数电模电第二章知识点
模拟电路第二章知识点总结
2 F
2 F
) 2
5.MOS 电流源
在 MOS 模拟集成电路中，电流源的形式与 BJT 电流源相似。
MOS 镜像电流源：
Ir
IO
T1
T2
图 简单镜像电流源 MOS 镜像电流源的电路和原理、等效电路、电流与输出电阻
ro1 vgs
gm2vgs
ro 2
Ir Io Io Ir ro1gm2 ro1 ro2
(3)甲乙类工作状态：它是介于甲类和乙类之间的一种工作状态，即发射结 处于正向运用的时间超过半个周期，但小于一个周期，即导通角大于 小于 。甲 乙类工作状态又称为 AB 类工作状态。
(4)丙类工作状态：发射结处于正向运用的时间小于半个周期，集电极电流 流通的时间还不到半个周期，即导通角小于 90º。丙类工作状态又称为 C 类工作 状态。
IB
VBB
RB
I BQ
Q
O
VBEQ
交流分析：
VCC IC RL
ICQ 1 arctan RB
VBB VBE
O
iB
Q
iB ib
I BQ
VCC iC RC
o o VBEQ t
VBB VIN VBB
vBE vbe
vBE VBB VIN o
v
t
O
O
Q IB IBQ
VCEQ
arctan 1 RL
VCC
VDD
八、推挽输出级放大电路
功率放大器根据功放管导通时间的长短（或集电极电流流通时间的长短或导 通角大小），分为以下 4 个工组状态：
(1)甲类工作状态：在整个周期内晶体管的发射结都处于正向运用，集电极 电流始终是流通的，即导通角等于 180º。甲类工作状态又称为 A 类工作状态。
模电-第二章
2.2.1 共射放大电路的基本组成
集电极电源， 为电路提供能 量。并保证集 电结反偏。
+EC RC T
放大元件 iC = iB， 工作在放大区， 要保证集电结反 偏，发射结正偏。
C1 RB EB
C2
输入 ui
uo 输出
参考点
(2-10)
+EC RC
C1 T
基极电源与 基极电阻
C2
集电极电阻， 将变化的电流 转变为变化的 电压。
U om =
min U CEQ U CES ，I CQ RL 2
(2-34)
三、波形非线性失真的分析：
在放大电路中，输出信号应该成比例地放大输入 信号（即线性放大）；如果两者不成比例，则输出 信号不能反映输入信号的情况，放大电路产生非线 性失真。
为了得到尽量大的输出信号，要把 Q 设置在交 流负载线的中间部分。如果 Q 设置不合适，信号进 入截止区或饱和区，造成非线性失真。
特点：直观形象
定量分析误差大 无法反映高频信号时极间电容的影响
适用：幅值大、频率不太高的信号分析
P93 例2.3.1
(2-43)
2.3.4 等效电路法
一、晶体管的直流模型及静态工作点的估算
直流模型：
iB
iC
IBQ
b
Uon
IBQ
c
Uon
uBE
uCE
e
(2-44)
估算法： +EC RB RC
RB 称为偏置电阻，IB 称为 偏置电流。
(2-33)
图解分析方法：
1. 求出静态工作点 Q
2. 画出交流通路，求出交流负载电阻 R = Rc ∥ RL L 作出交流负载线 3. 以 Q 为基准，在输入特性曲线上，根据 ui 的变化 波形求出 ib 的波形及幅值 Ibm 4. 求增益 Au = Uom/Uim Ai = Iom/Iim
模电第二章总结
共射极放大电路
RB RC ＋
(VCC) ＋
RB
(a)直流通＋ Rs
＋
V
C2 VCC RL Uo
Io
＋
Us －
Ui －
（1）画直流通路的原则： ①C开路 ②L短路
－ Ii
Rs
RC
＋
RL Uo
（2）画交流通路的原则：
①C短路 ③直流电源对地短路（恒压源处理） ②L开路 us
＋
－
RB －
RC：集电极偏置电阻 RL：负载电阻 V
CC
US、RS：正弦信 号源电压及内阻
－
直流通路和交流通路
（当放大器没有送入交流信号时，即ui=0时） 分析对象：直流成份→直流通路（偏置电路） →进行直流（静态）工作点分析 （加入交流信号，电路中信号处于变化状态）
分析对象：交流成分→交流通路
→进行交流（动态）性能分析
共集放大电路
直流参数
IBQ=(VCC-UBEQ)/(RB+(1+β)RE ICQ=βIBQ
UCEQ=VCC-IEQRE
共集放大电路的微变等效电路
交流参数
电压放大倍数 Au≈1 输入电阻 Ri=RB//(rbe+(1+β)(RE//RL)) 3.输出电阻 RO=RE//(((RS//RB)+rbe)/(1+β))
双极型三极管及基本放大电路 总结
三极管发射结、集电结的偏置与三 极管工作状态的关系
工作状态/结 截止 放大 饱和
发射结 反偏或零偏 正偏 正偏
集电结 反偏 反偏 正偏或零偏
RB C1 ＋ Rs ＋ Us － Ui －
RC ＋ V
(VCC)
VCC：直流电源 RB: 基极偏置电阻
数电模电第二章知识点
数电模电第二章①电压放大倍数Au ：放大电路输出电压与输入电压的比值。
Au =u0/ui② 电流放大倍数Ai ：放大电路输出电流与输入电流的比值。
Ai = i0/ii集电极电源，为电路提供能量。
并保证集电结反偏。
基极电源与基极电阻，使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。
非线性失真有两类：截止失真和饱和失真级与级之间的连接，称为耦合，常见的耦合方式有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合和光电耦合等多级放大电路的电压放大倍数为各级放大电路电压放大倍数之积1、对功率放大电路的要求输出功率要大非线性失真要小效率要高知识点一 分压式共发射极放大电路（很重要）（课本P42）分压式共发射极放大电路可以稳定静态工作点。
分压式共发射极放大电路分析B 点的电流方程为：B 点的电位： ≈B U b2CC b1b2R V R R +12B I I I =+(1) 静态分析：由于I 1>>I B ，(2) 动态分析① 电压放大倍数②输入电阻R i③ 输出电阻R o知识点二 共集电极放大电路 C C E E E E e BE B E B C ()T I I U U I R U U U I I ↑→↑→↑→↑=→=-↓→↓→↓b2B CC b1b2R U V R R =+C B I I β=()CE CC C c e U V I R R =-+o c L b L u i R i R β''=-=-L c L //R R R '=i b be e e b be e [(1)]u i r i R i r R β=+=++o L ui be e(1)u R A u r Rββ'==-++b be e i i be e b b [(1)](1)i r R u R r R i i ββ++'===++i b1b2i i i b1b2i i i b1b2be e (////)////////[(1)]i R R R u R R R R i i R R r R β''====++1、静态分析：求静态工作点2、动态分析(1) 电压放大倍数Au(2) 输入电阻R i(3) 输出电阻R o ：将信号源短路，负载开路，在输出端加入测试电压u ，产生电流i ，如图通常知识点三 多级放大电路（有可能考） .多级放大电路的电压放大倍数为各级放大电路电压放大倍数之积题型：详见书P58例2-7知识点四 差分放大电路 be s o e //1r R u R R i β'+==+s s b //R R R '=be s e 1r R R β'+>>+be s o 1r R R β'+≈+1.功能：差分放大电路抑制了温度引起的零点漂移2.差模输入信号：在差分放大电路两输入端分别加上一对大小相等，极性相反的信号，u i1=u id1，u i2=u id2=-u id1共模输入信号不要求知识点四功率放大电路（无大题）1.对功率放大电路的要求：输出功率大、非线性失真小、效率高2.分类：静态工作点Q设置在交流负载线的中间，在整个信号周期内，三极管都有电流流过，称为甲类功率放大电路。
模电第二章总结
0.4
0.8
vBE(V)
12:18
(2) 输出特性
——iB一定时vCE 与iC的关系
iC(mA )
此区域满 4 足iC=iB 3 称为线性 区（放大 区）。 2
1 3
6 9
当vCE大 80A 于一定 的数值 60A 时，i 只 C 40A 与iB有关 ，iC=iB 20A 。 IB=0 12 vCE(V)
VCEQ VCC I CQ ( Rc Re )
12:18
固定偏流电路与射极偏置电路的比较 i i i i c b i i
b
c
RS
+ vi
ib
Rc
+ vo R L -
rbe
βib
+ Rb rbe vs - -
viRL Rc来自R‘b Revo
电压增益： Av ( Rc // RL )
rbe
Av
( Rc // RL ) rbe ( 1 )Re
输入电阻：
输出电阻：
Ri Rb // rbe
Ro = Rc
Ri Rb1 // Rb2 // rbe ( 1 )Re
Ro Rc
12:18
模电第二章总结
双极型晶体管(BJT)
晶体管的结构及类型
NPN型 C
集电极 集电极
C PNP型 P N P E
B
基极
N P N
E
发射极
B
基极
发射极
BJT的结构特点
C
集电区：面 积较大
集电极
C N P N E
集电极 集电结
B
模电第二章总结
BJT加上合适的偏置电路（保证 BJT工作在放 大区，即 Q 点在放大区、发射结正偏、集电结反 偏）
2．交流与直流
正常工作时，放大电路处于交直流共存的状 态。为了分析方便，常将两者分开讨论 直流通路：交流电压源短路，电容开路 交流通路：直流电压源短路，电容短路
3．分析方法 （1）估算法（直流模型等效电路法）——估算Q （2）图解法—分析Q（Q的位置是否合适，失真情况） —分析动态（交、直流负载线，最大不失真 输出电压） （3）h参数交流模型法——分析动态 （电压放大倍数、输入电阻、输出电阻） 4．三种组态 （1）共射——Au较大，Ri、Ro适中，常用作电压放大 （2）共集——Au≈1，Ri大、Ro小，常用信号跟随、隔离等 （3）共基——Au较大，Ri小，频带宽，常用放大高频信号
晶体管单管放大电路的三种基本接法
三种接法的比较
共射
Rb Cb1
+
共集
+ VCC
Rb
+
共基
u i Re VBB
+ +
Rc T
Cb2 RL uo ui VBB
+
T Re
+
+
VCC
Rc uo VCC
Rc rbe (1 ) Re
ui +
uo -
-
电压增益： 输入电阻： 输出电阻：ຫໍສະໝຸດ ( Rc // RL )
共集（射随器）
电流放大，电压跟随 大 小 输入级、输出级 跟随，隔离，匹配 射极跟随
共基
电压放大，电流 跟随 小 大（同共射）
应用
频带宽 宽带放大电路
rbe
(1 ) Re Rb rbe (1 ) Re
数字电子技术基础-第二章--逻辑门电路基础
A
≥1
B
L=A+B
负逻辑体制呢?
三、非门电路
第三节 TTL逻辑门电路
一、标准生产工艺的TTL非门的工作原理
TTL的含义：Transistor Transistor
（一）输入VI为高电平3.6V时
（二）输入VI为低电平0.3V 时
二、标准生产工艺的TTL非门的电 路结构特点
1、输入级采用三极管以提高工作速度。
➢ （2）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设 三极管处于临界饱和状态（三极管既可以认为是处于饱和状态 也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域， 此时时的三特极征管IC=既ßI有B）饱，和求状此态时时三的极特管征的VC集ES电=极0.临3V界，饱又和有电放流大I状CS 态， 进极而管求的出集基 电极极临可界能饱流和过电的流最大IBS电。流集。电极临界饱和电流ICS是三
5 60 10
0.0083(mA)
因为iB＞IBS 所以三极管处于饱和状态，如图2-15中的 E点所示。
（2）vi＝-2V
（二）双极型三极管的动态开关特性
（1）延迟时间td—— 从输入信号vi正跳变的 瞬 间开始，到集电极电流iC上升到0.1ICS所需的 时间
（2）上升时间tr——集电极电流从0.1ICS上升到 0.9ICS所需的时间。
5V 0V
5V 5V
输出 VL 0V 0V 0V 5V
A
&
L=A·B
B
负逻辑体制
A
≥1
B
L=A+B
输入
VA
VB
0V 0V
0V 5V
5V 0V
5V 5V
输出 VL 0V 0V 0V 5V
模电各章节主要知识点总结
2.动态分析方法：
采用小信号模型，即微变等效电路。
rbe rbb '(1 )(re re ')
rbb
'(1
)
VT IE
VT 26mV（常温）
一般情况下，取 rbb' 200
解题思路是：先画出交流通路，再将三极管的简化模型替代 三极管进行分析计算。做熟练以后，若没要求画微变等效电路， 就可以不画。提醒：有射极电阻的情况下，要看有没有旁路电容！
VCC I B RB VBE
VCC IC RC I E RE VCE
得到：I B
VCC VBE RB
,
IC
I（B 放大状态才有）
VCE VCC （- IC RC IE RE）
此题的解题思路是，先求出基极电位，
VB VE I E IC VCE
VB
Rb Rb1
X i (-) X f
串联负反馈
X i (+) (+) X f
串联反馈Xi，Xf，Xid都是什么量？
（通过什么量（电压还是电流）进行比较）
并联反馈又如何？
三、输出端取样示例（假想负载短路法）
下图是常见输出端的连接方式，务必掌握！
电压反馈
电流反馈
电压反馈
电流反馈
***一定要看输出在哪里，负载怎么接的
1、K1、K3闭合，K2断开； 2、K2、K3闭合，K1断开； 3、K1、K2闭合，K3断开； 4、K1、K2、K3闭合。
解题提示：各种情况 若看的不清楚，按照 每个条件，分别画出 符合条件的图再解。
此题的解题关键就是 虚短和虚断。
模电 第二章(第五版)——康华光
（可作为公式直接使用） 可作为公式直接使用）
9
第二章 运算放大电路
电压跟随器的作用
无电压跟随器时 负载上得到的电压 RL vo = ⋅ vs Rs + RL
1 = ⋅ vs ≈ 0.01vs 100 + 1
电压跟随器时 ip≈0，vp＝vs ≈0， 根据虚短和虚断有 vo＝vn≈ vp＝ vs
若继续有 R4 = R1 ,
R3 R1 + R4 R4 vo = ( )( )vi2 − vi1 R1 R2 + R3 R1 R R R 当 4 = 3 , 则 vo = 4 (vi2 − vi1 ) R1 R2 R1
则 vo = vi2 − vi1
15
第二章 运算放大电路
R4 R3 = 时， R1 R2 R4 vo = (vi2 − vi1 ) R1 从放大器角度看
（ V－＜ vO ＜V＋ ）
3
注意输入输出的相位关系
第二章 运算放大电路
输出电压v 不可能超过正负电源的电压值。 输出电压 O不可能超过正负电源的电压值。 当Avo(vP－vN) ≥V＋ 时 vO＝ V＋ 当Avo(vP－vN) ≤ V-时 vO＝ V电压传输特性 vO＝ f (vP－vN) 线性范围内 vO＝Avo(vP－vN) Avo——斜率 斜率
第二章 2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用
运算放大电路
2.4.1 求差电路 从结 构上看 ， 它是反相 输入和同相输入相结合的放 大电路。 大电路。 根据虚短、 虚断和 根据 虚短、虚断 和 N 、 P 虚短 点的KCL KCL得 点的KCL得：
vn = vp
vi1 − v n v n − vo = R1 R4 vi2 − v p v p − 0 = R2 R3
大学模电第二章知识总结
冗余律： AB A C BC AB A C
《数字电子技术基础》第五版
2.4 逻辑代数的基本定理
• 2.4.1 代入定理
------在任何一个包含A的逻辑等式中，若 以另外一个逻辑式代入式中A的位置，则等 式依然成立。
《数字电子技术基础》第五版
2.4.1 代入定理
• 应用举例： 式（17） A+BC
• 同或 (与异或相反) • Y= A ⊙B=A·B+A’ ·B’ A 0 0 B 0 1 Y 1 0
1
1
0
1
0
1
《数字电子技术基础》第五版
2.3 逻辑代数的基本公式和常用公式
2.3.1 基本公式 2.3.2 常用公式
《数字电子技术基础》第五版
2.3.1 基本公式
证明方法：推演 真值 表
• 根据与、或、非的定义，得表2.3.1的布尔恒等式
《数字电子技术基础》第五版
2.2 逻辑代数中的三种基本运算
与（AND） 或（OR） 非（NOT）
以A=1表示开关A合上，A=0表示开关A断开； 以Y=1表示灯亮，Y=0表示灯不亮； 三种电路的因果关系不同：
《数字电子技术基础》第五版
与
• 条件同时具备，结果发生 • Y=A AND B = A&B=A· B=AB
《数字电子技术基础》第五版
逻辑代数→开关代数→布尔代数。
用来解决数字逻辑电路的分析与设计问题。
参与逻辑运算的变量叫逻辑变量，用字母A， B……表示。每个变量的取值非0 即1。 0、1不表 示数的大小，而是代表两种不同的逻辑状态。 在正逻辑中： 1 表示条件具备、开关接通、高电平等。
0 表示条件不具备、开关断开、低电平等。
模电各章重点内容及总复习
目录：《模电》第一章重点掌握内容： (1)《模电》第二章重点掌握内容： (4)《模电》第四章重点掌握内容： (10)《模电》第五章集成运算放大电路重点掌握内容： (10)《模电》第六章重点掌握内容： (10)《模电》第七章模拟信号运算电路重点掌握内容 (11)《模电》第九章波形发生电路重点掌握内容： (12)《模电》第十章重点掌握内容： (12)《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体器件，主要是利用半导体材料制成，如硅和锗。
34、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
5、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
67、P P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而自由电子为少子。
8、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
9、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
10、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
11、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
P6,图1.2.5二极管的伏安特性。
其死区电压：S i 管约0.5V ，G e 管约为0.1 V 。
其导通压降：S iG e 管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10（压降为0.7V ，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U ﹥U Z ）时便稳压为U Z 。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
数字电子技术基础第二章重点(最新版)
逻辑门电路
2.2 半导体二极管和三极管的开关特性
2.2.1 二极管开关特性
Vcc
利用二极管的单向导电
性，此电路相当于一个受外
R
加电压极性控制的开关。
D
uI
uo
二极管开关电路
假定：UIH=VCC ，UIL=0 当uI=UIH时，D截止，uo=VCC=UOH 当uI=UIL时，D导通，uO=0.7=UOL
在数字系统的逻辑设计中，若采用NPN晶体管 和NMOS管，电源电压是正值，一般采用正逻辑。 若采用的是PNP管和PMOS管，电源电压为负值， 则采用负逻辑比较方便。 今后除非特别说明，一律采用正逻辑。
EXIT
逻辑门电路
2.1 概述
二、获得高低电平的方法及高电平和低电平的含义
获得高、低电平的基本原理
－－－ 开关断开 －－－ 开关闭合
EXIT
逻辑门电路
2.2.2半导体三极管的开关特性 一、三极管的开关作用及其条件
iC 临界饱和线 放大区
uI=UIL
+ uBE
三怎极样管控为制什它么饱和I的能C(sMa开用t) T和作关开S ？关？Q
-
区
O UCE(sat)
三极管关断的条件和等效电路
当输入 uI 为低电平，使 uBE < Uth时，三极管截止。
一、电路结构
输入级主要由三极管 T1 、基极电
阻 R1 和钳位二极管D1组成。
D1 为输入钳位二极管输，出用级以抑制
V1
V输入扰导这2 入时电通不端，压，但出大输抑D1现于入制不V的二端了3工中负极负输作间极管电入V，5级性导压端当由R其V式起干通被的45输和中输构T倒扰电钳负入3V出成、V相。压在极5的3结组推D放，正时性-负2构成0拉、大与常，干.极7，。作信二扰V性上号极，干，输管对
模电第二章
VCC
至少一路直流电源 供电，是能源
输入信号为零时为静态。
放大的对象：变化量
放大的本质：能量的控制，利用有源元件实现 放大的特征：功率放大
能够控制能量的元件
放大的基本要求：不失真——放大的前提
判断电路能否放大的基本出发点
二、性能指标：研究的是动态性能。
对信号而言，任何放大电路均可看成二端口网络。
1. 积分运算电路
iC iR uI R
1 uI uO uC dt C R
1 uO uIdt RC
1 t2 uO t1 uIdt uO (t1 ) RC
若uI在t1～t2为常量，则 uO
1 uI (t2 t1 ) uO (t1 ) RC
一、放大的概念 二、放大电路的性能指标
引言
放大的概念?
放大的对象是变 化量
放大镜放大物体
各点距离放大 影象放大但亮度减弱
变压器将低电压变成高电压
电压变化放大 电压升高但次级电流比初级电流减小
扩音器将声音放大
声音变化放大
由电源提供
不仅放大了电压而且放大了电流，能量放大了
！
一、放大的概念
输入电流 信号源 内阻 信号源 输入电压 输出电压
输出电流
1. 放大倍数：输出量与输入量之比
Uo Auu Au Ui
Io Aii Ai Ii
Uo Aui Ii
Io Aiu参数
2. 输入电阻和输出电阻
差分 放大电路
RL
uId
uO
集成运放可等效为高性能的双端输入单端输出差分 放大电路。
二、集成运放的符号及电压传输特性
模电(第二章)
返回
2.1.2 放大电路的性能指标
引言 一、放大倍数 二、输入电阻 三、输出电阻
四、通频带
五、非线性失真系数 六、最大不失真输出电压 七、最大输出功率与效率
返回
I o U 也将不同， 任何一个放大电路都可以看成一个两端口网络。左边为输入端口。 右边为输出端口，输出电压为 U o 。输出电流为 同一放大电路在幅值相同、频率不同的 U S 作用下，，RL为负载电 o 当内阻为Rs的正弦波信号源 U S 作用时，放大电路得到输入电压 U i ， 阻。 即对不同频率的信号同一放大电路的放大能力也存在差异。为了反映放 同时产生输入电流 I i U S 和RL相同的条件下，I i 、 o 、I o 将不同，说明 不同放大电路在 ； U 大电路各方面性能，引出如下指标。 不同放大电路从信号源索取的电流不同，且对同样的信号的放大能力也 不同；
电压放大倍数是输出电压
与输入电压 Uo
之比。 Ui
Auu Au
Uo
Ui
电流放大倍数I i之比。
Aii Ai
Io
Ii
电压对电流的放大倍数是输出电压
Aui
Uo 与输入电压
I之比。 i
Uo Ii
因其量纲为电阻，所以也称为互阻放大倍数
U 0 PP 2 2U 0 m
返回
七、最大输出功率与效率
在输出信号不失真的情况下，负载上能获得的最大功率称为最 大输出功率POm。此时，输出电压达到最大不失真输出电压。 在放大电路中，输入信号的功率通常很小，但经放大电路的控 制和转换后，负载从直流电源获得的信号功率POm却很大。 直流电源能量的利用率称为效率η ，设电源消耗的功率为PV， 则效率等于最大输出功率POm与PV之比，即
数电和模电知识点
数电和模电知识点————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
模电第二章
第2章 集成运算放大器的线性应用基础
2.
同相相加器
R1=R2 Rf R3 || R R3 || R Rf R3 || R2 1 1 uo = 1+ ui1 + ui2 = 1+ (ui1 +ui2) R + R || R R2 + R3 || R R 1 3 2 R R + R3 || R 1 1 1
第2章 集成运算放大器的线性应用基础
2.1.2
集成运算放大器的模型
uid = ui+ − ui−：差模输入电压； 差模输入电压； + − Auo：集成运放的开环电压放大 倍数； 倍数； Ri：集成运放的输入电阻； 集成运放的输入电阻； Ro：集成运放的输出电阻。 集成运放的输出电阻。
Ri→∞
理想化
R1 = R2 = R3 = R
=
Rf − (ui1 + ui2 + ui3 ) R
【例 2.3.5】试设计一个相加器，完成 uo = − (2ui1 + 3ui2) 】试设计一个相加器， 的运算， 并要求对u 的输入电阻均大于等于100 的运算 ， 并要求对 i1 、 ui2 的输入电阻均大于等于 kΩ。 Ω
28
第2章 集成运算放大器的线性应用基础
【例 2.3.9】 】
u −u =2U +U
o1 o2 R1 RG i1 i2 RG
RG
u −u U =u −u , I = =I R
i1 i2 G
R1
R Uo= (u −u ) R
3 o1 o2 2
u R 2R = (1+ ) A= u −u R R
0 3 1 uf i1 i2 2 G
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数电模电第二章
知识点一 分压式共发射极放大电路（很重要）（课本P42）
分压式共发射极放大电路可以稳定静态工作点。
分压式共发射极放大电路分析
B 点的电流方程为：
B 点的电位： ≈
(1) 静态分析：由于I 1>>I B ，
B U b2C
C b1b2
R V R R +C C E E E E e BE B E B C ()T I I U U I R U U U I I ↑→↑→↑→↑=→=-↓→↓→↓b2B CC b1b2R U V R R =+C B I I β=()
CE CC C c e U V I R R =-+12B I I I =+
(2) 动态分析
① 电压放大倍数
②输入电阻R i
③ 输出电阻R o
知识点二 共集电极放大电路
1、静态分析：求静态工作点
o c L b L
u i R i R β''=-=-L c L //R R R '=i b be e e b be e [(1)]u i r i R i r R β=+=++o L u
i be e
(1)u R A u r R
ββ'==-++b be e i i be e b b [(1)](1)i r R u R r R i i ββ++'===++i b1b2i i i b1b2i i i b1b2be e (////)////////[(1)]i R R R u R R R R i i R R r R β''====+
+
2、动态分析
(1) 电压放大倍数A
u
(2) 输入电阻R i
(3) 输出电阻R o ：将信号源短路，负载开路，在输出端加入测试电压u ，产生电流i ，如图
通常
知识点三 多级放大电路（有可能考） .
多级放大电路的电压放大倍数为各级放大电路电压放大倍数之积
题型：详见书P58例2-7
知识点四 差分放大电路
1.功能：差分放大电路抑制了温度引起的零点漂移
2.差模输入信号：在差分放大电路两输入端分别加上一对大小相等，极性相反的信号，u i1=u id1，u i2=u id2=-u id1
共模输入信号不要求
知识点四 功率放大电路（无大题）
1. 对功率放大电路的要求：输出功率大、非线性失真小、效率高
2. 分类：
静态工作点Q 设置在交流负载线的中间，在整个信号周期内，三极管都有电流流过，称为甲类功率放大电路。
把静态工作点Q 设置得低一点，管耗就小，效率就可提高。
称为甲乙类功率放大电路 。
be s o e //1r R u R R i β'+==+s s b //R R R '
=be s e 1r R R β'+>>+be s o 1r R R β
'+≈+
把静态工作点Q降到最低，在输入信号的整个周期内，三极管只有半个周期有电流流过，称乙类功率放大电路。
PS：要熟练三种基本放大电路的主要性能（书P50）
放大电路分析的图解法不考。