第十二章 电子衍射

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有机化学第12章 羧酸

有机化学第12章 羧酸
OH
COOH
NO2 3.49 COOH
COOH
NO2 3.42
COOH
OH OH
2.98
4.08
4.57
取代基具有吸电子共轭效应时,酸性强弱顺序为:
邻>对>间
取代基具有给电子共轭效应时,酸性强弱顺序为:
邻>间>对
具体分析: 邻 位(诱导、共轭、场、氢键效应、空间效应 均要考虑。) 对 位(诱导很小、共轭为主。) 间 位(诱导为主、共轭很小。)
O CH3(CH2)6CCl + POCl3 + HCl
3、形成酸酐
酸酐在脱水剂(如 P2O5)作用下加热,脱水生成酸酐。
O R C OH P2O5 R C OH
O
O RC R C O + H2O
O
2
COOH + (CH3CO)2O
(
CO )2O + CH3COOH
乙酐(脱水剂)
1,4和1,5二元酸不需要任何脱水剂,加热就能脱水生成环状 (五元或六元)酸酐。
(3)酯化反应历程
O H+ RC
OH
OH+ R'O* H RC
OH
OH
R
C
+
OH2
-H2O
*OR'
OH+ R C O*R'

第十二章 电子衍射3

第十二章 电子衍射3

21
同时属于两个晶带得晶面指数
由晶带定律可以求出同属于两个晶带 (u1v1w1)、(u2v2w2)的晶面(hkl)
22
二维倒易点阵平面的画法
由晶带定律,找出两个基矢g1、g2 ;(最 短的和次短的两个倒易矢量,最好互为正交) 计算α12,画出平行四边形,g∝1/d 将基本平行四边形平移获得二维倒易平面 检查是否有漏点(补点) 检查是否有多余点(消光) 特别要注意晶体的类型
17
晶带定理与零层倒易面
零层倒易面:通过原点的倒易面称为零层倒易面, 用(uvw)*表示。显然,(uvw)*的法线和正空 间中的晶带轴[uvw]重合。 晶带定理:因为零层倒易面上的各倒易矢量都和 其晶带轴r=[uvw]垂直,固有ghkl•r=0 ,即 hu+kv+lw=0, 这就是晶带定理。
18
立方晶体[001]晶带的倒易平面 立方晶体[001]晶带的倒易平面
6
电子衍射的特点2 电子衍射的特点2
电子衍射中由于衍射束的强度有时几乎与透射束 相当,因此有必要考虑它们之间的交互作用。 由于电子束能在电磁场中聚焦,因此可以对微小 区域(如1平方微米)进行衍射分析,这有利于 微区、微量的物相鉴定。 由于晶体对电子的散射本领大,电子束较X射线 穿透本领弱,因此电子衍射只能对极薄样品进行 分析,给工作带来一定局限,但它却适于研究微 晶、表面和薄膜的晶体结构。

大学化学高分子有机化学第十二章羧酸详解演示文稿

大学化学高分子有机化学第十二章羧酸详解演示文稿
C=O吸收峰:脂肪酸:1725~1700cm-1; 芳香或不饱和酸:1700~ 1680 cm-1 。
CH3CH2COOH
2990
1720
C—O
O—H伸缩振动:中心在3000cm-1附近; C = O伸缩振动:在1720cm-1; C-O :1200cm-1
2.核磁共振谱:羧基上H的值为10.5~12。 ❖丙酸的核磁共振谱:
❖p-共轭的存在,使羧酸中的羰基对亲核试剂的活性降低, 不能和HCN、NH2OH等加成; ❖p-共轭作用,使得羧基不是羰基和羟基的简单加合,所 以羧基中既不存在典型的羰基,也不存在着典型的羟基, 而是两者互相影响的统一体。
醛酮中 醇中
CO 键长 0.122nm
C OH 键长 0.143nm
O HC
O CH3CH2 C
丙酰基
O C
苯甲酰基
§12-2 羧酸的物理性质和光谱性质
一、物理性质
1. 物态:低级脂肪酸,1C~3C是液体,具有刺鼻的酸味, 中级脂肪酸,4C~10C为油状液体,具有难闻的气味, 高级脂肪酸是蜡状固体,挥发性低,无气味。
2. 沸点:羧酸的沸点比分子量相近的醇高,这是由于羧 酸的分子常以两个氢键缔合起来形成二聚体。
CH3(CH2)14COOH
软脂酸(棕榈酸) palmitic acid
CH CHCOOH
CH3(CH2)16COOH

华中科技大学有机化学第十二章 羧酸及其衍生物

华中科技大学有机化学第十二章  羧酸及其衍生物

RCOOBr RCOO R
.
.
RCOO R
+ Br
.
.
wenku.baidu.com
.
+ CO2
Br
.
+
RBr
银盐较贵且难以得到无水的,后来有改进的方法 (Cristol反应):
RCOOH + HgO + Br2 RBr + HgBr2 + CO2 + H2O
产率以一级卤代烃高,特别适合用天然的偶数羧酸制备奇数卤代 烷烃。
另一方法是将羧酸与四乙酸铅、锂的卤化物(LiCl,LiBr或LiI) 一起反应,即可失羧,得到相应的卤代烷(Kochi反应)。
脂肪族二元羧酸的命名原则是选择含有两个羧基的最长碳链为 主链,根据碳原子的数目叫做某二酸.例如:
芳香族羧酸或脂环羧酸,一船把碳环作为取代基来命名。例如:
命名不饱和羧酸时,要选择含有羧基和不饱和键的最长碳链为主 链,按碳原子的数目称为某烯酸。当主链碳原子数目大于10时,称 为某碳烯酸。烯键的位置用阿位伯数字或希腊字母表示,也可用大 写希腊字母“”右上角的阿拉伯数字表示。例如:
二、羧酸的命名 根据与羧基相连的烃基的种类,可将羧酸分为芳香族羧酸和脂肪 族羧酸、饱和羧酸和不饱和羧酸;根据羧基数目的不同,又可分为 一元羧酸、二元羧酸和多元羧酸。 羧酸的系统命名原则与醛类似,即选择含有羧基的最长碳链为 主链,从羧基的碳原子开始编号,用阿拉伯数字表示取代基的位次。 简单的羧酸习惯上也使用希腊字母来编号,从羧基相邻碳原子起, 分别用、、、……字母表示,末端碳原子用表示。

安徽工业大学材料分析测试技术复习题及答案

安徽工业大学材料分析测试技术复习题及答案

复习的重点及思考题

以下蓝色的部分作为了解

第一章X射线的性质

X射线产生的基本原理。

●X射线的本质―――电磁波、高能粒子、物质

●X射线谱――管电压、电流对谱的影响、短波限的意义等

●高能电子与物质相互作用可产生哪两种X射线?产生的机理?

连续X射线:当高速运动的电子(带电粒子)与原子核内电场作用而减速时会产生电磁辐射,这种辐射所产生的X射线波长是连续的,故称之为~

特征(标识)X射线:由原子内层电子跃迁所产生的X射线叫做特征X射线。

X射线与物质的相互作用

●两类散射的性质

●吸收与吸收系数意义及基本计算

●二次特征辐射(X射线荧光)、饿歇效应产生的机理与条件

二次特征辐射(X射线荧光):由X射线所激发出的二次特征X射线叫X射线荧光。

俄歇电子:俄歇电子的产生过程是当原子内层的一个电子被电离后,处于激发态的电子将产生跃迁,多余的能量以无辐射的形式传给另一层的电子,并将它激发出来。

这种效应称为俄歇效应。

●选靶的意义与作用

第二章X射线的方向

晶体几何学基础

●晶体的定义、空间点阵的构建、七大晶系尤其是立方晶系的点阵几种类型

在自然界中,其结构有一定的规律性的物质通常称之为晶体

● 晶向指数、晶面指数(密勒指数)定义、表示方法,在空间点阵中的互对应 ● 晶带、晶带轴、晶带定律,立方晶系的晶面间距表达式

● 倒易点阵定义、倒易矢量的性质

● 厄瓦尔德作图法及其表述,它与布拉格方程的等同性证明

λ1= 为半径作一球; (b) 将球心置于衍射晶面与入射线的交点。

(c) 初基入射矢量由球心指向倒易阵点的原点。

(d) 落在球面上的倒易点即是可能产生反射的晶面。

第112章电子衍射图的标定

第112章电子衍射图的标定
值递增系列中常出现1:2的情况.
(c). 六方晶系的比值规律 R K
六方晶系: a=b≠ c, α=β=90°, γ=120°
d
晶面间距:
d
1
4(h2 hk k 2 ) l 2
3a 2
c2
1 4(h2 hk k 2 ) l 2 4P l 2
d2
3a 2
c 2 3a 2 c 2
令 P h2 hk k 2 ,R2∝P 可能的P值为 1,
若s=3 3
3 6 不满足面心立方规律
Bcc 2, 4, 6, 8, 10, 12…… Fcc 3, 4, 8, 11, 12,16 …
α-Fe四方斑点的标定
[001- ]α
110α
000 020α
1- 10α
0 2 0 0 20
1 1 0 1 10 0 0 -2
应用例-菱方斑点奥氏体
菱方斑点
Ri 10.8 10.8 17.5
N
1 d2
h2
k2 a2
l2
N a2
N h2 k 2 l 2 , a2 = 常数, R2∝N
R12 : R22 : R32 N1 : N2 : N3......
N为整数
根据消光规律,对应的N值为
简单立方(无消光): 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9…… 但是没有7, 15, 23

(课标通用版)高考物理总复习第十二章01第1讲光电效应波粒二象性精练(含解析)

(课标通用版)高考物理总复习第十二章01第1讲光电效应波粒二象性精练(含解析)

(课标通用版)高考物理总复习第十二章01第1讲光电效应波粒二象性

精练(含解析)

第1讲光电效应波粒二象性

A组基础过关

1.关于光电效应,下列说法正确的是( )

A.极限频率越大的金属材料,其逸出功越大

B.只要光照射的时间足够长,任何金属都能产生光电效应

C.从金属表面出来的光电子的最大初动能越大,这种金属的逸出功越小

D.入射光的光强一定时,频率越高,单位时间内逸出的光电子数就越多

答案 A 由W0=hνc可知A项正确;照射光的频率低于极限频率时不能发生光电效应,故项B错误;由

E k=hν-W0可知C项错误;单位时间内逸出的光电子数与入射光的频率无关,取决于入射光的强度,故D项错误。

2.用一束紫外线照射某金属时不能产生光电效应,可能使该金属发生光电效应的措施是( )

A.改用频率更小的紫外线照射

B.改用X射线照射

C.改用强度更大的原紫外线照射

D.延长原紫外线的照射时间

答案 B 每一种金属对应一个极限频率,低于极限频率的光,无论照射时间有多长,光的强度有多大,都不能使金属发生光电效应。只要照射光的频率大于金属的极限频率,就能产生光电效应。因为X射线的频率高于紫外线的频率,所以改用X射线照射可能发生光电效应,B选项正确。

3.(多选)1905年是爱因斯坦的“奇迹”之年,这一年他先后发表了三篇具有划时代意义的论文,其中关于光量子的理论成功的解释了光电效应现象。关于光电效应,下列说法正确的是( )

A.当入射光的频率低于极限频率时,不能发生光电效应

B.光电子的最大初动能与入射光的频率成正比

C.光电子的最大初动能与入射光的强度成正比

第十二章习题答案new

第十二章习题答案new

1、分析电子衍射与X 衍射有何异同?

答:相同点:

① 都是以满足布拉格方程作为产生衍射的必要条件。

② 两种衍射技术所得到的衍射花样在几何特征上大致相似。

不同点:

① 电子波的波长比x 射线短的多,在同样满足布拉格条件时,它的衍射角很小,约为10-2rad 。

而X 射线产生衍射时,其衍射角最大可接近

2。 ② 在进行电子衍射操作时采用薄晶样品,增加了倒易阵点和爱瓦尔德球相交截的机会,使

衍射条件变宽。

③ 因为电子波的波长短,采用爱瓦尔德球图解时,反射球的半径很大,在衍射角θ较小的

范围内反射球的球面可以近似地看成是一个平面,从而也可以认为电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内。

④ 原子对电子的散射能力远高于它对x 射线的散射能力,故电子衍射束的强度较大,摄取

衍射花样时曝光时间仅需数秒钟。

2、倒易点阵与正点阵之间关系如何?倒易点阵与晶体的电子衍射斑点之间有何对应关系? 答:倒易点阵是与正点阵相对应的量纲为长度倒数的一个三维空间点阵,通过倒易点阵可以把晶体的电子衍射斑点直接解释成晶体相对应晶面的衍射结果,可以认为电子衍射斑点就是与晶体相对应的倒易点阵某一截面上阵点排列的像。

关系:

① 倒易矢量g hkl 垂直于正点阵中对应的(hkl )晶面,或平行于它的法向N hkl

② 倒易点阵中的一个点代表正点阵中的一组晶面

③ 倒易矢量的长度等于点阵中的相应晶面间距的倒数,即g hkl =1/d hkl

④ 对正交点阵有a *//a ,b *//b ,c *//c ,a *=1/a ,b *=1/b ,c *=1/c 。

大学化学高分子有机化学-第十二章 羧酸

大学化学高分子有机化学-第十二章 羧酸

加成—消除反应历程 酯化反应历程 碳正离子反应历程
1°、2°醇为酰氧断裂历程,
3°醇(叔醇)为烷氧断裂历程。
2. 生成酰卤
羧酸的羟基被卤素取代生成物叫酰卤。
O R C OH + PCl 3 R
O C Cl + H3PO3
mp.74℃,200℃分解。
适用于低沸点酰卤制备
O R C OH + PCl5
R'OH
R C OH HOR' +
OH R C OH2 OR'
+
OH
-H2O
O
OR'
-H+
R
C
R C OR'
烃基R和R’的体积越大,酯化反应的速度越慢。
按加成-消除历程进行的酯化反应的活性: ①羧酸相同时,不同醇的活性次序为: CH3OH > RCH2OH > R2CHOH > R3COH; ②醇相同时,不同羧酸的活性次序: HCOOH > CH3COOH > RCH2COOH > R2CHCOOH > R3CCOOH。
O
COOH
O
pKa: 2.98
O H
H
OH
4.08
诱导吸电子作用中、 共轭给电子作用小。
OH
4.57
诱导吸电子作用小、 共轭给电子作用大。

第十二章 羧 酸

第十二章  羧 酸
第十二章 羧 酸
于海丰
羧酸化合物的简介
羧酸可看成是烃分子中的氢原子被羧基(-COOH)取代而生
成的化合物。其通式为RCOOH。羧酸的官能团是羧基。
O 羧基 酰基 R C OH
羧酸是许多有机物氧化的最后产物,它在自然界普遍存在 (以酯的形式),在工业、农业、医药和人们的日常生活
中有着广泛的应用。
(CH3)2CHCH2 CHCOOH CH3
CH2COONH 4 CH2COONH 4
O
给电子基酸性减弱)
主要是共轭效应,诱导效应极弱,隔了4个C。
讨论
COOH COOH NO2 NO2 2.21 COOH OH OH 2.98 4.08 OH 4.57 3.49 COOH COOH
COOH
NO2 3.42 COOH
pka
4.20
① (CH3) +I,+C
COOH

CH3 CH3
COOH
+
H
+
OH R C OH2 * OR'
+
-H2O
OH+ * R C OR'
-H+
O * R C OR'
3°醇(叔醇)为烷氧断裂历程。
R3C-OH
`R C O OH
+
H+

第十二章 羧酸

第十二章 羧酸

由于共轭作用,使得羧基不是羰基和羟基的简单加合, 所以羧基中既不存在典型的羰基,也不存在着典型的羟基, 而是两者互相影响的统一体。 羧酸的性质可从结构上预测,有以下几类:
α -H卤代
H R C C H
α
脱羧反应
=
O O H
酸 性
羟基被取代
二、命名
1、俗名 HOOCCH-CHCOOH
OH OH H C=C HOOC COOH H
C O H
H-C
O-H
Gw C
O
H
Gr: releasing group
Gw: withdrawing group
供电子基 减弱酸性
吸电子基 增强酸性
O2N-CH2COOH H-COOH
pKa
CH3-COOH
4.76
1.68
3.77
FCH2CO2H ClCH2CO2H BrCH2CO2H ICH2CO2H CH3CO2H
酸性比较(pKa):
OH
无机酸 > RCOOH > H2CO3 >
1-2 4-5 6.4(pka1) 9-10
> H2O > ROH
15.7 16-19
羧酸的酸性强弱与羧酸分子的电子效应、 立体效应和溶剂化效应相关。
就电子效应而言,吸电子取代基使酸性
增强, 供电子取代基使酸性减弱。

第十章 电子衍射 ppt课件

第十章 电子衍射  ppt课件
这时应根据待测样品的其它资料(如化学成分、热 处理工艺、前人的工作及其它实验方法提供的信息 等)排除不可能出现的物相。
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41
标准花样对照法
将实际观察、记录到的衍射花样直接与标准花样对 比,写出斑点的指数并确定晶带轴的方向。
标准花样是指各种晶体点阵主要晶带的倒易截面, 可根据晶带定律和相应晶体点阵的消光规律绘制。
该晶向[uvw]称为此晶带的 晶带轴。
晶带定理:凡属于[uvw]晶 带的晶面其晶面指数(hkl) 必满足以下关系: hu+kv+lw=0, 这就是晶带 定理。
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9
应用一、已知两晶面,求其晶带轴
如果(h1k1l1)和(h2k2l2)是[uvw]晶带中的两个 晶面族,求晶带指数[uvw]
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7
10.2 电子衍射原理
Bragg定律 倒易点阵与爱瓦尔德球图解法 晶带定理与零层倒易截面 结构因子--倒易点阵的权重 偏离矢量与倒易阵点扩展 电子衍射基本公式
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8
一、 晶带定理与零层倒易截面
晶体中,与某一晶向[uvw] 平行的所有晶面(HKL) 属于同一晶带,称为[uvw] 晶带。
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10
由方程组 h1u+k1v+l1w=0和h2u+k2v+l2w=0 得出[uvw]的解 是

第10章电子衍射

第10章电子衍射

§ 10-2 电子衍射原理
零层倒易面 由于晶体的倒易点阵是三 维的,如果电子束沿晶带轴 [uvw]的反向入射时,通过 原点O*的倒易平面只有一个, 我们把这个二维平面叫做零 层倒易面,可用符号 (uvw)*表示。 进行电子衍射分析时,大 都是以零层倒易面作为主要 分析对象的。
中国石油大学(北京)材料科学与工程系 戈磊
中国石油大学(北京)材料科学与工程系 戈磊
பைடு நூலகம் 10-2 电子衍射原理
面心立方点阵及其倒易点阵
对于面心立方点阵从右 图可以看出把面心立方倒 易点阵中hkl有奇有偶的 那些阵点抹去,它就成为 了一个体心立方的点阵。
即体心立方和面心立 方晶体互为倒易点阵。
中国石油大学(北京)材料科学与工程系 戈磊
五、偏离矢量与倒易点阵扩展
人们在长期的实验中发现:晶体点阵结构与其电子衍射斑 点之间可以通过一个假想的点阵联系起来,这一系列的点, 就是我们说的倒易点阵。 通过倒易点阵可以把晶体的电子衍射斑点直接解释成晶体 相应晶面的衍射结果。 电子衍射斑点就是与晶体相对应的倒易点阵中某一截面上 的阵点排列的像
中国石油大学(北京)材料科学与工程系 戈磊
中国石油大学(北京)材料科学与工程系 戈磊
* O 根据倒易矢量定义: G g 由图可知: k k g 由O向O*G作垂线,交点为D g垂直于(hkl)晶面方向,故 OD代表正空间中(hkl)晶面的方位, 且与入射束夹角为,则有:

电子衍射

电子衍射

故式(8-2)可近似写为 2sin=R/L 将此式代入布拉格方程(2dsin= ), 得 /d=R/L Rd=L (8-3) 式中:d——衍射晶面间距(nm) ——入射电子波长(nm)。 此即为电子衍射(几何分析)基本公式 (式中R与L以mm计)。
电子衍射基本公式的导出




图8-6 某低碳钢基体电子衍射花样 由底片正面描绘下来的图
尝试-核算法






已知铁素体为体心立方、a=0.287nm,相机常数 C=1.41mm· mm 。 ① 选取靠近中心斑的不在一条直线上的几个斑点(应包括与中心斑 组成特征平行四边形的3个斑点)。 ② 测量各斑点R值及各R之夹角。 ③ 按Rd=C,由各R求相应衍射晶面间距d值。 ④ 按晶面间距公式(立方系为d2=a2/N),由各d值及a值求相应各 N值。 ⑤ 由各N值确定各晶面族指数HKL。 ⑥ 选定R最短(距中心斑最近)之斑点指数。 ⑦ 按N尝试选取R次短之斑点指数并用校核。 ⑧ 按矢量运算法则确定其它斑点指数。 ⑨ 求晶带轴
单晶电子衍射花样的标定


立方晶系多晶体电子衍射标定时应用的关系式: R21:R22:…:R2n=N1:N2:…:Nn 在立方晶系单晶电子衍射标定时仍适用, 此时R=R。 单晶电子衍射花样标定的主要方法为: 尝试核算法 标准花样对照法

第12章-2-氢原子,粒子的波动性与波函数

第12章-2-氢原子,粒子的波动性与波函数
许多电子在同一个实验中的统计结果.
(2)入射弱电子流 :开始时点子无规分布,随着电
子增多,逐渐形成衍射图样,一个电子重复许多次 相同实验表现出的统计结果 根据玻恩概率波的观点,干涉图样中强度大的明 纹地方,就是到达那里的电子多,或者说,电子到 达那里的概率较大。相反地,暗纹处就是到达那里 的电子少,或者说,电子到达暗纹处的概率小。 29
1 10 m
电子的德波波长很短,用 电子显微镜衍射效应小,可 放大200万倍。
11
22
例题2:m = 0.01kg,v = 300m/s的子弹,求。
h h 6.63 10 34 2.21 10 m p mv 0.01 300
34
讨论:h极其微小,宏观物体的波长小得实验难以测量, “宏观物体只表现出粒子性”
Kn
En E K h
3.角动量量子化:电子以速度v在半径为 r的圆周上绕核 运动时,只有电子的角动量L等于 的整数倍的那些轨 道才是稳定的,即 h 2 1.054 1034 J s 5 L mvr n
从这些基本假设出发, 玻尔推导出氢原子的能量公式为
3
经典物理困难:根据经典电动力学,电子绕原子核 转动时具有加速度,因此会不断地以辐射形式发射 能量,电子轨道半径会越来越小,直到落到原子核 上。因此原子光谱应是连续的带状光谱,并且原子 不可能是稳定的。

第十二章扫描隧道显微镜

第十二章扫描隧道显微镜
材料分析与测试技术
STM单原子的移动
1990年源自文库BM公司Eigler研究小组:超高真空和液氦(4.2K) 下成功移动Ni(110)表面吸附的惰性气体Xe原子,用35 个Xe原子排成“IBM”
材料分析与测试技术
STM单原子的移动
1993年Eigler研究小组:移动Cu (111)表面吸附的Fe原子,用48 个Fe原子排成“圆形量子栅栏” (直径14.26nm)——形成电子云 密度分布的驻波形态。
IT Vb exp( k1 2s)
V2mb为V偏~2置V)电;压(通常 k为常数,真空条件下 为1 针尖与样品的距离s一 般为0.3~1.0nm
S减小0.1nm,IT将增 大10倍
材料分析与测试技术
STM的工作模式
恒电流模式
可测量表面起伏大的样 品——最常用
恒高度模式
只能用于表面起伏不大的 样品
77表面结构的过程 54nm54nm
STM观察原子的表面重构
材料分析与测试技术
STM在不同条件下的应用:
高真空+高温条件下
在840˚C高温下,当在Si(111)-77表 面 施 加 +6.5V 电 压 脉 冲 后 , 表 面 形 成 纳米尺度的坑状或沉积结构,从纳米坑 中移出的Si原子则在坑周围形成数个原 子团簇结构,并快速扩散再次重构形成
A、B纳米点由1个电压脉冲加工而成,直径1.5nm;C、D由2个
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h
2 1
2 2 2 k12 l12 h2 k2 l2


与测并值比较,一致即可确定R2指数(h2k2l2)。如果不一致再从晶面族为{h2k2l2} 中任选一个R2指数(h2k2l2)重复计算,直到相符。 (5) R3 =R1 + R2, 其它斑点可以根据矢量运算求得。 h3 =h1 + h2 k1 + k2 = k3 l1 + l2 = l3 (6) 根据衍射基本公式 查ASTM卡片和各d值对比 , 求出相应的晶面间距d1,d2,d3,d4…。

6、结构因子(消光条件) 用途:确定可能出现的衍射斑点。
I hkl | Fhkl |2
衍射束的强度:
其中 Fhkl叫做(hkL)晶面组的 结构因子或结构振幅,表示晶体的正点阵晶胞内所有原子的 散射波在衍射方向上的合成振幅,即:
Fhkl f j exp 2i hx j ky j lz j


因θ角非常小,ghkl矢量接近和入射电子束垂直; △OO*G∽△OO’G’,已知样品到底片的距离L 因为
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g hkl
1 1 ,k d hkl
所以: R∥ghkl
R g hkl L k
1 R L Lg d
式中K=λL称为电子衍射的相机常数,而L称为相机长度。


9、标准电子衍射花样
当相邻原子的散射X射线 光程差等于入射X射线波 长整数倍时发生衍射。
a(cosα-cosα0) = Hλ
一维原子列的衍射示意图
20
设空间点阵的三个平移向量为a ,b和c,入射的X射线与它们的 交角分别为α0,β0和γ0。衍射方向与它们的交角分别为α, β和γ 。根据上述讨论可知,衍射角α,β和γ在x, y, z三 个轴上应满足以下条件:
§12-4 电子衍射花样标定


1. 单晶体电子衍射花样标定 (1)尝试—校对法
目的:确定零层倒易截面上各ghkl矢量端点(倒易阵点) 的指数,定出零层倒易截面的法向(即晶带轴[uvw]), 并确定样品的点阵类型、物相及位向。
1、单晶体电子衍射花样的标定程序 已知相机常数和样品晶体结构 (1)测量靠近中心斑点的几个衍射斑点至中 心斑点距离R1、R2、R3、R4…及R1与R2、R1 与R3等衍射斑点之间的夹角。 (2) 计算R12∶R22∶R32∶…=N1∶N2∶N3∶ 其中N = h2 + k2 + l2
bc a V

ca b V

ab c V


所以有:

c c a a b b 1

a b a c b a b c c a c b 0

(仅当正交晶系) a ,b ,c
1 a
第十二章 电子衍射
§12-1 概述


1、透射电镜用途
三种: A、衍射花样像(单晶、多晶结构分析) B、薄膜衍衬成像(位错、晶粒等) C、复型薄膜成像(表面形貌)
§12-2 电子衍射原理 1、劳厄方程(补充) 用途:找到斑点位置


1912年,物理学家劳厄 发现了晶体X射线衍射现 象,证明了X射线具有波 动属性,1914年获得诺 贝尔物理学奖。
a(cosα-cosα0) = Hλ b(cosβ-cosβ0) = Kλ
式中λ为波长,H, K, L 均为 整数,称为衍射指标,H,K, L,= 0 ,±1,±2,…… HKL衍射指标和hkl晶面指标不同。
c(cosγ-cosγ0) = Lλ
劳埃(Laue)方程
(a)当α0≠90o时,H等于n和-n(n=1,2,3,…)的两 套圆锥面并不对称.
三、磁转角 电子束在镜筒中是按螺 旋线轨迹前进的,衍射斑点 到物镜的一次像之间有一段 距离,电子通过这段距离时 会转过一定的角度,即磁转 角φ0。 若图像相对于样品的磁 转角为φi,而衍射斑点相对 于样品的磁转角为φd,则衍 射斑点相对于图像的磁转角 为 :φ = φi - φd。
用MoO3晶体来对磁转角进行标定, 正交点阵,a=0.396 6nm,b=1.384 8nm,c=0.369 6nm,外形 为薄片梭子状,[010]方向很薄。[010]方向接近和入射电子束重合。 电子衍射花样的特征四边形是矩形。由于晶体的晶格常数a>c, 所以衍射花样上矩形的短边是[100]方向,长边是[001]方向。 六角形MoO3梭子晶体的长边总是正[001]方向,g是衍射花样上 的[001]方向。
2d sin n (13) (n 0,1, 2...)

d 为晶面间距;
为入射线夹角; 为入射线波长;
22
镜面反射X射线的条件

衍射方向
入射线
中心线 底片
衍射方向
入射线 入射角
平面法线
镜面反射方向
掠射角
任一平面上 的点阵
先衍射后干涉结果总是在镜面反射方向上出现最大光强 称为该平面的零级衍射谱
H
H H H H
(b)当α0=90o时,h=0的圆锥面蜕化为垂直于直线点阵的 平面,这时h等于n和-n的两套圆锥面就是对称的了。
H
H
H H H


2、布拉格方程
用途:找到斑点的方向, 说明一组晶面对应一个 衍射斑点
S S0
当相邻晶面产生的反射线 光程差等于入射线波长的 整数倍时产生衍射。



晶面
推论:若有一个倒易阵点Phkl(指数为hkl)正好落在爱瓦尔德球的 球面上,则相应的晶面组(hkl)与入射束的方向必满足布拉格条件, 而衍射束的方向就是OG,或者写成衍射波的波矢量K’,其长度也 等于反射球的半径1/λ。 根据倒易矢量的定义,O*G = g,于是我们得到 K’ - K = g 反证法证明:与布拉格定律是完全等价的。由O向O*G作垂线, 垂足为D,因为g平行与(hkl)晶面的法向 Nhkl ,所以 OD就是正空间 中(hkl)晶面的方位,若它与入射束方向的夹角为θ,则有
试样
2
倒易点 阵
底板
28
电子衍射花样形成示意图


8、电子衍射基本公式
用途:利用非精确布拉 格方程确定衍射斑点位 置。
实际的样品晶体都有确定 的形状和有限的尺寸,因而 它们的倒易阵点不是一个几 何意义上的“点”,而是沿 着晶体尺寸较小的方向发生 扩展,扩展量为该方向上实 际尺寸的倒数的2倍。 薄晶体样品衍射变为倒易杆
1 R L d
(8) 根据晶带定理求零层倒易截面法线的方向,即晶带轴的指数。 [uvw] = gk1h1l1×gk2h2l2
(8) 根据晶带定理求零层倒易截面法线的方向,即晶带轴的指数。 [uvw] = gk1h1l1×gk2h2l2
例:已知相机常数K=14.1mmA,体心立方结构,R1、R2、 R3、R4分别为7.1、10.0、12.3、21.5mm,R1R2夹角90 度,R1R3夹角54度及衍射花样 。 求: 标定花样(最近三个斑点指数)、晶带轴及d值。
用途:利用非精确布拉 格方程确定衍射斑点位 置。
定义:零层倒易面 (uvw)*0 的比例像。

例:画出体心立方[011]晶带轴 的标准电子衍射花样像。 解:
§12-3 电子衍射操作

加入物镜后落在爱瓦 尔德球球面上的衍射 斑点移到物镜背焦面 上。
选区衍射操作:物 镜背焦面与中间镜 物平面重合。
选区光阑的直径约在 20-300μm之间,若物 镜放大倍数为50倍, 则选用直径为50μm的 选区光阑就可以套取 样品上任何直径d=lμm 的结构细节。
hkl hkl
(2)对应关系

根据定义在倒易点阵中,从 倒易原点到任一倒易点的 矢量称倒易矢量ghkl g*
hkl

= ha kb lc

g*矢量的长度等于其对应
晶面间距的倒数
g*
hkl
=1/dhkl

其方向与晶面相垂直 g* //N(晶面法线)
(3)倒易点阵特点

定义倒易点阵的基本矢量垂直于正点阵异名矢量构成的平面
X射线
晶体点阵的散射波可以相互干涉。 包括
面中点阵 散射波干涉

面间点阵 散射波干涉

3、倒易点阵 用途:一组镜面对应一 个倒易点

晶体中的原子在三维 空间周期性排列,这 种点阵称为正点阵或 真点阵。 以长度倒数为量纲与 正点阵按一定法则对 应的虚拟点阵称倒易 点阵

(1)倒易变换

此倒易点P 取在(hkl) 晶面的法线N上,距倒 易原点o*的的距离为 晶面间距的倒数1/d 。


(2)标准衍射花样对照法
将实际观察到的衍射花样直接与标准花样对比,写出 斑点的指数并确定晶带轴的方向。


2. 多晶体电子衍射花样标定
举例:已知相机常数及衍射花样 。
§12-5 复杂电子衍射花样


1.高阶劳埃斑点
点阵常数较大的晶体,倒易空间中倒易面间距较小。 如果晶体很薄,则倒易杆较长,因此与爱瓦尔德球面 相接触的并不只是零倒易截面,上层或下层的倒易平 面上的倒易杆均有可能和爱瓦尔德球面相接触,从而 形成所谓高阶劳爱斑点。 广义晶带定理:hu + kv + lw =0,±1,2,3 用途:A. 确定晶带轴单位矢量长度。 B. 确定薄膜警惕厚度。
易点均在同一平面上,用(uvw)*0 表示。 (uvw)*0的法线正好和正空间中的晶带 轴[uvw]重合。 满足ghkl .r=0
零层倒易面:属于[uvw]晶面的倒
图示(a) 一个立方晶 胞,若以[001]作晶带轴 时,(100)、(010)、(110) 和(120)等晶面均和[001] 平行,相应的零层倒易 截面如图 (b)所示。
结构消光: 体心立方点阵h + k+ l = 偶数时,才有衍射产 生,因此它的N值只有2,4,6,8, 10, 12, 14, 16。 面心立方点阵h、k、L为全奇或全偶时,才有衍 射产生,故其N值为3,4,8,11,12…。
由N的比值确定晶面族为{h1k1l1};{h2k2l2};{h3k3l3} (3)从晶面族为{h1k1l1}中任选一个确定R1指数为(h1k1l1)。 (4) 从晶面族为{h2k2l2}中任选一个R2指数(h2k2l2)并与R1指数(h1k1l1) 计算夹角: h1h2 k1k2 l1l2 cos
O * D OO *sin
即g/2=ksinθ , 由于 g = 1/d,k = 1/λ, 故有 2d sinθ=λ(布 拉格方程) 同时,由图可知K’与k的夹角(即衍射束与透射束的夹角)等于2θ, 这与布拉格定律的结果也是一致的。
倒易阵点Phk落在球面上变成衍射斑点G。倒易阵点Phk落在球 内?倒易阵点Phk落在球外?
n j 1


式中 fj——晶胞中位于(xj,yj,zj)的第j个原子的原子散 射因数(或原子散射振幅) n——晶胞内原子个数。 结构消光:当Fhkl=0时,即使满足布拉格定律,也没有衍射 束产生,因为每个晶胞内原子散射波的合振幅为零。
消光条件: 简单立方:Fhkl 恒不等于零,无消光现象。 面心立方:h、k、L为异性数时,Fhkl=0 体心立方:h+K+L=奇数时,Fhkl=0 密排六方:h+2k=3n,L=奇数时,Fhkl=0 举例:简单、体心、面心立方

7、倒易点阵扩展与偏 离矢量
用途:利用非精确布拉 格方程确定衍射斑点位 置。
实际的样品晶体都有确定 的形状和有限的尺寸,因而 它们的倒易阵点不是一个几 何意义上的“点”,而是沿 着晶体尺寸较小的方向发生 扩展,扩展量为该方向上实 际尺寸的倒数的2倍。
薄晶体样品衍射变为倒易杆




理论上获得衍射花样的条件: 精确布拉格方程:K’ - K = g
1 b
1 c



4、爱瓦尔德球图解 法 用途:找到倒易点与 衍射斑点的关系 爱瓦尔德球作图:
在倒易空间中,画出衍射 晶体的倒易点阵,以倒易原 点O*为端点作入射波的波 矢量k(矢量OO* ),该矢量 平行于入射束方向,长度等 于波长的倒数,即1/λ。 以O为中心,1/λ 为半径作 一个球,这就是爱瓦尔德球。
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非精确布拉格方程 K’ - K = g + S 倒易杆的上半部 (末端)与爱瓦尔德球 球面相交,也有较弱 斑点出现。
偏离矢量: 倒易杆中心至与 厄瓦尔德球面交截点 的距离可用s矢量,即 偏离矢量。
26 2017/5/4 Hpu.edu.cn
27
2017/5/4
Hpu.edu.cn
入射束 厄瓦尔德球


5、晶带定理与零层倒易截面 用途:电子衍射分析以零层倒易 面作为主要分析对象。
晶带定理:在空间点阵中,同时平行于
某一晶向[uvw]的一组晶面构成一个晶 带,而这一晶向称为这一晶带的晶带轴。 晶带定理:hu + kv + lw = 0 广义晶带定理:hu + kv + lw =0,±1,2,3

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