模电公式_期末考试

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模电rbe的计算公式

模电rbe的计算公式
RBE（Resistance Between Emitter Terminals）是模拟电路中一个重要的参数，用于描述晶体管的输出电阻。

在模拟电路设计中，RBE的计算公式是通过分析晶体管的工作原理和特性得出的。

它是由输入电阻和输出电阻组成的，并且可以通过测量电流和电压来计算得出。

为了更好地理解RBE的含义，让我们以一个真实的例子来说明。

假设我们有一个放大器电路，其中包含一个晶体管。

当输入信号进入放大器时，晶体管将起到放大信号的作用。

然而，晶体管本身也会引入一定的电阻，从而影响放大器的性能。

在这种情况下，RBE的值对于放大器的设计至关重要。

通过计算RBE，我们可以确定晶体管的输出电阻，从而评估放大器的性能和稳定性。

RBE的计算公式如下：
RBE = ΔVBE / ΔIE
其中，ΔVBE表示输入信号引起的晶体管的基极-发射极电压变化，ΔIE表示输入信号引起的晶体管的基极-发射极电流变化。

通过测量ΔVBE和ΔIE，我们可以得出RBE的值。

这个值越小，表示晶体管的输出电阻越小，放大器的性能越好。

总结一下，RBE是模拟电路中用于描述晶体管输出电阻的一个重要参数。

它的计算公式可以通过测量晶体管的电流和电压变化得出。

对于放大器的设计和性能评估来说，RBE的值具有重要的意义。

通过合理地计算和评估RBE，我们可以优化电路设计，提高放大器的性能。

模电放大电路公式

模电放大电路公式模拟电路设计中的放大电路可以采用多种不同的拓扑和设计方法，每种方法都有其特定的公式和特性。

以下是一些常见的放大电路公式。

1.基本放大电路公式：放大电路的基本公式是电流倍增关系和电压增益关系。

对于共射放大电路，其电流倍增率为：β = ic / ib其中，ic是集电极电流，ib是基极电流。

电压增益为：Av = vo / vi其中，vo是输出电压，vi是输入电压。

2.电压放大器公式：电压放大器的电压增益公式可以通过放大器的输入和输出电压之间的关系来表示。

一般情况下，电压放大器的电压增益可以通过放大器中的电流倍增率和电阻值来计算。

例如，共射放大器的电压增益公式为：Av = - β * Rc / re其中，Rc是集电极电阻，re是发射极电阻。

3.电流放大器公式：电流放大器的电流增益公式可以通过放大器的输入和输出电流之间的关系来表示。

一般情况下，电流放大器的电流增益可以通过放大器中的电压增益和电阻值来计算。

例如，共射放大器的电流增益公式为：Ai=β*(Rc/Re)其中，Rc是集电极电阻，Re是发射极电阻。

4.差分放大器公式：差分放大器是一种常用的放大电路，可以对输入信号进行放大。

差分放大器的增益公式可以通过输入和输出电压之间的关系来表示。

一般情况下，差分放大器的增益公式为：Ad = gm * Rd其中，gm是差分对的跨导，Rd是差分对的负载电阻。

5.反馈放大器公式：反馈放大器是一种通过在放大电路中添加反馈电路来改变增益和频率响应的放大器。

反馈放大器的增益公式可以通过输入和输出电压之间的关系来表示。

一般情况下，反馈放大器的增益公式为：Af=Av/(1+β*Af)其中，Av是放大器的开环增益，β是反馈电阻和输入电阻之比，Af 是放大器的反馈增益。

这些是一些常见的模拟放大电路的基本公式，用于计算电压增益、电流增益和反馈增益等参数。

在实际设计中，根据具体的电路拓扑和设计需求，还可以采用其他公式和方法来计算放大电路的性能和参数。

模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结【考试专用】

1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。

3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体,空穴为多子，电子为少子。

4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素,形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。

5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

6、硅管Uo n和Ube:0.5V和０.7V ;锗管约为0.1Ｖ和0.3V。

7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为０.7V，)②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿(即满足Ｕ﹥ＵZ)时便稳压为U Z。

8、二极管主要用途:开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离(门电路)等。

9、三极管的三个区:放大区、截止区、饱和区。

三种状态:工作状态、截止状态、饱和状态,放大时在放大状态,开关时在截止、饱和状态。

三个极：基极B、发射极E和集电极Ｃ。

二个结：即发射结和集电结。

饱和时:两个结都正偏；截止时:两个结都反偏;放大时:发射结正偏,集电结反偏。

三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C／I B（或I C=β I B)和开关作用.10、当输入信号Ｉi很微弱时,三极管可用Ｈ参数模型代替（也叫微变电路等效电路）。

11、失真有三种情况：⑴截止失真原因I B、ＩC太小，Q点过低,使输出波形正半周失真。

调小R B,以增大I B、IＣ,使Q点上移。

⑵饱和失真原因I B、I C太大,Ｑ点过高，使输出波形负半周失真。

调大R B,以减小I B、ＩC，使Q点下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真,消除办法是调小信号源。

1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。

（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路)。

共射电路的输出电压U０与输入电压ＵＩ反相,所以又称反相器。

模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One11、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。

3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。

4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。

5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

6、硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。

7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。

9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。

三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。

三个极：基极B、发射极E和集电极C。

二个结：即发射结和集电结。

饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。

三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。

11、失真有三种情况:⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。

调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。

⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。

调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。

1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。

（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。

(完整版)模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。

3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。

4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。

5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

6、硅管Uo n和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。

7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。

9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。

三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。

三个极：基极B、发射极E和集电极C。

二个结：即发射结和集电结。

饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。

11、失真有三种情况:⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。

调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。

⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。

调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。

1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。

（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。

共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相，所以又称反相器。

模电公式总结

模电公式总结1. 基本电路参数1.1 电流公式•电流公式：$$I = \\frac{V}{R}$$–其中，I为电流，V为电压，R为电阻。

1.2 电压公式•电压公式：$$V = I \\cdot R$$–其中，V为电压，I为电流，R为电阻。

1.3 功率公式•功率公式：$$P = V \\cdot I$$–其中，P为功率，V为电压，I为电流。

2. 放大电路2.1 电压放大倍数•电压放大倍数：$$A_v = \\frac{V_o}{V_i}$$–其中，A_v为电压放大倍数，V_o为输出电压，V_i为输入电压。

2.2 增益•增益：$$G = \\frac{V_o - V_i}{V_i}$$–其中，G为增益，V_o为输出电压，V_i为输入电压。

3. 滤波电路3.1 截止频率•截止频率：$$f_c = \\frac{1}{2\\pi RC}$$–其中，f_c为截止频率，R为电阻，C为电容。

4. 频率响应4.1 相位差•相位差：$$\\phi = \\arctan(\\frac{X_L - X_C}{R})$$–其中，X_L为电感的电抗，X_C为电容的电抗，R为电阻。

4.2 增益•增益：$$|A_v| = \\sqrt{\\frac{X_L - X_C}{R}^2 + 1}$$–其中，|A_v|为增益，X_L为电感的电抗，X_C为电容的电抗，R为电阻。

5. 脉冲响应5.1 集成电路•脉冲响应：$$h(t) = V_i(t) \\ast g(t)$$–其中，h(t)为脉冲响应，V_i(t)为输入信号，g(t)为脉冲响应函数。

6. 非线性电路6.1 二极管方程•二极管方程：$$I_D = I_s(e^{\\frac{V_D}{V_t}} - 1)$$–其中，I_D为二极管正向电流，I_s为饱和电流，V_D为二极管正向电压，V_t为温度标准电压。

7. 反馈电路7.1 闭环增益•闭环增益：$$A_f = \\frac{A}{1 + A\\beta}$$–其中，A为开环增益，$\\beta$为反馈系数。

模电期末考试试题及答案

模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是：A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题（每空2分，共20分）6. 运算放大器的_________端是虚拟地，即电压为0V。

7. 电压跟随器的特点是_________，输出阻抗小。

8. 一个理想的电压源的内阻是_________。

9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。

10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。

三、简答题（每题10分，共30分）11. 解释什么是差分放大器，并简述其主要优点。

12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。

13. 什么是振荡器？请列举至少两种常见的振荡器类型。

四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个共射放大电路，其静态工作点为VB=10V，VC=20V，VE=5V，β=100。

假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V，计算该电路的静态工作电流IE。

15. 设计一个简单的RC低通滤波器，要求截止频率为1kHz，输入信号频率为10kHz，计算所需的电阻和电容值。

答案：一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗，低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路，它能够放大两个输入端之间的差值信号，而抑制共模信号。

模电数电笔试题

15、给了 reg 的 setup,hold 时间，求中间组合逻辑的 delay 范围。（飞利浦－大唐笔试） Delay < period - setup – hold 16、时钟周期为 T,触发器 D1 的建立时间最大为 T1max，最小为 T1min。组合逻辑电路最大延迟为 T2max,最小为 T2min。问，触发器 D2 的建立时间 T3 和保持时间应满足什么条件。（华为） 17、给出某个一般时序电路的图，有 Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有 clock 的 delay,写出决定最大时钟的因素，同时给出表达式。（威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。（威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 19、一个四级的 Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善 timing。（威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入，使得输出依赖于关键路径。（未知） 21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优点），全加器等等。（未知） 22、卡诺图写出逻辑表达使。（威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 23、化简 F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛） 24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith Pwell process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛笔试题 circuit design-beijing-03.11.09） 25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain? 26、为什么一个标准的倒相器中 P 管的宽长比要比 N 管的宽长比大？（仕兰微电子） 27、用 mos 管搭出一个二输入与非门。（扬智电子笔试） 28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。（威盛笔试题 circuit design-beijing-03.11.09） 29、画出 NOT,NAND,NOR 的符号，真值表，还有 transistor level 的电路。（Infineon 笔试） 30、画出 CMOS 的图，画出 tow-to-one mux gate。（威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 31、用一个二选一 mux 和一个 inv 实现异或。（飞利浦－大唐笔试） 32、画出 Y=A*B+C 的 cmos 电路图。（科广试题） 33、用逻辑们和 cmos 电路实现 ab+cd。（飞利浦－大唐笔试） 34、画出 CMOS 电路的晶体管级电路图，实现 Y=A*B+C(D+E)。（仕兰微电子）

模电期末考试题目及答案

模电期末考试题目及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的基本应用不包括以下哪一项？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 逻辑门答案：D2. 理想运算放大器的开环增益是：A. 有限的B. 非常大的C. 非常小的D. 零答案：B3. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 可以是数字形式C. 可以是模拟形式D. 可以是周期性变化答案：B4. 负反馈在运算放大器电路中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加稳定性D. 减少噪声答案：C5. 一个理想二极管的正向导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 3.3VD. 5V答案：B...二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述运算放大器的非线性应用有哪些，并举例说明。

答案：运算放大器的非线性应用包括比较器、振荡器、调制器等。

例如，比较器可以将输入信号与参考电压比较，输出高电平或低电平，常用于过压保护电路。

2. 解释什么是负反馈，并说明负反馈在电路设计中的作用。

答案：负反馈是指将输出信号的一部分反馈到输入端，与输入信号相减。

负反馈可以增加电路的稳定性，降低噪声，减小非线性失真，提高增益精度。

3. 什么是共模抑制比（CMRR）？它在模拟电路设计中的重要性是什么？答案：共模抑制比（CMRR）是指运算放大器对差模信号增益与对共模信号增益的比值。

CMRR高意味着运算放大器对差模信号的放大能力强，对共模信号的放大能力弱，这在模拟电路设计中非常重要，因为它可以减少共模干扰，提高电路的抗干扰能力。

...三、计算题（每题15分，共30分）1. 给定一个理想运算放大器电路，输入信号为Vin，反馈电阻Rf=10kΩ，输入电阻Ri=1kΩ，求输出电压Vout。

答案：由于是理想运算放大器，所以输入端的电压差为零，即Vin+ = Vin-。

根据虚短原理，Vin+ = Vout/Rf * Ri。

代入Rf和Ri的值，得到Vout = Vin * (Rf/Ri) = Vin * 10。

模电期末复习重点讲解

R
VD1
VD3
~220V 50Hz
U21=15V U22=15V
VD2
VD4
U I1 C1 U I2 C2
VDZ1 UZ1 =8V
VDZ2 UZ2 =8V
R
RL1
UO1
RL2
UO2
第3章半导体二极管
什么是半导体，本征半导体，杂质半导体杂质半导体的导电机理； PN结的形成及其单向导电性；半导体二极管的伏安特性；要注意基本概念与实验的结合。
R4
R5
+VCC
R1
VT2
uO VT 1
uI R2
R3
R6
解：1） ICQ1 ICQ2 1mA
U BQ1
VCC
R2 R1 R2
2.7V
R3
U BQ1 U BE1 I CQ1
2k
2）
U BQ2
VCC
R6 R5 R6
4V
UCQ1 U BQ2 U BE2 3.3V U BQ1 2.7V
3.在如图所示电路中，已知输入电压vi为正弦波，其最大有效值 Vi=0.5,此时负载上得到最大输出功率；运算放大电路为理想运放；三极管导通时|VBE|均为0.7V，VT3和VT4的饱和管压降 |VCES|＝2V；电路的交越失真可忽略不计。试问： 1)电路的最大输出功率；2)在输出功率最大时，输出级的效率； 3)为使输出功率达到最大，电阻R3至少应取多少千欧？
•可变电阻区 vDS≤（vGS－VT）
iD 2Kn (vGS VT ) vDS
外围电路补充完整）；第四步：根据模型图求Av,Ri,Ro
例2：NMOS放大电路的分析计算
第一步：直流电源单独工作（交流信号为0），分析直流通路

模电计算公式汇总

模电专题复习一：计算公式一、二极管整流电路1.半波整流电路2.全波整流电路Uo=0.45U2U RM=√2U2I v=I o Uo=0.9U2U RM=2√2U2I v=0.5I o3.桥式整流电路4.半波整流滤波电路Uo=0.9U2U RM=√2U2I v=0.5I o Uo=U2U RM=2√2U2I v=I o 5.桥式整流滤波电路Uo=1.2U2U RM=√2U2I v=0.5I o6.滤波空载电路U o=√2U2≈1.4U2二、三极管放大电路1.共射级基本放大电路2.分压式偏置放大电路静态：I BQ =V CC −U BEQR B静态：U BQ =V CC ×R b2Rb1+R b2I CQ =βI BQ I CQ ≈I EQ =U BQ −U BEQR EU CEQ =V CC -I C R C I BQ =I CQ β动态：r be =300+（1+β）26I EQU CEQ =V CC -I C R C -I E R E ≈V CC -I C （R C +R E ） A U =-βR L‘r be（R L ’=R L //R C ）动态：r be =300+（1+β）26I EQR i =r be //R b ≈r be A U =-βR L‘r be（R L ’=R L //R C ）R o =R C R i =r be //R b1//R b2 R o =R C3.旁路电容开路的放大电路静态：U BQ =V CC ×R b2R b1+R b2I CQ ≈I EQ =U BQ −U BEQ R f +R EI BQ =I CQ βU CEQ =V CC -I C R C -I E R e -R f ≈V CC -I C （R C +R e +R f ）动态：r be =300+（1+β）26I EQA U =-βR L‘r be +（1+β）R f（R L ’=R L //R C ）R i =（r be +（1+β）R f ）//R b1//R b2R o=R C4.带发射极电阻的基本放大电路静态：I B R2+U BEQ+I E R4=V CC 动态：r be=300+（1+β）26I EQI BQ=V CC−U BEQR2+（1+β）R4A U=-βR L‘r be（RL’=RL//R C）I EQ≈I CQ=βI BQ R i=r be//R b≈r beU CEQ=V CC-I C（R3+R4）R o=R C5.共集电极放大电路静态：I BQ=V CC−U BEQR B+（1+β）R E动态：Ri大I CQ≈I EQ=（1+β）I BQ Ro小U CEQ=V CC-I E R E A U≈1，略小于1三、集成运算放大器1.反向比例运算电路2.同相比例运算电路Uo=−Rf R 1U i R 3=R 1//R 2 Uo=（1+Rf R 1）U i R 3=R 1//R 2 R i =R 1 Ro=0 R i =∞ Ro=0 3.反向加法运算电路Uo=−（R 2R 1U i1+R2R 3U i2） R P =R 1/ / R 2/ / R 34.同相加法运算电路i1i2i1i2P 345P3434(////)u u u u u R R R R R R R R ⎛⎫⎛⎫=+=+ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭P 345////R R R R =22P P o N i1i2113411R R R Ru u u u R R R R ⎛⎫⎛⎫⎛⎫=+=++ ⎪⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎝⎭ N12//R R R = 4.减法运算电路ou i1uUo =（1+R 3R 1）（R pR2+R p）U i −R3R 1U i四、稳压电源电路 1.并联型稳压电路I Z =I-I L =U i −U Z R−UL R L2.串联型稳压电路Uo=U Z -U BE3.串联可调型稳压电路Uo =R 1+R 2+R pp 下2（U Z +U BE ）3.317可调电源电路Uo=1.25×（1+R2R1）五、低频功率放大器1.OCL电路P om=U o2L=U om2L=（U CC−U CES）2L≈U cc2L P v=2V cc U omπR L≈2U cc2πR Lη=P ov =πU omcc≈π=78.5%2.OTL电路P om=U o2L=U om2L=（12U CC−U CES）2L≈U cc2L P v=V c c U omL≈U cc2LP o P v =π4U omV cc≈π4=78.5%η=。

模电开环增益的计算公式

模电开环增益的计算公式
模拟电路中的开环增益可以通过以下公式计算：
开环增益（A）= 输出信号幅度（Vout）/ 输入信号幅度（Vin）。

其中，输出信号幅度是指在电路的输出端测量到的电压或电流的幅度，输入信号幅度是指作为电路输入的电压或电流的幅度。

在实际的模拟电路中，开环增益可以通过测量电路的输出和输入信号幅度来计算。

通常情况下，输入信号被设置为一个已知的恒定值，然后测量输出信号的幅度。

这样可以得到开环增益的数值。

需要注意的是，开环增益是指在没有任何反馈的情况下，电路的增益。

在实际应用中，为了稳定和控制电路的性能，通常会采用闭环反馈来调节开环增益。

闭环反馈会引入一个反馈网络，使得电路的增益可以被控制和调节。

总之，模拟电路中的开环增益可以通过测量输出信号和输入信
号的幅度来计算，它是在没有反馈的情况下的电路增益。

在实际应用中，通常会采用闭环反馈来调节和控制电路的性能。

模电公式集合

模拟电子技术公式集合积分dt v RC V o ⎰-=11微分dtdv RC V 1-=安全工作cmc I I ≤ceo ce V V 集电极耗散功率cmP 基本共射级静态bBEQCC BQ R V V I -=C CQ CC CEQ R I V V -=BQEQ CQ I I I β==动态beL C V r R R A )//(β-=be b i r R R //=co R R ≈基极分压式静态CC b b b BQV R R R V 122+≈βCQ BQ I I =eBEQBQ EQ CQ R V V I I -=≈)(e c CQ CC CEQ R R I V V +-=动态ebe L c i v R r R R V V A )1()//(0ββ++-==])1(//[//21e be b b i R r R R R β++=c o R R =si i o vs V V V V A =共集电极静态eb BEQ cc BQ R R V V I )1(β++-=BQ CQ EQ I I I β=≈eEQ cc CEQ R I V V -=动态))(1()//)(1(L e be c e v R R r R R A ++++=ββ)]//)(1(//[L e be b i R R r R R β++=e beb so R r R R R //1//β++=差分静态o c c I i i 5.021==7.01121+-==c c cc CE CE R I V V V 双端单端差模becid o vd r R V V A β-==bec vd vd r R A A 221β-=-=接RLbe L c id o vd r R R V V A )2//(β-==beL c vd vd r R R A A 2)//(21β-=-=共模0==Vic V A ocvc oco be c vc r R r r R A 22)1(1-≈++-=ββ共模抑制比∞=CMR K be oCMR r r K β=122vc vd A A 差模输入电阻])1([22e be id R r R β++=共模输入电阻)]2)(1([5.02e o be ic R r r R +++=β输出电阻co R R 2=co R R =输入电阻输出电阻串联大电流大并联小电压小乙类om L cc L ces cc L om o P R v R v v R v P =≈-==22221)(2121cm om omom cc L T P P V V V R P ==-=2.0)4(22πvmom L om cc v P P R V V P ===ππ42max 44ηππη====cc om V O V V P P om cm P P 2.0≥cc CEO BR V V 2)( L cc cm R V I ≥甲乙类cc V 用cc V 5.0代震荡31≥=of v V V F RCf π210=滤波22V v o =电路工作不正常负载开路22.1V v o =电路工作正常29.0V v o =桥式整流未经电容滤波的输出电路工作不正常滤波电容开路245.0V v o =半波整流未经电容滤波的输出电路工作不正常有二极管开路滤波电容开路电压差为0.70.3的为基极和发射级剩下那个电压高为NPN 反之PNPe b c V V V ≥≥7.0=be V 放大be ce V V ≤饱和)5.0(v V V th be 截止。

模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One11、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。

3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。

4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。

5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

6、硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。

7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。

9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。

三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。

三个极：基极B、发射极E和集电极C。

二个结：即发射结和集电结。

饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。

11、失真有三种情况:⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。

调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。

⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。

调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。

1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。

（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。

模拟电路期末知识总结

模拟电路期末知识总结一、模拟电路的基本理论1. 电压、电流和功率在模拟电路中，电压是指两个点之间的电势差，用符号V表示，单位是伏特(V)。

电流是指单位时间内电荷通过的数量，用符号I表示，单位是安培(A)。

功率是指单位时间内电路中转换或消耗的能量，用符号P表示，单位是瓦特(W)。

2. 电路参数电路参数是指描述电路性质和特性的数值，常见的电路参数有电阻、电容和电感。

电阻是指电路中阻碍电流流动的元件，用符号R表示，单位是欧姆(Ω)。

电容是指电路中能够存储电荷的元件，用符号C表示，单位是法拉(F)。

电感是指电路中能够存储磁能的元件，用符号L表示，单位是亨利(H)。

3. 电路定律欧姆定律是描述电压、电流和电阻之间关系的基本定律，即V=IR，其中V表示电压，I表示电流，R表示电阻。

基尔霍夫定律是描述电路中电压和电流分布的定律。

基尔霍夫电压定律说的是，电路中任意一个环的电压和为零。

基尔霍夫电流定律说的是，电路中任意一个节点的入流和等于出流和。

4. 放大器放大器是模拟电路中常用的电子器件，用于放大信号。

常见的放大器有运放放大器、差分放大器等。

运放放大器是一种集成电路，具有高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的特点，被广泛应用于电路设计中。

5. 滤波器滤波器是模拟电路中常用的电子器件，用于滤除或增强信号的特定频率分量。

常见的滤波器有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。

滤波器的设计需要根据具体的应用需求选择适当的类型和参数。

二、电路分析方法1. 等效电路分析等效电路分析是指将复杂的电路简化为等效电路进行分析。

等效电路是指与原电路在某个方面完全相同的电路，但更简单、更易分析。

常用的等效电路有电压源与电阻的串联等效电路、电流源与电阻的并联等效电路等。

2. 套用公式分析套用公式分析是指根据电路中的元件数值和电路定律，直接套用公式进行计算和分析。

这种方法适用于电路比较简单，元件参数已知的情况。

3. 节点分析法节点分析法是一种基于基尔霍夫电流定律的电路分析方法，通过设置节点电压和节点电流方程，得到电路中各节点的电压和电流。

模电期末复习

(5)放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应引入______ (6)放大电路，要求输入电阻大，输出电压稳定，应引入______ (7)需要一个阻抗变换电路，要求Ri小，R0 大，应引入______
第 2章
集成运算放大电路
运算放大器的两个输入端虚短Vid≈0 即VP=VN P Vid
N +
虚断Iid≈0
净输入电流=0
+
-
-
一、基本运算电路(熟悉)
1.同相放大器
R1
2.反相放大器
_
R’
RF
vs1
vo
R1
_
R’
RF
vs1
A1
A1
+
+
vo
AVF
RF 1 R1
AVF
RF R1
3.加法电路 vs2 vs1
R2 Rf
_
R1
v o (
vo
Rf R1
v s1
Rf R2
v s2 )
+
4.减法电路 vs2 vs1
R2 R3
R1
+ _
Rf
vo
vo
Rf R1
(v s1 v s2 )
i2
R
C
_ + vo
dv c iC C dt
vs
i1
1 vo v s dt RC
R C
vs
_
+
vo
dv s v o RC dt
R4
vi3
R5
C
vi1 vi2
_
R1 A1
当vo=VOH时，可得上门限电压VT+ 当vo=VOL时，可得下门限电压VT_

模电公式

uO
I EQ (1 ) I BQ
Ri 2( Rb rbe ) ，Ro 2Rc
uF uI， iR1 iR2 uI R1
iI iR f ,
uI u R ( R1 R2 ) Auf O 1 2 R1 uI R1
压并
压串
UT
U om Pom iC
U CQ1
RL VCC I CQ ( Rc ∥ RL ) Rc RL
双单
U CQ2 VCC I CQ Rc Ri 2( Rb rbe )，Ro Rc
单端输出：Ad
uo u N iR f R f iI R f
VCC U CES sin t RL 1
流并
2 VCC VCC U CES RL
VCC U CES sin t VCC dt RL

Pom VCC U CES P 4 VCC V
2 VCC π 2 RL
R I Rc c c Uo A u r U i I e Re I rbe (1 ) Re b be
I BQ
VBB U BEQ Rb

VEE I BQ Rb U BEQ 2 I EQ Re 因为Rb小，且I BQ 很小，所以 VEE U BEQ 2 Re I EQ 1
Uo A us U
s
全频段放大倍数
I CQ I BQ
共射
U CEQ VCC I CQ RC
R ( Rc ∥ L ) 2 Ad Rb rbe
A usm
U o Rc A u U Rb rbe i
Ri

模电常用公式

模拟电路常用公式
第一章
iD I S (e 1)
vD VT
第二章
I E I B IC
IC I B
IC I E
第二章共射电路
26( mV ) rbe 300() (1 ) I EQ ( mA)
Vo RL Av Vi rbe
Ri Vi Ii RB // Ri RB // rbe
2
gm
2I DQ VGSQ Vth
第三章共源放大电路
AV gm Rd
rgs=∞
Ro Rd
第三章共栅放大电路
Av gm ( RD // RL )
1 Ris gm
Ri Rss // Ris Ro Rod // RD RD
第四章放大电路的频率响应
f (1 o ) f fT fT
fT 0 f
f fT f
第四章放大电路的频率响应
gm ICQ VT
gm Cb'e Cb'c 2 fT
CM (1 gm RL' )Cb'c
CM ' [1 1/ ( gm RL' )]Cb'c Cb'c
第四章放大电路的频率响应
1 1 1 1 1 1.1 2 2 2 ... 2 fH fH1 fH 2 fH 3 f Hm
Ro Rc
第二章功放
1 Vom 2 Po 2 RL
PDC Vom Vcc RL 2

Vom
4 VCC

第三章场效应管
kp W iD (vGS VGS ( th) )2 2 L