BTS452R中文资料

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BTS452T中文资料

52 4 5.5 5.5
V
Vbb(u cp) Ibb(off)
-
µA 15 18 5 2 mA
IL(off) IGND
-
Page 4
2004-01-27
元器件交易网
BTS 452 T Electrical Characteristics Parameter and Conditions at Tj = -40...150°C, Vbb = 12..42V, unless otherwise specified Protection Functions1) Initial peak short circuit current limit (pin 3 to 5) Tj = -40 °C, Vbb = 20 V, tm = 150 µs Tj = 25 °C Tj = 150 °C Tj = -40...+150 °C, Vbb > 40 V , ( see page 11 ) Repetitive short circuit current limit Tj = Tjt (see timing diagrams) Vbb < 40 V Vbb > 40 V Output clamp (inductive load switch off) at VOUT = Vbb - VON(CL), Ibb = 4 mA Overvoltage protection 3) Ibb = 4 mA Thermal overload trip temperature Thermal hysteresis Reverse Battery Reverse battery 4) Drain-source diode voltage (VOUT > Vbb) Tj = 150 °C -Vbb -VON 600 52 V mV T jt ∆Tjt 150 10 °C K Vbb(AZ) 62 VON(CL) I L(SCr) 59 6 4.5 63 V I L(SCp) 4 6.5 5 2) 9 A Symbol min. Values typ. max. Unit

SI4532ADY中文资料

This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate data sheet of the same number for guaranteed specification limits.N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETCHARACTERISTICS•N- and P-Channel Vertical DMOS •Macro Model (Subcircuit Model)•Level 3 MOS•Apply for both Linear and Switching Application•Accurate over the −55 to 125°C Temperature Range•Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery CharacteristicsDESCRIPTIONThe attached spice model describes the typical electrical characteristics of the n- and p-channel vertical DMOS. Thesubcircuit model is extracted and optimized over theSPECIFICATIONS (T J = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)ParameterSymbol Test ConditionsSimulated DataMeasured DataUnitStaticV DS = V GS , I D = 250µA N-Ch 1.8Gate Threshold VoltageV GS(th)V DS = V GS , I D =−250µA P-Ch 2.2VV DS ≥ 5 V, V GS = 10 V N-Ch 110On-State Drain CurrentaI D(on)V DS ≤−5 V, V GS =−10 V P-Ch62AV GS = 10 V, I D = 4.9 AN-Ch 0.0420.044V GS =−10 V, I D =−3.9 A P-Ch 0.0710.062V GS = 4.5 V, I D = 4.1 A N-Ch 0.0570.062Drain-Source On-State Resistance ar DS(on)V GS =−4.5 V, I D =−3 AP-Ch 0.1200.105ΩV DS = 15 V, I D = 4.9 A N-Ch 9.211Forward Transconductanceag fsV DS =−15 V, I D =−2.5 A P-Ch55S I S = 1.7 A, V GS = 0 V N-Ch 0.700.80Diode Forward VoltageaV SDI S =−1.7 A, V GS = 0 VP-Ch−0.80−0.82VDynamic bN-Ch 7.48Total Gate ChargeQ gP-Ch 9.610N-Ch 1.4 1.4Gate-Source Charge Q gsP-Ch22N-Ch 1.2 1.2Gate-Drain Charge Q gdN-ChannelV DS = 10 V, V GS = 10 V, I D = 4.9 A P-ChannelV DS =−10 V, V GS =−10 V, I D =−3.9 AP-Ch 1.9 1.9NcN-Ch 812Turn-On Delay Time t d(on)P-Ch128N-Ch 1010Rise Time t rP-Ch 149N-Ch 1323Turn-Off Delay Time t d(off)P-Ch 1621N-Ch 178Fall Time t fN-ChannelV DD =10 V, R L = 10ΩI D ≅ 1 A, V GEN = 10 V, R G = 6ΩP-ChannelV DD =−10 V, R L = 10ΩI D ≅−1 A, V GEN =−10 V, R G = 6ΩP-Ch2210N-Ch 2425Source-Drain Reverse Recovery Time t rrI S = 1.7 A, di/dt = 100 A/µs I S =−1.7 A, di/dt = 100 A/µsP-Ch3027Ns Notesa. Pulse test; pulse width ≤ 300µs, duty cycle ≤ 2.b. Guaranteed by design, not subject to production testing.COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T J=25°C UNLESS OTHERWISE NOTED) N-Channel MOSFETP-Channel MOSFET。

4532系列电容器数据表说明书

Gas Discharge Tube (GDT) Data SheetFeatures■ High insulation resistance. ■ Low capacitance (≤0.5pF). ■ 2000A 8/20μs maximum surge current capacity in accordance with IEC61000-4-5. ■ 4KV 10/700μs maximum surge rating in accordance with ITU-TK.21 ■ Surface mounted gas arrester ■ Micro-Gap Design ■ Size 4532(1812)■ Storage and operating temperature: -40 ~ +85℃℃ ■ Meets MSL level 1, per J-STD-020 ■ Safety certification: UL: E244458Applications■ Repeaters, Modems.■ Telephone Interface, Line cards. ■ Data communication equipment. ■ Line test equipmentPart Number Code and Marking090: Device Marking CodeDimensions0.5±0.1mmRecommended Pad SizeElectrical CharacteristicsPart NumberDC Spark-over Voltage Maximum Impulse Spark-over Voltage Impulse Life Test Minimum Insulation Resistance Maximum CapacitanceNominal Impulse Discharge Current Impulse Withstanding Voltage CapacityDevice Marking Code100V/s 1KV/μs 8/20μs 100A Test Voltage (G Ω)(1MHz 1V)8/20μs (V)(V)(Times)DC(V)(pF) (A) 4532-075-LF 55~95 600 300 25 1 0.5 2000 10/700μs 4kV ±5 Times075 4532-091-LF63~117700 3005010.5 2000 090 4532-121-LF 84~156 700 300 50 1 0.5 2000 120 4532-151-LF105~195700 3005010.5 2000 150 4532-201-LF 140~260 750 300 100 1 0.5 2000 200 4532-231-LF161~299750 30010010.5 2000 230 4532-301-LF 210~390 900 300 100 1 0.5 2000 300 4532-351-LF245~45590030010010.5 2000 350 4532-401-LF 280~520 1000 300 100 1 0.5 2000 400 4532-421-LF294~546100030010010.5 2000 420 4532-471-LF 329~611 1000 300 100 1 0.5 2000 470 4532-501-LF350~650110030010010.5 2000 500 4532-601-LF 420~780 1200 300 100 10.52000600Electrical RatingsItems RequirementDC Spark-overVoltageThe voltage is measured with voltage ramp dv/dt=100V/s.To meet the specifiedvalue Maximum Impulse Spark-over Voltage The maximum impulse spark-over voltage is measured with voltage ramp dv/dt=1000V/μs.Insulation Resistance The resistance of gas tube shall be measured between two electrodes. CapacitanceThe capacitance of gas tube shall be measured between two electrodes. Test frequency: 1MHzImpulseDischarge CurrentMaximum 8/20μs surge current that can be applied between twoelectrodes, 5 positive and 5 negative surges, with 3 minutes interval time, without causing the DC spark-over voltage to change more than 25% from its initial value.Impulse Withstanding VoltageThe maximum 10/700μs surge that can be applied to the Gas Tube, 5 positive and 5 negative surges, with 1 minute interval time, without causing the DC spark-over voltage to change more than 25% from its initial value.Recommended Soldering ConditionsRecommended ConditionsProfile Feature Pb-Free Assembly Average ramp-up rate (T L to T P) 3℃/second max.Preheat-Temperature Min (T S min) -Temperature Max (T S max) -Time (min to max) (ts)15020060-180 secondsT S max to T L-Ramp-up ℃Time maintained above:-Temperature (T-Time (t L) 60-150 secondsPeak Temperature (T) 260Time within 5 of actual Peak Temperature (t) 20-40seconds Ramp-down Rate ℃Time 25 to Peak Temperature 8 minutes max.PackagingReel。

TI低功耗蓝牙BLE4.0射频片上系统CC2540中文数据手册

WISDOM FUTURE WIRELESS WORLD
智慧未来无线世界
信驰达简介
信驰达科技（RF-star）是一家集合方案设计功能和核心器件供应的专业本地电子元器件分销商，专注低功耗射频 LPRF 和低功耗 MCU 领域，公司成立于 2010年，作为中国区唯一具有美国 TI 公司授予的 LPRF Product Reseller 和 Third Party 双重资质的公司，一直引领着 LPRF 技术在国内的推广和应用，是国内唯一一家可提供 LPRF 软硬件产品、技术支持、解决方案和核心元器件供应一条龙服务的专业化公司；
Shenzhen RF-star Technology Co.,Ltd. TEL: 0755-86329829 FAX:0755-86329413

WISDOM FUTURE WIRELESS WORLD
智慧未来无线世界
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage. ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.

4532集成电路IC

HCF4532B
8-BIT PRIORITY ENCODER
s CONVERTS FROM 1 TO 8 TO INPUTS BINARY
s PROVIDES CASCADING FEATURE TO HANDLE ANY NUMBER OF INPUTS
s GROUP SELECT INDICATES ONE OR MORE PRIORITY INPUTS
±10-5 ±0.1
±1
±1 µA
CI Input Capacitance
Any Input
5 7.5
pF
The Noise Margin for both "1" and "0" level is: 1V min. with VDD=5V, 2V min. with VDD=10V, 2.5V min. with VDD=15V
H
L
H
L
L
L
L
L
H
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
H
X
H
L
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
X : Don’t Care
2/11
LOGIC DIAGRAM
HCF4532B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VDD Supply Voltage
X : Don’t Care

THS4522中文资料

The family includes single (THS4521), dual (THS4522), and quad (THS4524)(1) versions.
These fully differential op amps feature accurate output common-mode control that allows for dc-coupling when driving analog-to-digital converters (ADCs). This control, coupled with an input common-mode range below the negative rail as well as rail-to-rail output, allows for easy interfacing between single-ended, ground-referenced signal sources. Additionally, these devices are ideally suited for driving both successive-approximation register (SAR) and delta-sigma (ΔΣ) ADCs using only a single +3V to +5V and ground power supply.
TRANSPORT MEDIA, QUANTITY Rails, 75
Tape and reel, 2500 Tape and reel, 250 Tape and reel, 2500
Rails, 90 Tape and reel, 2000
Rails, 50 Tape and reel, 2000

MMA8452Q中文数据手册

2
内容 1 框图和引脚说明............................................ ................................................. ................................... 3
1.1 焊接信息........................................ ................................................. ................................................ 5 2 机械和电气规格..................................................... ................................................. .......................... 电源电压 • 1.6 V 至 3.6 V 接口电压 • ±2g /±4g /±8g 动态可选择满量程 • 输出数据速率（ODR）从 1.56 Hz 到 800 Hz • 99μg/√Hz 噪声 • 12 位和 8 位数字输出 • I2C 数字输出接口（工作在 2.25 MHz，4.7kΩ上拉） • 两个可编程中断引脚，用于六个中断源 • 三个嵌入式运动检测通道
- 自由落体或运动检测：1 个通道 - 脉冲检测：1 通道 - Jolt 检测：1 通道 • 具有设定滞后的方向（纵向/横向）检测 • 自动 ODR 更改为自动唤醒并返回睡眠 • 高通滤波器实时数据可用 • 自我测试 • 符合 RoHS 标准 • 电流消耗：6μA - 165μA
典型应用 • eCompass 应用程序 • 静态方向检测（纵向/横向，上/下，左/右，后/前位置识别） • 笔记本，电子阅读器和笔记本电脑滚筒和自由落体检测 • 实时定向检测（虚拟现实和游戏 3D 用户位置反馈） • 实时活动分析（计步器计数，HDD 的自由下落检测，航位推算 GPS 备份） • 便携式产品节电的移动检测（手机，PDA，GPS，游戏的自动睡眠和自动唤醒） • 振动和振动监测（机电补偿，运输和保修使用记录） • 用户界面（通过方向更改进行菜单滚动，点击更换按钮检测）

CC2540、BLE、蓝牙4.0、透传模块-AT指令手册(精)

MT254xCoreS A T 指令手册V2.0版本更新记录目录第1章常用指令 (5)1.1 注意事项 (5)1.2 A T+ ——测试 .................................................................................................. 5 1.3A T+HELP ——帮助查询 . ................................................................................. 5 1.4 A T+VERS ——软件版本查询 . ......................................................................... 5 1.5 A T+NAME? ——查询/设置模块名称 .............................................................. 6 1.6 AT+RENEW ——恢复出厂设置 ...................................................................... 6 1.7 AT+RESET ——重启模块................................................................................ 6 1.8 AT+ROLE? ——查询/设置主从模式 ............................................................... 6 1.9 AT+NOTI? ——查询/设置是否把当前连接状态通知给用户 . .......................... 6 1.10 A T+IMME? ——查询/设置模块工作方式........................................................ 6 1.11 AT+START ——开始工作 . ............................................................................... 7 1.12A T+TYPE? ——查询/设置模块密码验证类型 . (7)第2章串口指令 (8)2.1 A T+BAUD? ——查询/设置波特率 ..................................................................8 2.2 A T+FLOW? ——查询/设置硬件流控 . (8)2.3 A T+PARI? ——查询/设置串口校验 ................................................................. 8 2.4A T+STOP? ——查询/设置停止位 (8)第3章从机指令 (9)3.1A T+ADVI? ——查询/设置广播时间间隔 (9)3.2 A T+POWE? ——查询/设置模块发射功率 ....................................................... 9 3.3A T+PWRM? ——查询/设置模块自动进入休眠的时间 (9)第4章主机指令 (10)4.1 A T+SCAN ——搜索可连接模块 . ...................................................................10 4.2 A T+SHOW? ——查询/设置模块在手动搜索时是否返回名字 . ......................10 4.3 A T+CON[para1] ——连接指定蓝牙MAC 地址的从模块 . .............................10 4.4 A T+CONN[para1] ——连接搜索返回的模块 . ................................................ 10 4.5A T+CONNL ——连接最后一次连接成功的从模块 . (11)第5章连接相关指令 (12)5.1 A T+ISCON ——查询当前模块是否处于连接状态 ........................................12 5.2 A T+DISCON ——断开连接 (12)5.3A T+CLEAR ——清除模块配对信息 . (12)5.4 A T+RADD ——查询成功连接过的远程设备地址 . (12)5.5A T+SAVE? ——查询/设置模块成功连接后是否保存连接地址 . (12)第6章模块信息相关指令 . (13)6.1A T+PASS? ——查询/设置配对密码 . (13)6.2 A T+MAC ——查询本机MAC 地址...............................................................13 6.3 A T+RSSI ——读取 RSSI 信号值（可作为远控指令） . (13)6.4A T+TEMP ——查询模块温度（可作为远控指令） . (13)第7章 IO 监控指令 (14)7.1 A T+LED? ——查询/设置LED 输出状态 . ......................................................14 7.2 A T+PDIR? ——查询/设置PIO 口的输入输出方向（可作为远控指令） ......14 7.3A T+PDAT?——查询/设置PIO 口的输入输出状态（可作为远控指令） ........14第8章电源管理指令 (15)8.1 A T+SLEEP ——让模块进入休眠状态 ...........................................................15 8.2 A T+WAKE ——将模块唤醒至正常工作状态 (15)8.3 A T+BATC? ——查询/设置电量信息广播开关（可作为远控指令） (15)8.4A T+BATT ——查询电量信息（可作为远控指令） (15)第9章模块出厂设置 (16)第1章常用指令1.1 注意事项1 所有的A T 指令中的符号，如问号(?、冒号(:，都是英文半角格式，需要携带参数para 的指令必须显式地添加中括号[]，指令末尾不携带”\r\n”。

en 45545-2-r5合格标准

《深度解读：en 45545-2-r5合格标准》一、引言在当今世界，安全性已经成为了一个永恒的主题。

特别是在铁路运输领域，安全性更是一项不容忽视的重要因素。

铁路车辆材料的阻燃性能一直备受关注。

而en 45545-2-r5合格标准正是针对铁路车辆材料的阻燃要求而制定的，它对铁路车辆的安全性起着至关重要的作用。

二、en 45545-2-r5合格标准概述en 45545-2-r5合格标准是欧洲铁路行业针对铁路车辆材料的阻燃性能制定的一项标准。

其目的是保障铁路车辆在运输过程中的安全性，防止火灾事故的发生。

该标准主要包括对材料的热释放、烟密度、毒性和火焰传播性能等方面的要求，以及相应的测试方法和等级划分标准。

三、en 45545-2-r5合格标准的深度解读1. 对材料的热释放要求en 45545-2-r5合格标准对铁路车辆材料的热释放性能提出了严格的要求。

热释放指的是材料在燃烧过程中释放出的热量，其快速释放会加剧火势蔓延的速度，因此对热释放性能的要求十分关键。

测试方法主要包括热释放速率测试和总热量释放测试，而各级别的要求则基于火车车厢内部的位置和材料的用途而有所不同。

2. 烟密度和毒性要求烟密度和毒性是在火灾发生时对乘客和工作人员造成伤害的主要因素。

en 45545-2-r5合格标准对铁路车辆材料在燃烧过程中产生的烟雾密度和毒性进行了严格的要求。

测试方法包括光学密度测试和烟雾毒性测试，通过对烟雾的浓度和成分进行监测，以确保在火灾发生时乘客和工作人员能够尽快疏散，并降低中毒风险。

3. 火焰传播性能要求火焰传播性能是衡量材料燃烧过程中火焰蔓延速度的重要指标。

en 45545-2-r5合格标准对铁路车辆材料的火焰传播性能也进行了严格的要求，主要包括火焰传播速率和火焰持续时间等指标。

通过对材料燃烧过程中火焰的蔓延速度和范围进行测试，以确保火灾发生时能够及时控制火势的蔓延，降低事故造成的损失。

四、个人观点和理解en 45545-2-r5合格标准的制定是对铁路安全性的重大保障，对于铁路行业的发展具有重要意义。

BTS824R中文资料

Logic Channel 1 Channel 2
IN3 ST3/4
IN4
Logic Channel 3 C Load 3 Load 4
Infineon Technologies AG
1
2003-Oct-01
元器件交易网
Functional diagram
Parameter and Conditions
Symbol
Thermal resistance junction - soldering point6)7)
junction – ambient6) @ 6 cm2 cooling area
Storage temperature range
Power dissipation (DC)4) (all channels active)
Ta = 25°C: Ta = 85°C:
Maximal switchable inductance, single pulse
Vbb = 12V, Tj,start = 150°C4), see diagrams on page 10
connection. PCB is vertical without blown air. See page 14 5) only for testing
Infineon Technologies AG
4
2003-Oct-01
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Thermal Characteristics
Protection Functions
• Short circuit protection • Overload protection • Current limitation • Thermal shutdown • Overvoltage protection (including load dump) with external

柴油汽车电脑ECU维修之BTS452R

柴油汽车电脑ECU维修
--BTS452R
一、概述
BTS452R是英飞凌生产的一种智能功率高边开关。

这种开关是带有电荷泵，兼容CMOS输入和监测反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管，应用了先进的SIPMOS集成技术。

提供嵌入式保护功能。

该芯片主要有以下应用：
可满足所有阻性、感性和容性负载；
兼容12V、24V、42V直流开关的应用；
可替代电动机械继电器和分离电路。

BTS452R有如下一些特点：
过压保护，保护电压为62V；
过载保护；
短路保护；
操作电压在6V——52V；
通态电阻：200毫欧；
标称负载电流1.8A；
很低待机电流。

二、引脚配置
BTS452R的引脚定义如表1所示，引脚配置如图1所示。

图1.BTS452R引脚配置三、最大额定参数
深圳三羚2013-10-30。

高精度芯片抑制器PAT3042 4556 3060H产品说明书

Applications
ɾAttenuator for coaxial lines/circuit ɾAttenuator for measuring instrumentation
˗Part numbering system
1"5$E#"5
Series code Size ɿPAT3042,PAT4556,PAT3060H
Impedance: C=50Ω
Packing quantity: T=Tape (T1/T2), B=Bulk
Attenuation toleranceʢ PAT3042/4556)
Attenuation来自˗Electrical Specification
Type
1"5
1"5 1"5)
1"5
1"5)
#PUUPN
5ZQF 4J[F JODI
4ZNCPM 8 U 8 8 8 - -
E#
ʶ ʶ ʶ
ʔ ʶ
E#
ʶ ʶ ʶ ʶ ʶ
PAT series W type High frequency surface mount components 3BUJPUPSBUFEQPXFSʢˋʣ

Operating frequency
%$ ʙ ()[
%$ ʙ ()[
Rated power
N8
N8
8
Rated operating temperature
ˆ
Operating temperature
ʵˆʙʴˆ
Packaging quantity
QDTCBH #
High Precision Chip Attenuator

BTS452R中文资料

IN
Limit for unclamped ind. loads
Temperature sensor Load
ESD
ST
Logic
GND
miniPROFET

Signal GND
Load GND
Pin 1 2 3 4 5 TAB
Symbol GND IN Vbb ST OUT Vbb
Function Logic ground Input, activates the power switch in case of logic high signal Positive power supply voltage Diagnostic feedback Output to the load Positive power supply voltage
P-TO252-5-11
Application
• All types of resistive, inductive and capacitive loads • µC compatible power switch for 12 V, 24 V and 42 V DC applications • Replaces electromechanical relays and discrete circuits
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BTS 452 R
Smart Power High-Side-Switch
Features • Overload protection • Current limitation • Short circuit protection • Thermal shutdown with restart • Overvoltage protection (including load dump) • Fast demagnetization of inductive loads • Reverse battery protection with external resistor • Open drain diagnostic output for overtemperature and short circuit • Open load detection in OFF - State with external resistor • CMOS compatible input • Loss of GND and loss of Vbb protection • ESD - Protection • Very low standby current Product Summary Overvoltage protection Operating voltage On-state resistance Nominal load current Vbb(AZ) Vbb(on) RON IL(ISO) 62 200 1.8 V mΩ A 6...52 V

454FTB系列100525中文版

应用场合
■ 工业气体的流量测量 ■ 美国EPA（环保局）颁布的大气污染法规中烟道气的流量测量 ■ 通风空气流量和化解过程中废气流量测量 ■ 溶剂回收系统流量测量 ■ 水泥厂生产过程中气体流量测量 ■ 压缩空气流量测量 ■ 半导体工艺气体测量 ■ 美国能源部空气取样
■ 助燃气体流量测量 ■ 火炬气流量测量 ■ 焚烧炉烟气流量测量 ■ VOC烟道气流量测量 ■ 燃煤锅炉中助燃空气流量测量 ■ 天然气和大多数的工业气体流量测量 ■ 核电站 ■ O.E.M.应用
传感器材质：
标准配置：哈氏合金C-276；可选配： (1) 哈氏合金C-276材质传感器上涂氮化铬，更加耐磨损 (2) 在哈氏合金C-276传感器和传感器支撑杆上涂PTFE，耐腐蚀但涂PTFE的HHT传感器：最高温度260℃
传感器支撑杆材质
316L 不锈钢, 可选配哈氏合金C-276；
重复性： 0.25% 流速响应时间：
气体标定
用户可选择实验室标定或相关气体标定。Kurz（S） 400D 型 NIST 可追踪风洞测量仪可用于空气标定。
传感器的保护
6
454FTB 的电路包括防止因传感器，电线或器件损坏而造成温度过高现象的保护电路。在零流量时，我们的传感器不会过热，这与大部分竞争对手的设备不同，这是因为我们有与众不同的恒温传感器的控制方法和功率限制设计。
对于每种质量流量计型号pn编号和每种气体类型的基准流速v是指在标准状态下的最大流速方程式气体类型drp方程式drp10空气氮气氧气氩气1059drp12drp1353drp18drp30drp1000基本代码表使用定义说明方程式drppppsxtstp方程式在表2中所列的基准流速sfpm英制单位nmps公制单位vpht高温工作型号40hht超高温工作型号40fd2快速双铠装全焊接结构速度和温度传感器直径0105传感器探头ni无火花型atexcsa认证xpfp防爆隔爆型csa和atex认证ta一体型传感器和变送器于一体ts分体型传感器和变送器分别独立安装间距可调气体组号和气体类型气体组号气体类型氢气11vmax对于某种工艺条件下特定气体的最大流速流量因子ts标准绝对温度537r77f460英制单位

btsr 技术手册

btsr 技术手册
一、概述
BTSR（Beamforming Training and Self-Recognition）技术是一种先进的信号处理技术，用于增强无线通信系统的性能。

该技术利用多个天线进行信号处理，通过对信号进行相位和幅度调整，以获得更高的信号增益和干扰抑制能力。

二、技术原理
BTSR技术通过训练和自识别阶段实现信号处理。

在训练阶段，系统通过接收信号并分析其特性，自动识别出最佳的信号处理参数。

在自识别阶段，系统根据识别出的参数自动调整信号处理算法，以实现最佳性能。

三、系统架构
BTSR系统的核心组件包括多个天线、信号处理单元和控制系统。

天线负责接收和发送信号，信号处理单元负责进行信号处理，控制系统负责协调各组件的工作。

四、应用场景
BTSR技术适用于多种无线通信系统，如无线局域网、移动通信网络等。

通过应用BTSR技术，可以提高信号覆盖范围、降低干扰、提高数据传输速率等，从而提高整个通信系统的性能。

五、结论
BTSR技术是一种具有广泛应用前景的信号处理技术。

通过自动
识别和调整信号处理算法，BTSR技术能够显著提高无线通信系统的性能。

随着无线通信技术的不断发展，BTSR技术将有望成为未来通信系统的重要组成部分。

HT45R2G 规格书简体中文

HT45R2G增强A/D 型八位OTP单片机技术相关信息•应用范例—HA0075S MCU复位电路和振荡电路的应用范例特性CPU特性•工作电压：f SYS =4MHz：2.2V~5.5Vf SYS =8MHz：3.0V~5.5Vf SYS =12MHz：4.5V~5.5V•在V DD=5V，系统时钟为12MHz时，指令周期为0.33µs•暂停模式和唤醒功能可降低功耗•振荡模式：外部高频晶振-- HXT内部RC -- HIRC•内部集成4MHz，8MHz和12MHz振荡器，不需要增加外部元器件•OTP程序存储器：2K×15•RAM数据存储器：128×8•看门狗定时器•LIRC振荡用于看门狗时钟•所有指令都可在1个或2个指令周期内完成•查表指令•63条功能强大的指令系统•6层堆栈•位操作指令•低电压复位功能•20-Pin DIP/SOP封装周边特性•18个双向输入/输出口•8个通道12位ADC•2个通道8位PWM•一个与I/O口复用的外部中断输入•一个8位可编程定时/计数器，具有溢出中断和预分频功能概述增强A/D型系列单片机是8位具有高性能精简指令集的单片机，应用相当广泛。

秉承Holtek单片机具有低功耗、I/O灵活、定时器功能、振荡类型可选、暂停和唤醒功能、看门狗和低电压复位等丰富的功能选项，具有极高的性价比。

其内部集成了系统振荡器HIRC，提供三种频率选择，不需要增加外部元器件，可以广泛适用于各种应用，例如工业控制、消费类产品、家用电器子系统控制等。

方框图下面方框图描述了主要的功能模块。

引脚图PA2/TC0/AN2PA3/INT/AN3HT45R2G 16DIP/NSOP-AVSS PA6/OSC1PA5/OSC2PA7/RES PA4/PWM0PB0PB1PB2PC3/PWM1PC1/AN5PC0/AN4PA0/AN0PA1/AN1VDD12345678910111213141516引脚说明每个引脚的功能如下表所述，而引脚配置的详细内容见规格书其它章节。

aod452场效应管参数

aod452场效应管参数AOD452是一种N-CH（N-Channel）场效应管，其部分参数如下：1. 静态参数：* 漏极-源极饱和电压（VDSsat）：在工作状态下，漏极-源极之间的电压达到最小值时的电压。

* 漏极电流（ID）：通过场效应管的漏极电流。

* 静态输入阻抗（Rin）：场效应管的输入端电阻。

* 静态输出阻抗（Rout）：场效应管的输出端电阻。

2. 动态参数：* 开启时间（ton）：场效应管从截止状态到放大状态的时间。

* 关断时间（toff）：场效应管从放大状态到截止状态的时间。

* 上升时间（tr）：场效应管漏极电流从零到最大值的时间。

* 下降时间（tf）：场效应管漏极电流从最大值到零的时间。

3. 温度参数：* 热阻（Rth）：表示场效应管在工作中因温度升高而降低其性能的程度。

* 最大结温（Tj）：场效应管内部PN结允许达到的最高温度。

4. 安全参数：* 最大漏极电流（IDM）：场效应管在正常工作条件下允许的最大漏极电流。

* 最大耗散功率（Pdmax）：场效应管正常工作时允许的最大耗散功率。

在实际应用中，根据电路设计的需求和参数要求，需要对AOD452场效应管的参数进行详细的选择和匹配。

同时，为了确保场效应管的可靠性和稳定性，还需要考虑其工作环境温度、散热设计等因素。

5. 抗干扰参数：* 最大输入电容（Cin）：场效应管在输入端可以承受的最大电容。

* 输入电阻（Rin）：场效应管的输入端的电阻值。

* 输出电阻（Rout）：场效应管的输出端的电阻值。

6. 可靠性参数：* 故障总时间（MTTF）：场效应管在正常工作条件下，从开始工作到出现故障的时间。

* 故障模式（Failure Mode）：场效应管出现故障时的表现形式。

在使用AOD452场效应管时，需要根据电路设计的需求和参数要求，对其进行详细的选择和匹配。

同时，为了确保场效应管的可靠性和稳定性，还需要考虑其工作环境温度、散热设计等因素。

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