ].２０１９－０８－２９. [１３]ＬＡＩＲｌｉｑｕｉｄｅꎬＳｏｃｉｅｔｅＡｎｏｎｙｍｅＰｏｕｒＬＥｔｕｄｅＥｔＬＥｘ￣ｐｌｏｉｔａｔｉｏｎＤｅｓＰｒｏｃｅｄｅｓＧｅｏｒｇｅｓＣｌａｕｄｅ.Ｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉ￣ｌａｚａｎｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓａｎｄｍｅｔｈｏｄｓｆｏｒｆｏｒｍｉｎｇｎｉｔｒｉｄｅｆｉｌｍｓｕｓｉｎｇｓａｍｅ:ＵＳ２０１９０１９０００[Ｐ].２０１９－０８－２９. [１４]尹熙灿ꎬ金佑翰ꎬ高尚兰ꎬ等.用于形成二氧化硅层的组成物㊁二氧化硅层及电子装置:ＣＮ２０１５１０２８２７１２.１[Ｐ].２０１６－１２－０７.[１５]三星ＳＤＩ株式会社.用于形成二氧化硅层的组成物㊁二氧化硅层以及电子装置:ＣＮ２０２１１０４０６１０５.７[Ｐ].２０２１－１０－２２.[１６]清水泰雄ꎬ一山昌章ꎬ名仓映乃.具有较小平带位移的硅质膜及其制备方法:ＣＮ２００５８００２６８９３.６[Ｐ].２００７－０７－１８.[１７]ＡＯＫＩＴꎬＳＨＩＭＩＺＵＹ.Ｌｏｗ￣ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｅｏｕｓｆｉｌｍꎬｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓｈａｖｉｎｇｓｕｃｈｆｉｌｍｓꎬａｎｄｃｏａｔｉｎｇｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｒｆｏｒｍｉｎｇｔｈｅｆｉｌｍ:ＵＳ２００１０００９７３５[Ｐ].２００３－０５－２９.[１８]ＡＯＫＩＴꎬＳＨＩＭＩＺＵＹ.Ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｅｏｕｓｆｉｌｍｈａｖｉｎｇｌｏｗｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙꎬｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓａｎｄｃｏａｔｉｎｇｃｏｍｐｏｓｉ￣ｔｉｏｎ:ＵＳ２００３０３６３００７[Ｐ].２００４－０２－１２.[１９]ＡＺＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ(Ｊａｐａｎ)ＫＫ.Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｃｏｎｔａｉ￣ｎｉｎｇｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅｃｏｍｐｏｕｎｄꎬｗｈｉｃｈｃａｎｐｒｏｖｉｄｅｄｅｎｓｅｓｉｌｉ￣ｃｅｏｕｓｆｉｌｍ:ＪＰ２００８０６９４０６[Ｐ].２００９－０４－３０.[２０]ＡＺ电子材料(日本)株式会社.形成氮氧化硅膜的方法和具有由此形成的氮氧化硅膜的衬底:ＪＰ２０１１０６４２４８[Ｐ].２０１２－１２－２７.[２１]ＰＡＲＫＫＳꎬＫＯＰＳꎬＫＩＭＳＤ.ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＮ２Ｏｐｌａｓｍａｔｒｅａｔｍｅｎｔｏｎｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅｓｐｉｎ￣ｏｎ￣ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓｆｏｒｉｎｔｅｒ￣ｌａｙｅｒ￣ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ[Ｊ].ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓꎬ２０１４ꎬ５５１:５７－６０.[２２]ＳＵＺＵＲＩＫＡＷＡＪꎬＮＡＫＡＯＭꎬＴＡＫＡＨＡＳＨＩＨ.Ｓｕｒｆａｃｅｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｔｈｉｎ￣ｆｉｌｍｌａｐｓｗｉｔｈｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ￣ｄｅｒｉｖｅｄｓｉｌｉｃａｔｒｅａｔｅｄｂｙＯ２ｐｌａｓｍａ[Ｊ].ＩＥＥＪＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬ２０１１ꎬ６(４):３９２－３９３.[２３]ＭＥＨＴＡＳꎬＳＨＥＮＧＨꎬＫＲＩＳＨＮＡＮＲꎬｅｔａｌ.ＵＶａｓｓｉｓｔｅｄｄｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ(ＰＨＰＳ)ｂａｓｅｄｓｐｉｎ￣ｏｎｇｌａｓｓｉｎｈｉｇｈａｓｐｅｃｔｒａｔｉｏｇａｐｆｉｌｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅ[Ｊ].ＥＣＳＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓꎬ２０１８ꎬ８５(１３):７１７－７２８.[２４]上村和惠ꎬ网野由美子ꎬ铃木悠太ꎬ等.粘着片以及电子设备:ＣＮ２０１１８００４２７６９.４[Ｐ].２０１４－１２－１０.[２５]伊东宏明.改性聚硅氮烷㊁含有该改性聚硅氮烷的涂布液及使用该涂布液而制造的气体阻隔性膜:ＣＮ２０１５８０００６８４９.２[Ｐ].２０１６－０９－１４.[２６]长谷川彰ꎬ黑田俊也ꎬ石飞昌光ꎬ等.气体阻隔性层叠膜:ＣＮ２０１０８００１５８７９.７[Ｐ].２０１５－０１－０７.[２７]森田敏郎.膜形成组合物:ＣＮ２００７８００２４４０２.３[Ｐ].２０１２－０６－０６.[２８]信越化学工业株式会社.含聚硅氮烷的组合物:ＣＮ２０１９１０６４５０２０.７[Ｐ].２０２２－０７－１２.[２９]永绳智史ꎬ铃木悠太.改性聚硅氮烷膜及隔气膜的制造方法:ＣＮ２０１２８００２６４６９.１[Ｐ].２０１５－０９－０９.[３０]本田诚.气体阻隔性膜㊁电子设备用基板和电子设备:ＣＮ２０１３８００２１９７７.５[Ｐ].２０１７－０２－２２.[３１]尾崎祐树ꎬ樱井贵昭ꎬ小林政一.硅质致密膜的形成方法:ＣＮ２０１３８００５２７０１.３[Ｐ].２０１７－０３－０８.[３２]ＳＡＳＡＫＩＴꎬＳＵＮＬＮꎬＫＵＲＯＳＡＷＡＹꎬｅｔ.ａｌ.Ｎａｎｏｍｅｔｅｒ￣ｔｈｉｃｋｓｉｎｆｉｌｍｓａｓｇａｓｂａｒｒｉｅｒｃｏａｔｉｎｇｓｄｅｎｓｉｆｉｅｄｂｙｖａｃｕｕｍＵＶｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ[Ｊ].ＡＣＳＡｐｐｌｉｅｄＮａｎｏＭａｔｅｒｉａｌｓꎬ２０２１ꎬ４(１０):１０３４４－１０３５３.[３３]ＳＡＳＡＫＩＴꎬＳＵＮＬꎬＫＵＲＯＳＡＷＡＹꎬｅｔ.ａｌ.Ｓｏｌｕｔｉｏｎｐｒｏ￣ｃｅｓｓｅｄｇａｓｂａｒｒｉｅｒｓｗｉｔｈｇｌａｓｓ￣ｌｉｋｅｕｌｔｒａｈｉｇｈｂａｒｒｉｅｒｐｅｒ￣ｆｏｒｍａｎｃｅ[Ｊ].ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓＩｎｔｅｒｆａｃｅｓꎬ２０２２ꎬ９(３４):２２０１５１７.[３４]铃木一生ꎬ河村朋纪.气体阻隔性膜的制造方法:ＣＮ２０１７８００４０１０８.５[Ｐ].２０２０－１０－１６.[３５]柯尼卡美能达株式会社.气体阻隔性膜和电子设备:ＪＰ２０１５０６８２２７[Ｐ].２０１６－０１－２１.[３６]大桥健宽ꎬ岩屋涉ꎬ铃木悠太.阻气性层合体㊁电子器件用部件及电子器件:ＣＮ２０１６８００１９７２４.８[Ｐ].２０１７－１１－２８.[３７]森田亘ꎬ原务ꎬ西岛健太ꎬ等.透明导电层叠层用膜㊁其制造方法及透明导电膜:ＣＮ２０１６８００１７０８９.Ｘ[Ｐ].２０２０－０６－３０.[３８]ＡＺ电子材料(日本)株式会社.用于形成低折射率膜的组合物㊁形成低折射率膜的方法以及通过该形成方法形成的低折射率膜和抗反射膜:ＪＰ２０１２０５４７０５[Ｐ].２０１２－０９－０７.[３９]小堀重人.涂布液㊁改性二氧化硅膜及其制备方法:ＣＮ２０１４１０１８３２５９.４[Ｐ].２０１６－１１－２３.[４０]ＹＡＭＡＮＯＡꎬＫＯＺＵＫＡＨ.Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆｓｉｌｉｃａｃｏａｔｉｎｇｓｈｅａｖｉｌｙｄｏｐｅｄｗｉｔｈｓｐｉｒｏｐｙｒａｎｕｓｉｎｇｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅａｓｔｈｅｓｉｌｉｃａｓｏｕｒｃｅａｎｄｔｈｅｉｒｐｈｏｔｏｃｈｒｏｍｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ[Ｊ].４３１南昌大学学报(工科版)２０２３年㊀ＪｏｕｒｎａｌｏｆＰｈｙｓｉｃａｌＣｈｅｍｉｓｔｒｙＢꎬ２００９ꎬ１１３(１７):５７６９－５７７６.[４１]ＫＨＡＮＳꎬＡＨＮＨＹꎬＨＡＮＪＳꎬｅｔａｌ.ＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｓｉｌｉｃａｆｉｌｍｓｐｒｅｐａｒｅｄｕｓｉｎｇｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅａｎｄＭｎ￣ｄｏｐｅｄＺｎＳｎａｎｏｐｈｏｓｐｈｏｒｓ[Ｊ].ＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅꎬ２０２０ꎬ５１１:１４５４４１.[４２]ＮＡＫＡＧＡＷＡＲꎬＪＩＴＳＵＩＹꎬＥＭＯＴＯＡꎬｅｔ.ａｌ.Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｓｉｌｉｃａｇｌａｓｓｔｈｉｎｆｉｌｍｓｃｏｎｔａｉｎｉｎｇｏｒｇａｎｉｃｅｍｉｓｓｉｖｅｍａｔｅ￣ｒｉａｌｓａｎｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｔｏｍｕｌｔｉ￣ｌａｙｅｒｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ￣ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓ[Ｊ].ＭｏｌｅｃｕｌａｒＣｒｙｓｔａｌｓａｎｄＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓꎬ２０１６ꎬ６４１(１):１１１－１１８.[４３]ＬＥＥＪＳꎬＯＨＪＨꎬＭＯＯＮＳＷꎬｅｔ.ａｌ.Ａｔｅｃｈｎｉｑｕｅｆｏｒｃｏｎ￣ｖｅｒｔｉｎｇｐｅｒｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅｔｏＳｉＯｘａｔｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ[Ｊ].ＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌａｎｄＳｏｌｉｄ￣ＳｔａｔｅＬｅｔｔｅｒｓꎬ２００９ꎬ１３(１):２３－２５.[４４]ＢＡＥＫＪＪꎬＰＡＲＫＳＭꎬＫＩＭＹＲꎬｅｔ.ａｌ.ＩｎｔｅｎｓｅｐｕｌｓｅｄＵＶｌｉｇｈｔｔｒｅａｔｍｅｎｔｔｏｄｅｓｉｇｎｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｏｐｔｉｃａｌｆｉｌｍｓｆｒｏｍｐｅｒ￣ｈｙｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ:ａｎａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｔｏｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｈｅａｔｔｒｅａｔｍｅｎｔｐｒｏｃｅｓｓｅｓ[Ｊ].ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅꎬ２０２２ꎬ(１):２５４－２７３.[４５]ＣｌａｒｉａｎｔＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＬｔｄ.Ｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｗｉｔｈａｂａｒｒｉｅｒｌａｙｅｒｂａｓｅｄｏｎｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ:ＥＰ２０１０００１６３８[Ｐ].２０１０－０９－２３. [４６]罗德Ｋꎬ斯图加诺维克Ｓꎬ斯克涅比斯Ｊꎬ等.具有基于聚硅氮烷的包封层的太阳能电池:ＣＮ２０１０８００１８７３２.３[Ｐ].２０１４－１０－２９.[４７]株式会社钟化.太阳能电池组件用防眩膜㊁带有防眩膜的太阳能电池组件及它们的制造方法:ＪＰ２０１４０６６７９０[Ｐ].２０１５－０１－０８.[４８]ＫＩＭＪꎬＪＡＮＧＪＨꎬＫＩＭＪＨꎬｅｔ.ａｌ.Ｉｎｏｒｇａｎｉｃｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｕｓｉｎｇｓｏｌｕｔｉｏｎ￣ｐｒｏｃｅｓｓｉｂｌｅｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅｆｏｒｆｌｅｘｉｂｌｅｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ[Ｊ].ＡＣＳＡｐｐｌｉｅｄＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓꎬ２０２０ꎬ３(９):９２５７－９２６３.[４９]ＫＩＭＤＪꎬＪＥＯＮＧＧꎬＫＩＭＪＨꎬｅｔ.ａｌ.Ｄｅｓｉｇｎｏｆａｆｌｅｘｉｂｌｅｔｈｉｎ￣ｆｉｌｍｅｎｃａｐｓｕｌａｎｔｗｉｔｈｓａｎｄｗｉｃｈｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｆｐｅｒｈｙ￣ｄｒｏｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅｌａｙｅｒｓ[Ｊ].ＡＣＳＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ＆Ｉｎｔｅｒ￣ｆａｃｅｓꎬ２０２２ꎬ１４(３０):３４６７８－３４６８５.[５０]孙越ꎬ林纲正ꎬ陈刚.一种钙钛矿薄膜制备设备㊁方法及钙钛矿太阳能电池:ＣＮ２０２１１１４５１９９３.０[Ｐ].２０２２－０３－２５.[５１]鬼头朗子ꎬ神崎寿夫ꎬ大下格.透明导电膜及其制造方法:ＣＮ２０１０１０００３９９８.２[Ｐ].２０１３－１１－０６.[５２]赵素惠ꎬ韩准秀ꎬ李昇勇ꎬ等.具有聚硅氮烷和波长转换剂的涂覆组成物和波长转换片:ＣＮ２０１５１００１９２２９.４[Ｐ].２０１８－０５－１５.[５３]汪洋ꎬ宋延林ꎬ张佑专.导热绝缘板及其制备方法和电子元器件:ＣＮ２０１７１０９１１６３８.４[Ｐ].２０１９－０７－０５. [５４]ＮＡＫＡＭＯＴＯＮꎬＦＵＪＩＷＡＲＡＴꎬＳＡＴＯＡ.Ａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉ￣ｃｏｎｆｏｒｍｉｎｇｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇｂｌｏｃｋｃｏｐｏｌｙｍｅｒａｎｄｍｅｔｈｏｄｆｏｒｐｒｏｄｕｃｉｎｇａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｆｉｌｍｕｓｉｎｇｓａｍｅ:ＵＳ２０１９１７２９８５４９[Ｐ].２０２２－０１－２０.[５５]ＭｅｒｋＰａｔｅｎｔＧｍｂｈ.Ｍｅｔｈｏｄｆｏｒｐｒｏｄｕｃｉｎｇａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉ￣ｃｏｎｓａｃｒｉｆｉｃｅｆｉｌｍａｎｄａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｆｏｒｍｉｎｇｃｏｍｐｏｓｉ￣ｔｉｏｎ:ＥＰ２０１９０８２５８１[Ｐ].２０２０－０６－０４.[５６]ＦＵＪＩＷＡＲＡＴꎬＳＡＴＯＡ.Ｓｉｌｉｃｏｕｓｆｉｌｍｆｏｒｍｉｎｇｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇｂｌｏｃｋｃｏｐｏｌｙｍｅｒａｎｄｍｅｔｈｏｄｆｏｒｐｒｏｄｕｃｉｎｇｓｉ￣ｌｉｃｅｏｕｓｆｉｌｍｕｓｉｎｇｓａｍｅ:ＵＳ２０１９１７４１６００５[Ｐ].２０２２－０８－０２.[５７]孟帅ꎬ逄贝莉.聚硅氮烷制备专利技术分析[Ｊ].江西师范大学学报(自然科学版)ꎬ２０２２ꎬ４６(４):４１１－４１６.５３１第２期㊀㊀㊀㊀㊀孟帅等:全氢聚硅氮烷涂层在光电领域的研究进展。

具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管(英文)

具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管(英文)
陈延湖;申华军;王显泰;葛霁;李滨;刘新宇;吴德馨
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2006(27)12
【摘要】采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带内具有绝对稳定特性.Load-pull测试表明RC网络没有严重影响功率管的大信号特性,在5·4GHz饱和输出功率为30dBm,在11GHz 1dB压缩点输出功率大于21·6dBm.功率合成电路验证了该功率管具有高稳定性,非常适合制作微波大功率HBT放大器.
【总页数】5页(P2075-2079)
【关键词】HBT;微波功率管;稳定性
【作者】陈延湖;申华军;王显泰;葛霁;李滨;刘新宇;吴德馨
【作者单位】中国科学院微电子研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN431
【相关文献】
1.一类具有时滞的不确定模糊Hopfield神经网络的指数稳定性（英文） [J], 王丽敏;王丽丽
2.具有分布时滞和马尔可夫参数的双向联想记忆神经网络的随机渐近稳定性(英文)
[J], 李毓
3.具有时滞的广义BAM脉冲神经网络的全局指数稳定性(英文) [J], 杨逢建;张超龙;吴东庆
4.具有时滞的Hopfield人工神经网络动力系统模型的全局渐近稳定性(英文) [J], 张尚国;马万彪
5.具有S型分布时滞和脉冲干扰的Cohen-Grossberg神经网络的全局指数稳定性(英文) [J], 王力;周宗福
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

InAsAlSbHEMT低温特性的仿真研究

西安电子科技大学硕士学位论文InAs/AlSb HEMT低温特性的仿真研究作者姓名：缑昱萍领域：集成电路工程学位类别：工程硕士学校导师姓名、职称：吕红亮教授企业导师姓名、职称：乐立鹏研究员提交日期：2014年11月The simulation of InAs/AlSb HEMT at cryogenic temperatureA thesis submitted toXIDIAN UNIVERSITYin partial fulfillment of the requirementsfor the degree of Masterin IC EngineeringByGou YupingSupervisor: Prof. Lv HongliangNovember 2014西安电子科技大学学位论文独创性（或创新性）声明秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。

尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。

与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。

学位论文若有不实之处，本人承担一切法律责任。

本人签名：日期：西安电子科技大学关于论文使用授权的说明本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属于西安电子科技大学。

学校有权保留送交论文的复印件，允许查阅、借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容，允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。

同时本人保证，获得学位后结合学位论文研究成果撰写的文章，署名单位为西安电子科技大学。

保密的学位论文在年解密后适用本授权书。

本人签名：导师签名：日期：日期：摘要摘要InAs/AlSb HEMT作为锑基化合物半导体(ABCS)器件的代表，具有很高的电子迁移率和电子饱和漂移速度，窄带隙以及深的量子阱，这些优势使其在高速低功耗应用方面有着很大的发展前景，引发了国际上科技工作者的研究热潮，有望成为未来HEMT器件的主流研究方向。

基于Galton板的固定床内示踪剂浓度分布

基于Galton板的固定床内示踪剂浓度分布王碧玉;黄智贤;郑辉东;邱挺【摘要】从概率论角度出发,利用传统的Galton板模型,以催化剂捆扎包内的一个小布袋为研究对象,建立了固定床内示踪剂浓度分布模型,得到了固定床内示踪剂浓度分布模型的具体表达式.同时,以KCl溶液为示踪剂,建立了实验装置,将模型计算值与实验结果比较,结果吻合良好,说明所建模型是可靠的.考察不同参数对示踪剂浓度分布的影响,结果表明:在固定床内,随着催化剂粒径的增大、液体喷淋量的减小、固定床高度的增加,示踪剂浓度分布曲线逐渐变得平缓.【期刊名称】《化工学报》【年(卷),期】2013(064)012【总页数】7页(P4283-4289)【关键词】固定床;Galton板;浓度分布【作者】王碧玉;黄智贤;郑辉东;邱挺【作者单位】福州大学化学化工学院,福建福州350108;福州大学化学化工学院,福建福州350108;福州大学化学化工学院,福建福州350108;福州大学化学化工学院,福建福州350108【正文语种】中文【中图分类】N32引言在催化精馏塔内，催化剂捆扎包是一种比较成熟的催化剂装填方式，并已经在工业上得到了成功的应用[1－3]。

催化剂捆扎包如图 1 所示[4]，把催化剂颗粒装入用布缝制的小袋中，外部敷以不锈钢波纹丝网为弹性部件，卷成一层布袋一层波纹丝网的圆柱体，构成一个催化剂单元，若干个结构单元垂直交错叠置在塔内构成催化精馏段，在催化剂捆扎包内，气相沿波纹丝网上升，液相在催化剂布袋内向下流动。

因此，液体在催化剂布袋内的流动研究对催化精馏塔的设计与优化有重要的意义。

图1 催化剂捆扎包示意图Fig.1 Schematic diagram of catalyst bundle很多文献也报道了催化剂捆扎包内的传质特性[5－7]，王文华等[8]在模拟的反应器和模拟的MTBE合成反应条件下，用示踪－响应的实验原理，测量和计算了催化剂包内示踪物的传质速率，实验结果表明，催化剂包内传质的主要影响因素是包内外液体的对流速率。

马铃薯GA2ox_家族基因响应赤霉素(GA)和低温胁迫表达分析

收稿日期:２０２２￣０９￣０２
基金项目:广东省自然科学基金项目( ２０２１Ａ１５１５０１０７７８) ꎻ广州市基
础研究计划项目( ２０２１０２０２０８４５) ꎻ广东省农业科学院创
新基金项目( ２０２１０９) ꎻ甘肃省农业科学院中青年基金项
目(２０２０ＧＡＡＳ４０)
作者简介:刘计涛(１９８９－) ꎬ男ꎬ河北唐山人ꎬ博士ꎬ助理研究员ꎬ主要
现ꎬＧＡ２ｏｘ基因家族的扩大源于单子叶植物和双子
叶植物基因组的加倍
[３２]
ꎬ这导致不同成员存在功能
冗余和表达差异的现象ꎬ这有利于植物提升低温等
非生物胁迫耐性
[３３￣３６]
ꎮ
目前ꎬ在玉米、水稻、葡萄、拟南芥、棉花和桃等
植物中ꎬ 已经对ＧＡ２ｏｘ家族基因进行了系统分
析
[２９ꎬ３７￣４１]
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ: ｐｏｔａｔｏꎻ ＧＡ２ｏｘｇｅｎｅꎻ ｂｉｏｉｎｆｏｒｍａｔｉｃａ￣
ｎａｌｙｓｉｓꎻ ｇｉｂｂｅｒｅｌｌｉｎ ( ＧＡ) ꎻ ｃｏｌｄｓｔｒｅｓｓ
马铃薯是中国重要的粮食作物ꎬ在保障国家粮
食安全上起着重要的作用 [１] ꎮ 但是ꎬ随着全球气候
Copyright©博看网. All Rights Reserved.
ＬＩＸｉａｏ￣ｂｏ
( ＣｒｏｐｓＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅꎬ ＧｕａｎｇｄｏｎｇＡｃａｄｅｍｙｏｆＡｇｒｉｃｕｌｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅｓ / ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＣｒｏｐｓＧｅｎｅｔｉｃｓａｎｄＩｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆＧｕａｎｇｄｏｎｇＰｒｏｖｉｎｃｅꎬ Ｇｕａｎ￣
定位ꎬＥｘＰＡＳｙＰｒｏｔＰａｒａｍ(ｈｔｔｐｓ:/ / ｗｅｂ.ｅｘｐａｓｙ.ｏｒｇ / )分析

低磷和铝毒胁迫下大豆γ-ECS和hGSHS基因的克隆及表达分析

ＣｌｎｎｇａｐｒｓｉｎＡｎｌｓｓｏ－ｏｉｎｄＥｘｅｓｏａｙｉｆＴＥＣＳａｎｄｈＧＳＳｅｅｎｙａＨＧｎｓｉＳｏｂｅｎｕｎｒＳｔｅｓｏｄｅｒｓｆＰｈｏｐｈｒｓＤｅｃｅｙａｄｕｉｕｍｘｃｔｓｏｕｆｉｎｃｎＡｌｍｎｉＴｏｉｉｙ
诱导了两个基因的表达，前期（）２ｄ增加幅度随着胁迫时间延长而增加，但胁迫后期（２ｄ两个基因的表达在不同胁迫处理和组１）织间表现出不同的变化趋势，这些差异可能与胁迫的作用特性和ｈＳＧＨ合成酶的细胞定位有关。
关键词：豆；胱丙肽；磷；毒；因表达大谷缺铝基中图分类号：５２ｓ３文献标识码：Ａ
ＢｎｃｉＦＮＧＨｕ，ＩＹｏ，ＡＩＹｕ —ａ，ＥｉＬｕＤＯＮＧｎ－ｅｇ，ＩＹａ —ｉｇＮＩＪｎｑｉＤｅｇｆｎＬｎｙｎ，Ｕｕ —
（．ｏｅｅｏｃｌｒ，ｕｎｘＵｉｅｓｙＧａｇｉａｎｎ３０４，ｈｎ；．ｅ—ａｆｒｐＧｎｔｒｖｍｅｔｎｉｅｈｏｏ１ＣＵｇｆＡｕｔｅＧａｇｉｎｖｒｔ，ｕｎｘＮｎｉ５００Ｃｉａ２ＫｙＬｂｏｏｅｅｉＩｏｅｎａｄＢｏｎｌｕｉｇＣｃｍｐｔ —
低磷和铝毒胁迫下大豆 — ＣＥＳ和ｈＳＳＧＨ基因的克隆及表达分析
白云彩பைடு நூலகம் 冯慧李猷董登峰ｈ，，，，李艳英牛俊奇，

科技部公布973计划立项项目清单共批准94个项目

李圣怡
中国人民解放军国防科学技术大学
中国人民解放军国防科学技术大学
2011CB013300
人体运动功能重建的生机电一体化科学基础
朱向阳
上海交通大学
上海市科学技术委员会教育部
2011CB013400
机械装备再制造的基础科学问题
张洪潮
大连理工大学
教育部
2011CB013500
大型水利水电工程高陡边坡全生命周期性能演化与安全控制
教育部浙江省科学技术厅
2012CB719900
高分辨率遥感数据精处理和空间信息智能转化的理论与方法
单杰
武汉大学
教育部
2012CB720000
行星表面精确着陆导航与制导控制问题研究
崔平远
北京理工大学
工业和信息化部
2012CB720100
大型客机座舱内空气环境控制的关键科学问题研究
陈清焰
天津大学
教育部天津市科学技术委员会
祝之明
中国人民解放军第三军医大学
中国人民解放军总后勤部卫生部重庆市科学技术委员会
2012CB517900
儿童孤独症的遗传基础及其致病的机制研究
夏昆
中南大学
湖南省科学技术厅教育部
2012CB518000
重大心血管疾病相关GPCR新药物靶点的基础研究
肖瑞平
北京大学
教育部
2012CB518100
严重创伤重要组织器官修复再生的细胞与分子机制研究
付小兵
中国人民解放军总医院
中国人民解放军总后勤部卫生部
2012CB518200
高原低氧环境的快速习服与长期适应机制研究
范明
中国人民解放军军事医学科学院基础医学研究所

甘氨酸螯合铁纳米脂质体对铁强化牛奶氧化稳定性和感官质量的影响

关键词：铁性贫血；缺甘氨酸螯合铁纳米脂质体；强化奶；定性稳
中图分类号：５．９ＴＳ２２５文献标识码：Ａ
ＥｆｅｔｏｒｏｓＧｌｃｎａｅＮａｏｉｏｏｅｎＣｈｍｉａｉｔｏｆｃｆＦｅｒｕｙｉｔｎｌｐｓｍｓｏｅｃｌＯｘｄａｉｎ
Ｆｏｃｅｃｎｃｎｌｇ，Ｊａｇａｉｅｓｔ，Ｗｕｉ１１２ｏｄＳｉｎｅａｄＴｅｈｏｏｙｉｎｎｎＵｎｖｒｉｙｘ４２，Ｃｈｎ）２ｉａ
ＡｂｔａｔＴｈｓｍａｓｒｐｔｉｅｔｇｔｄｔｈｅｃｌｏｉａｉｎａｅｏｙｑａｉｙｏｏｔｆｅｌｓｒｃ：ｉｎｕｃｉｎｖｓｉａｅｈｅｃｍｉａｘｄｔｏｎｄｓｎｓｒｕｌｔｆｆｒｉｉｄｍｉｋｗｉｈｆｒｏｙｉａｅｎａｌｐｏｏｍｅ．Ｆｅｒｓｇｌｃｎａｅｔｅｒｕｓｇｌｃｎｔｎｏｉｓｓｒｏｕｙｉｔｎａｌｐｏｅｗａｐｅｒｄｗｉｈｗａｌｎｏｉｏｓｍｓｒｐａｅｔｌｍａｅｉｌｍａｎｌｏｍｐｅｇｅｉｈｉｂｅｅｓｈａｅｅａｏａｉｎｍｅｈ．Ｎａｏｌｓｔｒａｉｙｃｏｓｄｏｆｅｇｌｃｔｎｙｒｖｒｅｐｓｖｐｒｔｏｔｏｄｎｉｏｍｅｐｏｓｗｅｅｓｅｉａａｔｃｅｔｍｏｅｕｓｄｓｒｂｕｔｏｒｐｈｒｃｌｐｒｉｌｓｗｉｈａｈｏｇｎｏｉｔｉｉｎ．Ｆｅｒｓｇｙｃｎｔａｏｌｐｏｒｏｕｌｉａｅｎｎｉｏｓｍｅ，ａｌｓｗｅｌａｅｒｕｓｓｆｔｎｄｆｒｏｙｉｎｔｒｓｄｔｏｔｆｌｓｆｒｏｕｌａｅａｅｒｕｓｇｌｃａｅｗｅｅｕｅｏｆｒｉｙｍｉｋ．Ｃｈｅｉａｉａｉｎｄｓｎｓｒｍｃｌｏｘｄｔｏｎａｅｏｙ

有限空间年龄结构种群模型一个新的间断Galerkin方法

有限空间年龄结构种群模型一个新的间断Galerkin方法岳红格;郝惠娟
【期刊名称】《科技资讯》
【年(卷),期】2013(000)027
【摘要】本文对有限空间年龄结构种群模型提出了一种新的数值方法,通过将标准的间断Galcrkin有限元法与流线扩散有限元法相结合,建立了一个稳定的间断有限元格式,并讨论了格式解的收敛性.
【总页数】3页(P237-239)
【作者】岳红格;郝惠娟
【作者单位】宁夏大学民族预科教育学院宁夏银川 750021;宁夏大学民族预科教育学院宁夏银川 750021
【正文语种】中文
【中图分类】O241.82
【相关文献】
1.一个非线性年龄结构种群模型正平衡解的全局稳定性 [J], 周义仓;马知恩
2.间断探测器在间断Galerkin方法中的应用 [J], 郝海兵;杨永;左岁寒
3.反应扩散问题的新的绝对稳定hp间断Galerkin方法 [J], 葛志昊;曹济伟
4.一个具有年龄结构非自治种群模型的稳定性与周期解 [J], 周义仓; 秦军林
5.有限空间年龄结构种群模型的数值分析 [J], 孙冠颖;梁栋;王文洽
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用

收稿日期:2005201210;　定稿日期:2005203225基金项目:国家自然科学基金重点资助项目(60336010);　福建省青年科技人才创新项目(2004J021)资助文章编号:100423365(2005)0520521206微波大功率Si G e HBT 的研究进展及其应用徐剑芳,李　成,赖虹凯(厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建厦门　361005)摘　要:　文章论述了Si Ge 异质结双极晶体管(HB T )在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率Si Ge HB T 的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。

关键词:　Si Ge ;异质结双极晶体管;微波;大功率中图分类号:　TN304.2+4文献标识码:　A Progress in the Development of Microw ave High Pow er Si G e HBT ’sand Its ApplicationsXU Jian 2fang ,L I Cheng ,L A I Hong 2kai(Depart ment of Physics ,Semiconductor Photonics Research Center ,X iamen Uni versit y ,X i amen ,Fuj i an 361005,P.R 1Chi na )Abstract :　Advantages of Si G e heterojunction bipolar transistors (HB T ’s )in the application to microwave power field are reviewed 1Further described in detail is the methodology in the structural design of microwave power Si G e HB T ’s ,as well as the effects of material and structure on the device performance 1Latest progress in this field is presented and the direction of f uture development is discussed 1K ey w ords :　Si Ge ;Heterojunction bipolar transistor (HB T );Microwave ;High power EEACC :　2560;1350　1　引　言微波功率晶体管是工作频率在微波范围,输出功率约为瓦级的晶体管,是微波单片集成电路(MM IC )中不可或缺的关键器件。

GaAs HBT功率放大器在5 GHz无线局域网的应用

GaAs HBT功率放大器在5 GHz无线局域网的应用刘磊;南敬昌【期刊名称】《半导体技术》【年(卷),期】2009(34)1【摘要】采用2μm GaAs HBT技术实现了单片集成线性功率放大器(PA)在5 GHz无线局域网中的应用。

在单端三级功率放大器中应用片上电感和键合线电感对输入,级间网络进行匹配设计,输出匹配网络在PCB上实现。

在单独供电3.3 V的情况下,功率放大器的仿真结果是线性输出功率24 dB(1 dB压缩点),小信号增益35 dB,1 dB压缩点处功率附加效率(PAE)39%;GaAsHBT MMIC功率放大器测试呈现线性输出功率20.5 dB(1 dB压缩点),小信号增益27 dB,1 dB压缩点处功率附加效率(PAE)36%;芯片尺寸仅480μm×450μm。

【总页数】4页(P31-33)【关键词】砷化镓异质结双极晶体管;无线局域网;功率放大器;匹配网络【作者】刘磊;南敬昌【作者单位】辽宁工程技术大学电子与信息工程学院【正文语种】中文【中图分类】TN402【相关文献】1.模拟控制高速微控制器DS87C550、可激励固态激光器的大功率激光二极管SLD320、固态功率放大器SPA-5964-200-26200、锗化硅晶体管HBT30、可编程四组装数字电位器芯片DS1844、三端RS-232发射/接收机DS229、17～19GHz功率放大器PAN-19001、微波滤波器W1200 [J],2.4.4GHz～4.6GHz GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器 [J], 盛柏桢;3.5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器 [J], 郑瑞青;郑耀华;章国豪4.WJ通讯公司28V InGaP/GaAs HBT功率放大器用于3G无线基础设施 [J],5.面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器(英文) [J], 陈立强;张健;李志强;陈普锋;张海英因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

一种降低吐丝期活性20E浓度改变丝蛹营养分配比例增加蚕茧产量的系统及应用和方法[发明专利]

专利名称：一种降低吐丝期活性20E浓度改变丝蛹营养分配比例增加蚕茧产量的系统及应用和方法
专利类型：发明专利
发明人：夏庆友,沈关望,林英
申请号：CN201710919695.7
申请日：20170930
公开号：CN107619836A
公开日：
20180123
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种降低吐丝期活性20E浓度改变丝蛹营养分配比例增加蚕茧产量的系统及应用和方法，通过Gal4/UAS双元系统在末龄家蚕中表达外源蛋白EGT延长家蚕吐丝期增加蚕丝产量，该系统中GAL4基因由BmLP3启动表达，UAS调控EGT表达，利用GAL4/UAS系统以家蚕脂肪体为生物反应器，以家蚕LP3基因的启动子巧妙的在家蚕吐丝期的家蚕脂肪体中表达了令20E失活的蛋
白‑EGT，通过该蛋白分泌到吐丝期的家蚕血淋巴中阻止家蚕化蛹变态，成功得到吐丝期延长，蚕茧产量增加的家蚕素材，为降低养蚕成本提供了思路。

申请人：西南大学
地址：400715 重庆市北碚区天生路2号
国籍：CN
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司
代理人：赵荣之
更多信息请下载全文后查看。

Galectin-4与肿瘤相关性的研究进展

Galectin-4与肿瘤相关性的研究进展王李秦;魏绪仓【摘要】Galectin-4是半乳凝集素(galectins)亚家族成员,广泛分布于各种动植物组织中,并参与各种如细胞增殖、凋亡、黏附、信号转导等功能.近几年,Galectin-4在生理及病理过程中所起的作用正日益受到人们的重视.目前发现Galectin-4的低表达与结肠癌、肝癌、肺癌、尿路上皮癌等多种肿瘤的预后不良相关,有望成为判断肿瘤预后的可靠检测指标.【期刊名称】《现代检验医学杂志》【年(卷),期】2019(034)001【总页数】4页(P161-164)【关键词】半乳凝集素-4;肿瘤【作者】王李秦;魏绪仓【作者单位】西安医学院,西安 710068;陕西省人民医院血液病研究室,西安710068;陕西省人民医院血液病研究室,西安 710068【正文语种】中文【中图分类】R730.43目前发现的半乳凝集素(galectins)共有15个家族成员，广泛存在于各种生物体内，包括脊椎动物、无脊椎动物，甚至原生生物中[1]。

每个galectin都含有1个或2个糖识别结构域(CRD)，根据CRD组成的不同可将galectins分为3个亚家族：①原型galectin：含有一个CRD，包括galectin-1，2，5，7，10，11，13，14，15；②串联重复型galectin：含两个不同但同源的CRDs，包括galectin-4，6，8，9，12；③嵌合型galectin：只有Galectin-3，它含有一个C末端的单一CRD结构域和一个长的N末端结构域。

其中，galectin-4广泛表达于各种正常组织和肿瘤组织中，参与多种生理和病理过程，如细胞增殖、凋亡、黏附、信号转导、免疫应答、炎症反应的激活及前体mRNA剪接作用的调节[2-5]。

本文将从galectin-4的生物学特性开始探讨，阐明它与各系统肿瘤之间的关系。

1 galectin-4的生物学特性galectin-4属于串联重复型galectin，是一个32KDa的糖蛋白，隶属于动物外源凝集素家族。

硕士论文--聚乙二醇修饰牛血红蛋白作为红细胞代用品的初步研究

（２）ＴＮＢＳ法测定要素（时间）的确定①取不同量的牛血红蛋白样品加入试管；②向各试管中加入３０ｍｍｏｌ／Ｌ的ＴＮＢＳ溶液４０皿，加硼酸缓冲液至５ｍＬ，并充分混合均匀；③在３２℃温水浴中反应２小时，并用５０皿甲酸（８８％）终止反应。

④测量溶液在４２０ｎｌｎ下的吸光度⑤根据所得数据，得到不同的曲线。

（３）ＴＮＢＳ测定ＳＣ－ｍＰＥＧ对牛血红蛋白的修饰程度参考文献方法完成修饰产物的偶联度检测。

量取不同含量的样品（４ＩｔＬ～３２ｒｔＬ），加入５０止．的３０ｍｍｏｌ／Ｌ的ＴＮＢＳ溶液，加硼酸缓冲液至总体积为５ｍＬ，３２℃水浴，暗处放置反应２小时，以甲酸（８８％）终止反应。

用未加样品的反应液作为空白，测定样品的Ａ４２０，将测定结果线性回归后，得血红蛋白和ＰＥＧ－ｂＨｂ的直线的斜率分别为Ｋｂｍ和Ｋ懈－ｂｈｂ，平均修饰率＝１一Ｋｐ蟹ｂｈｂ依ｂ｜Ｉｂ。

３．３结果与讨论３．３．１不同条件下的ＳＤＳ．ＰＡＧＥ图（１）ＳＣ．ｍＰＥＧ与ｂＨｂ不同配比反应产物的ＳＤＳ．ＰＡＧＥ图图中Ｍ—ＳＤＳ．－ＰＡＧＥＭａｒｋｅｒ（Ｆｅｒｍｅｎｔａｓ公司，分子量为１１６ｋ，６６ｋ，４５ｋ，３５ｋ。

２５ｋ，１８．４ｋ和１４．４ｋ），ｂＨｂ为空白对照图３．２不同的ＰＥＧ—ｂＨｂ的ＳＤＳ－ＰＡＧＥ图随反应物中ＳＣ．ｍＰＥＧ与血红蛋白比例从２０：１增加到１００：１，未反应的血红蛋白明显降低到，而高分子量修饰产物所占比例明显增加。

从图中可以看出６０：１有很明显的高分子修饰物，未反应的血红蛋白明显减少，结合节省原料的因素，选取６０：１为最佳配比。

（２）不同反应温度的ＰＥＧ－ｂＨｂ时ＳＤＳ－ＰＡＧＥ图中Ｍ—ＳＤＳ－ＰＡＧＥＭａｒｋｅｔ（Ｆｅｒｍｅｎｔａｓ公司，分子量为１１６ｋ，６６ｋ，４５ｋ，３５ｋ，２５ｋ，１８．４ｋ和１４．４ｋ），ｂＨｂ为空白对照图３．３４℃下不同配比反应ＰＥＧ．ｂＨｂ的ＳＤＳ．ＰＡＧＥ图从图３．３中可以看出，室温时与４℃的反应产物没有明显区别，温度对反应的影响不如配比大，但由于血红蛋白是生物制剂，以后又要制备成注射剂使用，为了最大程度的降低高铁血红蛋白的产生，降低染菌的几率，以后所以的反应在４℃下冷室内进行。

甲硫氨酸代谢纳米

甲硫氨酸代谢纳米
甲硫氨酸是人体必需的氨基酸，也是半胱氨酸和牛磺酸等其他氨基酸、SAM-e等多功能化合物以及重要的抗氧化剂谷胱甘肽的前体，在包括人类在内的许多物种的代谢和健康中发挥着至关重要的作用。

中科院长春应化所曲晓刚、Chuanqi Zhao和Geng Qin构建了一个协同纳米平台，通过调节甲硫氨酸代谢和激活STING先天免疫途径，可促进肿瘤中CD8+T细胞浸润，同时恢复T 细胞功能。

在肿瘤治疗过程中，赵子建/李芳红教授团队利用肿瘤免疫和肿瘤代谢双重机制杀伤肿瘤，通过基因工程改造的沙门氏菌的肿瘤靶向性，让药物迅速聚集在肿瘤组织内部，并在细菌的快速繁殖过程中，消耗一种大多数肿瘤生长和转移都高度依赖的氨基酸——甲硫氨酸，使肿瘤细胞“营养匮乏”而死亡。

甲硫氨酸代谢与人体健康密切相关，更多信息建议咨询医生或专业营养师。