2010年电子科技大学813电磁场与电磁波考研试题答案
电子科技大学03-04学年第二学期《电磁场与电磁波》试题与答案
I eφ H 上 = eφ H 下 ⇒ H 上 = H 下 =eφ 2π r µI µI （ z > 0） ； ，( z < 0 ) 则 B上 = µ0 H 上 =eφ 0 ， B下 = µ H 下 =eφ 2π r 2π r
由 参考评分标准：正确判断 eφ H 上 = eφ H 下 ，并正确应用安培环路定理求得 H （10 分） ；
a . f = fc ； a . 无关； a. a+b；
b . f > fc ；
c . f < fc
） 。
12．矩形波导的截止波长与波导内填充的媒质（
b . 有关； b . 2a ； b . sin θ ；
c . 关系不确定，还需看传播什么波型
） 。
13．矩形波导的横截面尺寸为 a × b ，设 a > b ，则此波导中传播的主模的截止波长为（
a . 等于光速 c ；
10．矩形波导中可以传输（
b . 等于 c 2 ；
） 。
c . 等于 c 4 c . TE 和 TM 波
1 2π µε (mπ a ) 2 + (nπ b) 2 ，
a . TEM 、 TE 和 TM 波；
b . TEM 波；
11．横截面尺寸为 a × b 的矩形波导管，内部填充理想介质时的截止频率 = fc 工作频率为 f 的电磁波在该波导中传播的条件是（ ） 。
附：参考数据及公式 （1） ε 0 ≈ 8.854 × 10
−12
≈
1 F m， 4π × 9 ×109
µ = 4π ×10−7 H m 0
（2）圆柱坐标系中的相关公式
电子科大电磁场与波第二章答案
上任一点的磁场公式，可得到该细圆环电流在球心处产生的磁场为
dB
= ez
μ0b2 d I 2(b2 + d 2 )3 2
=
ez
μ0ωqa2 sin3 θ dθ 8π (a2 sin2 θ + a2 cos2 θ )3 2
=
ez
μ0ωq sin3 θ 8π a
dθ
故整个球面电流在球心处产生的磁场为
∫ ∫ B =
下各点的 E：（1） P1 (2,5, −5) ；（2） P2 (−2, 4,5) ；（3） P3 (−1, −5, 2) 。
解 无限大的均匀面电荷产生的电场为均匀场，利用前面的结果得
（1） E1
=
−ez
ρS1 2ε 0
− ez
ρS 2 2ε 0
− ez
ρS3 2ε 0
=
−e z
1 2ε 0
(3 + 6 − 8)×10−9
=
0
2.16 一个半径为 a 的导体球带电荷量为 q ,当球体以均匀角速度ω 绕一个直径旋转时（如
题 2.16 图所示），试求球心处的磁感应强度 B
解
导体球面上的面电荷密度为
ρS
=
q 4π a2
，当球体以均匀角速度 ω
绕一个直径旋转
时，球面上位置矢量 r = era 点处的电流面密度为
JS = ρS v = ρSω× r = ρS ezω × era =
+
(ex
3
−
ey )
3ρl1 8πε 0 L
=
ey
3ρl1 4πε 0 L
2.13 自由空间有三个无限大的均匀带电平面：位于点(0,0,-4)处的平面上 ρS1 = 3nC/m2 ，
电子科技大学2020年硕士研究生初试813电磁场与电磁波自命题科目考试大纲
考试科目813电磁场与电磁波考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分150分
一、总体要求
要求考生掌握《电磁场与电磁波》的基本内容，正确理解电磁场与电磁波的基本概念，认识电磁规律的本质和相关物理量的内在联系，掌握分析求解电磁问题的基本方法，具有分析和解决电磁场与电磁波问题的能力。
二、内容及比例
1.电磁场的基本规律
1）电荷守恒定律
2）真空中静电场的基本规律
3）真空中恒定磁场的基本规律
4）媒质的电磁特性
5）电磁感应定律和位移电流
6）麦克斯韦方程组
7）电磁场的边界条件
2.静态电磁场及其边值问题的解
1）电位函数
2）电容
3）静电场的能量
4）导电媒质中的恒定电场分析
5）矢量磁位
6）电感
7）恒定磁场能量
8）唯一性定理
9）镜像法
3.时变电磁场
1）波动方程
2）电磁场的位函数
3）电磁能量及守恒定律
4）时谐电磁场
4.均匀平面波
1）理想介质中均匀平面波的传播
2）导电媒质中均匀平面波的传播
3）电场波的极化
4）色散与群速
5）均匀平面波对分界平面的垂直入射
6）均匀平面波对理想介质分界平面的斜入射
7）均匀平面波对理想导体平面的斜入射
5.导行电磁波
1）导行电磁波概论
2）矩形波导
6.电磁辐射
1）滞后位
2）电偶级子的辐射
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(NEW)电子科技大学《813电磁场与电磁波》历年考研真题汇编(含部分答案)
2009年电子科技大学813电磁场与电磁 波考研真题及详解
2008年电子科技大学813电磁场与电磁 波考研真题及详解
2007年电子科技大学404电磁场与电磁 波考研真题及详解
2006年电子科技大学404电磁场与电磁 波考研真题及详解
2005年电子科技大学412电磁场与电磁 波考研真题及详解
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2011年电子科技大学813电磁场与电磁波考研真题及详解
2010年电子科技大学813电磁场与电磁波考研真题
16
2009年电子科技大学813电磁场与电磁波考研真题及详解
目 录
2016年电子科技大学813电磁场与电磁 波考研真题
2015年电子科技大学813电磁场与电磁 波考研真题
2014年电子科技大学813电磁场与电磁 波考研真题
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2001年电子科技大学电磁场与电磁波 考研真题
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813电磁场与电磁波-电子科技大学2015硕士入学考试真题
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总•111单独考试政治理论•241法语(二外)•242德语(二外)•243日语(二外)•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语•601数学分析•602高等数学•613分子生物学•615日语水平测试•616公共管理综合•621英语水平测试•622心理学综合•623新闻传播理论•625宪法学•688单独考试高等数学•689西方行政史•690中国近现代史•691政治学原理•692数学物理基础•694生物学综合•694生物学综合•695口腔综合•804行政法与行政诉讼法学•805新闻传播实务•806行政管理综合•808金融学基础•809管理学原理•811大学物理•812地理信息系统基础•813电磁场与电磁波•814电力电子技术•815电路分析基础•818固体物理•820计算机专业基础•821经济学基础•824理论力学•825密码学基础与网络安全•830数字图像处理•831通信与信号系统•832微电子器件•834物理化学•835线性代数•836信号与系统和数字电路•839自动控制原理•840物理光学•845英美文学基础知识及运用•846英语语言学基础知识及运用•847日语专业基础知识及应用•852近代物理基础•853细胞生物学•854国际政治学•855辩证唯物主义和历史唯物主义•856测控通信原理•857概率论与数理统计•858信号与系统•859测控通信基础•860软件工程学科基础综合“电磁场与电磁波”试题 共 3 页 第 1 页电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：813 电磁场与电磁波注：所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上无效。
一、填空题（每空2分，共30分）1. 在介电常数02.5e e =的电介质中，已知电场强度23V/m x y z E e x e y e z =++r r r r，则介质中的自由电荷体密度为r = 3C /m 、极化（束缚）电荷体密度为p r = 3C /m 。
电子科技大学813电磁场与电磁波考研历年真题及解析
-2士不可不弘毅，任重而道远！——弘毅考研
历年真题解析
【内部资料】
2012 年攻读硕士学位研究生入学考试试题
-1士不可不弘毅，任重而道远！——弘毅考研
历年真题解析
【内部资料】
电子科技大学考研历年真题解析
——813 电磁场与电磁波
主编：弘毅考研 编者：大雄
弘毅教育出品
-1士不可不弘毅，任重而道远！—— 年真题 ................................................ - 1 2011 年真题 .................................... 错误!未定义书签。 2010 年真题 .................................... 错误!未定义书签。 2009 年真题 .................................... 错误!未定义书签。 2008 年真题 .................................... 错误!未定义书签。 2012 年答案 .................................... 错误!未定义书签。 2011 年答案 .................................... 错误!未定义书签。 2009 年答案 .................................... 错误!未定义书签。 2008 年答案 .................................... 错误!未定义书签。
电子科技大学813电磁场与电磁波2015年考研专业课真题试卷
“电磁场与电磁波”试题 共 3 页 第 1 页 电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：813 电磁场与电磁波注：所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上无效。
一、填空题（每空2分，共30分） 1. 在介电常数02.5e e =的电介质中，已知电场强度23V/m x y z E e x e y e z =++r r r r ，则介质中的自由电荷体密度为r = 3C /m 、极化（束缚）电荷体密度为 p r = 3C /m 。
2. 如图1所示，由两平行的半无限长直线和半圆弧中的线电流I 在半圆弧的圆心P 点所产生的磁场强度H = A /m 。
3．设0>x 的半空间为空气、0<x 的半空间是磁导率02.5m m =的磁介质，在分界面上，已知空气中的磁场强度142A/m x z H e e =+r r r ，则磁介质表面上的磁化电流密度MS J =r A /m 。
4. 频率为30MHz 的均匀平面波在导电媒质中传播，已知05e e =、0m m =及410s we=，则此电磁波的波长l = m ，趋肤深度d = m 。
5．设0z <的半空间为空气、0z >的半空间为理想介质（介电常数03e e =、磁导率0m m =、电导率0s =），均匀平面波由空气中入射到与理想介质的分界平面上，已知入射波的磁场强度复矢量为2)i (,)0.1e A/m j z x H y z e p -+=r r ，则折射(透射)角t q = 、折射(透射)波磁场强度的振幅tm H = A/m 。
6．设0>x 的半空间为空气、0<x 的半空间为理想介质（介电常数04e e =、磁导率0m m =、电导率0s =），均匀平面波由理想介质中入射到与空气的分界平面上，已知入射波的电场强度(43)i (,)10V/m j x z y E x z e e p -+=r r ，则空气中折射(透射)波的相速度p v = m/s 。
电子科技大学813电磁场与微波技术考研之专业课复习指引Word
2012电子科技大学813电磁场与微波技术考研之专业课复习指引（2）电子科大考研网 / 2011-05-262012电子科技大学831电磁场与微波技术考研之专业课复习指引（适于所有选择初试专业课科目为813电磁场与电磁波的同学）亲爱的同学们：2011年5月马上结束了，6月即将来临。
有的同学也即将进入专业课的有序复习中！在此，就专业课《813电磁场与电磁波》的复习，我同大家做以下分享，这适用于众多专业，电子科技大学有很多专业例如电磁场与微波技术、无线电物理、光学工程、信息与通信工程、控制理论与控制工程等优势学科专业的研究生入学考试初试科目中都可选择《813电磁场与电磁波》，因此这一科目的复习对于众多同学都是很有用的！以后，会根据同学们的复习需求在不同时段和大家分享大家所希望知道的信息！此次，主要和大家分享在复习初级阶段大家应该了解的信息和大体复习进程！对于具体的复习进程因人而异！指定的参考教材是根本《813电磁场与电磁波》的参考教材是：《电磁场与电磁波》(第四版) 谢处方高等教育出版社 2006年。
同学们一定要将这本书弄到手，这本书是学校指定的准教材，出题的基础就是它，以我的经验，考题所考内容绝不会超出这本书的范围，近几年电子科技大学电磁场与电磁波考研试题的命题人就是对教材做修订的老师之一，所以说其重要性就可想而知了！另外电子科技大学本科使用的教材也是这一本，到UESTC你会发现众多UESTC的电子通信等专业学子人手都有一本此书。
另外，就从考试角度说，出题时所有的物理量定义及符号也是以此书为标准，要是对此书不吃透，那是很吃亏的！还很有可能有原题出现，大家在今后进入真题复习阶段时就会发现了。
另外，建议大家手里还得要有一本与此书相对应的习题解答指导，这对大家以后做课后习题大有帮助。
我给大家推荐以下这本书：它不仅有完整的教材课后习题解，而且有很多典型例题和各章知识点总结，虽然书比较薄但是很经典，看起来也没压力，这书一般在学校图书馆都能借到的。
西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2010年
西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2010年(总分：150.00，做题时间：90分钟)一、(总题数：1，分数：15.00)相对介电常数εr =2区域内电位(1，1，1)处的：（分数：15.00）(1).电场强度E。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()∴在点(1，1，1)处E=-2e x +4e y -e z (V/m)(2).电荷密度ρ。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：解：ρ=▽·D=εrε0▽·E=4ε0≈3.54×10 -11 (C/m 3 )(3).电场能量密度w e。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：解：∴在点(1，1，1)处w e≈1.86×10 -10 (J/m 3 ) [解析] 本题考查最基本的静电场公式，没有什么难度，但要注意不要把εr错当成ε带入计算而丢掉ε0，E是坐标函数，求散以后再带入x，y，z值，不要丢掉单位，这些低级错误一定要杜绝。
二、(总题数：1，分数：15.00)电场强度E(r，t)=excos(3π×10 8 t-2πz)-e y 4sin(3π×10 8 t-2πz)(mV/m)的均匀平面电磁波在相对磁导率μr =1的理想介质中传播，求：（分数：15.00）(1).电磁波的极化状态。
电子科技大学,电磁场与电磁波,典型例题
(c r b )
例 球形电容器内导体半径为a，外球壳半径为b。其间充 满介电常数为 1 和 2 的两种均匀媒质。设内导体带电荷为 q，外 球壳接地，求球壳间的电场和电位分布。 分析：电场平行于介质分界面，由边界条件 可知，介质两边 E 相等。 解：令电场强度为 E ，由高斯定律
2
( 21 ) U 1 2 0
在 r b 面上：
( DD ) e
S 2 2 1 r
[ 2 ln ( b/ a ) 1ln ( c/b ) ] b
在 r c 面上：
De S 3 2 r
2 U 1 0
[ 2 ln ( b /a ) 1ln ( c/b ) ] c
3Q Pe 面极化电荷分布: S P r
1 6 a
2
3 Q 2 在球心点电荷处： Q Q 4 a p S P s p
4
在线性均匀媒质中，已知电位移矢量 D 的z分量为 2 2 ，极化强度 P e 9 e 2 1 e 1 5/ n C m D 2 0 n C / m x y z z 例 求：介质中的电场强度 E 解：由定义，知：
a b
b
c
( l n b l n a ) ( l n c l n b ) 2 2 1 2
I 2 U 1 2 0
I
I
U J ( a r c ) [ l n (/ b a ) l n (/ c b ) ] r
12 0 1 2
2 ln ( b/a ) 1ln ( c/b )
D E P 0
P (1 1
和电位移矢量 D
。
0
D P
电子科大电磁场与电磁波考题
一．选择填空题：（共30分，每空1分）必须将正确答案编号填入空内！1. 下列方程中（B ）是磁通连续性原理的微分形式，（D ）是高斯定理的微分形式。
A.t B E ∂∂-=⨯∇B.B 0∇⋅=C. τρJ ·∂∂-=∇ D.ρD ·=∇E.tD J H ∂∂+=⨯∇2. 导电媒质中存在时谐电磁场时，其中的传导电流与位移电流的相位差为（D ）。
良导体中，电场强度和磁场强度的相位差为（C ）。
A ．0° B.30° C.45° D.90°E.180° 3. 两种电导率有限并分别为和的媒质分界面上，无外加源，则切向分量连续的物理量分别是（A ）和（E ）。
（与顺序无关）A.电场强度EB. 电位移矢量DC. 传导电流JD. 磁感应强度BE. 磁场强度H4. 引起同轴线单位长度电感变化的因素为（B ）和（E ）（与顺序无关）A.电流IB.磁导率μC.介电常数εD.磁通ϕE.内外导体半径a 、b5. 坡印廷定理是关于电磁能量转换过程的能量守恒定律。
其中（E ）表示单位时间进入S 面包围的有限空间体积V 中的电磁能量，（A ）表示单位时间内体积V 中电磁能量的增加，（C ）表示单位时间体积V 内损耗的电磁能量。
A.V 11H B E D dV t 22∂⎛⎫⋅+⋅ ⎪∂⎝⎭⎰ B.V 11H B E D dV 22⎛⎫⋅+⋅ ⎪⎝⎭⎰ C.VE J dV ⋅⎰D.E H dS S⨯⋅⎰E.()S d H E⋅⨯-⎰6. 下列电场表达式中，（E ）表示线极化波，(A )表示右旋圆极化波，（C )表示左旋椭圆极化波。
A. k x y 00E()=(e E e E )e j z z j --B. +k x 0y 0E()=(e E e E )e j z z j -C. kz x y 12E()=(e E e E )e j z j -+D. k x y 12E()=(e E e E )e j z z j --E. -k x y 12E()=(e E e E )ej zz +7. 两块成90°的接地导体板，角形区域内有点电荷+q ，若用镜像法求该区域内的电位分布，则共有（D ）个像电荷，其中电荷量为+q 的像电荷有（B ）个。
电子科技大学《数字电路》真题2010年
电子科技大学《数字电路》真题2010年(总分：140.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}选择题{{/B}}(总题数：10，分数：20.00)1.两个二进制数进行算术运算，下面______说法是不正确的。
• A.两个无符号数相加，如果最高位产生进位输出，则肯定发生溢出• B.两个最高位不同的补码进行相加运算，肯定不会产生溢出• C.两个补码进行相加运算，如果最高位产生进位输出，则肯定发生溢出• D.两个补码的减法运算可以用加法器来实现（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：2.以下描述一个逻辑函数的方法中______只能唯一表示。
• A.表达式• B.逻辑图• C.真值表• D.波形图（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：3.在不影响逻辑功能的情况下，CMOS与非门的多余输入端可______。
• A.接高电平• B.接低电平• C.悬空• D.通过电阻接地（分数：2.00）A. √B.C.D.解析：4.欲产生序列信号11010111，则至少需要______级触发器。
• A.2• B.3• C.4• D.5（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：5.一个8位二进制减法计数器，初始状态为00000000，问经过268个输入脉冲后，此计数器的状态为______。
• A.11001111• B.11110100• C.11110010• D.11110011（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：6.为构成4096×16的RAM区，共需1024×4位的RAM芯片______片。
• A.64• B.8• C.16• D.32（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：7.逻辑函数F1=∑A，B，C，D(2，3，5，8，11，13)和F2=∏A，B，C，D(2，4，7，10，12，13)之间满足______关系。
• A.对偶• B.相等• C.香农展开• D.反演（分数：2.00）A. √B.C.D.解析：8.移位寄存器由8级触发器组成，用它构成的扭环形计数器具有______种有效状态；用它构成的环形计数器具有______种有效状态，构成线性反馈移位寄存器具有______种有效状态。
(完整版)电磁场与电磁波试题及答案.
1. 写出非限定情况下麦克斯韦方程组的微分形式，并简要说明其物理意义。
2.答非限定情况下麦克斯韦方程组的微分形式为,,0,D B H J E B D t tρ∂∂∇⨯=+∇⨯=-∇⋅=∇⋅=∂∂，(3分)（表明了电磁场和它们的源之间的全部关系除了真实电流外，变化的电场（位移电流）也是磁场的源；除电荷外，变化的磁场也是电场的源。
1. 写出时变电磁场在1为理想导体与2为理想介质分界面时的边界条件。
2. 时变场的一般边界条件 2n D σ=、20t E =、2t s H J =、20n B =。
(或矢量式2n D σ=、20n E ⨯=、2s n H J ⨯=、20n B =)1. 写出矢量位、动态矢量位与动态标量位的表达式,并简要说明库仑规范与洛仑兹规范的意义。
2. 答矢量位,0B A A =∇⨯∇⋅=；动态矢量位A E t ϕ∂=-∇-∂或AE tϕ∂+=-∇∂。
库仑规范与洛仑兹规范的作用都是限制A 的散度，从而使A 的取值具有唯一性；库仑规范用在静态场，洛仑兹规范用在时变场。
1. 简述穿过闭合曲面的通量及其物理定义 2.sA ds φ=⋅⎰⎰ 是矢量A 穿过闭合曲面S 的通量或发散量。
若Ф> 0，流出S 面的通量大于流入的通量，即通量由S 面内向外扩散，说明S 面内有正源若Ф< 0，则流入S 面的通量大于流出的通量，即通量向S 面内汇集，说明S 面内有负源。
若Ф=0，则流入S 面的通量等于流出的通量，说明S 面内无源。
1. 证明位置矢量x y z r e x e y e z =++ 的散度，并由此说明矢量场的散度与坐标的选择无关。
2. 证明在直角坐标系里计算 ，则有()()xy z x y z r r e e e e x e y e z x y z ⎛⎫∂∂∂∇⋅=++⋅++ ⎪∂∂∂⎝⎭3x y z x y z∂∂∂=++=∂∂∂ 若在球坐标系里计算，则 232211()()()3r r r r r r r r r∂∂∇⋅===∂∂由此说明了矢量场的散度与坐标的选择无关。
电子科大电磁场与电磁波考题
电子科大电磁场与电磁波考题一(选择填空题:(共30分，每空1分)必须将正确答案编号填入空内～1. 下列方程中(B )是磁通连续性原理的微分形式，(D )是高斯定理的微分形式。
,,,,,,B,ρA. B. C. ,?J,, D. ,，E,,,,,B0,?D,ρ,τ,t,,,,DE. ,，H,J，,t2. 导电媒质中存在时谐电磁场时，其中的传导电流与位移电流的相位差为(D )。
良导体中，电场强度和磁场强度的相位差为(C )。
A(0? B.30? C.45? D.90? E.180?3. 两种电导率有限并分别为和的媒质分界面上，无外加源，则切向分量连续的物理量分别是(A )和(E )。
(与顺序无关),,,,A.电场强度 B. 电位移矢量 C. 传导电流J D. 磁感应强度 E. 磁EDB ,场强度H4. 引起同轴线单位长度电感变化的因素为(B )和(E )(与顺序无关)A.电流IB.磁导率C.介电常数D.磁通ε,μE.内外导体半径a、b5. 坡印廷定理是关于电磁能量转换过程的能量守恒定律。
其中(E )表示单位时间进入S面包围的有限空间体积V中的电磁能量，(A )表示单位时间内体积V中电磁能量的增加，(C )表示单位时间体积V内损耗的电磁能量。
,,,,,,,,,1111,,,, A. B. HBEDdV,，,HBEDdV,，,,,,,,,VV22,t22,,,,,,,,,,,,EJdV,EHdS，,，，,E，H,dS C. D. E. , ,,VS6. 下列电场表达式中，(E )表示线极化波，(A )表示右旋圆极化波，(C )表示左旋椭圆极化波。
,,,,jzkE()=(eEeE)ezj, A. xy00,,,+kjzE()=(eEeE)ezj, B. x0y0,,,,jkzE()=(eEeE)ezj， C. xy12,,,,jzkE()=(eEeE)ezj, D. xy12,,,-kjzE()=(eEeE)ez， E. xy127. 两块成90?的接地导体板，角形区域内有点电荷+q，若用镜像法求该区域内的电位分布，则共有(D )个像电荷，其中电荷量为+q的像电荷有(B )个。
电子科技大学813电磁场与微波技术考研之专业课复习指引Word
2012电子科技大学813电磁场与微波技术考研之专业课复习指引（2）电子科大考研网 / 2011-05-262012电子科技大学831电磁场与微波技术考研之专业课复习指引（适于所有选择初试专业课科目为813电磁场与电磁波的同学）亲爱的同学们：2011年5月马上结束了，6月即将来临。
有的同学也即将进入专业课的有序复习中！在此，就专业课《813电磁场与电磁波》的复习，我同大家做以下分享，这适用于众多专业，电子科技大学有很多专业例如电磁场与微波技术、无线电物理、光学工程、信息与通信工程、控制理论与控制工程等优势学科专业的研究生入学考试初试科目中都可选择《813电磁场与电磁波》，因此这一科目的复习对于众多同学都是很有用的！以后，会根据同学们的复习需求在不同时段和大家分享大家所希望知道的信息！此次，主要和大家分享在复习初级阶段大家应该了解的信息和大体复习进程！对于具体的复习进程因人而异！指定的参考教材是根本《813电磁场与电磁波》的参考教材是：《电磁场与电磁波》(第四版) 谢处方高等教育出版社 2006年。
同学们一定要将这本书弄到手，这本书是学校指定的准教材，出题的基础就是它，以我的经验，考题所考内容绝不会超出这本书的范围，近几年电子科技大学电磁场与电磁波考研试题的命题人就是对教材做修订的老师之一，所以说其重要性就可想而知了！另外电子科技大学本科使用的教材也是这一本，到UESTC你会发现众多UESTC的电子通信等专业学子人手都有一本此书。
另外，就从考试角度说，出题时所有的物理量定义及符号也是以此书为标准，要是对此书不吃透，那是很吃亏的！还很有可能有原题出现，大家在今后进入真题复习阶段时就会发现了。
另外，建议大家手里还得要有一本与此书相对应的习题解答指导，这对大家以后做课后习题大有帮助。
我给大家推荐以下这本书：它不仅有完整的教材课后习题解，而且有很多典型例题和各章知识点总结，虽然书比较薄但是很经典，看起来也没压力，这书一般在学校图书馆都能借到的。
成都电子科技大学电磁场与电磁波2003-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：813 电磁场与电磁波注：所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上无效。
一、填空题（每空1分，共20分）1． 在磁导率为μ的均匀介质中，已知恒定（稳恒）磁场的磁感应强度为B ，则介质中的电流体密度J 可以表示成 ，磁化电流体密度M J 可以表示成 。
2. 电荷的定向运动形成电流，当电荷密度ρ满足0=∂∂tρ时，电流密度J 应满足 ，此时电流线的形状应为 。
3. 某线极化波由空气中斜入射到与理想介质（03εε=、0μμ=、0σ=）的分界平面上。
如要使反射波振幅为零，则入射波的极化方式是 、入射角i θ= 。
4. 麦克斯韦通过数学的方法引入 ，从而建立了完整的麦克斯韦方程组。
5. 时变电磁场可以用矢量位A 和标量位ϕ来描述，但是位函数一般是不唯一的，如要得到唯一确定的位函数，可以规定 。
6. 均匀平面波在某一均匀媒质中传播，其电磁波的电场强度E 与磁场强度H 不同相位，则这种媒质是 。
7. 若两个同频率、同方向传播、极化方向互相垂直的线极化波的合成波为圆极化波，则它们的振幅___________、相位差为 ______________；如果两个波的合成波为纯驻波，则它们的传播方向 、且极化方向 。
8． 在理想导体表面上， 矢量总是平行于导体表面， 矢量总是垂直于导体表面。
9． 均匀平面电磁波由空气中垂直入射到与无损耗介质（02.25εε=、0μμ=、0σ=）的分界平面上时，反射系数Γ= ，折射(透射)系数 τ= 。
10．自由空间中位于r '处的源（ρ或J ）在t 时刻发生变化，此变化将在 时刻影响到r 处的位函数（ϕ或A ）。
11．横截面尺寸为25mm 20mm a b ⨯=⨯的矩形波导中填充介质为空气，能传输的电磁波的最低频率为 Hz ；若要实现单模传输，则电磁波的最高工作频率为 Hz 。
二、判断题，正确的划“√”，错误的划“×”（每题1分，共10分）1. 方程ρ=⋅∇D 表明，电位移矢量D 只与自由电荷有关，而与极化电荷无关，即D 与电介质无关。