第七讲 存储器概述及主存储器(SRAM)
sram和dram的工作原理
sram和dram的工作原理
SRAM 和 DRAM 都是存储器的类型，其主要性能指标包括存储容量、存储时间、存储周期和存储器带宽。
SRAM(Static Random Access Memory) 是一种静态存储器，它的存储器单元是由触发器组成的，每个触发器存储一个二进制位。SRAM 的读写操作需要通过触发器的开关状态来实现，因此它的读写操作时间较长，但是存储时间较短，可以实现高速读写。
DRAM(Dynamic Random Access Memory) 是一种动态存储器，它的存储器单元是由存储电容和正反馈电路组成的，每个存储器单元存储一个二进制位。DRAM 的读写操作需要通过改变存储电容的电荷来实现，因此它的读写操作时间较短，但是存储时间较长。DRAM 通常用于存储计算机中的内存数据，可以实现高速读写。
在 SRAM 和 DRAM 中，存储器单元的刷新是非常重要的。存储器单元的刷新是通过将新的数据写入存储器单元中来掩盖存储器单元
中已经存在的电荷，使得存储器单元中的数据保持不变。如果不进行存储器单元的刷新，存储器单元中的数据将随着时间的推移而丢失。 SRAM 和 DRAM 的工作原理区别在于它们的存储器单元的结构不同，以及它们的读写操作方式不同。SRAM 的读写操作时间较长，但是存储时间较短，可以实现高速读写;DRAM 的读写操作时间较长，但是存储时间时间较长，可以实现高速读写。
SRAM总结
SRAM总结
SRAM（Static Random-Access Memory）是一种常用的存储器件，它在计算机
硬件系统中扮演重要的角色。本文将对SRAM进行详细介绍，包括其原理、结构、特点、应用和发展方向。
1. SRAM原理
SRAM是一种随机存取存储器，它使用了静态电荷的方式存储数字信息。相比
于另一种常见的存储器件DRAM（Dynamic Random-Access Memory），SRAM不
需要周期性刷新，因此读写速度更快。
SRAM由一系列存储单元组成，每个存储单元由一个触发器和至少两个传输门
构成。这些传输门用于控制触发器的读写操作。当使能信号到达时，传输门打开，允许数据在触发器之间传递。
2. SRAM结构
SRAM由存储单元和控制电路组成。存储单元包括存储位和字线。存储位是由
触发器构成的，每个触发器可以存储一个比特的数据。字线用于在存储单元之间传递数据。控制电路用于发出控制信号，包括读、写和使能等信号。
SRAM的结构可以分为两种类型：单端口结构和双端口结构。单端口结构只能
通过一个地址端口进行读写访问，而双端口结构则可以同时通过两个地址端口进行读写操作，提高了读写效率。
3. SRAM特点
SRAM具有以下几个特点：
3.1 高速读写
相比于DRAM，SRAM具有更快的读写速度。这是因为SRAM的存储单元是基
于触发器实现的，数据可以直接从触发器读取，而不需要进行周期性刷新。
3.2 高可靠性
由于SRAM使用静态电荷来存储数据，而不是电容，所以它具有较高的可靠性。即使在断电或电压幅度变化的情况下，SRAM也可以保持数据的稳定性。
sram的名词解释
sram的名词解释
SRAM，即静态随机存储器（Static Random Access Memory），是一种常用的计算机内存储器。与动态随机存储器（DRAM）相比，SRAM具有更高的工作速度和更低的能耗。
一、SRAM的结构和工作原理
SRAM一般由六个晶体管组成，包括两个交叉连接的CMOS反相器（CMOS Inverter）和两个存储每位数据的传输门（Transmission Gate）。
SRAM的工作原理相对简单，当输入信号时钟引脚为高电平时，反相器的输出会被存储在另一个反相器中。当时钟引脚为低电平时，SRAM的存储内容不会发生改变。
二、SRAM与DRAM的区别
SRAM与DRAM是计算机内存中最为常见的两种技术，它们在结构和性能上存在明显区别。
1.结构区别：
SRAM由多个晶体管构成，每个存储位使用4-6个晶体管来保持数据。而DRAM则使用一对存储电容器（一个存储位一个电容器）来存储数据。
2.性能区别：
SRAM具有更快的访问速度和更低的延迟，因为数据直接存储在晶体管中，而不需要刷新电容，这使得SRAM适用于高性能计算任务。而DRAM需要周期性地刷新电容以保持数据的稳定性，因此访问速度较慢。
3.功耗区别：
由于SRAM的存储位不需要刷新，因此相对较低的功耗是SRAM的优势之一。而DRAM的刷新过程需要消耗额外的能量，导致功耗较高。
4.容量区别：
由于SRAM每个存储位所需晶体管多，因此相对于DRAM来说，相同容量的SRAM所占面积更大，造成成本上的不利因素。
三、SRAM的应用领域
SRAM由于其快速的访问速度和低能耗等优势，在许多领域得到了广泛的应用。
存储器概述及主存储器SRAM
存储器的技术指标
存取时间：从存储器读取或 写入数据所需的时间
存储容量：表示存储器能够 存储的数据量
可靠性：存储器能够保证数 据正确存储和读取的能力
能耗：存储器在工作过程中 消耗的能量
存储器的发展历程
存储器概述：介绍存储器的定义、分类和作用
发展历程：从最早的磁带存储器到现代的闪存技术，按时间顺序介 绍存储器的发展历程
组成：SRAM由交叉反接的6个MOS管组成，分为两个交叉反接的CMOS晶体管对和两个传输门。 工作原理：SRAM通过交叉反接的晶体管对实现数据存储，当两个交叉反接的晶体管处于饱和状态时，存储单 元保持0状态；当两个交叉反接的晶体管处于截止状态时，存储单元保持1状态。
SRAM的特点和优势
高速性能：SRAM具有高速读写性能，适合用于需要高速数据传输的应用。 功耗低：相比于DRAM，SRAM的功耗更低，对系统能效性更有利。 容量大：随着工艺的进步，SRAM的容量越来越大，能够满足各种存储需求。 可靠性高：SRAM的稳定性好，数据保持时间长，不易丢失。
SRAM的应用场景和实例
高速缓存：SRAM用作CPU的高速缓存，提供快速的数据存取 主存储器：SRAM作为主存储器，用于存储程序和数据 嵌入式系统：SRAM用于嵌入式系统，提供非易失性的存储空间 航空航天：SRAM在航空航天领域用于存储关键数据和程序
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07存储器
Tips：支持双通道的主机板一般 都有4个DIMM存储器插槽，两 个内存条必须插到同颜色的插槽 才可以配置成双通道模式。
双通道内存技术
内存控制器 前端
北桥
总线
DDDDRR DDDDRR
内存实用知识扩展 之 ECC
ECC是“Error Checking and Correcting” 的简写，中文名称是“错误检查和纠正”。 一般多应用在服务器及图形工作站上，这将使 整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定
速度：读取时间=从发出读出命令到信息稳定在存储器输出端的时间 ，一般单位为ns(10-9秒)。 DRAM芯片：一般为几十ns。目前由DRAM芯片构成的内存条(模块) ：突发传送模式下读写速度可以达到2ns。如DDR400连续读取的极 限速度为2.5ns。
带宽：(存储器位数/8)*读取速度峰值，单位为MB/s。
现有Intel 6264存储芯片若干，要组成16K*16的系统， 请问：(假设CPU为 8086） 1. 需要多少片？ 2. 画出示意图
课后思考：用256K×8位的存储芯片设计容量为2048K×32位 的存储器，画出与CPU连接的逻辑示意图。
理论指导实践
从Pentium起，CPU地址总线的条数就不是32，而是36条了， 数据总线是64条，这也是现在的内存条大多是8颗粒封装的原因
…… 数据总线
D0 D1
第七讲 存储器概述及主存储器(SRAM)
(2) 存取时间与物理地址有关（串行访问）
• 顺序存取存储器 磁带
• 直接存取存储器
磁盘
3. 按在计算机中的作用分类
静态 RAM
4.1
RAM
动态 RAM MROM PROM
主存储器
ROM
存 储 器
EPROM EEPROM
Flash Memory 高速缓冲存储器（Cache） 辅助存储器
磁盘、磁带、光盘
址 15 译 码
… …
WE
…
读写电路
…
…
I/O1
读写电路
I/O2
读写电路
I/O3
读写电路
I/O4
CS
② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读
第一组 0 0 行
0
4.2
第四组 48
第二组 16
第三组 32
0
… 15
…
… 31
…
… 47
…
… 63
…
0 地 1 0 址
…
0 译 0 码 63
47
48
63
读写电路 CS
I/O1
读写电路
I/O2
读写电路
I/O3
读写电路
I/O4
② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读
sram基本介绍
sram基本介绍
SRAM（Static Random Access Memory）是一种静态随机存取存储器。它是计算机系统中常用的一种存储器类型，用于存储和读取数据。SRAM与DRAM（Dynamic Random Access Memory）相比具有许多优点，例如速度快、功耗低等。
SRAM的速度非常快。它能够在几纳秒的时间内读取和写入数据，这使得SRAM成为处理器缓存、高速缓存和其他需要快速存储器的应用的理想选择。相比之下，DRAM的速度要慢得多，因为DRAM需要刷新操作来保持数据的一致性。
SRAM具有较低的功耗。由于SRAM使用了静态电路来存储数据，它没有刷新操作的需求，这使得SRAM的功耗相对较低。此外，SRAM在读取数据时消耗的功耗也比较低，因为SRAM不需要预充电操作。
SRAM还具有较高的稳定性。由于SRAM使用了触发器电路来存储数据，它对电压波动和噪声具有较高的抗干扰能力。这使得SRAM 在工业环境中具有较好的稳定性和可靠性。
然而，SRAM也存在一些缺点。首先，SRAM的集成度相对较低。由于SRAM的存储单元较大，因此在同样的芯片面积下，SRAM能够存储的数据量相对较少。相比之下，DRAM能够在相同的芯片面积下存储更多的数据。其次，SRAM的造价较高。由于SRAM的制
造工艺较为复杂，因此它的价格也相对较高。
总结起来，SRAM是一种速度快、功耗低、稳定性高的存储器类型。它在计算机系统中扮演着重要的角色，被广泛应用于处理器缓存、高速缓存和其他需要快速存储器的应用中。虽然SRAM具有一些缺点，但其优点使其成为许多应用的首选。随着技术的发展，相信SRAM将会继续改进，为计算机系统提供更好的存储解决方案。
第7讲存储器PPT课件
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例
• SRAM HY62256A的读、写周期时序
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例
• SRAM HY62256A的写周期时序
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典型存储器芯片及其接口特性
• 静态随机存储器（SRAM）
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典型的静态RAM芯片
• 典型的静态RAM芯片如HM 6116（2K×8位），6264（8K×8位），62128（16K×8 位）和62256（32K×8位）等。
行选择信号
T1 Cs
刷新放大器
列选择
信号
T2
数据 I/O 线
22
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典型的动态RAM芯片
• 为了降低芯片的功耗，保证足够的集成度，减少芯片对外封装引脚数目和便于刷新控制，DRAM芯片都设 计成位结构形式，即每个存储单元只有一位数据位 • 一个芯片上含有若干字，如4K×1位，8K×1位，16K×1位， 64K×1位或256K×1位等。 • 存储体的这一结构形式是DRAM芯片的结构特点之一。
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SRAM 6116的内部功能框图
• 静态RAM的结构
2K*8 16Kbit
17
第17页/共76页
SRAM 6264
• 容量为8K×8位 • 地址线13条，即A12~A0； • 数据线8条即I/O8~I/O1
sram原理
sram原理
SRAM (Static Random Access Memory)静态随机存储器，又被称为静态存储器，是目
前计算机内部存储器中常用的一种。与其它存储器不同，SRAM不需要反复读取或重新写入，可以长期保存数据。SRAM的结构比起DRAM（动态随机存储器）要复杂一些，但它在内存
容量上比DRAM小，但速度却比DRAM要快得多。
SRAM由用来存储数据的多个双互补电路组成，每一个电路包括两个反相的异步可调，被称为"存储仓"。每一仓由两个重叠的反馈门组成，当二极管的输入电流改变时，该异步
可调将输出发生相应变化；当二极管的输入电流不变时，该可调将保持原有状态。由于二
极管的输入电流与其输出是保持一致的，这就使得SRAM在不断输入新的数据后也能把原
先的数据保存起来。
SRAM的结构可分为四部分：输入电路、比较电路、输出电路和控制电路。输入电路用来将外部输入的数据传输到SRAM中，比较电路则判断输入的数据是否发生变化，如果发
生变化，控制电路就会把输入的数据传输到SRAM中。当读取数据时，比较电路判断SRAM
中存储的数据是否发生变化，然后把变化的数据传输到输出电路中，以便读取数据。
由于SRAM的高速性，它被广泛应用于微处理器，主要用做指令缓存、数据缓存和暂
时存储器。SRAM和DRAM一样，都不能长时间保存数据，只要断电就会丢失所有数据，因
此通常不单独应用于各种记忆容量比较大的存储要求上。SRAM是主要的内部存储器之一，也可以做做外接存储器，主要用来存储只读的程序以及各种参数。除此之外，还可以应用
第7讲.存储器
13
7.3 只读存储器ROM 只读存储器
7.3.2 EPROM例子 例子
信号端 读方式 编程方式 检验方式 备用方式 未选中 Vcc +5 V +5 V +5 V +5 V +5 V Vpp +5 V +25 V +25 V +5 V +5 V CE 低 高 低 无关 高 OE 低 高 低 无关 无关 PGM 低 正脉冲 低 高 无关 D7~D0 输出 输入 输出 高阻 高阻
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7.4 CPU与存储器的连接 与存储器的连接
采用译码方法，译码电路比较复杂， 采用译码方法，译码电路比较复杂，但所得的地 址是唯一的连续的，便于内存扩充。 址是唯一的连续的，便于内存扩充。
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7.4 CPU与存储器的连接 与存储器的连接
7.4.2 存储器的数据线及控制线的连接
与8086CPU相连的存储器,从硬件角度看是用2个512K字 8086CPU相连的存储器,从硬件角度看是用2 512K字 相连的存储器 节的存储体来组织的,它们分别称为低位(偶地址) 节的存储体来组织的,它们分别称为低位(偶地址)存储体和 高位(奇地址)存储体, BHE信号分别来选择两个存储 高位(奇地址)存储体,用A0和BHE信号分别来选择两个存储 来选择存储体体内的地址. 体,用A19~A1来选择存储体体内的地址. =0选中偶地址存储体 它的数据线连到数据总线低8 选中偶地址存储体, 若A0=0选中偶地址存储体,它的数据线连到数据总线低8 位D7~D0, 若BHE=0选中奇地址存储体,它的数据线连到数据总线 BHE=0选中奇地址存储体, 选中奇地址存储体 高8位D15~D8. 若读写一个字,A BHE均为0,两个存储体全选中 均为0,两个存储体全选中. 若读写一个字,A0和BHE均为0,两个存储体全选中.
(整理)第7章存储器系统.
第7章存储器系统
存储器是组成计算机的五大部件之一，是计算机的记忆设备。在物理结构上，存储系统常分为三级：高速缓冲Cache、主存、外存。为了满足存储器的大容量和低成本需求，就形成了内存-外存存储层次。从整体看存储系统的速度接近于内存的速度，其容量接近于外存的容量，而每位平均价格接近于廉价的慢速的外存平均价格。在速度方面，计算机的内存和CPU大约有一个数量级的差距，这显然限制了CPU的性能。为了解决速度与成本的矛盾，在CPU和内存中间设置Cache是解决存取速度的重要方法。这就构成了高速缓存-内存层次。上述两种存储层次在现代微机中同时都采用，满足了现代微型计算机对存储系统的速度快、容量大且价格低廉的要求。
在CPU和内存中目前的计算机中，一般用半导体存储器作为主存储器（简称主存或内存），存放当前正在执行的程序和数据，而用磁盘、磁带、光盘作为外存储器或辅助存储器（简称外存或辅存），存放当前不在运行的大量程序和数据。在本章中主要介绍用作内存的半导体存储器。
7-1 存储器分类及性能
半导体存储器的分类方法有很多种，如图7-1所示。按器件原理来分，有双极型存储器和MOS 型存储器；按存取方式来分，有随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）；按存储原理来分，有静态存储器（SRAM）和动态存储器（DRAM）；按信息传送方式来分，有并行（按字长的所有位同时存取）存储器和串行（按位存取）存储器。近年来由Intel公司推出一种被称为闪速存储器（flash memory）的新型半导体存储器，其特点是既具有RAM易读易写、体积小、集成度高、速度快等优点，又有ROM断电后信息不丢失等优点，是一种很有前途的半导体存储器。
存储器的种类和功能介绍
存储器的种类和功能介绍
随着科技的不断发展，存储器在我们日常生活中发挥着越来越重要
的作用。随着电子设备的普及和计算机技术的不断进步，各种不同种
类的存储器被广泛应用于各个领域。本文将对存储器的种类和功能进
行介绍，帮助读者更好地了解存储器的原理和应用。
一、主存储器
主存储器又称为内存，是计算机中最重要的存储器之一。它被用来
存储正在被处理的程序和数据，能够提供快速的读写速度。主存储器
的种类有DRAM和SRAM两种。DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一种基于电容的存储器，数据需要定期刷新以保持存储状态，它具有较高的存储密度和较低的成本。SRAM（Static Random-Access Memory）则是一种基于触发器的存储器，不需要刷新操作，具
有快速的访问速度和较低的功耗。
二、辅助存储器
辅助存储器是计算机中用来保存大量数据和程序的设备，它的容量
通常比主存储器大得多。常见的辅助存储器有硬盘、固态硬盘（SSD）、光盘、U盘等。硬盘是机械式存储器，使用磁性材料进行数据存储，
具有大容量和较低的成本。SSD则是一种使用闪存技术的存储器，具
有更高的读写速度和更小的体积。光盘是一种使用激光技术读取和写
入数据的存储器，主要用于光盘机和光驱上。U盘是一种便携式存储器，具有小巧方便携带的特点。
三、高速缓存
高速缓存是一种位于CPU和主存储器之间的存储器，用来提高计算机的运行效率。它的作用是临时存储CPU频繁访问的数据和指令，减少CPU访问主存储器的次数。高速缓存按照层次结构可分为L1、
计算机存储器的种类和使用注意事项
计算机存储器的种类和使用注意事项
计算机存储器是计算机的重要组成部分之一，用于存储和读取数据和程序。它
通常分为主存储器（RAM）和辅助存储器（硬盘、固态硬盘、光盘等）两大类。
本文将详细介绍计算机存储器的种类和使用注意事项，并分点列出以下内容：
一、主存储器（RAM）：
1. DRAM（动态随机存储器）：主要用于主存储器，价格相对较低但速度较慢，需要定期刷新。
2. SRAM（静态随机存储器）：相比DRAM，SRAM的速度更快，不需要刷新。通常用于高速缓存和寄存器等高性能存储器。
3. 不揮發性存儲器：如闪存（Flash）和EEPROM，数据在断电后仍然保持，
适用于存储固件和操作系统等。
二、辅助存储器：
1. 硬盘驱动器：传统机械硬盘（HDD）和固态硬盘（SSD）是最常用的辅助存
储设备。HDD采用磁性存储，容量较大但速度相对较慢；SSD采用闪存，速度更
快但价格较高。
2. 光盘驱动器：如CD、DVD和蓝光光盘等，适用于光盘安装软件、储存音频
和视频等。
3. U盘和存储卡：以便携性和易使用性闻名，适用于数据传输和存储。
三、使用注意事项：
1. 频繁读写对存储器寿命的影响：存储器有一定的写入寿命，过度频繁的写入
可能提前损坏存储器。因此，应避免频繁写入大量数据。
2. 存储器容量的选择：根据实际需求选择存储器容量。如果频繁处理大型文件和复杂计算任务，应选择较大容量的存储器以确保运行效率。
3. 数据备份：重要数据应定期备份至其他存储介质，以防止数据丢失和硬盘损坏等意外情况。
4. 定期清理存储器：清理临时文件和无用文件，以释放存储空间并提升计算机性能。
计算机原理sram
计算机原理sram
SRAM，即静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory），是一种常见的计算机存储器类型，它具有快速访问速度和易于控制的特点。SRAM通常用于高速缓存和寄存器文件等需要快速访问的应用中。
SRAM的工作原理是基于存储在触发器中的数据。每个存储单元由一个双稳态触发器组成，它可以保持数据状态，而不需要周期性地刷新。这使得SRAM相对于动态随机存取存储器（DRAM）来说更快速，因为DRAM需要定期刷新以保持数据。SRAM的存储单元由一对互补的CMOS（互补金属氧化物半导体）传输门构成，这使得它具有较低的功耗和较高的集成度。
SRAM的读写操作是通过控制存储单元中的传输门来实现的。当需要读取数据时，控制电路将地址传输到存储单元，然后将数据传输到输出线。写入操作类似，控制电路将地址和数据传输到存储单元，然后存储单元将数据保存。由于SRAM是基于触发器的存储器，因此它的读写速度比DRAM快，但相应的成本也更高。
在计算机系统中，SRAM通常用于高速缓存存储器，用于暂时存
储处理器频繁访问的数据。它还用于寄存器文件和其他需要快速访问的存储器单元中。然而，由于SRAM的成本较高，容量相对较小，因此在实际系统中通常与其他类型的存储器（如DRAM）结合使用，以实现性能和成本的平衡。
总的来说，SRAM是一种快速、稳定的存储器技术，适用于需要快速访问和稳定数据存储的应用场景。它在计算机系统中扮演着重要的角色，为系统的高性能提供了重要支持。
SRAM（静态随机存取存储器）
SRAM（静态随机存取存储器）
SRAM
静态随机存取存储器本词是多义词共3个含义
静态随机存取存储器（S tatic R andom-A ccess M emory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
中文名静态随机存取存储器
外文名Static Random Access Memory
缩写SRAM
优点较高的性能
缺点集成度低
朗读段落
意见反馈
基本简介
3张
静态随机存取存储器
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM （Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大[1]，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。[2]
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意见反馈
主要规格
一种是置于cpu与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU 就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU 的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。PentiumⅡ又把L2 Cache移至CPU 内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。[2]
sram概念
sram概念
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存取存储器）是一种随机存取存储器，它可以在不断刷新的情况下保持存储的位信息，直到断电。与DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）相比，SRAM速度更快，但成本更高，且密度较低，这意味着在同等空间内，SRAM存储的数据量少于DRAM。
SRAM的工作原理
SRAM的基本存储单元是由六个晶体管组成的一个双稳态电路，这个结构可以稳定地存储0或1两种状态之一，直到被外部电路改变状态。这种设计使得SRAM可以快速访问存储的数据，因为它不需要像DRAM那样定期刷新电荷。
SRAM的特点
•速度快：SRAM的访问时间比DRAM短，这使得SRAM非常适合作为CPU的缓存，可以快速提供数据给处理器，提高计算效率。
•成本高、密度低：因为SRAM的制造成本较高，且每比特所需的晶体管数量多于DRAM，因此在同等物理尺寸下，SRAM提供的存储容量较小。
•功耗较低：在等待访问时，SRAM的功耗相对较低，因为它不需要刷新。然而，在高速运行时，其功耗可能会相对较高。
•不需要刷新：SRAM存储的数据不需要定期刷新，这简化了控制电路的设计，也减少了功耗。
SRAM的应用
由于其速度快和访问时间短的特点，SRAM主要用于高速缓存（如CPU内部的L1、L2和L3缓存）、寄存器、高速数据缓冲区等场合。在这些应用中，需要快速访问数据，而存储容量的需求相对较低。
总结
SRAM是一种高速、高成本、低功耗的存储技术，非常适合用作高速缓存和其他需要快速数据访问的场合。虽然它的成本和存储密度限制了它在大容量存储领域的应用，但在提高计算性能和响应速度方面，SRAM仍然是不可或缺的技术之一。