一种基于InSb磁敏电阻器的接近开关

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E2B-M18LN16-WZ-B1接近开关

E2B 接近传感器世界新标准经济型接近传感器，完美使用各种场合，全机种·高品质·低价格 E2B 种类:信息更新: 2017年11月18日尺寸检测距离连接方式 (见“注1”) 螺纹长度输出类型动作模式NO动作模式NCM8(不锈钢)(见 “注2”) 单倍距离型屏蔽型 1.5mm 导线引出型标准型 PNP E2B-S08KS01-WP-B1 2M E2B-S08KS01-WP-B2 2M NPN E2B-S08KS01-WP-C1 2M E2B-S08KS01-WP-C2 2M 长螺纹型 PNP E2B-S08LS01-WP-B1 2M E2B-S08LS01-WP-B2 2M NPN E2B-S08LS01-WP-C1 2M E2B-S08LS01-WP-C2 2MM8接插件型(3针) 标准型 PNP E2B-S08KS01-MC-B1E2B-S08KS01-MC-B2 NPN E2B-S08KS01-MC-C1E2B-S08KS01-MC-C2 长螺纹型 PNP E2B-S08LS01-MC-B1E2B-S08LS01-MC-B2 NPN E2B-S08LS01-MC-C1E2B-S08LS01-MC-C2 非屏蔽型 2mm 导线引出型标准型 PNP E2B-S08KN02-WP-B1 2ME2B-S08KN02-WP-B2 2M NPN E2B-S08KN02-WP-C1 2ME2B-S08KN02-WP-C2 2M 长螺纹型 PNP E2B-S08LN02-WP-B1 2M E2B-S08LN02-WP-B2 2M NPN E2B-S08LN02-WP-C1 2M E2B-S08LN02-WP-C2 2M M8接插件型(3针)标准型 PNP E2B-S08KN02-MC-B1E2B-S08KN02-MC-B2 NPN E2B-S08KN02-MC-C1E2B-S08KN02-MC-C2 长螺纹型 PNP E2B-S08LN02-MC-B1 E2B-S08LN02-MC-B2 NPN E2B-S08LN02-MC-C1 E2B-S08LN02-MC-C2 两倍距离型屏蔽型 2mm 导线引出型标准型 PNP E2B-S08KS02-WP-B1 2M E2B-S08KS02-WP-B2 2M NPN E2B-S08KS02-WP-C1 2ME2B-S08KS02-WP-C2 2M 长螺纹型 PNP E2B-S08LS02-WP-B1 2M E2B-S08LS02-WP-B2 2M NPN E2B-S08LS02-WP-C1 2M E2B-S08LS02-WP-C2 2M M8接插件型(3针) 标准型 PNP E2B-S08KS02-MC-B1E2B-S08KS02-MC-B2 NPN E2B-S08KS02-MC-C1E2B-S08KS02-MC-C2 长螺纹型 PNP E2B-S08LS02-MC-B1E2B-S08LS02-MC-B2 NPN E2B-S08LS02-MC-C1E2B-S08LS02-MC-C2 非屏蔽型 4mm 导线引出型标准型 PNP E2B-S08KN04-WP-B1 2ME2B-S08KN04-WP-B2 2M NPN E2B-S08KN04-WP-C1 2ME2B-S08KN04-WP-C2 2M 长螺纹型 PNP E2B-S08LN04-WP-B1 2M E2B-S08LN04-WP-B2 2M NPN E2B-S08LN04-WP-C1 2M E2B-S08LN04-WP-C2 2M M8接插件型(3针)标准型 PNP E2B-S08KN04-MC-B1E2B-S08KN04-MC-B2 NPN E2B-S08KN04-MC-C1E2B-S08KN04-MC-C2 长螺纹型 PNP E2B-S08LN04-MC-B1E2B-S08LN04-MC-B2 NPN E2B-S08LN04-MC-C1E2B-S08LN04-MC-C2注：1. 导线引出型的电缆长度有2m和5m两种。

传感器的敏感材料与敏感元件介绍

3.2.1 温度敏感陶瓷材料
❖ 陶瓷温度传感器是利用陶瓷材料的电阻、磁性、介电、半导等物理性质随温度而变化的现象制成的，其中电阻随温度变化显著的称为热敏电阻。对热敏电阻的基本特性要求包括有：①电阻率；②温度系数的符号与大小；③稳定性。
❖ 按热敏电阻的温度特性可分为负温度系数热敏电阻（NTC），正温度系数热敏电阻（PTC）和临界温度电阻（CTR）3类。
❖ 根据被测参数的功能类型来划分敏感材料。例如温度敏感材料、压力敏感材料、应变敏感材料、光照度敏感材料等。
❖ 按照材料的结构类型进行分类。该分类方法包括半导体敏感材料、陶瓷敏感材料、金属敏感材料、有机高分子敏感材料、光纤敏感材料、磁性敏感词材料等等。
3.1 半导体敏感材料及元件
❖ 传感器对半导体敏感材料最基本要求是换能效率高，即可将其他形式能量转换为电能，且易制成器件。
图3-8 TiO2含量对电阻的影响
❖ 3 钙钛矿型结构陶瓷湿度敏感材料
钙钛矿型结构的化学通式为ABO3 ，具有钙钛矿结构的纳米级复合氧化物陶瓷材料的表面、界面性质优异，对环境湿气度化非常敏感，是湿度敏感材料发展的新方向。 BaTiO3晶体是较早被人们认识的铁电材料之一。BaTiO3具有很好的湿敏性质，随着BaTiO3颗粒尺寸的减小，湿敏特性提高，响应加快。
积的空隙中。间隙较小的
是氧四面体中心，为A位置，
间隙较大的则是氧八面体
位置，为B位置。
图3-6 两种结构类型
❖ （2）典型的尖晶石结构陶瓷湿度敏感材料纯MgCr2O4为正尖晶石结构，是绝缘体，不宜用作感湿材料。当加入适量杂质，如MgO、TiO2、SnO2等；或在高温煅烧，瓷体中呈现过量的MgO时， MgCr2O4即形成半导体。图3-7表示MgCr2O4中添加受主杂质MgO时对电阻率的影响。

磁敏电阻传感器的应用与研究1

磁敏电阻传感器的应用与研究摘要：磁敏电阻传感器是由磁敏电阻组成的的一种新型传感器，而磁敏电阻是一种基于磁阻效应的电阻体，它是在外磁场各个方面的作用下改变自身的阻值大小的。

它具有体积小、灵敏度高、反应迅速、测量非接触，对环境要求使用低等优点，因此可以用来解决自动化和测量中的许多难题。

关键词：磁敏；传感器；锑化铟；半导体；强磁性；一、传感器的分类磁敏电阻传感器是以磁敏电阻作为敏感元件构成的，其核心主要是磁敏电阻。

磁敏电阻是一种高性能的磁敏感元件。

其主要性能表现在磁敏电阻施加电场时，其电阻值比未施加电场时发生了明显的变化。

对于磁敏电阻，到目前为止，一些国家所研发的磁敏电阻种类颇多，其名称也极不统一。

例如，日本的“索尼”公司就有“磁敏二极管”和“磁敏电阻”之分；西德的“西门子”公司称为“磁敏半导体”；还有的公司把它叫做“场片”和“磁可控固体电阻”，还有其它的叫法等等。

但是随着其使用的领域和范围扩大，名称慢慢统一起来，趋于统一的叫法就是现在的“磁敏电阻”。

[1]而用磁敏电阻构成的传感器种类也不少。

目前按使用材料可将其分为两类：一类是用半导体材料构成的磁敏电阻传感器；另一类是用强磁性薄膜材料构成的磁敏电阻传感器。

下面就简单介绍这两种磁敏电阻。

1、半导体型磁敏电阻半导体磁敏电阻有是三个组成部分，分别是基片、半导体电阻条(内含短路条)和引线。

首先是基片，别称衬底，一般是用0.1~0.5mm厚的云母、玻璃作成的薄片，也有使用陶瓷或经氧化处理过的硅片作基片的；其次是电阻条，它一般是用锑化锢(InSb）半导体材料制成的半导体磁敏电阻条，通常工厂在制造过程中，为了提高磁敏电阻的阻值，缩小其体积、提高灵敏度，常把它作成如图l所示的结构。

最后是引线，它是用外铁磁物质的功50~100um的硅铝丝或们0~20um 的金丝体内引线，而用薄紫铜片等作为外引线，经超声压焊或金丝球焊与芯片连接起来。

[2]由锑化铟磁敏电阻构成的传感器的外形呈扁平状，非常薄，这类磁敏电阻主要是利用“霍尔效应”为其作用原理的，而现在外国的一些科学家已经提出了自旋霍尔效应理论，在由绝缘铁磁体的F多层膜，如钇铁石榴石（YIG），和一个正常的金属与自旋轨道相互作用，如铂（Pt）。

磁敏传感器定义与分类

Байду номын сангаас
工作原理霍尔效应
工作范围 10-7〜10T
磁敏电阻效应 10-3〜1T
复合电流的磁场调制
集电极电流或漏极电流的磁场调制
磁敏电阻的各向异性
巨磁阻抗或巨磁感应效应
威根德效应
法拉第电磁感应效应
约瑟夫逊效应
10-6〜10T
10-6〜10T
10-3〜 10-2T 10-10〜 10-4T 10-4T 10-3〜100T 10-14〜10-8T
第二节磁敏传感器定义与分类
三、国外磁敏传感器的现状
1．国外磁传感器的常见种类就市场占有情况来看，国外磁敏传感器主要品种
依然是霍尔元件、磁阻元件。近期的巨磁阻元件也有良好的发展空间。
2．外磁传感器的代表厂商：霍尔元件：日本旭化成；日本东芝；美国 Honeywell公司；美国Allogro公司。磁阻器件：日本SONY公司；荷兰PHILIPS公司。
第二节磁敏传感器定义与分类
四、国内磁敏传感器的现状
1．国内磁传感器的常见种类及其特点目前国内磁敏传感器经过三十余年的发展，就基础器件的研究与开发情况，除巨磁电阻存有差距以外，常用其他磁敏传感器如霍尔元件，磁阻元件等已经与国外同类产品的水平相当。市场上应用的国产磁敏传感器件的种类也与国外产品相当，依然是霍尔元件、磁阻元件。
第二节磁敏传感器定义与分类
四、国内磁敏传感器的现状
2．国内磁传感器件代表厂商霍尔元件：中科院半导体所，沈阳仪表科学研究院，南京中旭微电子公司。磁阻器件：沈阳仪表科学研究院（汇博思宾尼斯公司）
第二节磁敏传感器定义与分类
名称霍尔器件
半导体磁敏电阻磁敏二极管磁敏晶体管金属膜磁敏电阻器巨磁阻抗传感器威根德器件磁电感应传感器超导量子干涉器件

磁敏电阻传感器应用电路设计

磁敏电阻传感器应用电路设计东北石油大学课程设计2011年 7 月 22 日任务书课程传感器课程设计题目磁敏电阻传感器应用电路设计专业姓名学号主要7 月 12 日摘要温度控制技术广泛用于社会生活和生产的各个领域，如，化工、医疗、航空航天、农业、家电、汽车、电力、电子等领域。

目前，对于温度控制的研究和与其相关的报道大多是以传统的热敏元件为主要感温材料而展开的。

关键词:InSb-In共晶体薄膜;磁敏电阻器;双限温度开关目录一、设计要求 (1)二、方案设计 (1)1、方案说明 (1)2、方案论证 (1)三、传感器工作原理 (2)四、电路的工作原理 3五、单元电路设计、参数计算和器件选择 (5)1、单元电路设计 (5)2、参数计算 (6)3、系统需要的元器件清单 ................................. 7 表2 元器件清单 (7)六、总结 (7)磁敏电阻传感器应用电路设计一、设计要求温度控制元件是通过物体随温度变化而改变某种特性来间接控制温度的。

InSb-In磁敏电阻器同其他热敏元件一样，具有很好的温度特性，用它制作的温度开关无论灵敏度、稳定性、可靠性都是很好的，而且，受环境因素影响小，结构简单紧凑。

InSb-In磁敏电阻器的电阻值会随温度变化而发生很大的改变。

随机抽取10只InSb-In磁敏电阻器对其温度特性进行测量，观察到其电阻值随温度呈指数变化的特点。

用InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻器(MR)制成的双限温度开关的温控机理和特性。

二、方案设计1、方案说明随机抽取10只InSb-In磁敏电阻器放进恒温箱中，恒温箱的温度设置为- ，每隔5?让恒温箱内温度恒定10min，并分别测量10只电阻器的阻40~120?值，得到InSb-In磁敏电阻器的阻值随温度变化的数据。

2、方案论证温度控制器件是通过物体随温度变化而改变某种特性来间接控制温度的。

InSb-In 磁敏电阻是通过真空镀膜工艺获得的InSb-In 共晶体磁阻薄膜材料电阻。

毕业设计52 点钞机辨伪原理描述13

2 点钞机辨伪原理描述2.1 人民币防伪特性人民币的辨伪主要是通过检测人民币的固有特性来分辨真假。

目前，点钞机中主要采用的人民币辨伪手段基本上有荧光检测、磁性检测和红外穿透检测三种检测手段。

其中，磁性检测作为一种相当重要的辨伪手段一直受到高度重视。

2.1.1 人民币的公众识别方法我国目前流通的人民币主要是第四套、第五套人民币。

第四套人民币在市面上流通的币种较多，防伪技术有十几种，其中主要的有以下几种。

○1水印：10元券以上票面部采用固定人像水印，其它为满版古钱币水印。

○2专用纸张：人民币采用由专用制造设备、特种原材料抄制的印钞专用纸张印制，紫外光下无荧光反应。

○3安全线：第四套人民币100元、50元券都运用了这一防伪技术。

○4磁性油墨：各种券别的号码都采用磁性油墨印刷。

○5雕刻凹版印刷：各种券别票面的人物、风景均为手工雕刻，花纹、花边由机器雕刻，用手摸有凸起的感觉。

○6凹印接线印刷：两种色彩变化较为明显，颜色过渡自然。

○7胶印接线印刷：一条完整的线，印有不同的颜色，无重又能、缺口现象。

○8对印：1元、2元、5元券正面左下角的小花束和背面的小花束是完全对应的。

○9无色荧光图案：第四套人民币100元、50元券运用了这一防伪技术。

2.1.2 磁性检测磁性检测的工作原理是利用大面额真钞的某些部位是用磁性油墨印刷，通过一组磁头对运动钞的磁性进行检测，通过电路对磁性进行分析，可识别钞票的真假。

在磁性检测中，要求磁头与钞票摩擦良好。

磁头过高则冲击信号大，造成误报；磁头过低则信号弱，造成漏报。

通过控制磁头的高度（由加工和装配保证）和在磁头上方装配的压钞胶轮可以满足检测需要。

人民币的磁性检测方法可分为四种：（1）检测有无磁性：市场上的点钞机多采用此种方法，由于该技术造假容易，故此种方法伪钞识出率低。

（2）按磁性分布规律检测磁性：采用两组或三组磁头分路检测磁性，辨伪水平可提高一个档次，市场上部分点钞机多采用此种方法。

磁敏传感器介绍说明

长和日臻完善的这几十年中，质量、品种、产量都急速地上升，居于包括各
种半导体磁场传感器在内的各种磁场传感器使用数量的首位，全世界对它的
需求量达10亿只/年以上。但是，许多高精度应用对它们提出了越来越高的
要求，如更高的灵敏度，更低的失调电压（Offset Voltage）
磁敏二极管的灵敏度，可比霍尔器件高上1000倍，但它的输入和输出是
4、磁敏场效应管
将MOS场效应管的漏极做成对
称分离的Dl和D2(当然也可多于两
个漏极)。未加磁场时，漏极电流
ID1=ID2=ID/2，加上垂直于芯
片表面的磁场后，由于洛仑兹力的
偏转作用，使ID1≠ID2，ID1增大
多少，ID2就减小多少，ID1-ID和
外加磁场成比例，可作为磁场的量
度。
5、磁敏晶体管
个电场力，这个电场力会拒斥继续偏转过来的载流子，直到电场力和洛仑兹力相等，
建立一种动态平衡。这时，在半导体片两侧会产生电位差，这便是霍尔效应。
霍尔器件即是根据霍尔效应原理设计的磁场敏感元件，其中CCl和CC2为电流电极，
Sl和S2叫敏感电极，在CCl和CC2间通入工作电流I，在与芯片表面垂直的方向加上磁
一:引言
磁场传感器是可以将各种磁场
及其变化的量转变成电信号输出的
装置。
自然界和人类社会生活的许多
地方都存在磁场或与磁场相关的信
息。利用人工设置的永久磁体产生
的磁场，可作为许多种信息的载体。
因此，探测、采集、存储、转换、
复现和监控各种磁场和磁场中承载
的各种信息的任务，自然就落在磁
场传感器身上。在当今的信息社会
VH=mn GBV
（2）
式中：mn—在磁场作用下的载流子迁移率，又称霍尔迁移率。在n型材料中， mn

锑化铟的用途及应用领域

锑化铟的用途及应用领域锑化铟（InSb）是一种化合物半导体材料，具有广泛的应用领域和潜在的用途。

下面将就锑化铟的应用进行详细介绍。

1. 红外探测器和传感器：由于锑化铟在近红外和红外区域具有较高的灵敏度和响应速度，因此它广泛用于热成像、红外探测器和传感器等领域。

通常，通过控制锑化铟的掺杂浓度和结晶质量来调节其电阻率和光电性能。

锑化铟红外探测器可用于军事、航天、安防和医学领域，如夜视设备、导弹导航系统、安防监控和肿瘤诊断等。

2. 光电子器件：锑化铟具有较大载流子迁移率、高电子迁移率和较低的暗电流，因此可用于制备光电二极管、光电晶体管和光电极等器件。

锑化铟光电子器件具有高速响应、低噪声和高信噪比的特点，适用于高速通信、光电转换和光谱分析等领域。

3. 量子阱结构器件：通过锑化铟的厚度和工艺条件可以控制III-V族材料的能带结构和能带对齐等性质。

因此，锑化铟被广泛应用于量子阱结构器件，如量子阱激光器、调制器和太赫兹发生器等。

这些器件可用于高速光通信、光存储和测量等领域。

4. 红外光谱学：由于锑化铟在红外区域具有较高的吸收系数和较低的折射率，因此它被广泛应用于红外光谱学领域。

锑化铟红外光谱仪可用于分析有机物、无机物和生物分子的红外吸收特征，具有快速、高灵敏度和高分辨率的特点。

5. 磁敏传感器：锑化铟具有较高的霍尔效应和磁电阻效应，因此可用于制备磁敏传感器。

锑化铟磁敏传感器可用于测量磁场、位移和角度等参数，广泛应用于导航、测量和自动控制等领域。

6. 砷化铝锑铟高电子迁移率晶体管（AlInSb HEMT）：锑化铟与砷化铝形成AlInSb HEMT，具有高电子迁移率、高频率操作和低噪声的特点。

这种晶体管可用于制造高性能放大器、超高速开关和射频功率放大器等器件，广泛应用于通信、雷达和卫星等领域。

总之，锑化铟具有广泛的应用领域和潜在的用途，包括红外探测器和传感器、光电子器件、量子阱结构器件、红外光谱学、磁敏传感器和AlInSb HEMT等。

常见磁传感器及原理和应用

磁电效应将磁场加在半导体、磁性体等固体上，固体的电性质就会发生变化，这种现象称为电（流）磁效应。基于这种物性变化制成的固体磁传感器，可以精确地检测从静磁场到交变磁场的强度，并转换成电信号输出。固体磁传感器（或称物性磁传感器）具有体积小、功耗低、便于集成化等许多优点。霍尔效应磁电阻效应磁阻抗效应
基本补偿电路霍尔元件的不等位电势补偿电路有很多形式。图a是在造成电桥不平衡的电阻值较大的一个桥臂上并联RP，通过调节 RP 使电桥达到平衡状态，称为不对称补偿电路图b相当于在两个电桥臂上并联调用电阻，称为对称补偿电路。
（a）不对称补偿（b）对称电路
霍尔器件要点： 1、额定激励电流：霍尔元件温升10度时所施加的电流为额定激励电流IH； 2、零位电势：在额定控制电流下，无外加磁场时，霍尔器件电极之间的存在电势，或称为零位电位，主要原因霍尔电极的位置不在同一个等位面上，以及制作过程中引入应力， 3、温度特性：霍尔器件的电阻率和载流子的迁移率都是温度的函数。AlGaAs/InGaAs/GaAs和InAlAs/InGaAs/GaAs异质结构，灵敏度高温度系数低零位电势和温度变化一般通过电阻补偿方法解决
霍尔效应霍尔效应最早是霍尔（Edvin Hall）于1879年发现的，但直到20世纪50年代，随着微电子技术的发展，霍尔效应才被重视和使用，并开发出多种霍尔效应器件。
洛仑兹力FM ：
霍尔电场EH ：
注：对无限长霍尔元件
对于实际有限长霍尔元件，需增加一个形状效应系数
基本概念
磁学量的单位
CGSE，又称静电单位制（electrostatic units）简称ESU 基本量为长度、质量和时间。基本单位为cm、g和s。通过库仑定律，并令k＝1确定电荷单位，库仑。电场强度E、极化强度P和电位移D量纲都相同。安培环路定律和法拉第电磁感应定律分别确定磁感应强度B和磁场强度H，量纲不同，真空中也不相等，真空磁导率μ0=1/c2。 CGSM，又称电磁单位制（electromagnetic units）简称EMU ，CGSM 制的基本量和基本单位与CGSM制的一样，但是确定电磁量单位的物理公式不同。它是通过安培-毕奥-萨伐尔定律并令K=1确定电流单位， D和E具有不同的量纲，真空介电常数ε0=1/c2。但B和H的单位相同，但通常B的单位称为高斯，H的单位称为奥斯特。磁导率μ是无量纲的。

元器件3—热敏、气敏、压敏、湿敏、光敏、磁敏、力敏电阻

元器件3—热敏、⽓敏、压敏、湿敏、光敏、磁敏、⼒敏电阻本⽂主要介绍：热敏电阻,光敏电阻 ,⽓敏电阻,压敏电阻,湿敏电阻,磁敏电阻,⼒敏电阻敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，⽓体，磁场，压⼒等作⽤敏感的电阻器。

常见的敏感电阻器有：热敏电阻、⽓敏电阻、压敏电阻、湿敏电阻、光敏电阻、磁敏电阻、⼒敏电阻等。

1、热敏电阻1）热敏电阻的阻值随着温度变化⽽变化，可分为正温度系数（RTC）和负温度系数（NTC）两种热敏电阻；2）正温度系数热敏电阻的阻值随温度升⾼⽽升⾼，随温度降低⽽降低，负温度系数热敏电阻的阻值随温度升⾼⽽降低，随温度降低⽽升⾼；3）利⽤这⼀特性既可制成测温、温度补偿和控温组件，⼜可制成功率型组件，抑制电路的浪涌电流。

4）NTC热敏电阻器的应⽤：微波功率测量、温度控制、温度补偿、温度控制、稳压温度补偿及换电源、开关电源、UPS电源、各类电加热器、电⼦节能灯、温度控制电路、电源电路的保护、彩⾊显像管、⽩炽灯及其他照明灯具的灯丝保护电路中。

5）PTC热敏电阻器的应⽤：利⽤PTC热敏电阻器最基本的电阻温度特性及电压-电流特性和电流-时间特性，PTC热敏电阻器已⼴泛应⽤于公元电⼦设备、汽车及家⽤电器等产品中，打到⾃动消磁、过热过流保护、恒温加热、温度补偿及延时等作⽤。

6）热敏电阻在电路中的简称为MZ或MF7）热敏电阻的电路图形符号和实物加下图2、光敏电阻1）光敏电阻器是依据光电导效应制作⽽成的。

当某种物质受到光照时，载流⼦的浓度增加，从⽽增加了电导率，这是光电导效应2）光敏电阻的特点是当外界光照强度变化时，光敏电阻的阻值随之变化，当光照强度变⼤（变⼩）时，光敏电阻的阻值显著减⼩（增⼤）3）光敏电阻特点是：灵敏度⾼、体积⼩、重量轻、电性能稳定，可以交、直流两⽤、⼯艺简单、价格便宜。

4）⼴泛应⽤与照相机闪光控制、室内光线控制、⼯业及光电控制、光控开关、光电耦合、光电⾃动检测、电⼦验钞机、电⼦光控玩具、⾃动灯开关及各类可见波段光电控制、测量场合。

实验43 应用计算机测定磁敏电阻特性

大学物理实验教案实验名称：应用计算机测定磁敏电阻特性1 实验目的1）使用PASCO 科学工作室软件。

2）在科学工作室软件中利用自制传感器测量电阻及磁场的方法。

3）应用计算机测定磁阻特性的方法。

4）磁敏电阻的磁场特性。

2 实验仪器恒流源，稳压电源，电磁铁实验装置，电压传感器，500型科学工作室接口，计算机及科学工作室软件。

3 实验原理磁敏电阻将一载流体置于外磁场中，除了产生霍尔效应外，其电阻也会随磁场而变化，这种现象称为磁电阻效应，简称磁阻效应。

磁敏电阻器就是利用磁阻效应制成的一种磁敏器件称为磁敏电阻。

磁敏电阻在不同磁感应强度范围内呈现出不同的特性。

当温度恒定时，在弱磁场范围内，磁阻与磁感应强度B 的平方成正比。

对于只有电子参与导电的最简单情况，理论推出磁阻效应的表达式为)273.01(220B B μρρ+=(1)式中B 为磁感应强度；μ为电子迁移率；0ρ为零磁场下的电阻率；B ρ磁感应强度为B 时的电阻率。

设电阻率的变化为0ρρρ-=∆B ，则电阻率的相对变化率为2220)(273.0/B K B μμρρ==∆(2)由上式可知，磁场一定时，迁移率高的材料磁阻效应明显。

如果磁感应强度增大到特定的数值时，在一定的范围内电阻与磁感应强度成正比，即B k R 1= （3）磁阻效应除了与材料有关外，还和磁敏电阻的形状有关。

我们知道，磁场中运动的载流子因受到劳伦兹力的作用而发生偏转，载流子运动方向的偏转起了加大电阻的作用。

但是，由于霍尔电场的作用抵消了劳伦兹力，使载流子恢复直线方向运动，磁阻效应大大削弱。

为了获得大的磁阻效应，就要设法消除霍尔电场的影响。

如图43-1的四种形状各异的半导体。

图43—1 电子运动轨迹如图43-1（a ）为w l 〉〉纵方型片，由于电子运动偏移一侧，必然产生霍尔效应，当霍尔电场施加的电场力和磁场对电子施加的劳伦兹力平衡时，电子运动的轨迹就不再继续偏移，所以片的中段电子运动方向和长度方向平行，只是两端倾斜。

基于InSb磁敏电阻器的脉冲涡流信号处理方法研究

ｌｗｉｎｌｓｂｔｅｘｒｃｅｈｒｇｖｌｔｔａｓｏｆａｓｇａｓｉｅｔｒｅｔａｔｄｔｏｕｈｗａｅｅｒｎｆｍ￣ｍｅｈｄ．ｔｏＴｈｅｔｓｉｅｕｔｈｏｔａｒｃｓｎｉｉｉｙｉｅｔｎｇｒｓｌｓｓｗｈｔｃａｋ—ｅｓｔｖｔｓ
ｓｅｎｓｏｒ．
Ｋｅｏｄ：ｐｌｄｅｄｕｒｔＰＣ；ＩＳａｎｔｅｉｏ；ｒｃ；ａｅｅｔｎｔｍｙｗｒｓｕｓｄｙｃｒｎ（Ｅ）ｎｂｍｇｅｒｓｔｒｃｋｗｖｌａｓｒｅｅｏｓａｔｒｂ０引言
ＸＵＪｎ，ＹＡｎｔｐＨＯＵＫｅｙｎ，ＴＡＮＧｕ— ｕｕＯＥ — ，Ｚａ —ｉＩｉｙｎ（ｏｅｅｏｕｏｔｎＥｇｎｅｉｇＮｎｉｇＵｉｒｉｆｅｏａｔｓａｄＡｔｏａｔｓａｊｇ２０１ＣｉａＣｌｇｆｔｍａｉｎｉｅｒ，ａｊｎｖｓｙｏｒｎｕｉｎｓｒｎｕｉ，Ｎｎｉ１０６，ｈｎ）ｌＡｏｎｎｅｔＡｃｃｎ
２００８年第２７卷第ｌ期ｌ
传感器与微系统（ｒｎｄｃｒｎｃｏｙｔｅｈｏｇｅ）ＴａｓｕｅａｄＭｉｓｓｍＴｃｎｌｉｒｅｏｓ
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基于ＩＳｎｂ磁敏电阻器的脉冲涡流信号处理方法研究
徐君，恩涛，周克印Fra bibliotek，田贵云姚
ｂｔｒａｄｃａｋｄｐｈｔｓｉｇｉａｉｆｃｏｙｂｓｇｌＳｇｅｏｅｉｔｒａｈｕｓｄｅｄｕｒｎｅｔｇｅｔｎｒｃ — ｅｔｅｔｓｓｔａｔｒｙｕｉｎｂｍａｎｔｒｓｓｏｓｔｅｐｌｅｄｙｃｒｅｔｔｓｉｅｎｓｎｎ