IK2N60I TO251 MOS管 MOSFET 场效应管好
了解MOS管，看这个就够了！
了解MOS管，看这个就够了！MOS管学名是场效应管，是⾦属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。
本⽂就结构构造、特点、实⽤电路等⼏个⽅⾯⽤⼯程师的话简单描述。
其结构⽰意图：解释1：沟道上⾯图中，下边的p型中间⼀个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在⼀起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的⼀个重要参数就是导通电阻，选⽤mos管必须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型上图表⽰的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可。
因此，不难理解，n 型的如图在栅极加正压会导致导通，⽽p型的相反。
解释3：增强型相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。
栅极电压越低，则p型源、漏极的正离⼦就越靠近中间，n衬底的负离⼦就越远离栅极，栅极电压达到⼀个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离⼦连在⼀起，形成通道，就是图⽰效果。
因此，容易理解，栅极电压必须低到⼀定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越⼩。
由于电场的强度与距离平⽅成正⽐，因此，电场强到⼀定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n 型负离⼦的“退让”是越来越难的。
耗尽型的是事先做出⼀个导通层，⽤栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。
但这种管⼦⼀般不⽣产，在市⾯基本见不到。
所以，⼤家平时说mos管，就默认是增强型的。
解释4：左右对称图⽰左右是对称的，难免会有⼈问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。
但在实际应⽤中，⼚家⼀般在源极和漏极之间连接⼀个⼆极管，起保护作⽤，正是这个⼆极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实⽤。
我的⽼师年轻时⽤过不带⼆极管的mos管。
⾮常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐⼦⾥，它的源极和漏极就是随便接。
解释5：⾦属氧化物膜图中有指⽰，这个膜是绝缘的，⽤来电⽓隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是⽤电压控制的。
在直流电⽓上，栅极和源漏极是断路。
mos管在工业电源上的应用
MOS管在工业电源上的应用
MOS管在工业电源上的应用主要体现在以下几个方面：
1．开关应用：在工业电源中，MOS管可以作为开关使用，实现对输入电源的高效转换和调节。
通过快速切换MOS管的开关状态，可以改变输出电源的电压和电流，从而满足不同设备的电源需求。
2．保护电路：MOS管同时也可以用于保护电源电路。
当输出电流过大或者电源短路时，MOS管可以迅速切断电路，防止电源设备和负载设备受损。
3．精准控制：在复杂的电源管理系统中，MOS管也发挥着重要作用。
例如在电池管理系统中，MOS管可以精准地控制电池的充电和放电过程，以保护电池并延长其使用寿命。
4．增强系统性能：在智能电网和可再生能源系统中，MOS管也有广泛的应用。
例如在光伏发电系统中，MOS管可以用于最大功率点跟踪(MPPT)，从而大大提高了系统的发电效率。
5．放大电路：由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
此外，场效应管很高的输入阻抗非常适合做阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
6．可变电阻和恒流源：场效应管可以用作可变电阻和恒流源，这些应用在需要精确控制电阻或电流的情况下非常有用。
总的来说，MOS管在工业电源上的应用非常广泛，它不仅可以作为开关使用，还可以用于保护电路、精准控制以及增强系统性能等。
mos管 场效应管
mos管场效应管
MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种半导体器件，由金属氧化物半导体（MOS）组成。
它是一种负责电流的控制和放大的三极管。
MOS管具有低功耗、高频率操作、高输入电阻和快速开关特性等优点，因此被广泛用于电子设备中的放大、开关和电源控制等应用。
MOS管根据工作原理的不同，可分为n沟道MOS（NMOS）和p沟道MOS（PMOS）。
NMOS是由n型沟道构成，当在沟道上施加正电压时，会形成导通路径，使电流通过。
PMOS 则是由p型沟道构成，当在沟道上施加负电压时，会形成导通路径。
MOS管的导通和截断状态由栅极与沟道之间的电压控制。
MOS管还有一种常用的类型是CMOS（互补金属氧化物半导体），它由NMOS和PMOS组成，可以有效地减少功耗和提高性能。
CMOS在数字电路和集成电路中得到广泛应用。
总之，MOS管是一种重要的场效应管，具有许多优点，使其被广泛应用于各种电子设备中。
MOS管知识最全收录技术参数详解!MOS管的种类及结构
MOS管知识最全收录技术参数详解！MOS管的种类及结构
MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS 管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
MOS管的种类及结构
MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
图表1 MOS管的4种类型
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。
接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
图表2 MOS管内部结构图
从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。
MOS管工作原理
1N沟道增强型场效应管原理。
MOS管参数详解及驱动电阻选择修订稿
M O S管参数详解及驱动电阻选择WEIHUA system office room 【WEIHUA 16H-WEIHUA WEIHUA8Q8-MOS管参数解释MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。
MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。
MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS管原理
MOS管原理2011-04-15 15:48:23| 分类：循序渐进|字号订阅双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。
另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。
FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。
事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
首先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。
这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开（图1.22A）。
金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。
他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。
图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。
这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。
图1.22A中的MOS电容的GATE电位是0V。
金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。
图示的器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。
这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。
这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。
图1.22B中是当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCR ETEM OS FE T 2N7000 60V,0.115ATO-92 DISC RETEMOS F ET 2N700260V,0.2A S OT-23 DISC RETEMOS F ET IR F510A 100V,5.6A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A100V,14A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F540A 100V,28ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF610A 200V,3.3A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF620A 200V,5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF630A 200V,9A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF634A 250V,8.1A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F640A 200V,18ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF644A 250V,14A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF650A 200V,28A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A400V,3.3ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF730A 400V,5.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF740A 400V,10A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF750A400V,15A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F820A 500V,2.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF830A 500V,4.5A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF840A500V,8A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9520-100V,-6ATO-220 DIS CRETEDISCR ETEM OS FE T IRF9610-200V,-1.8A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRFP150A 100V,43A TO-3PD ISCRE TEMO S FET IRFP250A200V,32A T O-3PDISCR ETEM OS FE T IRF P450A 500V,14ATO-3P DISC RETEMOS F ET IR FR024A 60V,15AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR120A 100V,8.4A D-P AK DI SCRET EMOS FETIRFR214A 250V,2.2A D-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF R220A 200V,4.6A D-PA K DIS CRETEMOSFET I RFR224A 250V,3.8A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFR310A400V,1.7AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR9020 -50V,-9.9A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFS540A100V,17A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS634A 250V,5.8A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS644A250V,7.9ATO-220F DI SCRET EMOS FETIRFS730A 400V,3.9A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS830A 500V,3.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS9Z34-60V,-12ATO-220F DI SCRET EDISCR ETEM OS FE T IRF SZ34A 60V,20A T O-220FDIS CRETEMOSFET I RFU110A 100V,4.7A I-PAKD ISCRE TEMO S FET IRFU120A100V,8.4AI-PAKDISC RETEMOS F ET IR FU220A 200V,4.6A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF U410A 500V ,1.2A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU420A 500V,2.3A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF Z20A50V,15A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z24A60V,17A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z30 50V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ34A 60V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ40 50V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRFZ44A 60V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRLS Z14A60V,8A,Log ic TO-220F DISC RETEMOS F ET IR LZ24A 60V,17A,L ogicTO-220DIS CRETEMOSFET I RLZ44A 60V,50A,Logic TO-220DI SCRET EMOS FETSFP36N03 30V,36A TO-220D ISCRE TEMO S FET SFP65N0660V,65A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9540-100V,-17A TO-220DI SCRET EMOS FETSFP9634 -250V,-5A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9644-250V,-8.6A TO-220D ISCRE TEDISC RETEMOS F ET SF R9214 -250V,-1.53A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SFR9224-250V,-2.5A D-P AK DI SCRET EMOS FETSFR9310 -400V,-1.5AD-PAK DISC RETEMOS F ET SF S9630 -200V,-4.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF S9634 -250V,-3.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF U9220 -200V,-3.1A I-PAKD ISCRE TEMO S FET SSD2002 25V N/P Dua l 8SO P DIS CRETEMOSFET S SD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISC RETEMOS F ET SS D2101 30VN-chSingl e 8SO P DIS CRETEMOSFET S SH10N80A 800V,10A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH10N90A 900V,10ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H5N90A 900V,5ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H60N10 100V,60A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH6N80A 800V,6A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH70N10A 100V,70A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH7N90A900V,7A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSH9N80A800V,9A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSP10N60A 600V,9A T O-220 DISC RETEMOS F ET SS P1N60A 600V,1ATO-220DIS CRETEMOSFET S SP2N90A 900V,2A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP35N03 30V,35A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP3N90A900V,3A TO-220DISCR ETEDISC RETEMOS F ET SS P4N60AS 600V,4A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP4N90AS900V,4.5ATO-220 DIS CRETEMOSFET S SP5N90A 900V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP6N60A600V,6A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP70N10A 100V,55A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP7N80A800V,7A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP80N06A 60V,80ATO-220DIS CRETEMOSFET S SR1N60A 600V,0.9A D-PAKD ISCRE TEMO S FET SSR2N60A600V,1.8AD-PAK DISC RETEMOS F ET SS R3055A 60V,8A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F D ISCRE TEMO S FET SSS3N80A800V,2A TO-220F DISC RETEMOS F ET SS S3N90A 900V,2ATO-220FDI SCRET EMOS FETSSS4N60AS600V,2.3ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS4N90AS900V,2.8ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS5N80A 800V,3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS6N60600V, 3.2A TO-220(F/P) 。
MOS-场效应管的工作原理及特点
MOS-场效应管的工作原理及特点MOS 场效应管的工作原理及特点场效应管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。
有N沟道器件和P 沟道器件。
有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。
IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET（Metal Oxide SemIConductor FET）。
MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
增强型MOS(EMOS)场效应管道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。
在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。
P型半导体称为衬底(substrat)，用符号B表示。
一、工作原理1．沟道形成原理当Vgs=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压，不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS(th) 称为开启电压），通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。
耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。
进一步增加Vgs，当Vgs＞Vgs(th)时，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。
场效应管参数大全2
型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2518-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 20 502SK2519-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 402SK2520-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 302SK2521-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 18 502SK2522-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大300 18 402SK2523-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 602SK2524-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 402SK2525-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 802SK2526-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 5 602SK2527-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 5 402SK2528-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 4 802SK2529HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 35 2SK2530SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 2 20 2SK2532SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 10 40 2SK2533SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 2 20 2SK2534SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 16 502SK2538PANASONIC N-MOSFET,用于高速开关、高频功率放大250 2 302SK2539PANASONIC N-MOSFET,用于高频功率放大、模拟开关152SK2541NEC N-MOSFET,用于高速开关502SK2542TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流500 8 802SK2543TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流500 8 402SK2544TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流600 6 802SK2545TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动600 6 402SK2549TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动16 22SK2550TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动50 45 1002SK2551TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动50 50 1502SK2553HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2553L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2553S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2554HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 75 150型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2559SHINDENGEN N-MOSFET,用于DC-DC转换、DC12-24V输入电源200 10 402SK2560SHINDENGEN N-MOSFET,用于DC-DC转换、DC12-24V输入电源200 20 602SK2561-01R FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管600 9 802SK2562-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 7 802SK2563SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 4 302SK2564SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 8 502SK2568HITACHI N-MOSFET,用于开关整流、DC-DC转换500 12 1002SK2569HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关502SK2570HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关202SK2570-01MR FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管300 10 402SK2571PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源450 13 1002SK2571-01FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管300 10 802SK2573PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源500 20 1002SK2573-01FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管300 20 125 2SK2586HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 60 1252SK258H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大250 8 125 IRF2322SK2590HITACHI N-MOSFET,用于开关整流、DC-DC转换、电动机控制200 7 125502SK2592SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 13 60 2SK2593PANASONIC N-MOSFET,用于低频放大、开关552SK2597NEC N-MOSFET,用于900MHz基站便携式电话功率放大60 15 2902SK2598TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动250 13 602SK2599TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 22SK259H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大350 5 125 IRF3232SK2601TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 10 1252SK2602TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流600 6 1252SK2603TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 3 1002SK2604TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流800 5 1252SK2605TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流800 5 452SK2606TOSHIBA N-MOSFET,用于DC-DC转换、继电器和电动机驱动800 8 852SK2607TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 9 150型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2608TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流900 3 1002SK260H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大400 5 125 IRF3222SK261N-FET,功率放大,音频(低频) IRF5122SK2610TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 5 1502SK2611TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 9 1502SK2613TOSHIBA N-MOSFET,用于开关调整、DC/DC转换和电动机驱动300 32 2002SK2614TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 20 402SK2615TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动60 22SK2616SANYO N-MOSFET,用于高速开关500 2 302SK2617ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 5 252SK2617LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 4 252SK2618ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 302SK2618LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 5 302SK262N-FET,功率放大,音频(低频) IRF613 2SK2623SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 302SK2624ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 252SK2624FG SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 252SK2624FS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 252SK2624LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 3 252SK2625ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 5 302SK2625LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 4 302SK2627SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 5 402SK2628ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628FG SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628FS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 6 352SK263N-FET,功率放大,音频(低频) IRF613 2SK2631SANYO N-MOSFET,用于高速开关800 1 302SK2632LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用800 252SK2638-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 50型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2639-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 1002SK264N-FET,功率放大,音频(低频) IRF6122SK2640-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 502SK2641-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 1002SK2642-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 502SK2643-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 1252SK2645-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 502SK2646-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2647-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 402SK2648-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 9 1502SK2649-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 9 1002SK2651-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 502SK2652-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 1252SK2653-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 802SK2654-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 8 1502SK2655-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 8 1002SK266TOSHIBA 停产,N-FET,电容话筒专用15 PN4119A2SK2661TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 5 752SK2662TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 5 352SK2663SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 1 102SK2664SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 502SK2665SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 502SK2666SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 302SK2667SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 652SK2668SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电900 3 40源、高压电源、换流2SK2669SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 602SK2670SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 602SK2671SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 402SK2672SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 802SK2673SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 50型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2674SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 7 1002SK2675SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 7 552SK2676SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 10 1202SK2677SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 10 652SK2679TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 352SK2682LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 13 35 2SK2684HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2684L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2684S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 502SK2685HITACHI GAAS N-MOSFET,用于UHF低噪声放大62SK2687-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 50 602SK2688-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 50 602SK2689-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关30 50 402SK2690-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 80 1252SK2691-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大60 70 1002SK2695-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换700 5 602SK2698TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 15 1502SK2699TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 12 1602SK270TOSHIBA 停产,用2SK389代替,N-FET,配对管,音频（低频）40 U4052SK2700TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 3 402SK2701SANKEN N-MOSFET 450 7 35 2SK2702SANKEN N-MOSFET 450 10 35 2SK2703SANKEN N-MOSFET 450 10 75 2SK2704SANKEN N-MOSFET 450 13 40 2SK2705SANKEN N-MOSFET 450 13 75 2SK2706SANKEN N-MOSFET 450 18 85 2SK2707SANKEN N-MOSFET 600 35 2SK2708SANKEN N-MOSFET 600 7 402SK2709SANKEN N-MOSFET 600 852SK271TOSHIBA 停产,用2SK405代替,N-FET,功率放大,音频（低频）140 8 120 2SK405型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2710SANKEN N-MOSFET 600 12 85 2SK2715ROHM N-MOSFET，用于开关500 2 202SK2717TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 5 452SK2718TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 402SK2719TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 3 1252SK272TOSHIBA 停产,用2SK405代替,N-FET,功率放大,音频（低频）140 8 120 2SK2712SK2723NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 25 252SK2724NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 35 302SK2725HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 5 302SK2726HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 7 302SK2727HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 10 1002SK2728HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 18 1502SK2729HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 20 1502SK273GaAs,微波,超高频8 MGF-1400 2SK2730HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 25 1752SK2731ROHM N-MOSFET，用于开关302SK2733TOSHIBA路器、DC-DC转换和电动机驱动900 1 602SK2734HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 52SK2735HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 202SK2735L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 202SK2735S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 202SK2736HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 252SK2737HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 45 302SK2738HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 40 302SK274GaAs,微波,超高频8 MGF-1402 2SK2740ROHM N-MOSFET，用于开关600 7 302SK2741TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 52SK2742TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动100 32SK2744TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 45 1252SK2745TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 50 150型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2746TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动800 7 1502SK2749TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 7 1502SK275GaAs,微波,超高频8 MGF-14122SK2750TOSHIBA路器、DC-DC转换和电动机驱动600 352SK2751PANASONIC N-JFET,用于低频阻抗转换、红外传感器402SK2751J ON N-JFET,用于低频放大器、恒流源和阻抗转换等402SK2753-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大120 50 1502SK2754-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 802SK2754-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 802SK2755-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 18 1252SK2756-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 18 802SK2757-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2758-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2758-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2759-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 802SK276GaAs,微波,超高频 62SK2760-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大600 9 602SK2761-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大600 10 502SK2762-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2762-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、800 4 80DC-DC转换、一般功率放大2SK2763-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 1002SK2764-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2765-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 7 1252SK2766-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 7 802SK2767-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 802SK2768-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 802SK2768-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 802SK2769-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 402SK277N-MOSFET,功率场效应管350 7 100 BUZ632SK2770-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 100型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2771-01R FUJI N-MOSFET,用于开关900 9 100 2SK2775SANYO N-MOSFET,用于高速开关100 25 402SK2776TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 8 652SK2777TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 6 652SK2778SANKEN N-MOSFET 100 12 302SK2779SANKEN N-MOSFET 100 20 352SK278N-MOSFET,功率场效应管400 7 100 BUZ632SK2782TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 20 402SK2787LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用450 8 40 2SK2788HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 2 12SK2789TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动100 27 602SK279GaAs,功率放大,微波,超高频8 1 MGF-1801 2SK2792ROHM N-MOSFET,用于开关600 4 302SK2793ROHM N-MOSFET,用于开关500 5 302SK2796HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2796L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2796S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2798SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100V输入开关电源、高压电源、换流350 6 302SK2799SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100V输入开关电源、高压电源、换流350 10 502SK280GaAs,功率放大,微波,超高频 5 NE13783 2SK2800HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 40 502SK2802HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关302SK2803SANKEN N-MOSFET 450 3 302SK2804SANKEN N-MOSFET 450 5 352SK2805SANKEN N-MOSFET 450 15 802SK2806-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2807-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2807-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2808-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 202SK2809-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大60 50 50第59页共120页型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK281GaAs,超高频,甚高频 5 NE218892SK2823TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关202SK2824TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关202SK2825TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关202SK2826NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 70 100 2SK2827-01FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 602SK2828HITACHI N-MOSFET,高速功率开关,用于开关整流、DC-DC转换700 12 1752SK283N-FET,激励、驱动802SK2832-01FUJI N-MOSFET,用于开关60 50 80 2SK2833-R FUJI N-MOSFET,用于开关120 50 100 2SK2834-01FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 802SK2835TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动200 52SK2836TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 12SK2837TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 20 1502SK2838TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 402SK2839TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动30 102SK283R3N-FET,激励、驱动80 2SK283R4N-FET,激励、驱动80 2SK283R5N-FET,激励、驱动80 2SK283R6N-FET,激励、驱动802SK2841TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 10 802SK2842TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 12 402SK2843TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 10 452SK2844TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动30 35 602SK2845TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 1 402SK2846TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 22SK2847TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 8 852SK2848SANKEN N-MOSFET 600 2 30 2SK2849-01L FUJI N-MOSFET,用于开关200 18 502SK2849-01S FUJI N-MOSFET,用于开关900 6 125型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2850-01FUJI N-MOSFET,用于开关200 18 50 2SK2851HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 52SK2854TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段放大102SK2855TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段放大10 12SK2856TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段低噪声放大 32SK2858NEC N-MOSFET,用于高速开关302SK2859SANYO N-MOSFET,用于高速开关100 22SK286N-FET,功率放大,音频(低频) 60 8 1002SK2862TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 3 252SK2864SANYO N-MOSFET,用于高速开关200 20 502SK2865TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 2 202SK2866TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 10 1252SK2869HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 20 302SK2870-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2870-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2871-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2872-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 302SK2873-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 602SK2874-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2874-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2875-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2876-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 302SK2877-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 602SK2879-01FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 20 1502SK287K N-FET,高频放大(射频放大),功率放大,开关60 8 1002SK2882TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动150 18 452SK2883TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 8 752SK2884TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换800 5 1002SK2885HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 75 2SK2885L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 75型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2885S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 75 2SK2886TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路60 45 40器、DC-DC转换和电动机驱动2SK2887ROHM N-MOSFET,用于开关200 3 20 2SK2889ROHM N-MOSFET,用于开关600 10 1002SK288K N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大,开关80 8 1002SK2890-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 50 502SK2891-01FUJI N-MOSFET,用于开关30 100 1252SK2892-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 90 1002SK2893-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 100 1502SK2894-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 100 1252SK2895-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2896-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2897-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 402SK2898-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1502SK2899-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1252SK289H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大,开关80 8 1002SK2900-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2901-01L FUJI N-MOSFET,用于开关60 45 60 2SK2901-01S FUJI N-MOSFET,用于开关60 45 602SK2902-01MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 402SK2903-01MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 50 502SK2904-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 80 1252SK2905-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 70 1002SK2906-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1502SK2907-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1252SK2908-01FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换600 9 602SK2909SANYO N-MOSFET,用于高速开关202SK290H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大,开关100 8 1002SK291HITACHI N-JFET,用于低频低噪声放大15 2SK2911SANYO N-MOSFET,用于高速开关100型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2912HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 40 50 2SK2912L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 40 50 2SK2912S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 40 502SK2914TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动250 202SK2915TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 16 1502SK2916TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 14 802SK2917TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 18 902SK2918-01FUJI N-MOSFET,用于开关200 20 80 2SK2919SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 2 35 2SK292N-FET,调频,调谐202SK2920TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动200 5 202SK2922HITACHI N-MOSFET,高速功率开关10 3 2SK2925HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 10 20 2SK2925L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 10 20 2SK2925S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 10 20 2SK2926HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 15 25 2SK2926L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 15 25 2SK2926S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 15 25 2SK2927HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 10 30 2SK2928HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 15 40 2SK2929HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 25 50 2SK293N-FET,功率放大,音频(低频) 300 7 100 2SK2930HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 35 50 2SK2931HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 45 75 2SK2932HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 10 202SK2933HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 10 20 2SK2934HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 25 25 2SK2935HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 35 30 2SK2936HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 45 35 2SK2937HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 25 25型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2938HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 25 50 2SK2938L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 25 50 2SK2938S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 25 50 2SK2939HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 35 50 2SK2939L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 35 50 2SK2939S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 35 50 2SK293A N-FET,功率放大,音频(低频) 300 7 100 2SK294N-FET,功率放大,音频(低频) 80 5 30 2SK2940HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 45 75 2SK2940L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 45 75 2SK2940S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 45 75 2SK2941NEC N-MOSFET,用于大电流开关30 35 602SK2949TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 10 802SK295N-FET,功率放大,音频(低频) 100 5 302SK2951SANYO N-MOSFET,用于高速开关200 12SK2952TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器400 402SK2953TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 15 902SK2954-MR FUJI N-MOSFET,用于开关100 30 50 2SK2955HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 45 100 2SK2956HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 50 35 2SK2957HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 50 75 2SK2957L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 50 75 2SK2957S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 50 75 2SK2958HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 75 100 2SK2958L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 75 100 2SK2958S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 75 100 2SK296N-FET,功率放大,音频(低频) 300 1 302SK2961TOSHIBA N-MOSFET,用于高速开关、继电器、电动机驱动、DC-DC转换60 22SK2962TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动100 12SK2963TOSHIBA N-MOSFET,用于高速开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动100 1型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2964TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动30 22SK2965TOSHIBA整流、DC-DC转换和电动机驱动200 11 352SK2967TOSHIBA N-MOSFET,用于高速开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动250 30 1502SK2968TOSHIBA N-MOSFET,用于高速开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 10 1502SK2969SANYO N-MOSFET,用于高速开关302SK2972TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流500 10 402SK2973MITSUBISHI N-MOSFET,用于VHF/UHF功率放大器172SK2974MITSUBISHI N-MOSFET,用于VHF/UHF功率放大器17 102SK2975MITSUBISHI N-MOSFET,用于VHF/UHF功率放大器30 102SK2976SANYO N-MOSFET,DC-DC转换30 15 202SK2977LS SANYO N-MOSFET,DC-DC转换30 30 302SK2978HITACHI N-MOSFET,高速功率开关20 12SK298N-FET,功率放大,音频(低频) 400 8 100 BUP61 2SK2980HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 12SK2981NEC N-MOSFET,用于大电流开关30 20 202SK2983NEC N-MOSFET,用于大电流开关30 30 502SK2984NEC N-MOSFET,用于大电流开关30 40 602SK2985TOSHIBA N-MOSFET,用于大电流开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动60 45 452SK2986TOSHIBA N-MOSFET,用于大电流开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动60 55 1002SK2987TOSHIBA N-MOSFET,用于大电流开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动60 70 1502SK2989TOSHIBADC-DC转换和电动机驱动50 52SK299N-FET,功率放大,音频(低频) 450 8 100 BUZ462SK2991TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 5 502SK2992TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动200 12SK2993TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动250 20 1002SK2995TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动250 30 902SK2996TOSHIBA N-MOSFET,用于高速大电流开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 10 452SK2998TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高压开关、断路器、DC-DC转换5002SK30TOSHIBA 停产,用2SK30ATM代替,N-FET,音频(低频)50 BF2442SK300SONY N-FET,高频放大（射频放大）,甚高频,视频15 2SK152型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK30-0TOSHIBA 停产,用2SK30ATM代替,N-FET,音频(低频)502SK3000HITACHI N-MOSFET,低频功率开关40 12SK3004SANKEN N-MOSFET 250 18 35 2SK3009SHINDENGEN N-MOSFET,低频功率开关600 8 60 2SK301PANASONIC 硅N-JFET,用于低频放大、开关，55V/ 552SK3012SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 12 1252SK3013SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 16 702SK3017TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 902SK3018ROHM N-MOSFET,小开关，用于便携仪表302SK3019ROHM N-MOSFET,小开关，用于便携仪表302SK301A PANASONIC 硅N-JFET,用于AF放大、开关，55V/ 552SK302TOSHIBA N-MOSFET,用于FM调谐、VHF RF 放大20 TM0104N82SK3022PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源60 5 102SK3023PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源60 10 102SK3024PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源60 20 202SK3025PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源60 30 202SK3026PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源60 40 502SK3027PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源60 50 602SK3028PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源60 100 1002SK3029PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、100 5 10开关电源2SK303SANYO N-JFET,低频一般放大30 2SK3042SK3030PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源100 8 102SK3031PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源100 15 202SK3032PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源100 25 102SK3033PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源100 40 602SK3034PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源100 40 602SK3035PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源150 3 102SK3036PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源150 6 202SK3037PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源150 10 202SK303J ON N-JFET,硅N沟道结型场效应管,用于电压计、传感器、模拟开关、麦克风、音频设备。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料场效应管（MOS管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
在设计和选择MOS管时，我们通常需要考虑一些参数，如型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。
下面是一些常用的全系列MOS管型号参数封装资料：1.型号：MOS管有许多不同的型号，每个型号都有不同的特性和应用场景。
常见的MOS管型号有IRF44N、IRFP22N、IRF520N等。
2.封装形式：MOS管的封装形式有多种，常见的封装形式有TO-220、TO-247、DPAK、SOT-23等。
不同的封装形式适用于不同的应用场景，如TO-220适用于高功率应用，SOT-23适用于小功率应用等。
3.工作电压：MOS管的工作电压范围是选择MOS管时需要注意的一个重要参数。
常见的工作电压范围有10V、30V、60V、100V等。
4.电流：MOS管的电流处理能力也是一个重要的参数。
通常以最大电流（ID）来表示，最大电流是指在特定的工作条件下，MOS管能够承受的最大电流。
常见的最大电流有1A、5A、10A、20A等。
5.功率：MOS管的功率参数也需要考虑，在一定的工作电压和电流下，MOS管能够承受的最大功率是通过最大电流和额定工作电压计算得出的。
常见的功率参数有10W、50W、100W等。
6.频率特性：MOS管的频率特性也是一个重要的参数，表示MOS管在特定频率下的响应能力。
常见的频率特性有数十kHz、数百kHz、MHz等。
综上所述，常用全系列MOS管型号参数封装资料包括型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。
在选择MOS管时，我们需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑这些参数，并选择最适合的型号和封装形式。
通过合理选择和使用MOS管，可以有效地满足电路设计和应用需求。
大功率mos管选择方法
大功率mos管选择方法1.引言1.1 概述概述部分的内容应该对文章主题进行简要介绍，提供读者对该主题的基本了解。
以下是一个可能的概述部分的内容：引言部分是对文章主题"大功率mos管选择方法"的简要介绍。
本文将介绍如何有效选择大功率MOS管，以满足不同应用领域对功率器件的需求。
在当今现代电子设备快速发展的背景下，大功率MOS管作为一种重要的功率器件，被广泛应用于各种电路和系统中。
它们在功率放大、开关和控制等方面具有出色的性能。
然而，选择适当的大功率MOS管并不是一件简单的任务。
不同的应用场景对功率管的要求不一样，例如负载特性、耐压能力、开关速度和导通损耗等。
因此，本文旨在给出一些选择大功率MOS管的方法和准则，以帮助读者更加深入地了解大功率MOS管的特性和选择适合的器件。
在正文中，我们将重点介绍一些基本的选择要点，包括如何确定功率需求、选择合适的耐压能力和导通损耗等。
最后，本文将总结这些要点，并提供一些关于如何选择大功率MOS管的建议，以供读者参考。
通过本文的阅读，读者将能够更好地理解大功率MOS管的选择方法，并在实际应用中更好地应对不同的需求。
文章结构部分是对整篇文章内容的概括和安排的说明，用于引导读者对文章的整体结构有一个清晰的认识。
下面是文章1.2 文章结构部分的内容：1.2 文章结构本文将以以下几个部分来展开对大功率MOS管选择方法的探讨：1. 引言：在这一部分，我们将简要地介绍大功率MOS管在电子设备中的重要性和应用领域，并阐述为什么选择合适的大功率MOS管对于电路设计具有关键意义。
2. 正文：在正文部分，我们将重点关注两个要点。
首先，我们将详细介绍大功率MOS管的基本工作原理和特性，包括结构、导通与截止状态等。
然后，我们将提供一些选择大功率MOS管的关键标准和方法，其中包括最大耗散功率、最大漏极电压、开启电阻、电流承载能力等参数的综合考虑，以及根据所需功率、电压等需求进行详细筛选的技巧和技术。
场效应管的特点,及管脚极性、好坏的判别
场效应管的特点，及管脚极性、好坏的判别场效应管与三极管相似，但两者的控制特性却截然不同，三极管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，即需要信号源提供一定的电流才能工作，因此，它的输入电阻较低，场应管则是电压控制元件，它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以，它的输入阻抗很高，此外，场效应管还具有开关速度快、高频特性好、热稳定性好，功率增益大、噪声小等优点，因此，在手机电路中得到了广泛的应用。
场效应管分为普通场效应管和组合场效应管，外观结构和普通三极管及组合三极管相似，维修和代换时应注意区分。
场效应管按其结构的不同可分为结型场效应管和绝缘栅(金属氧化物)场效应管两种类型，其中金属氧化物场效应管在手机中应用最多。
手机使用的金属氧化物功率场效应管，多数采用N沟道场效应管，个别则采用了P沟道场效应管，检修时应加以区分。
1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。
若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。
如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。
同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。
2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡，测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值，其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚是D极与S极，则另一引脚未接表笔为G极。
(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。
在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。
MOSFET品牌大集结
MOSFET品牌大集结引言概述：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子设备中的功率开关和放大电路中。
随着市场需求的不断增长，各个品牌的MOSFET产品也在不断涌现。
本文将为大家介绍一些知名的MOSFET品牌，帮助大家更好地了解市场上的选择。
一、Infineon1.1 Infineon是一家德国半导体公司，拥有丰富的MOSFET产品线，涵盖了各种功率等级和封装形式。
1.2 Infineon的MOSFET产品具有优良的性能和稳定的质量，广泛应用于汽车电子、工业控制和消费电子等领域。
1.3 Infineon的MOSFET产品在市场上享有很高的声誉，深受客户信赖。
二、STMicroelectronics2.1 STMicroelectronics是一家总部位于瑞士的半导体公司，也是全球领先的MOSFET供应商之一。
2.2 STMicroelectronics的MOSFET产品具有高效率、低功耗和高可靠性的特点，适用于各种应用场景。
2.3 STMicroelectronics不断推出新品，满足客户不断增长的需求，在市场上具有很强的竞争力。
三、Vishay3.1 Vishay是一家美国半导体公司，拥有丰富的MOSFET产品系列，覆盖了各种功率等级和封装形式。
3.2 Vishay的MOSFET产品具有高性能、高可靠性和良好的稳定性，被广泛应用于通信、工业和汽车电子等领域。
3.3 Vishay致力于不断提升产品质量和技术水平，赢得了客户的信赖和好评。
四、Fairchild Semiconductor4.1 Fairchild Semiconductor是一家美国半导体公司，也是MOSFET领域的知名品牌之一。
4.2 Fairchild Semiconductor的MOSFET产品具有优良的性能和稳定的质量，广泛应用于电源管理、汽车电子和消费电子等领域。
4.3 Fairchild Semiconductor不断推出创新产品，满足客户不断变化的需求，赢得了广泛的市场认可。
1n60场效应管参数
哎呀，你这问题一出来，我就知道咱们得聊聊电子元件了。
1N60场效应管，这玩意儿在电子爱好者圈子里可是个老熟人了。
不过，别急，我慢慢给你道来。
首先，1N60场效应管，它是一种N沟道增强型场效应管（N-Channel Enhancement MOSFET），这名字听起来挺唬人的，其实就是一种用来控制电流的半导体器件。
它有个特点，就是“增强型”，意味着在没有输入信号的时候，它是关闭的，得有信号来“增强”它，它才会导通。
咱们来聊聊它的参数，这可是挑选场效应管时的关键。
1N60的参数，那可真是得好好说说：1.最大漏极电流（ID）：这个参数告诉你，这个管子能承受的最大电流。
1N60的最大漏极电流是60A，这可是个不小的数字，意味着它能够处理相当大的电流。
2.最大漏源电压（VDS）：这个参数是说，这个管子在漏极和源极之间能承受的最大电压。
1N60的最大漏源电压是100V，这在很多应用中都是足够的。
3.最大功耗（PD）：这个参数告诉你，这个管子能承受的最大功耗。
1N60的最大功耗是150W，这在很多电子项目中都是绰绰有余的。
4.导通电阻（RDS(on)）：这个参数很重要，它告诉你当管子导通时，它的内部电阻有多大。
1N60的导通电阻是0.35欧姆，这个值越小，说明管子导通时损耗越小，效率越高。
5.栅极阈值电压（VGS(th)）：这个参数告诉你，需要多大的电压才能让管子开始导通。
1N60的栅极阈值电压是2-4V，这个范围挺宽的，意味着你可以根据需要调整输入电压来控制管子的导通状态。
6.最大栅极电压（VG）：这个参数是说，这个管子的栅极能承受的最大电压。
1N60的最大栅极电压是20V，这个值得注意，别超过它，否则栅极可能会损坏。
这些参数，就像是1N60的身份证一样，每个参数都对应着它在电路中的表现。
你要是想用好这个管子，这些参数就得记清楚了。
不过，别担心，用多了自然就熟悉了。
最后，别忘了，虽然1N60挺强大的，但用的时候还是得小心，别超过它的参数限制，不然它可是会“发脾气”的。
2n60场效应管启动电压
2n60场效应管启动电压
【原创版】
目录
1.2n60 场效应管的概述
2.2n60 场效应管的启动电压
3.2n60 场效应管的应用领域
正文
【2n60 场效应管的概述】
2n60 场效应管是一种由 N 沟道和 P 沟道组成的三极管，具有高输入阻抗和低噪声等优点。
它是一种常用的场效应管，广泛应用于各种电子设备和电路设计中。
【2n60 场效应管的启动电压】
2n60 场效应管的启动电压是指在开启状态下，源极和漏极之间的电压。
根据 2n60 场效应管的特性，其启动电压通常在 0.3-0.7V 之间。
需要注意的是，启动电压并不是一个固定的值，它会受到温度、制造工艺等因素的影响。
【2n60 场效应管的应用领域】
2n60 场效应管因其良好的性能特性，被广泛应用于各种电子设备和电路设计中，包括但不限于以下几个领域：
1.放大器电路：2n60 场效应管的高输入阻抗和低噪声特性，使其在放大器电路中具有优越的表现。
2.开关电路：2n60 场效应管可以作为开关元件，用于控制电路的通断。
3.电源电路：2n60 场效应管可以用于调整电源电压，提高电源的稳
定性。
4.信号处理电路：2n60 场效应管可以用于信号放大、滤波等信号处理任务。
开关mos管选型参数
开关mos管选型参数在开关MOS管的选型中，咱们可得先聊聊这些小家伙到底是什么。
MOS管，简单来说，就是一种可以用来控制电流的电子元件。
你可以把它想象成电路里的“门”，当你给它信号时，这扇门就打开，电流就可以顺畅地通过，反之亦然。
别小看这小玩意，它的作用可大了！选对了合适的MOS管，电路就能如虎添翼，工作得相当顺畅。
可要是选错了，那可真是自食其果，麻烦不断。
说到选型参数，首先我们得看看导通电阻。
想象一下，如果你开门的时候发现门锁坏了，那可就尴尬了。
导通电阻越小，电流通过的阻力就越小，简直就是开门不费劲。
想象一下你在家里开门，门口堆满了东西，哎呀，真是麻烦得不行。
而低导通电阻就能让电流如沐春风，自在流动，效率自然高得多。
别忘了，还得考虑最大漏电流。
这个就像是你家里水管的漏水，漏得多，水费可就飞涨。
漏电流大，就代表着你使用过程中会有更多的电流流失，这可不是我们想要的。
耐压也是个大问题。
想象一下，如果你拿了个小伞，却在暴风雨中去挡雨，那绝对是自找苦吃。
耐压就是MOS管可以承受的电压大小，电压超过了它的承受能力，那小家伙可就会“罢工”，搞不好还会烧掉，真是得不偿失。
这里还得提一提开关频率，电路工作得越快，MOS管的开关频率就得跟上，不然电路可是会被拖慢脚步。
想象一下你参加了一场马拉松，结果你的跑鞋拖沓得像牛，速度怎么可能快得起来？还有一个非常关键的参数就是门极驱动电压。
这就像是你对孩子的要求，得给点激励，才能让他学习更努力。
门极驱动电压越高，MOS管的开关速度就越快，当然也越能抵挡噪声干扰。
这里面可得花点心思，选个合适的电压值，这样电路才能保持高效运转。
当然了，使用环境也是不能忽视的。
比如说你去海边度假，结果发现那海风劲吹，沙子满天飞，哦，那就真是悲剧了。
MOS管的工作环境温度、湿度、甚至是防尘等级都得考虑清楚，万一环境不合适，那它可就成了“无米之炊”，根本发挥不出应有的性能。
还有一项就是热阻。
这可是一门大学问啊，简单来说，热阻就是MOS管在工作时产生热量的散发能力。
mos管中低压 -回复
mos管中低压-回复何为mos管？MOS管，全称为金属氧化物半导体场效应管，是一种非常重要的电子元器件。
它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和金氧硅（Gate Oxide）构成，是集成电路中最常见的晶体管之一。
MOS管具有电晶体管（BJT）无法比拟的优势，例如更低的功耗、更高的开关速度及更强的抗噪声能力。
MOS管的工作原理MOS管的工作原理是利用场效应控制电流。
它有一个金属栅极（Gate）、一个N型或P型半导体的通道（Channel）和两个控制电极（Source和Drain）。
当电压施加在金属栅极上时，产生的电场会改变通道的电阻。
这个改变可以控制从源极到漏极的电流流动，从而实现对电流的控制。
MOS管的分类根据工作电压和电流的不同，MOS管被分为高压MOS管、中压MOS管和低压MOS管。
本文主要讨论中低压MOS管。
中低压MOS管的特点中低压MOS管是指工作电压在几十伏至几百伏之间的MOS管。
相对于高压MOS管，中低压MOS管有以下特点：1. 低功耗：中低压MOS管的工作电压较低，通常在60V以下，因此，相同电流情况下，中低压MOS管的功耗较低。
2. 高开关速度：中低压MOS管具有较低的输入和输出电容，因此开关速度更快，适合高频操作。
3. 抗噪声能力强：由于MOS管的结构特点，中低压MOS管的抗噪声能力较高，可以在各种环境下保持稳定的工作。
4. 成本较低：相对于高压MOS管，中低压MOS管的制造成本较低，适用于大规模的生产。
中低压MOS管的应用领域中低压MOS管具有多种应用领域，以下列举其中几个常见的领域：1. 电子消费品：中低压MOS管被广泛应用于电视机、音响、移动通信等消费电子产品中。
由于其低功耗和高开关速度，可以提高电子设备的效率和性能。
2. 照明产业：中低压MOS管在LED照明中扮演着重要角色。
它可以控制LED的亮度和调节，实现节能、环保的照明控制。
3. 太阳能电池：中低压MOS管被用于太阳能电池的充电和电流调节。
大电流mos管型号
大电流mos管型号
大电流mos管是一种晶体管，能够处理高电流和高电压。
它广泛应用于高功率的电子设备、汽车电子、工业自动化等领域。
以下是几种常见的大电流mos管型号：
1. IRFP460：这是国际整流器公司生产的一款大功率mos管，最大漏极电流可达20安培，最大漏极电压可达500伏特。
2. IXFN44N50Q2：这是英飞凌公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达44安培，最大漏极电压可达500伏特。
3. FGH40N60SFD：这是富士电机公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达40安培，最大漏极电压可达600伏特。
4. STW45NM50FD：这是意法半导体公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达45安培，最大漏极电压可达500伏特。
以上是几种常见的大电流mos管型号，它们在高功率电子设备、汽车电子、工业自动化等应用领域中有着广泛的应用。
- 1 -。
电机驱动mos管发热原因
电机驱动mos管发热原因电机驱动MOS管发热是电机驱动系统中常见的问题。
在电机驱动过程中，MOS管是常用的功率开关元件，用于控制电机的启停和速度调节。
然而，MOS管在工作过程中会产生一定的热量，这主要是由于以下几个原因。
MOS管的导通和截止过程中存在导通电阻和截止电阻。
当MOS管导通时，导通电阻会引起一定的功率损耗，导致MOS管发热。
当MOS管截止时，截止电阻同样会引起功率损耗，导致MOS管发热。
因此，MOS管的导通和截止过程需要合理控制，减少功率损耗，降低发热。
MOS管的开关速度也会对发热产生影响。
开关速度过快，会导致开关过程中存在过渡电阻，增加了导通和截止过程的功率损耗，从而增加了发热。
因此，在设计电机驱动系统时，需要综合考虑MOS 管的开关速度，选择合适的驱动电路，以减少发热。
电机的负载特性也会对MOS管的发热产生影响。
电机的负载特性包括电机的负载电流和负载电压。
当电机的负载电流和负载电压较大时，MOS管会承受较大的功率，导致发热增加。
因此，在电机驱动系统设计中，需要根据实际负载特性选择合适的MOS管，以减少发热。
MOS管的工作温度也会影响发热。
MOS管的工作温度过高会导致器件损坏，降低其可靠性。
因此，在电机驱动系统设计中，需要合理设计散热系统，提高MOS管的散热效果，保持MOS管的工作温度在安全范围内，以减少发热。
电机驱动MOS管发热的原因主要包括导通和截止过程中的功率损耗、开关速度、电机负载特性和工作温度等因素。
在电机驱动系统设计中，需要合理选择MOS管，控制开关速度，优化电机负载特性，并合理设计散热系统，以减少MOS管的发热，确保系统的稳定性和可靠性。
东芝mos管原理
东芝mos管原理东芝MOS管是一种常见的金属氧化物半导体场效应管，也被称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。
它是一种用于放大和开关电路的电子元件，具有高效率、高速度和低功耗等优点，在现代电子设备中得到广泛应用。
东芝MOS管的原理基于场效应管的工作机制。
在MOS管中，有三个重要的区域：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。
栅极和源极之间通过一层绝缘层隔开，形成了MOS结构，而漏极则与源极相连。
当施加一个正电压到栅极时，栅极和源极之间形成了一个电场，这个电场可以控制漏极和源极之间的电流流动。
在无外加电压的情况下，绝缘层中的电荷会阻止电流的流动，这时MOS管处于关闭状态。
当施加一个正电压到栅极时，电场的作用使得绝缘层中的电荷被引入栅极附近，从而形成了一个导电通道。
此时，漏极和源极之间的电流可以通过这个通道流动，MOS管处于导通状态。
MOS管的导通和截止状态可以通过栅极电压的大小来控制。
当栅极电压较低或为零时，MOS管处于截止状态，电流流动被阻断；当栅极电压较高时，MOS管处于导通状态，电流可以流动。
东芝MOS管的特点之一是具有低开关损耗。
在导通状态下，MOS管的内部电阻很小，能够实现低电压下的高电流传输。
同时，由于MOS管的导通和截止状态可以通过栅极电压来控制，所以能够实现快速的开关操作。
东芝MOS管还具有较高的工作频率和较低的功耗。
由于MOS管的导通电阻较小，所以能够在较高的频率下工作。
同时，由于MOS管只需要极少的功率来控制其导通和截止状态，所以具有较低的功耗。
总结一下，东芝MOS管是一种基于场效应管原理的电子元件，具有高效率、高速度和低功耗等优点。
它通过栅极电压的调节来控制电流的流动，从而实现了放大和开关电路的功能。
在现代电子设备中，东芝MOS管得到广泛应用，为我们的生活带来了许多便利。
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N channel 600V MOSFET
Features
• R DS(on) ≦5Ω( Max.)@ V GS = 10V • Low Gate Charge ( Typ. 9.0nC) • Fast Switching
• Avalanche energy specified • Improved dv/dt capability
Description
The IK2N60I N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switchingconverters, solenoid, motor drivers, relay drivers.
Pin configuration
Maximum Ratings Tc = 25℃ unless otherwise noted*
Thermal Characteristics
N channel 600V MOSFET
Electrical characteristics (TA =25℃ Unless Otherwise Specified)
Notes :a. pulse test:pulse width 300 us,duty cycle 2% ,Guaranteed by design,not subject to production testing.
b. IKsemicon reserves the right to improve product design,functions and reliability without notice.
N channel 600V MOSFET
Typical Characteristics (TJ =25℃ Noted)
On-Region Characteristics Drain-Source Voltage,V DS(V)
Transfer Characteristics Gate-Source Voltage,V GS(V)
On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage
Drain Current,I D(A) Body Diode Forward Voltage Variation vs.Source Current and Temperature
Source-Drain Voltage,V SD(V)
Capacitance vs. Drain-Source Voltage Drain Source Voltage V DS (V) Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage Total Gate Charge,Q G(nC)
R D
S
( o n ) (Ω)
N channel 600V MOSFET
Mechanical Dimensions
Label size: 7cm*4cm
N channel 600V MOSFET
Packing specification
Common Packing：（5 inner boxes/carton）
Label on the Inner Box
Blue nail
White nail
Bubble paper
Inner Box: 577 mm×162mm×53mm
Label on the Outer Box
QA Label
Seal the box
with the tape
Stamp “EMPTY”
on the empty box
Outer Box: 594 mm× 292mm× 185mm。