电子电路基础A

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《电子电路基础》综合练习题及解答

《电子电路基础》综合练习题及解答

《电子电路基础》综合练习题及解答北京邮电大学高等函授教育通信技术、计算机技术专业专科(二年级)第一部分习题一.判断题(用√表示正确;用某表示不正确,并改正)()1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。

()2、在本征半导体中掺入少量的磷元素,可以形成N型半导体,它的多子是自由电子。

()3、PN结内电场方向由P区指向N区,P区的电位要高于N区的电位。

()4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。

在无外加电压作用下,其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。

()5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主;反向偏置时以势垒电容为主,它随反向偏压的增大其值减小。

()6、半导体二极管具有单向导电特性,它的反向电流越小,表明管子的单向导电性越好。

()7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别,从导电特性来看,当VGS=0时,ID≠0为增强型管,ID=0为耗尽型管。

()8、场效应管与晶体三极管一样,它们都是电流控制的电子器件。

()9、场效应管与晶体三极管一样,它们只有一种载流子参与导电。

()10、所谓三极管的等效电路是对计算管子的外部交流电流、电压而言的,对管子内部来说是不等效的。

()11、一个放大器对信号源影响要小,带负载能力要强,这就要求该放大器的输入电阻和输出电阻都要大才好。

()12、多级放大器与单级放大器相比,通频带变宽。

()13、串联负反馈可以减小输入电阻,而并联负反馈可以提高输入电阻。

()14、负反馈对放大器性能改善的程度主要取决于反馈系数F,与基本放大器的开环增益无关。

()15、电压负反馈能够稳定输出电压但升高了输出阻抗。

()16、当输入信号存在失真时,可以采用负反馈来改善波形。

()17、单级共射放大器幅频波特图中,高频特性的斜率为-10dB/十倍频程;相频波特图中,高频相移最大为-90°,在0.1fh和10fh之间,相位变化的斜率为-90°/十倍频程。

《电子电路基础》习题解答第1章

《电子电路基础》习题解答第1章

第一章习题解答题 电路如题图所示,试判断图中二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压UAO。

设二极管是理想的。

解:分析:二极管在外加正偏电压时是导通,外加反偏电压时截止。

正偏时硅管的导通压降为~。

锗管的导通压降为~。

理想情况分析时正向导通压降为零,相当于短路;反偏时由于反向电流很小,理想情况下认为截止电阻无穷大,相当于开路。

分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”,即:先假设二极管所在支路断开,然后计算二极管的阳极(P 端)与阴极(N 端)的电位差。

若该电位差大于二极管的导通压降,该二极管处于正偏而导通,其二端的电压为二极管的导通压降;如果该电位差小于导通压降,该二极管处于反偏而截止。

如果电路中存在两个以上的二极管,由于每个二极管的开路时的电位差不等,以正向电压较大者优先导通,其二端电压为二极管导通压降,然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。

一般情况下,对于电路中有多个二极管的工作状态判断为:对于阴极(N 端)连在一起的电路,只有阳极(P 端)电位最高的处于导通状态;对于阳极(P 端)连在一起的二极管,只有阴极(N 端)电位最低的可能导通。

图(a )中,当假设二极管的VD 开路时,其阳极(P 端)电位P U 为-6V ,阴极(N 端)电位N U 为-12V 。

VD 处于正偏而导通,实际压降为二极管的导通压降。

理想情况为零,相当于短路。

所以V U AO 6-=;图(b )中,断开VD 时,阳极电位V U P 15-=,阴极的电位V U N12-=,∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=; 图(c ),断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通,VD2处于反偏而截止V U AO 0=;或,∵ VD1,VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通,则A 点的电位V U AO 0=,而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图(d ),断开VD1、VD2,∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U < V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <;∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。

电子电路基础习题册参考答案第一章

电子电路基础习题册参考答案第一章

电⼦电路基础习题册参考答案第⼀章电⼦电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术第⼀章常⽤半导体器件§1-1 晶体⼆极管⼀、填空题1、物质按导电能⼒的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三⼤类,最常⽤的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺⼊的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体⼜称本征半导体,其内部空⽳和⾃由电⼦数相等。

N型半导体⼜称电⼦型半导体,其内部少数载流⼦是空⽳;P 型半导体⼜称空⽳型半导体,其内部少数载流⼦是电⼦。

4、晶体⼆极管具有单向导电性,即加正向电压时,⼆极管导通,加反向电压时,⼆极管截⽌。

⼀般硅⼆极管的开启电压约为0.5 V,锗⼆极管的开启电压约为0.1 V;⼆极管导通后,⼀般硅⼆极管的正向压降约为0.7 V,锗⼆极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗⼆极管开启电压⼩,通常⽤于检波电路,硅⼆极管反向电流⼩,在整流电路及电⼯设备中常使⽤硅⼆极管。

6.稳压⼆极管⼯作于反向击穿区,稳压⼆极管的动态电阻越⼩,其稳压性能好。

7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防⽌反向击穿电流超过极限值⽽发⽣热击穿损坏稳压管。

8⼆极管按制造⼯艺不同,分为点接触型、⾯接触型和平⾯型。

9、⼆极管按⽤途不同可分为普通⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关、热敏、发光和光电⼆极管等⼆极管。

10、⼆极管的主要参数有最⼤整流电流、最⾼反向⼯作电压、反向饱和电流和最⾼⼯作频率。

11、稳压⼆极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所⽰电路中,⼆极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为⽆法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所⽰电路中,⼆极管均为理想⼆极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所⽰电路中,⼆极管是理想器件,则流过⼆极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

电阻、电容、电感基础知识

电阻、电容、电感基础知识

电子电路基础知识〔转贴〕电子电路基础知识(1)——电阻 m,u w0x h x a i*a q ? c ]导电体对电流的阻碍作用称着电阻,用符号r表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用ω、kω、mω表示。

一、电阻的型号命名方法: q z n bm o g o'| r#v k国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)第一部分:主称,用字母表示,表示产品的名字。

如r表示电阻,w表示电位器。

第二部分:材料,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,t-碳膜、h-合成碳膜、s-有机实心、n-无机实心、j-金属膜、y-氮化膜、c-沉积膜、i-玻璃釉膜、x-线绕。

《家电维修》技术论坛"w5c;y$w/a0f `:k第三部分:分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型。

1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、g-高功率、t-可调。

m1@{/o f2t^1v第四部分:序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如:r t 1 1 型普通碳膜电阻a1} |技术交流|资料下载|图书杂志|家电资讯2a @#i#k n0j/j:x q m二、电阻器的分类1、线绕电阻器:通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。

h1d+v g,v#l&^ y+g2、薄膜电阻器:碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。

3、实心电阻器:无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。

4、敏感电阻器:压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。

《家电维修》技术论坛4e#y$^'lh'f b1j5d+p8o-e"q v'u q y0i&o l f v jg.r三、主要特性参数1} [ x)d @+k1、标称阻值:电阻器上面所标示的阻值。

电子电路基础

电子电路基础

第一章小结一、知识点1、半导体中有电子和空穴两种载流子。

半导体的导电特性与温度、光照等环境因素密切相关。

2、在纯净的半导体(本征半导体)中掺入不同杂质,可以得到两种杂质半导体:P型半导体和N型半导体。

P型半导体中空穴是多数载流子,电子是少数载流子;N型半导体中电子是多数载流子,空穴是少数载流子。

3、晶体二极管由一个PN结构成,其最主要的特性是单向导电性,即加正向电压时二极管导通,加反向电压时二极管截止。

该特性可由二极管特性曲线准确描述。

选用二极管必须考虑最大整流电流、最高反向工作电压两个主要参数,高频工作时还应考虑最高工作频率。

4、利用二极管的单向导电性可以组成整流电路,实现将交流电转换成脉动直流电的功能。

5、稳压二极管工作于反向击穿状态才能起稳压作用。

这时,即使流过稳压管的电流在很大范围内变化,稳压管两端的电压也几乎不变。

为了保证反向电流不超过允许范围,必须在电路中串接限流电阻。

6、发光二极管将电信号转换为光信号,光电二极管将光信号转换为电信号,光电耦合器可实现“电-光-电”的转换。

光电二极管工作时应加反向电压。

7、变容二极管的结电容随所加反向电压的大小而变化。

8、三极管是一种电流控制器件,它有两个PN结,即发射结和集电结。

三极管在发射结正偏、集电结反偏的条件下,具有电流放大作用;在发射结与集电结均反偏时,处于截止状态,相当于开关断开;在发射结和集电结均正偏时,处于饱和状态,相当于开关闭合。

三极管的放大功能在实际电路中都有广泛应用。

9、三极管的特性曲线反映了三极管各极之间电流与电压的关系。

三极管的参数β表示电流放大能力,I CBO、I CEO表明三极管的温度稳定度,I CM、P CM、U(BR)CEO规定了三极管的安全工作范围。

10、场效应管是一种电压控制器件,其分类如下:结型:『N沟道与P沟道』→属于耗尽型绝缘栅型:N沟道『增强型、耗尽型』 P沟道『增强型、耗尽型』11、场效应管利用栅源极间电压u GS控制漏极电流i D。

电子线路基础知识

电子线路基础知识
1电阻元件是无源二端元件,是实际电阻器的理想化模型。
电阻元件的定义:任一时刻t,某个二端元件的电压、电流关系
用函数表示,如果元件的伏安特性曲线在任一时刻是一条通过原点的直线,称为线性电阻元件;若为曲线则称为非线性电阻元件
按照伏安特性曲线是否随时间变化又可分为时变电阻和时不变电阻,等等……
线性电阻元件有两种特殊情况,一种是电阻值R为无限大,电压为任何有限值时,其电流总是零,这时就把它称为“开路”;反之另一种情况是电阻为零,电流为任何有限值,其电压总是零,这时便称它为“短路”
【一】在现代化的日常生活中我们几乎天天要和电这个东西打交道,它之所以获得广泛的应用是因为它具有的几个优点:1电能便于转换为其他形式的能量;2便于传输;3还便于控制
在各个电技术领域内,可以通过各种电路来完成各种任务,不同的电路具有不同的功能。电路的种类繁多,其功能的分类方法也很多。然而无论电路结构有多么的不同,它们之间却有着最基本的共性,都遵循着相同的运动规律。
电感元件它们其实都是实际器件的理想化模型。
把绝缘导线绕成线圈就构成了一个电感线圈,当有电流通过时就会在线圈内外建立磁场<磁场能够存储能量>并产生磁通。当电流增大时,磁通增大,磁链也增大,这时储存的能量增加;
当电流减小时,磁通减小,磁链也减小,这时储存的磁场能量减少,便把一部分能量释放给电路。
当电流减小为零时,磁通和磁链也相应为零,所以电感线圈也是一种储能的电路器件。
电阻元件有一个重要的特性,就是任意时刻它两端的电压<或通过的电流>都是由当前时刻的电流<或电压>所决定的,而无过去的电压或电流无关。就是说电阻呢是一种无记忆性元件,或称为即时元件。
还有哦,电流通过电阻时要消耗能量,所以电阻元件是一种耗能元件!

电路基础(电子版)

电路基础(电子版)

第1章电路模型及电路定律教学目标(1)理解电路模型,理解电压、电流、参考方向、电功率和额定值的意义。

(2)掌握理想电路元件(如电阻、电容、电感、电压源和电流源)的电压电流关系。

(3)掌握基尔霍夫定律、电位的概念及计算。

1.1电路及电路模型1.1.1(1)(2)1.1.2(也称负载)响应。

)组成,如图)个完整的电路是由电源(或信号源)、负载和中间环节(如开关、导线等)三个基本部分组成的。

各种实际电路的种类和作用不同,规模也相差很大,小到硅片上的集成电路,大到高低压输电网,但都可以分解成以上三大部分。

各种电路中随着电流的流动,都在进行着不同形式能量之间的转换。

在实际应用中,为了便于分析,通常用电路图来表示电路。

在电路图中,各种电气元件都不需要画出原有的形状,而是采用统一规定的图形符号来表示。

图1-1(b)所示就是图1-1(a)所示手电筒的电路原理图。

(a)手电筒实际电路(b)手电筒电路原理图(c)手电筒电路模型图1-1电路模型为便于理论研究,常用与实际电气设备和元器件相对应的理想化元器件构成电路,并用统一规定的符号表示作为实际电路的“电路模型”,如图1-1(c)所示。

本书在进行理论分析时所指的电路,均指这种电路模型。

人们设计制作某种元器件是要利用它的某种物理性质,譬如说,制作一个电阻器是要利用它的电阻,即对电流呈现阻力的性质;制作一个电源是要利用它的两极间能保持有一定电压的性质;制作连接导体是要利用它的优良导电性能,使电流顺利流过。

但是,事实上不可能制造出只表现出某一性质的器件,也就是说,不可能制造出完全理想的器件,例如:(1)一个实际的电阻器在有电流流过的同时还会产生磁场,因而还兼有电感的性质。

(2)一个实际电源总有内阻,因而在使用时不可能总保持一定的端电压。

(3)连接导体总有一点电阻,甚至还有电感。

这样往往给分析电路带来了困难,因此,必须在一定条件下对实际器件加以理想化,忽略它的次要性质,用一个足以表征其主要性能的模型来表示。

《电路理论基础AⅠ》课件

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目 录
• 电路理论基础简介 • 电路的基本概念 • 电路的分析方法 • 交流电路的分析 • 一阶动态电路的分析 • 二阶动态电路的分析
01 电路理论基础简介
电路理论的发展历程
19世纪初
电路理论开始萌芽,主要研究简单电 路和电阻元件。
19世纪末
麦克斯韦方程组建立,为电磁场和电 路理论奠定了基础。
计算机工程
计算机硬件设计、 电路板制作、微处 理器设计等。
能源工程
电力系统、电机设 计、可再生能源等 。
学习电路理论的重要性
01
掌握电路的基本原理和 分析方法,为后续电子 类课程打下基础。
02
培养逻辑思维和问题解 决能力,提高综合素质 。
03
为未来从事电子、通信 、计算机等相关领域的 工作提供必要的知识储 备。
详细描述
电流、电压和功率是电路的基本物理量。电流表示单位时间内通过导体的电荷量,电压表示电场中电 位差的大小,功率则表示单位时间内消耗或转换的能量。这些物理量是描述电路状态和进行电路分析 的重要参数。
电路的工作状态
总结词
电路的工作状态分为有载、开路和短路三种 。
详细描述
电路的工作状态可以分为有载、开路和短路 三种。有载状态是指电路中存在正常电流, 且电源向负载提供电能;开路状态是指电路 中无电流流过,负载不工作;短路状态则是 指电流流过电阻较小的导体,导致电源输出 端短路,可能引起严重后果。了解电路的工
描述一阶动态电路输出与输入之间 关系的数学表达式。
03
02
频率响应
描述一阶动态电路对不同频率信号 的响应特性。
极点和零点
描述传递函数特性的参数,影响频 率响应的形状。

电子基础电路试题及答案

电子基础电路试题及答案

电子基础电路试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在电路中,电流的流动方向是:A. 从正极流向负极B. 从负极流向正极C. 同时从正负极向中间流动D. 无固定方向答案:A2. 下列哪种元件不是半导体材料?A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案:C3. 电阻的单位是:A. 欧姆B. 伏特C. 安培D. 瓦特答案:A4. 下列哪个选项是正确的电流定律?A. 电流总是从高电势流向低电势B. 电流总是从低电势流向高电势C. 电流的方向与电子流动的方向相同D. 电流的方向与电子流动的方向相反5. 电容的单位是:A. 法拉B. 欧姆C. 伏特D. 安培答案:A6. 电感的单位是:A. 亨利B. 欧姆C. 安培D. 法拉答案:A7. 下列哪个选项是正确的电压定律?A. 电压总是从高电势流向低电势B. 电压总是从低电势流向高电势C. 电压的方向与电流的方向相同D. 电压的方向与电流的方向相反答案:A8. 欧姆定律的公式是:A. V = IRB. V = R/IC. I = V/RD. R = V/I答案:A9. 下列哪个选项是正确的电功率公式?B. P = V^2/RC. P = I^2RD. 所有选项都是正确的答案:D10. 电流源和电压源的主要区别是:A. 电流源提供恒定电流,电压源提供恒定电压B. 电流源提供恒定电压,电压源提供恒定电流C. 电流源和电压源没有区别D. 电流源和电压源的电压和电流都相同答案:A二、填空题(每题2分,共20分)1. 在串联电路中,总电阻等于各个电阻的______。

答案:之和2. 在并联电路中,总电阻等于各个电阻的倒数之______。

答案:和3. 电路中的功率因数是______和功率的比值。

答案:电压4. 电容器在交流电路中起到______作用。

答案:滤波5. 电感器在交流电路中起到______作用。

答案:阻抗6. 电路中的谐振频率是指电路的______和电感的频率相等时的频率。

电子电路基础习题册参考答案-第一章讲解

电子电路基础习题册参考答案-第一章讲解

电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。

7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

(整理)电子电路基础习题册参考答案

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电子电路基础习题册参考答案免费提供(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。

7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

(820)电路基础

(820)电路基础

(820)电路基础
电路基础是电子学的重要概念,涉及电流、电压、电阻、电路
元件和电路结构等内容。

首先,电流是电子在导体中流动的载体,
通常用符号I表示,单位是安培(A)。

电压是电荷在电路中的能量,
通常用符号V表示,单位是伏特(V)。

电阻是导体对电流的阻碍程度,通常用符号R表示,单位是欧姆(Ω)。

这些基本概念构成了电路分
析的基础。

在电路中,有许多基本的电路元件,比如电阻、电容和电感。

电阻用来限制电流的流动,电容用来储存电荷,电感用来储存能量。

这些元件可以组合成各种不同的电路结构,比如串联电路、并联电路、混合电路等。

每种电路结构都有不同的特性和应用。

此外,还有一些重要的电路定律和分析方法,比如欧姆定律、
基尔霍夫定律、节点分析法和网孔分析法等。

这些定律和方法可以
帮助我们分析复杂的电路,计算电流、电压和功率等参数。

在现代社会中,电路基础知识广泛应用于各种电子设备和系统中,比如手机、电脑、通信系统、电力系统等。

因此,掌握电路基
础知识对于工程师和科技人员来说至关重要。

总之,电路基础涵盖了电流、电压、电阻、电路元件、电路结构、电路定律和分析方法等内容,是理解和应用电子学的基础,也是现代科技发展不可或缺的一部分。

希望这些信息能够帮助你更好地理解电路基础知识。

电子电路基础

电子电路基础

单项选择题5、图示电路是(B )电路。

16、图示电路是(A )电路。

7、电路如题图所示,电路引入(B )负反馈。

(2 分)11、电路如题图所示,电路引入( C )负反馈。

12、电路如题图所示,电路引入( D )负反馈。

13、电路如题图所示,电路引入(B )负反馈。

14、电路如题图所示,电路引入(A )负反馈。

6、电路如题图所示,电路引入( B )负反馈。

1、当PN结外加正向电压时,内外电场方向(A)。

A.相反B.相同C.不确定2、当温度升高时,二极管的反向饱和电流(A)。

3、基本微分电路的电容器接在运放电路的(C)。

A.反向输入端B.同向输入端C.反向端与输出端之间D.输出端4、负反馈使放大电路增益下降,增益稳定性(A )。

A.提高B.下降C.不变D.不确定6、锗二极管的死区电压是(A)。

(2 分)A.0.1~0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.6V9、在本征半导体中掺入5价元素就成为(B)型半导体。

A.P型半导体B.N型半导体C.PN结D.纯净半导体10、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用(C )负反馈。

A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈14、在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻Rb的数值,容易出现(B )失真。

A.饱和B.截止C.低频D.交越15、欲将方波转换成三角波,应选用(B )。

A.微分运算电路B.积分运算电路C.差分输入运算电路D.乘法电路16、当PN结外加反向电压时,扩散电流(B )漂移电流,耗尽层变宽。

A.大于B.小于C.等于D.不确定17、在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(C )(2 分)A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺18、二极管两端电压大于(B )时,二极管才导通。

(2 分)A.击穿电压B.死区电压C.饱和电压D.放大电压19、在固定偏置放大电路中,调小偏置电阻Rb的数值,将使静态工作点(A )。

(2 分)A.升高B.降低C.不变D.不定20、负反馈使放大电路增益( A)。

(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章

(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章

电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。

7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

试卷模拟电子技术基础A

试卷模拟电子技术基础A

模拟电子技术基础A卷院系:_______________________________ 专业:_________________________________班级:_______________________________ 任课教师:_____________________________姓名:_______________________________ 学号:_________________________________考试说明1.2. 本试卷包含5个大题,29个小题。

全卷满分100分,考试用时120分钟。

一、选择题(选择正确答案填入空内,只需填入A、B、C、D。

本大题共20分,共计10小题,每小题2分)1. 分析图示电路,选择正确答案填空。

1.在级间反馈电路中 ________________。

A.只有直流反馈而无交流反馈, B.只有交流反馈而无直流反馈,C.既有直流反馈又有交流反馈, D.不存在实际的反馈作用。

2.这个反馈的组态与极性为________________。

A.电压并联负反馈, B.电压并联正反馈, C.电流并联负反馈,D.电流串联负反馈, E.电压串联负反馈, F.无组态与极性可言。

Au I+V CCV EE u OR1R2R4R3VT2. 正弦波振荡电路如图所示,集成运放A具有理想特性,电阻R2=10k,R1的阻值分别下列三种情况时,试选择正确答案填空:1.R1=10k+(可调);()2.R1=18k+(可调);()3.R1=47k+(可调)。

()RA.能振荡,且u O波形较好B.能振荡,且u O波形不好C.不振3. 多级放大电路如图所示。

试选择正确的答案填空。

1.VT1构成放大电路组态;2.VT2构成放大电路组态;3.VT3构成放大电路组态。

A.共射B.共集C.共基4. 在图示方波发生器中,已知A为理想运算放大器,其输出电压的两个极限值为 12V。

现有下列不同情况:选择填空:将产生不同测试结果的原因填入空内:1.输出电压峰-峰值为12V;()2.电路不产生振荡;()3.输出电压峰-峰值比正常工作时增大。

电工及电子技术基础A2习题册(修改稿)

电工及电子技术基础A2习题册(修改稿)

.班级:姓名: 学号:成绩:14-1:电路如图所示,试分析当U1=3V 时,哪些二极管导通?当U1=0V 时,哪些二极管导通?(写出分析过程,并设 二极管正向压降为0.7V )。

AD1 D3U15V-U i (V )10D5 U iU 03 + t-2(1)(2)(3)(4)(1)电工学A (2)习题册-半导体器件D2 D45V-14-2:图(1)是输入电压U i 的波形。

试由图(2)画出对应于U i 的输出电压U o 、电阻R 上电压U R 和二极管D 上电压U D 的波形,并用基尔霍夫电压定律检验各电压之间的关系。

二极管的正向压降可忽略不计。

14-3:在下列各电路图中,E=3V ,U i =10sin t V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压U O 的波形。

+ + -R图1 图214-4:在下图中,试求下列几种情况下输出端的电位VF 及各元件中通过的电流:(1)VA=+5V ,VB=0V ;(2)VA=+6.5V ,VB=+5V ;(3)VA=VB=+3V 。

设二极管的正向电阻为零,反向电阻为无穷大,正向压降 忽略不计。

DA1kVA VFVBR 9k1kDB(2)14-5:放大电路如图所示,通过计算分别说明电路中的晶体管工作在放大区、饱和区还是截止区?12V6V6V500k Ω4k Ω51k Ω2k Ω100k Ω1.5k Ωβ=50 β=40 β=4014-6:测得工作在放大电路中的几个晶体管的三个电极对地电位为U 1、U 2、U 3,对应数值分别为:(2)U 1 = -2V ,U 2 = -2.3V ,U 3 = -6V 画图说明它们是PNP 型还是NPN 型?是硅管还是锗管?同时确定三个电极e 、b 、c 在图上标出。

14-7:什么叫三极管的极限参数?集电极电流I C 超过I CM ,管子是否被烧坏?U CE 超过U (BR)CEO 又会怎样?为什么不允许同时达到?(3)(1) U 1 =3.5V,U 2 =2.8V,U 3 =12V (3)U 1 =6V,U 2 =11.3V,U 3 =12V(4)U 1 =6V,U 2 =11.8V,U 3 =12V.班级:姓名: 学号: 成绩:15-1:晶体管放大电路如图(a)所示,已知U CC =12V ,R C =3k Ω,R B =240k Ω,晶体管的β=40。

推荐最经典的电路原理书籍

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推荐最经典的电路原理书籍电路原理是电子工程的基础学科,对于电子工程师和电子爱好者来说都是必修的一门课程。

本文将为大家推荐一些经典的电路原理书籍,这些书籍在电路原理的讲解、案例分析及实践应用方面都非常出色,对于学习和理解电路原理有着重要的帮助。

1.《电子电路基础》(作者:傅信宏、郭虎城)这本书是电子电路原理的经典教材,全面系统地介绍了电路基础知识和分析方法。

书中结合大量的实例和案例进行讲解,使读者能够更好地理解电路原理的应用。

同时,书中还包含了许多实践应用和实验,有助于读者将理论知识转化为实际操作能力。

2.《电路基础》(作者:张风乐)这本书是国内较早出版的电路原理教材,以其简明扼要的语言和生动的例子受到广大读者的欢迎。

书中系统地介绍了直流电路和交流电路的基本理论和分析方法,并且通过大量的练习题和实例加强了对概念和方法的理解和掌握。

3.《电路分析基础》(作者:Alexander、Sadiku)这本书是国外著名的电路理论教材,被广泛采用于电子工程专业的教学。

书中通过逐步推导和演示,介绍了电路基本理论、电路元件和电路分析方法,并通过丰富的案例和习题帮助读者巩固和应用所学知识。

4.《电路与电子学基础》(作者:诺尔特)这本书是美国电路理论学者所著,是电子工程领域最经典的教材之一。

该书详细介绍了电路基础概念、电路分析方法和电路元件的物理特性,引导读者从整体上理解和应用电路原理。

5.《微电子电路分析与设计》(作者:L. Tocci、N.Tr.adeline、G.L. Moss)这本书是微电子电路的经典教材,主要介绍了微型集成电路的构造、工作原理和分析方法。

书中逐步引入了微电子元件和集成电路的基本概念,并通过大量的实例和案例进行演示和分析,帮助读者理解和掌握微电子电路的设计和分析技术。

以上是一些经典的电路原理书籍,它们系统地介绍了电路原理的基本理论、分析方法和实践应用。

无论是初学者还是有一定基础的读者,这些书籍都能为他们提供全面的知识和实践指导,帮助他们理解和掌握电路原理,并将其应用于具体的工程实践中。

电子电路技术基础答案

电子电路技术基础答案

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。

5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。

6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接1、单极型半导体器件是(C)。

A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。

A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。

5试卷《电路基础》A卷

5试卷《电路基础》A卷

自编号:重庆电子工程职业学院培训专业级专业《电路应用基础》课程期末考试试卷A卷(本试卷共 4 页,满分100分, 90 分钟完卷)注意事项:1、考生答题必须将答案按要求填写在答题纸上,否则成绩无效。

2、考试结束后,将本试卷和答题卡一并交回。

一、填空题(本大题共10 小题,每小题 2分,共 20 分)1.电路具有的三种状态为:通路、和。

2.若计算电流值为正,则电流实际方向与参考方向。

若电压与电流为非关联参考方向时,功率P为负值,则该元件功率。

3.欧姆定律体现了线性电路元件上、的约束关系,与电路的连接方式无关。

4.基尔霍夫定律则是反映了电路的整体规律,其中KCL定律体现了电路中任意结点上汇集的所有的约束关系,定律体现了电路中任意回路上所有元件上电压的约束关系,具有普遍性。

5.由一个电压源与电阻的串联可以等效变换为一个电流源与电阻的,变换前后,电阻的阻值。

6. 在应用叠加定理分析时,各个独立电源单独作用时,而其他独立电源为零,即其他电压源,而电流源。

7.RLC串联谐振电路的谐振频率ω= ,RLC并联谐振电路的谐振频率ω= 。

8. 电感的电压相量于电流相量π/2,电容的电压相量于电流相量π/2。

9. 三相对称星型接负载,其线电流I L与对应相电流I P的关系为I L= I P,三相对称三角型接负载,其线电流I L与对应相电流I P的关系为I L= I P。

10.一阶电路的三要素为:初始值、和。

二、单项选择题(本大题共 15小题,每小题 2分,共 30分)1.当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时,该电流()A、一定为正值B、一定为负值C、不能肯定是正值或负值2.两个电阻串联,R1:R2=1:2,总电压为60V ,则U1的大小为( )A 、10VB 、20VC 、30V3. 叠加定理只适用于( )A 、交流电路B 、直流电路C 、线性电路4. 电阻是 元件,电感是 的元件,电容是 的元件。

( )A 、储存电场能量 储存磁场能量 耗能B 、储存电场能量耗能 储存磁场能量 C 、耗能 储存电场场能量 储存磁场能量5.动态电路是指含有 元件的电路,其电路方程是微分方程。

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。(增强/减 。(增强/减弱)
二、本征半导体
• 1.本征半导体的载流子是
。电子和空穴
• 2.当本征半导体温度升高时,电子和空穴数目都 增大
• 3.在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将 增大
。 。
三、杂质半导体 • 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( ) • A.晶体缺陷 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺 • 2. 在本征半导体中掺入3价元素就成为( )型半导
UE=3V,则该管工作在( ) • A. 放大区 B. 截止区 C. 饱和区 D. 击穿区
P 型半导体中空穴是多子,电子是少子。
• 四. N型半导体和 P型半导体载流子特点 • 五. PN结单向导电性及应用 • 1.PN结单向导电性
2.PN结单向导电性的应用 二极管:死区电压=0 .5V,正向压降0.7V(硅二极管) 理想二极管:死区电压=0 ,正向压降=0 • 六.三极管工作区域 • 三极管工作状态的偏置条件
体。 • A. P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 • 3. 在本征半导体中掺入5价元素就成为( )型半导
体。 • A. P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体
• 四. N型半导体和 P型半导体 • 1、电子为多数载流子的杂质半导体称为 N型 半导体。 • 2、自由电子为N型半导体的 多数 载流子。 • 3、N型半导体多数载流子浓度取决于 掺杂浓度 。 • 4、P型半导体的多数载流子为 空穴 。 • 5 、空穴为多数载流子的杂质半导体称为 P型 半导体。 • 6、P型半导体多数载流子浓度取决于掺杂浓度 。
第一部分 半导体基础导学
一、半导体材料的特点。
1.当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。
2.往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能
力明显增强。 二、本征半导体
载流子特点:本征半导体中存在数量的两种载流子, 即自由电子和。
温度越高,载流子的浓度越高,因此本征半导体的导 电能力越强。温度是影响半导体性能的重要外部因素,这 是半导体的一大特点。
2.PN结单向导电性的应用
vi
例1
+R
vi
DD11
_
DD22 + vo
_
vo
0.7V -0.7V
|vi |<0.7V时,D1、D2截止,所以vo=vi | vi |>0.7V时, D1、D2中有一个导通,所以vo =0.7V vi >0.7V时, vi <-0.7V时两种情况
例2
vi
vo
0.7V -0.7V
• 放大区:要求发射结正偏,集电结反偏。
• 截止区:发射结和集电结均为反向偏置。
• 饱和区:发射结正偏、集电结正偏。
• 七. 判断三极管管型
例题:半导体基础
一、半导体材料的特点。
1.在纯净半导体中掺入 Байду номын сангаас就会使半导体的导电性能增强。(杂
质)
2.环境温度升高时,半导体材料的导电能力会 弱)
3.当半导体材料受光照射时,其导电能力会
• 五. PN结单向导电性及应用 • 1.PN结单向导电性
1. 当PN结外加正向电压时,内外电场方向( )。 A.相反 B.相同 C. 不确定 2. 当PN结外加反向电压时,内外电场方向( )。 A.相反 B.相同 C. 不确定 3. PN结具有( )导电特性。 • A.双向 B.单向 C. 不确定
• 1. 测得三极管发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于 ()
• A. 放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 • 2. 测得三极管发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于
() • A. 放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 • 3. 测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V,UB=3.7V,
|vi |<2.7V时,D1、D2截止,所以vo=vi | vi |>2.7V时, D1、D2中导通,所以vo =2.7V
例3
vi
vo
0.7V -0.7V
|vi |<1.4V时,D1、D2截止,所以vo=vi | vi |>1.4V时, 有一支路导通,所以vo =1.4V
• 六.三极管工作区域
• PNP晶体管工作在放大区,三电极电位关系为 • A.UC<UE<UB B. UB<UC<UE C. UC<UB<UE D. UB<UE<UC • NPN晶体管工作在放大区,三电极电位关系为 • A.UC<UE<UB B. UB<UC<UE C. UC<UB<UE D. UE<UB<UC
三、杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导 体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的 某种载流子浓度大大增加。 N 型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体,
也称为(电子半导体)。
自由电子称为多数载流子(多子),空穴称为少数载 流子(少子)。
P 型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也 称为(空穴半导体)。
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