【CN110046105A】一种3DNANDFlash【专利】
【CN110041208A】一种三维分子基铁电存储器件【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910291134.6(22)申请日 2019.04.11(71)申请人 东南大学地址 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号(72)发明人 游雨蒙 冯子杰 熊昱安 (74)专利代理机构 南京众联专利代理有限公司32206代理人 卢倩(51)Int.Cl.C07C 211/07(2006.01)C07C 209/00(2006.01)C07F 7/24(2006.01)H01L 27/11585(2017.01)H01L 27/1159(2017.01)(54)发明名称一种三维分子基铁电存储器件(57)摘要本发明属于微电子存储器技术领域，特别涉及一种三维分子基铁电存储器件，包括所述分子基铁电存储器晶体薄膜、中心电极、周围电极和绝缘层；分子基铁电存储器晶体薄膜包裹在金属柱上，金属柱充当中心电极；周围电极是采用液相或气相沉积在分子基铁电存储器晶体薄膜上的金属；周围电极镶嵌在绝缘层里；其分子基铁电存储材料，所述分子基铁电存储材料的通式为：A x B y C z ；其中：A为含氮、膦或氟的小分子有机阳离子，B为金属阳离子，C为阴离子；该存储器件采用三维结构的设计，存储密度高，可根据要求改变堆叠层数实现不同的存储容量，同时具备低功耗、高性能、高可靠性且可低温制备的优点。
权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 110041208 A 2019.07.23C N 110041208A权 利 要 求 书1/1页CN 110041208 A1.一种分子基铁电存储材料，其特征在于，所述分子基铁电存储材料的通式为：A x B y C z；其中：A为含氮、膦或氟的小分子有机阳离子，B为金属阳离子，C为阴离子。
2.如权利要求1所述的分子基铁电存储材料，其特征在于，所述含氮、膦或氟的小分子有机阳离子为：四甲基胺阳离子、四甲基膦阳离子、三甲基氯甲基胺阳离子、三甲基氟甲基胺阳离子、三甲基溴甲基胺阳离子、三甲基碘甲基胺阳离子、三甲基二氟甲基胺阳离子、三甲基三氟甲基胺阳离子、三甲基羟胺阳离子、三甲基乙基阳离子、三甲基丙基阳离子、三甲基氯乙基阳离子、三甲胺阳离子、三乙胺阳离子、四乙胺阳离子、三乙胺甲基阳离子、三乙胺氯甲基阳离子、三乙胺氟甲基阳离子、三乙胺溴甲基阳离子、三乙胺碘甲基阳离子、吡咯烷阳离子、吡咯啉阳离子、奎宁环阳离子、咪唑阳离子、吡啶阳离子、氨基吡咯烷阳离子、氨基奎宁环阳离子、哌嗪阳离子或三乙烯二胺阳离子。
【CN110061008A】3DNAND闪存及其制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910248967.4(22)申请日 2019.03.29(71)申请人 长江存储科技有限责任公司地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室(72)发明人 肖莉红 (74)专利代理机构 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479代理人 陈敏(51)Int.Cl.H01L 27/11524(2017.01)H01L 27/11551(2017.01)H01L 27/11563(2017.01)H01L 27/11578(2017.01)(54)发明名称3D NAND闪存及其制备方法(57)摘要本发明提供一种3D NAND闪存及其制备方法，3D NAND闪存包括：半导体衬底；叠层结构，位于半导体衬底上，叠层结构包括交替叠置的栅间介质层及栅极层，栅间介质层包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层；沟道通孔，位于叠层结构内；功能侧壁，位于沟道通孔的侧壁表面；沟道层，位于沟道通孔内，且位于功能侧壁的表面。
本发明3D NAND闪存中的栅间介质层为至少包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层，可以有效减小相邻栅极层之间的漏电，提高相邻栅极层之间的栅间介质层的抗击穿能力，降低相邻栅极层之间的耦合效应。
权利要求书3页 说明书14页 附图17页CN 110061008 A 2019.07.26C N 110061008A权 利 要 求 书1/3页CN 110061008 A1.一种3D NAND闪存，其特征在于，包括：半导体衬底；叠层结构，位于所述半导体衬底上，所述叠层结构包括交替叠置的栅间介质层及栅极层，所述栅间介质层包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层；沟道通孔，位于所述叠层结构内；功能侧壁，位于所述沟道通孔的侧壁表面；及沟道层，位于所述沟道通孔内，且位于所述功能侧壁的表面及所述沟道通孔的底部。
【CN109935547A】一种3DNAND存储器件及其制造方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910252213.6(22)申请日 2019.03.29(71)申请人 长江存储科技有限责任公司地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室(72)发明人 王启光 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人 王宝筠(51)Int.Cl.H01L 21/764(2006.01)H01L 27/1157(2017.01)H01L 27/11578(2017.01)(54)发明名称一种3D NAND存储器件及其制造方法(57)摘要本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在衬底上形成有栅极层和绝缘层交替层叠的堆叠层以及贯穿堆叠层的共源极沟槽，共源极沟槽内形成有填充层以及间隔层，所述间隔层位于所述栅极层与填充层之间，去除堆叠层和填充层之间的间隔层，可以形成侧壁间隔，在所述侧壁间隔内形成侧壁介电层，所述侧壁介电层内形成有气隙，由于空气的介电常数较小，则栅极层和填充层之间的寄生电容较小，从而降低存储器件的RC延迟，提高器件性能。
权利要求书1页 说明书6页 附图3页CN 109935547 A 2019.06.25C N 109935547A权 利 要 求 书1/1页CN 109935547 A1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极层和绝缘层交替层叠的堆叠层，以及贯穿所述堆叠层的共源极沟槽，所述共源极沟槽内形成有填充层以及间隔层，所述间隔层位于所述堆叠层与填充层之间；去除所述间隔层以形成侧壁间隔；在所述侧壁间隔内形成侧壁介电层，所述侧壁介电层内形成有气隙。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述间隔层以形成侧壁间隔，包括：利用酸法去除所述间隔层，或利用热处理方式去除所述间隔层，或通过碱溶液去除所述间隔层。
一种3D NAND存储器件及其制造方法、封装方法[发明专利]
![一种3D NAND存储器件及其制造方法、封装方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/0fde4a7e51e79b896902268a.png)
专利名称：一种3D NAND存储器件及其制造方法、封装方法专利类型：发明专利
发明人：吕震宇,杨士宁,潘锋,杨伟毅,陈俊,吴关平,施文广,程卫华
申请号：CN201710135655.3
申请日：20170308
公开号：CN106910746A
公开日：
20170630
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种3D NAND存储器件及其制造方法、封装方法，通过绝缘环将环内和环外的堆叠层隔离开，绝缘环内仍为氧化物层和氮化物层的堆叠，绝缘环外为氧化物层和金属层的堆叠，绝缘环内的氧化物层和氮化物层的堆叠易于贯通接触孔的形成，而绝缘环外金属层保证了存储阵列字线的电连接，这种结构的贯通接触孔便于实现存储器件同CMOS芯片的连接，且易于同现有的工艺集成，特别是当堆叠层的厚度不断增加后，无需刻蚀金属堆叠来形成贯通接触孔，利于工艺的实现和集成度的不断提高。
申请人：长江存储科技有限责任公司
地址：430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：王宝筠
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一种Nand Flash页的检测方法和装置[发明专利]
![一种Nand Flash页的检测方法和装置[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/a807a97151e79b896902265c.png)
专利名称：一种Nand Flash页的检测方法和装置专利类型：发明专利
发明人：郑南成,何建成,罗逸夫,周杰
申请号：CN201180003231.2
申请日：20111202
公开号：CN102511040A
公开日：
20120620
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及数据存储技术，具体公开了一种Nand Flash页的检测方法，包括：对擦除后编程状态为空闲的页编程，在写入所述页的数据区数据和备用区数据之前将第一编程状态标志写入所述页；读取所述第一编程状态标志，确定所述第一编程状态标志指示非空闲状态；判断所述第一编程状态标志是否指示编程开始状态：如果所述第一编程状态标志指示非编程开始状态，确认所述页受异常中止的影响。
本发明实施例还公开了一种Nand Flash页的检测装置。
申请人：华为技术有限公司
地址：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
国籍：CN
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一种三维闪存及其制作方法[发明专利]
![一种三维闪存及其制作方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/78d536ea16fc700aba68fcdd.png)
专利名称：一种三维闪存及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：赵祥辉,胡军,曾最新,章诗,陈保友申请号：CN201710771657.1
申请日：20170831
公开号：CN107579069A
公开日：
20180112
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请提供一种三维闪存及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，形成掩膜板，所述掩膜板位置和大小与所述第一膜层待形成图案的掩膜板的位置和大小相同；进行第一刻蚀，刻蚀深度为M×a，M≥INT(N)+1；将所述掩膜板的边缘修整缩小一个所述台阶的宽度；进行第二刻蚀，刻蚀深度为a；重复上面两个步骤，直至所述第一膜层被刻蚀完。
本发明三维闪存制作方法，通过改变台阶和第一膜层上图案制作过程中的刻蚀顺序，从而使得最下面的厚度较厚的第一膜层与形成台阶的厚度较薄的第二膜层能够采用同一张掩膜板形成，从而节省了第二膜层刻蚀过程中的掩膜板的使用，进而降低了三维闪存制作成本。
申请人：长江存储科技有限责任公司
地址：430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910343544.0
(22)申请日 2019.04.26
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
中国科学院微电子研究所
(72)发明人 高帅 侯旭 王颀 霍宗亮
叶甜春
(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限
公司 11227
代理人 杨华 王宝筠
(51)Int.Cl.
G06F 12/02(2006.01)
(54)发明名称一种3D NAND Flash (57)摘要本申请公开了一种3D NAND Flash，包括：MCU、总线控制电路、总线和多个寄存器；多个寄存器被预先划分为至少两个寄存器组；任意一个寄存器组具有预设的唯一组地址段，任意一个寄存器在该寄存器所属的寄存器组中，具有预设的唯一局部寻址地址段；任意一个寄存器组通过局部总线与总线控制电路连接；总线控制电路与MCU连接；MCU，用于向总线控制电路发送第一信号；第一信号包括：至少一个寄存器的地址；总线控制电路，用于在接收到第一信号后，向第一信号中的组地址段指示的寄存器组中的寄存器发送第二信号；第一信号中组地址段指示的寄存器组中的寄存器，用于响应所接收到的第二信号。
通过本申请公开的技术方案，可以减小总线消耗
的功耗。
权利要求书2页 说明书7页 附图2页CN 110046105 A 2019.07.23
C N 110046105
A
权 利 要 求 书1/2页CN 110046105 A
1.一种3D NAND Flash，其特征在于，包括：MCU、总线控制电路、总线和多个寄存器；
所述多个寄存器被预先划分为至少两个寄存器组；任意一个所述寄存器组具有预设的唯一组地址段，任意一个所述寄存器在该寄存器所属的寄存器组中，具有预设的唯一局部寻址地址段；
任意一个所述寄存器组通过局部总线与所述总线控制电路连接；所述局部总线为所述总线的一部分；所述总线控制电路与所述MCU连接；
所述MCU，用于向所述总线控制电路发送第一信号；所述第一信号包括：至少一个所述寄存器的地址，任意一个所述寄存器的地址包括该寄存器所属的寄存器组的组地址段和该寄存器在所属寄存器组中的局部寻址地址段；
所述总线控制电路，用于在接收到所述第一信号后，向所述第一信号中的组地址段指示的寄存器组中的寄存器发送第二信号；发向任意一个寄存器组的第二信号包括：所述第一信号中属于该寄存器组的局部寻址地址段；
所述第一信号中组地址段指示的寄存器组中的寄存器，用于响应所接收到的第二信号。
2.根据权利要求1所述的3D NAND Flash，其特征在于，所述总线控制电路发向任意一个寄存器组的第二信号仅包括：所述第一信号中属于该寄存器组的局部寻址地址段。
3.根据权利要求1所述的3D NAND Flash，其特征在于，所述多个寄存器中的任意一个寄存器在所述3D NAND Flash中具有预设的唯一物理位置；
所述多个寄存器被预先划分为所述至少两个寄存器组的划分原则包括：划分后的任一寄存器组所包含的各寄存器的物理位置间的距离属于预设范围。
4.根据权利要求3所述的3D NAND Flash，其特征在于，所述划分原则还包括：划分后的不同寄存器组所包含的寄存器的数量间的差值小于预设阈值。
5.根据权利要求1～4任意一项所述的3D NAND Flash，其特征在于，任意一个寄存器组的组地址段由第一目标位数的二进制数表示；所述第一目标位数为采用所述二进制数区分表示所述至少两个寄存器组时所需的最少位数。
6.根据权利要求1～4任意一项所述的3D NAND Flash，其特征在于，对于任意一个寄存器，该寄存器在所属的寄存器组中的局部寻址地址段由第二目标位数的二进制数表示；所述第二目标位数为采用所述二进制数区分表示待分析寄存器组中的寄存器时所需的最少位数；所述待分析寄存器组为所述至少两个寄存器组中包含寄存器的数目最多的寄存器组。
7.根据权利要求5所述的3D NAND Flash，其特征在于，所述发向任意一个寄存器组的第二信号还包括：所述第一信号中存储地址为属于该寄存器组的局部寻址地址段的待存储数据；
所述第一信号中组地址段指示的寄存器组中的寄存器，用于响应所接收到的第二信号，包括：
所述第一信号中组地址段指示的寄存器组中的任一寄存器，具体用于判断所接收到的第二信号包含的局部寻址地址段中，是否存在目标局部寻址地址段；所述目标局部寻址地址段为与该寄存器在所属寄存器组中的局部寻址地址段相同的局部寻址地址段；若存在所述目标局部寻址地址段，则将所接收到的所述第二信号中存储地址为所述目标局部寻址地
2。