三极管-原材料规格书模板

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原材料规格书通用模板

Content

1.Scope 3

适用范围

2.Model: 3

型号:

3.Specification 3

产品规格

4.Battery PACK Performance Criteria 4-5

产品性能检查及测试

5.Storage and Others 5

贮存及其它事项

6. Protection Circuit Characteristics 6

产品电路特性

7.平面尺寸图7-8

8.印刷式样图9 Handling Precautions and Guideline 9

产品操作指示及注意事项

110

2. 11

3 12

1.适用范围: 本规格说明书描述了----xx公司---生产的产品性能指标

2.Model: 型号：

三极管9018规格书

9018(3DG9018) 硅NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR

用途:用于AM/FM 中放,本机振荡。/Purpose: AM/FM IF amplifier, local oscillator. 特点:P C 大,f T 高,频率飘移小。/Features: High P c

and f T

, low frequency shift.

极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 数值

Rating

参数符号 Symbol 测试条件 Test condition

最小值

Min

典型值 Typ 最大值 Max 单位Unit V CBO I C =0.1mA I E =0 30 V V CEO I C =1.0mA I B =0 15 V V EBO I E =0.1mA I C =0 5.0 V I CBO V CB =12V I E =0 0.05 μA h FE V CE =5.0V I C =1.0mA 28 198 V CE(sat) I C =10mA I B =1.0mA 0.5 V f T V CE =5.0V I C =5.0mA 700 1100 MHz C ob V CB =10V I E =0 f=1.0MHz

1.3 1.7 pF

h FE 分档/h FE classifications: D:28～45 E:39～60 F:54～80

三极管规格书

摘要：

1.三极管简介

2.三极管的分类

3.三极管的参数与性能

4.三极管的应用领域

5.三极管的选购与使用注意事项

正文：

三极管，作为一种最基本的电子元器件，广泛应用于各种电子设备中。它具有放大电流、开关等功能，是构建各种电路的重要组件。本文将对三极管进行详细介绍，包括规格书、分类、参数与性能、应用领域以及选购和使用注意事项。

一、三极管简介

三极管，又称晶体三极管，是由三个区域组成的半导体器件。分别为：发射极（Emitter，E）、基极（Base，B）和集电极（Collector，C）。发射极和集电极之间有宽禁带，当基极电流控制时，可以实现电流的放大和开关功能。

二、三极管的分类

根据结构和工作原理，三极管可分为两类：NPN 型和PNP 型。NPN 型三极管的发射极是电子浓度较低的N 型半导体，基极是P 型半导体，集电极是N 型半导体。PNP 型三极管则正好相反，发射极是电子浓度较高的P 型半导体，基极是N 型半导体，集电极是P 型半导体。

三、三极管的参数与性能

三极管的主要参数有：电流放大系数（Current Gain）、耗散功率（Dissipation Power）、最大集电极电流（Collector Current）、最大基极电流（Base Current）等。三极管的性能主要取决于其结构、材料和制造工艺，不同类型和规格的三极管在参数和性能上有所差异。

四、三极管的应用领域

三极管广泛应用于各类电子设备和电路中，如放大器、振荡器、电源开关、信号处理等。它具有体积小、重量轻、功耗低、工作稳定等优点，是构建各种电子系统的关键器件。

2N3906三极管规格书

B
-2
-4
-6
-8
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V) CE
V
—— I
CEsat
C
-10Βιβλιοθήκη Baidu
β=10
T =100℃ a T =25℃ a
-10 -1
-100 -30 -10
-3
-10
-30
-100
-200
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
I —— V
C
BE
COMMON EMITTER V =-5V
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
C
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMMITTER SATURATION
DC CURRENT GAIN h FE
VOLTAGE V
(mV)
BEsat
h —— I
1000
FE
C
COMMON EMITTER
V =-1V CE
the type designation MMBT3906
1.EMITTER 2.BASE 3. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg

AOSHB,A0SHB三极管规格书

2
1.75
VGS= 4.5V ID= 5.4A
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Tj , Junction Temperature (°C)
Figure 4. On-Resistance Variation with Temperature
Figure 3. Breakdown Voltage Variation with Temperature
1.3 ID= 250uA
1.2 1.1
1
0.9
0.8
0.7 0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 Tj , Junction Temperature (°C)
Figure 5. Gate Threshold Variation with Temperature
10
5
0 01
23
VGS=2V 45 6
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 1. Output Characteristics
1.1 1.075 1.05 1.025
1 0.975 0.95
ID= 250uA
0.925-50 -25 0 25 50 75 100 125 Tj , Junction Temperature (°C)

三极管规格书

摘要：

1.三极管概述

2.三极管的分类

3.三极管的主要参数

4.三极管的结构和工作原理

5.三极管的应用领域

正文：

一、三极管概述

三极管，又称双极型晶体管（BJT），是一种常见的半导体器件。它具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子电路中。根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和PNP 型。

二、三极管的分类

1.按照结构分类，三极管可以分为三极管晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

2.按照材料分类，三极管可以分为硅晶体管和锗晶体管。

3.按照电流放大系数分类，三极管可以分为NPN 型和PNP 型。

三、三极管的主要参数

1.电流放大系数：三极管的电流放大系数是指在输入端施加微小信号时，输出端电流与输入端电流之比。

2.截止区：三极管的截止区是指当输入端电流为零时，输出端电流也等于

零的区域。

3.放大区：三极管的放大区是指当输入端施加正向电压时，输出端电流正向增大的区域。

4.饱和区：三极管的饱和区是指当输入端施加足够大的正向电压时，输出端电流不再随输入端电压增大而增大的区域。

四、三极管的结构和工作原理

三极管主要由三个区域组成：发射区、基区和集电区。发射区和集电区由P 型半导体制成，基区由N 型半导体制成。当在发射区施加正向电压时，电子和空穴分别从发射区和基区注入，形成电流。这个电流经过基区后，再流入集电区，从而实现信号的放大。

五、三极管的应用领域

1.信号放大：三极管在信号放大器中具有广泛应用，可以实现微小信号的放大。

2.开关控制：由于三极管具有高速开关特性，所以在脉冲电路、振荡器和开关电源等领域具有重要应用。

9014三极管规格书

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

S9014 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES z Complementary to S9015

MARKING: J6

MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)

Value Unit 50 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Test conditions

M in

T yp

M ax Unit

Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C = 100μA, I E =

0 50 V

Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C = 0.1mA, I B =0 45 V

Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =100μA, I C =0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =50 V , I E =0 0.1 μA Collector cut-off current I CEO V CE =35V , I B =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB = 3V , I C =0 0.1 μA DC current gain

三极管规格书

三极管（Transistor）规格书通常包含以下内容：

1. 器件型号：规定三极管的型号，例如2N3904、BC547等。

2. 电气参数：包括最大额定电流、最大额定功率、最大电压、最大频率等。

3. 特性参数：包括集电极饱和电压（Vce sat）、输出导通电阻（Rce）、集电极漏电流（Icbo）等。

4. 封装形式：规定三极管的封装形式，例如TO-92、SOT-23等。

5. 引脚排列：列出三极管的引脚排列图，包括基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。

6. 使用范围：规定三极管的应用场合和使用条件，例如温度范围、湿度要求等。

7. 典型应用电路：给出一个或多个典型的电路示例，展示三极管在实际电子电路中的应用。

8. 标准符号：给出三极管在电路图中的标准符号。

这些内容可以帮助用户了解、选择和使用三极管，并确保其在电子设备中能够正常工作。

三极管规格书

（最新版）

1.三极管简介

2.三极管的结构

3.三极管的种类

4.三极管的参数

5.三极管的应用

正文

【三极管简介】

三极管，又称晶体管，是一种常用的半导体器件。它可以用来放大电信号、开关电路以及作为振荡器的元件等。由于其具有很高的输入阻抗和较低的输出阻抗，因此被广泛应用于电路设计中。

【三极管的结构】

三极管主要由三个区域组成，分别是：发射区、基区和集电区。发射区和集电区由 n 型半导体材料制成，而基区则由 p 型半导体材料制成。这种结构使得三极管具有单向导通的特性。

【三极管的种类】

根据材料和结构不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。NPN 型三极管的结构是“N-P-N”，而 PNP 型三极管的结构是“P-N-P”。这两种类型的三极管具有相同的工作原理，但在电路中的接线方式有所不同。

【三极管的参数】

三极管的主要参数有：电流放大系数、截止电流、饱和电流、发射极电阻等。电流放大系数是衡量三极管放大能力的重要指标，它表示集电极

电流与基极电流的比值。截止电流是指三极管在截止状态下的电流值。饱和电流是指当基极电流增加到一定程度时，集电极电流不再继续增加的电流值。发射极电阻是指发射极与基极之间的电阻值。

【三极管的应用】

三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，例如：放大器、振荡器、稳压器、脉冲发生器等。同时，三极管也是构成其他复杂半导体器件的基础，如场效应管、双极性晶体管等。

总之，三极管作为一种重要的半导体器件，在电子技术领域具有广泛的应用。

三极管规格书

摘要：

一、三极管的基本概念与分类

二、三极管的主要参数与性能指标

三、三极管的应用领域

四、选择合适的三极管的技巧

五、三极管的采购与储存建议

正文：

一、三极管的基本概念与分类

三极管（Transistor）是一种常用的半导体器件，具有放大和开关等功能。根据制造工艺和结构的不同，三极管可以分为NPN型、PNP型和双极型等几种类型。其中，NPN型和PNP型三极管最为常见。

二、三极管的主要参数与性能指标

1.电流放大系数（β）：衡量三极管电流放大的能力。

2.输入电阻（Rin）：三极管输入端的等效电阻，影响信号传输效果。

3.输出电阻（Rout）：三极管输出端的等效电阻，影响负载驱动能力。

4.工作电压（Vceo）：三极管正常工作时的发射极与集电极之间的电压。

5.耗散功率（Pd）：三极管允许的最大功率消耗。

三、三极管的应用领域

三极管广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路，如音频放大器、无线通信设备、计算机硬件等。

四、选择合适的三极管的技巧

1.根据电路需求选择合适的类型（NPN、PNP等）。

2.确定电流放大系数（β）和工作电压（Vceo）等参数。

3.考虑输出电阻（Rout）和输入电阻（Rin）对电路性能的影响。

4.注意耗散功率（Pd）与散热设计的关系。

五、三极管的采购与储存建议

1.从正规渠道购买，确保产品质量和售后服务。

2.了解供应商的库存情况和交货期。

3.按照实际需求合理选购数量，避免过多库存。

4.储存时注意防潮、防震、避免高温，确保器件性能稳定。

FOSAN富信电子三极管 M28S-产品规格书

安徽富信半导体科技有限公司

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.

M28S

SOT-23Bipolar Transistor 双极型三极管

▉Features 特点

NPN General Purpose 通用

▉Absolute

Maximum Ratings 最大额定值

Characteristic 特性参数

Symbol 符号Rat 额定值Unit 单位Collector-Base Voltage 集电极基极电压V CBO 40V Collector-Emitter Voltage 集电极发射极电压V CEO 20V Emitter-Base Voltage 发射极基极电压V EBO 6V Collector Current 集电极电流I C

1000mA Power dissipation 耗散功率

P C (T a =25℃)

300mW Thermal Resistance Junction-Ambient 热阻

R ΘJA

420

℃/W

Junction and Storage Temperature 结温和储藏温度

T J ,T stg -55to+150℃

■Device Marking 产品打标

M28S=28S

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.

M28S

■Electrical

Characteristics 电特性

(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)

3904三极管规格书

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

MMBT3904 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

z As complementary type the PNP transistor MMBT3906 is recommended z Epitaxial planar die construction MARKING: 1AM

MAXIMUM RATINGS (T A =25℃ unless otherwise noted)

Symbol Parameter Value Units V CBO Collector-Base Voltage

60 V V CEO Collector-Emitter Voltage 40 V V EBO Emitter-Base Voltage 6 V I C Collector Current -Continuous 200 mA P C Total Device Dissipation

200 mW R θJA Thermal Resistance Junction to Ambient 625 ℃/W T J Junction Temperature 150 ℃ T stg

Storage Temperature

-55 to +150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

A5SHB三极管IC规格书

PW2305

GENERAL DESCRIPTION

The PW2305 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

FEATURES

VDS = -20V ID =-4.9A

RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V

Available in a 3-Pin SOT23-3 Package

Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted)

Symbol Parameter Rating Units V DS

Drain-Source Voltage -20 V

GS Gate-Source Voltage

±12 V I D @T A =25℃ Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V 1 -4.9 A I D @T A =70℃ Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V 1 -3.9 A I DM Pulsed Drain Current 2 -14 A P D @T A =25℃ Total Power Dissipation 3 1.31 W P D @T A =70℃ Total Power Dissipation 3 0.84 W T STG Storage Temperature Range -55 to 150 ℃ T J Operating Junction Temperature Range

HT30,HT33,HT50三极管芯片规格书

PW6218_1.4
Wuxi PWChip Semi Technology CO., LTD
6
最小值
3.492 60 －－－
典型值
3.6 100 60 100 2
4.6V≤VIN≤18V， IOUT＝ 1mA
－
0.2
－
－
VIN＝ 5.6V， IOUT＝ 10mA，－
0℃ ≤Ta≤70℃
－ ±0.6
最大值
3.708 － 150 － 3
单位
V mA mV mV µA
－
％/ V
18
V
－
mV/℃
PW6218-3.3V
PW6218-5.0V
PW6218
18V，低功耗，高压 LDO 稳压器
产品概述
PW6218 系列是采用 CMOS 工艺制造，低功耗的高压稳压器，最高输入电压可达 18V，输出电压范围 3V～5.0V。它具有高精度的输出电压、极低的供电电流、极低的跌落电压等特点。
PW6218 系列采用 SOT-23-3L 小型封装。
2
PW6218A33
符号
VOUT IOUT △VOUT VDIF ISS ΔVOUT /(ΔVIN * VOUT) VIN
ΔVOUT /ΔTa
参数
输出电压输出电流负载调节跌落电压静态电流 Line Regulation 输入电压

二三极管规格书

稳压二极管
BZX84C2V4 BZX84C2V7 BZX84C3V0 BZX84C3V3 BZX84C3V6 BZX84C3V9 BZX84C4V3 BZX84C4V7 BZX84C5V1 BZX84C5V6 BZX84C6V2 BZX84C6V8 BZ84C7V5 BZX84C8V2 BZX84C10 B Z X 8 4 C 11 BZX84C12 BZX84C13 BZX84C14 BZX84C15
PHILIPS
B B… B C V… B F… P M B T… B Z X 8 4… B A T… 系列
场效应管
2SJ243 2SJ305 2SK1824 2SK2158 2SK3018 2SK94 3SK1276 BSP225 BSS123 BSS138 BST82 FDN335N FDN337N FDV303N FDV304P NDS352A NDS356A Si2301DS Si2302DS Si2303DS Si2304DS Si2305DS Si2308DS ……
KTC3265 KTC3875SY KTC3875GR KTC3876 KTC4075 KTC4076 KTC4373 KTD1898 KTC4376 MC2836 MC2838 M M B T 2 9 0 7 A LT 1 MMBT7002 M M B T 3 9 0 4 LT 1 M M B T 3 9 0 6 LT 1 MMBT4401 MMBT4403 M M B T 5 4 0 1 LT 1 M M B T 5 5 5 1 LT 1 M M B T 8 0 5 0 D大电流 M M B T 8 0 5 0 D小电流 MMBT8550D M M B T 8 5 5 0 D大电流 M M B T 8 5 5 0 D小电流 MMBT9012H M M B T 9 0 1 3 LT 1 M M B T 9 0 1 4 LT 1 M M B T 9 0 1 5 LT 1 M M B T 9 0 1 8 LT 1 M M B TA 4 2 LT 1 M M B TA 4 3 M M B TA 5 5 M M B TA 5 6 M M B TA 9 2 LT 1 MMST2222A MMST2907A MMST3904 MMST3906 MMST4401 MMST4403 M M S TA 4 2 M S TA 9 2 MMSZ5230B 2SB1218A PXT3906 RB706F-40 RN1042 2SA1015

78L05三极管规格书

　＊　三－端稳压器

＊　输出电流可达到１００ｍＡ

＊　无需外接元件

＊　内部热过载保护

＊　内部短路电流限制

＊　直接可以替代仙童公司

ｕＡ７８Ｌ０５

描述

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三极管9018规格书

三极管规格书

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三极管规格书

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FOSAN富信电子 三极管 M28S-产品规格书

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HT30,HT33,HT50三极管芯片规格书

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