二极管、晶闸管等型号命名
三极管命名规则
三极管的命名规则中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2二极管、3三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时: A-N型错材料、B-P型错材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时: A-PNP型错材料、B-NPN型错材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V微波管、w-稳压管、C参量管、Z 整流管L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K开关管、x-低频小功率管(F3MHz,Pc1W),A-高频大功率管(P3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、Y体效应器件、B-雪崩管、J阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、--依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
晶体三极管型号命名方法
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
晶体管型号命名方法
A26
-600B
③登记号 ④分档标记
A
三位数字:通用
Bபைடு நூலகம்
半导体器件
C
D
一字母二数字:
专用半导体器 件
. .
按某一参数进
行分档的标志
3
①电极数目
D
②材料、极性
D
③类型
A：N型锗管
P：普通管
V：混频/检波管
2（二极管）
B：P型锗管 C：N型硅管
W：稳压管 Z：整流管
L：整流堆 S：隧道管
D：P型硅管
N：阻尼管
U：光敏管
A：PNP锗管
A：高频大功率（f≥3MHz，Pc≥1W）
B：NPN锗管
3（三极管） C：PNP硅管
D：低频大功率（f＜3MHz，Pc≥1W） G：高频中小功率(f≥3MHz，Pc＜1W）
D：NPN硅管
X：低频中小功率(f＜3MHz，Pc＜1W）
E：化合物材料 T：晶闸管 Y：体效应管
备注：大功率--Pc≥1W，中功率--0.5W ≤Pc＜1W，小功率--Pc＜0.5W
F：P极控晶闸管
M：双向晶闸管
G：N极控晶闸管 H：N基极单结晶体
管
C
日本电子工业 协会（JEIA）
D
注册登记号
.
.
原型号的改进 产品
① JAN
J
（表示军用品）
无
（非军用）
1
②电极数目
1
（一个PN结）
2
（二个PN结）
3
（三个PN结）
N
n个PN结
N
③ 注册标志
N
美国电子工业协会注册标志
4148
④登记号码
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分的意义分别如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V—微波管、W-稳压管、C-参量管、Z—整流管、L—整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U—光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（f<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管(f〉3MHz，Pc〈1W)、D-低频大功率管(f<3MHz，Pc〉1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc〉1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器）、Y—体效应器件、B-雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN-PIN型管、JG—激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0—光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S—表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料与极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其她器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其她器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。
三极管命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半 导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件 的型号命名只有第三、四、五部分）组成。 五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极 数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件 的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、 B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗 材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整 流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电 器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率 管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管 （f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流 器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、 CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、 PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分Fra bibliotek器件型号命名方法
美国半导体分立器件型号命名方法
贴片电容的型号 命名方法及规则简介
贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来 表示，一种是以毫米为单位的公制来表示。贴片电容系列的 型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、 2010、2225、2512等。04表示长度是0.04英寸，02表示宽 度0.02英寸，其他类同。 英制英寸 公制mm 长度及公差 宽度及公差 厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00 不同国家、厂商的命名方法不相同。
半导体命名规则
K-N沟道场效应管
M-双向可控硅
4.第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
5.第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
E-隧道二极管
F-高频小功率三极管
G-复合器件及其他器件
H-磁敏二极管
K-开放磁路中的霍尔元件
L-高频大功率三极管
M-封闭磁路中的霍尔元件
P-光敏器件
Q-发光器件
R-小功率晶闸管
S-小功率开关管
T-大功率晶闸管
U-大功率开关管
X-倍增二极管
Y-整流二极管
Z-稳压二极管
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅
C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓
D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟
E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
2.第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管
B-变容二极管
C-低频小功率三极管
D-低频大功率三极管
1.第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
元器件符号和名称
元器件符号和名称
常见的电子元器件符号和名称有：
1.电阻器：用一个字母R表示，单位是欧姆（Ω）。
2.电容器：用字母C表示，单位是法拉（F），常用的有微法（μF）、皮法（PF）。
3.电感器：电感线圈的简称，用字母L表示，单位是亨利（H），常用的有毫亨（mH）。
4.二极管：表示符号通常为D，半导体材料制成的元件，有两个电极，具有单向导电性。
5.三极管：表示符号通常为Q或P，有三个电极，具有放大、截止、饱和导通的功能。
6.继电器：是一种电控制器件，具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路）。
7.温度保险丝：也叫做热熔断体，是温度感应回路切断装置。
8.可控硅：是一种大功率电器元件，也称晶闸管，分单向可控硅和双向可控硅两种。
除了上述列举的元器件符号和名称外，还有其他各种电子元器件，每个元器件在电路中发挥不同的作用。
了解电子元器件的符号和名称对于学习和分析电路非常重要。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2,电容器5,半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料与极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其她器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其她器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。
国际晶体管的型号命名及定义(精)
国产二极管的型号命名及含义国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见下表。
第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
第三部分用字母表示二极管的类别。
第四部分用数字表示序号。
第五部分用字母表示二极管的规格号。
第一部分：主称第二部分：材料与极性第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次2 二极管 A N型锗材料P 小信号管（普通管）W 电压调整管和电压基准管（稳压管）L 整流堆B P型锗材料N 阻尼管Z 整流管U 光电管C N型硅材料K 开关管B或C 变容管V 混频检波管D P型硅材料JD 激光管S 遂道管CM 磁敏管E 化合物材料H 恒流管Y 体效应管EF 发光二极管例如：2AP9(N型锗材料普通二极管2CW56(N型硅材料稳压二极管2——二极管2——二极管A——N型锗材料C——N型硅材料P——普通型W——稳压管9——序号56——序号按用途分类：整流二极管系列二极管稳压二极管系列触发二极管系列开关二极管系列检波二极管系列变容二极管系列双向二极管系列瞬态电压吸收二极管系列发光二极管系列快恢复整流二极管系列汽车整流二极管系列高效整流二极管系列光敏二极管系列整流桥系列圆珠快速二极管系变阻二硅整流二极管列极管系列碰撞雪崩渡越时间二极管锗二极管与硒二极管隧道二极管稳流二极管段与微波段混频二极管段与微波段检波二极管二极管阵列瞬变抑制二极管硅微波二极管贴片二极管（二）国产三极管的型号命名方法国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分的含义见下表。
第一部分用数字“3”表示主称和三极管。
第二部分用字母表示三极管的材料和极性。
第三部分用字母表示三极管的类别。
第四部分用数字表示同一类型产品的序号。
第五部分用字母表示规格号。
第一部分：主称第二部分：三极管的材料和特性第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类型产品的序号用字母A或B、C、D……等表示同一型号的器件的档次等3三极管A锗材料、PNP型G 高频小功率管X低频小功率管B 锗材料、NPN型A高频大功率管D低频大功率管C 硅材料、NPN型T闸流管K开关管D 硅材料、NPN型V微波管B雪崩管E化合物材料J阶跃恢复管U 光敏管（光电管）J 结型场效应晶体管国产晶闸管的型号命名方法国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成，各部分的含义见下表。
三极管的命名规则
三极管的命名规则一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N 型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN 型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
中国二极管命名规则
中国二极管的命名规则通常由五个部分组成，具体如下：
1. 主称：用数字“2”表示主称为二极管。
2. 材料与极性：用字母表示二极管的材料与极性，如A代表N 型锗材料，B代表P型锗材料，C代表N型硅材料，D代表P型硅材料，E代表化合物材料。
3. 类别：用字母表示二极管的类别，如P代表小信号管（普通管），W代表电压调整管和电压基准管（稳压管），L代表整流堆，N代表阻尼管，Z代表整流管，U代表光电管，K代表开关管，B或C 代表变容管，V代表混频检波管，JD代表激光管，S代表遂道管，CM 代表磁敏管，H代表恒流管，Y代表体效应管，EF代表发光二极管。
4. 序号：用数字表示同一类别产品序号。
5. 规格号：用字母表示产品规格、档次。
通过这些字母和数字的组合，可以提供关于二极管特性和参数的信息，从而帮助用户快速识别和区分不同类型的二极管。
三极管命名方式
三极管命名方式1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
常见功率器件介绍
常见功率器件介绍功率器件是电力电子领域中重要的一种电子器件，用于变换、传递和控制电能。
常见的功率器件包括大功率二极管、晶闸管、可控硅、IGBT和MOSFET等。
本文将对这些常见的功率器件进行介绍。
1.大功率二极管：大功率二极管是一种常见的功率器件，具有较低的导通压降和较高的瞬态响应速度。
常见的大功率二极管如Schottky二极管，它具有快速导通、快速关断，适合于高频和高效率的电力转换系统。
大功率二极管常用于电流整流和反向保护等电源应用中。
2. 晶闸管（Thyristor）：晶闸管是一种可控硅器件，具有双向导通特性。
晶闸管的导通状态由门极信号控制，一旦导通后，其二极管部分将保持导通状态，直到控制信号消失或电流下降至谷值。
晶闸管适用于高压、高电流的交流电源控制和整流应用，如交流调光、电动机控制和功率变换等。
3.可控硅（SCR）：可控硅是一种具有双向导通特性的功率器件，可通过外部电压触发，从而控制其导通和关断状态。
可控硅的导通需要一个触发脉冲，一旦导通，只能通过降低电流或断开电源来关断。
可控硅广泛应用于高压电源、充电器、交直流变换器和电动机驱动器等系统中。
4. IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：IGBT是一种功率MOSFET和双极型晶体管的混合器件，结合了二者的优点。
IGBT具有低导通压降和高开关速度的特点，在高频和高效率的应用中广泛使用。
IGBT适用于电力电子中的交流调变器、逆变器和电动机驱动器等应用。
5. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：MOSFET是一种具有储存性的功率晶体管，可以在接通状态下进行电流放大，适用于低功率和中功率应用。
MOSFET具有低导通压降、高开关速度和可控性强的优点。
在电源管理、电动机控制和逆变器等应用中，MOSFET是一种常见的功率器件。
总结起来，大功率二极管、晶闸管、可控硅、IGBT和MOSFET是常见的功率器件。
半导体器件的型号命名方法汇总
半导体器件的型号命名方法汇总晶体管的命名方法很多，美国编号方法以PN接合面的数量为主线，不易看出其它特性。
而欧洲与日本的编号，就比较系统化。
国产晶体管的命名则也有自己的个性。
下面做个简要叙述。
一、美国半导体器件的型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：1、前缀部分：用字母符号表示器件用途的类型、级别。
JAN - 军级JANTX - 特军级JANTXV - 超特军级JANS - 宇航级（无）- 非军用品。
2、第一部分：用数字表示PN结数目。
1 - 二极管2 - 三极管3 - 三个PN结器件n -依次类推3、第二部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。
用字母“N”表示该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
4、第三部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
5、第四部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
美国半导体器件型号命名及含义第一部分：类别第二部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志第三部分：美国电子工业协会（EIA）登记号第四部分：器件规格号数字含义字母含义用多位数字表示该器件在美国电子工业协会（EIA）的登记号用字母A、B、C、D……表示同一型号器件的不同档次1 二极管N 该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记2 晶体管3 三个PN结器件（如双栅场效应管晶体管）n n个PN结器件例如：lN 4007 2N 2907 Al--二极管2--晶体管N--ElA注册标志N--ElA注册标志4007--ElA登记号2907--ElA登记号A--规格号二、日本半导体器件的型号命名方法日本半导体分立器件的型号命名(JIS-C-7012工业标准) 由五至七部分组成，通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：1、第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
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详细参数请查询我公司网站： 品牌：TH型号：ZP5A/400V•材料：硅引用常用整流二极管型号大全极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15普通整流二极管参数(二)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型RL201 50 2 70 5 1 DO--15RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15 RL205 600 2 70 5 1 DO--15 RL206 800 2 70 5 1 DO--15 RL207 1000 2 70 5 1 DO--15 2a01 50 2 70 5 1.1 DO--15 2a02 100 2 70 5 1.1 DO--15 2a03 200 2 70 5 1.1 DO--15 2a04 400 2 70 5 1.1 DO--15 2a05 600 2 70 5 1.1 DO--15 2a06 800 2 70 5 1.1 DO--15 2a07 1000 2 70 5 1.1 DO--15 RY251 200 3 150 5 3 DO--27 RY252 400 3 150 5 3 DO--27 RY253 600 3 150 5 3 DO--27 RY254 800 3 150 5 3 DO--27 RY255 1300 3 150 5 3 DO--27 普通整流二极管参数(三)IN5401 50 3 200 5 1 DO--27 IN5402 100 3 200 5 1 DO--27 IN5403 150 3 200 5 1 DO--27 IN5404 200 3 200 5 1 DO--27 IN5405 400 3 200 5 1 DO--27 IN5406 600 3 200 5 1 DO--27 IN5407 800 3 200 5 1 DO--27 IN5408 1000 3 200 5 1 DO--27 6a05 50 6 400 10 0.95 R--6 6a1 100 6 400 10 0.95 R--6 6a2 200 6 400 10 0.95 R--66a4 400 6 400 10 0.95 R--6 6a6 600 6 400 10 0.95 R--6 6a8 800 6 400 10 0.95 R--6 6a10 1000 6 400 10 0.95 R--6 P600a 50 6 400 10 0.95 R--6 P600B 100 6 400 10 0.95 R--6 P600D 200 6 400 10 0.95 R--6 P600G 400 6 400 10 0.95 R--6 P600J 600 6 400 10 0.95 R--6 P600K 800 6 400 10 0.95 R--6 P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6ZP型普通整流管（平板型）适用范围：适用于机车电传，电解，充电，电机励磁，电机调速领域的变流装置。
也可用于斩波，逆变等装置型号IF(AV)(A) VRRM Tjm VFM IFM 外形(TC=100℃)(V) (℃)(v) (A) 代号ZP300 300 600---2600 160 2.05 600 Z1.E1(查看) ZP400 400 600-3600 160 2.60 1200 Z2.E2(查看)ZP500 500600-3000 160 1.80 1200 Z2.E2(查看) 3000-4600 150 2.74 1600 Z3.E3(查看)ZP600 600 600-2000 175 1.70 1200 Z2.E2(查看)2000-3600 160 2.50 1600 Z3.E3(查看)ZP800 800600-3000 160 1.65 1600 Z3.E3(查看) 3000-4000 150 1.79 1600 Z4.E4(查看)ZP1000 1000600-2000 175 1.45 1600 Z4.E4(查看) 2000-4000 160 1.55 1600 Z4.E4(查看) 4000-5000 150 2.24 2000 Z5.E5(查看)ZP1200 1200 600-2000 175 1.47 1600 Z4.E4(查看)2000-3600 150 1.75 2000 Z5.E5(查看)ZP1600 1600600-3000 160 1.42 2000 Z6(查看) 3000-4000 150 1.53 2000 Z6(查看) 4000-5000 150 1.78 2000 Z7(查看)ZP2000 2000600-1000 175 1.29 2000 Z6(查看) 1000-2000 175 1.54 2000 Z7(查看) 2000-3600 160 1.60 2000 Z8(查看)ZP2500 2500600-1200 175 1.25 2000 Z7(查看) 1200-3000 175 1.42 2000 Z8(查看) 3000-5000 150 1.43 2000 Z9(查看)ZP3000 3000600-2500 175 1.20 2000 Z8(查看) 2600-3600 160 1.35 2000 Z9(查看) 3600-5000 150 1.40 2000 Z10(查看)ZP4000 4000600-2000 175 1.15 2000 Z9(查看) 2000-3600 150 1.34 3000 Z10(查看)3600-5000 150 1.43 3000 Z11(查看)ZP4500 4500600-1200 175 1.05 2000 Z10(查看) 1400-3000 150 1.29 3000 Z11(查看) 3000-4600 150 1.34 3000 Z12(查看)ZP5000 5000600-2500 150 1.22 3000 Z11(查看) 2600-3200 160 1.30 3000 Z12(查看)ZP6000 6000 600-2000 175 1.22 3000 Z12(查看) ZP7500 7500 600-1200 175 1.02 3000 Z12(查看)参数：IF(AV)－正向平均电流VRRM--反向重复峰值电压Tjm--最高等效结温VFM --正向峰值电压 IFM--正向峰值电流ZP型普通整流管（螺栓型）发布时间：2011-2-20 0:00:00 浏览量：148适用范围：适用于机车电传动，电解，充电，电机磁，电机调速领域变流装置。
也可用于型号Type I f(av)(A)V RRM(A)I RRMT jm(150℃)(mA)I FSM(A)V FM(V)R jc(℃/w)外型代码ZP5 5 200-1600 2 90 1.6 4 A1(查看) ZP10 10 200-1600 5 190 1.6 2 A2(查看) ZP20 20 200-1600 10 380 1.6 1.4 A2(查看) ZP50 50 200-2000 20 940 1.6 1 C1(查看) ZP100 100 200-2000 20 1400 1.8 0.3 C2(查看) ZP200 200 200-2000 30 2800 1.8 0.2 C3(查看) ZP300 300 200-2000 30 4200 1.8 0.11 C3(查看) ZP400 400 200-2000 40 5600 2 0.095 C4(查看) ZP500 500 200-2000 60 7000 2 0.095 C4(查看)参数说明：If(av)－正向平均电流(整流管) VRRM--反向重复峰值压I RRM --反向重复峰值电流 I fsm --最大浪涌峰值峰值正向电流V fm --正向峰值电压(整流管) R jc --结壳热阻 F --紧固力焊接专用整流管发布时间：2011-2-19 0:00:00 浏览量：91此产品广泛应用于中等频率的超大电流焊接设备中，具有极低的通态压降和热阻，又有极高的可靠性，可代替西门康、ABB 、优派克等同国外同类产品。