北京工业大学823半导体物理2012考研真题
北理826真题_可以打印
北京理工大学一．（30分）简述题（每小题3分）1． 一个LTI 系统有多种描述方法，试给出五种方法，并指出它们之间的联系。
2． 一个确定信号在频域用傅里叶变换表示，试按信号在时域是周期、非周期、连续、离散，分别写出相应形式的傅里叶变换。
离散傅里叶变换（DFT ）是其中一种形式吗？3． 一个存在全部时域),(+∞-∞的周期信号，如果要求在变换域求其作用于LTI 系统的响应，应采用傅里叶变换还是拉氏变换？或者两种变换都可采用？为什么？ 4． 若由下列系统函数描述的离散时间系统是稳定的，那它一定是因果的吗？为什么？z z z H 311211)(--=5． 根据下列微分方程，能否判定该系统是稳定的吗？为什么？)()(2)('t x t y t y =-6． 由下式描述的系统是时不变的吗？为什么？（式中的)(n x ，)(n y 分别表示系统的∑+∞-∞=--=k k n nk x n y )()31(3)( 7． 试给出设计数字滤波器的一般步骤。
8． 能否仅根据其频率响应的有限个取样值，确定出该数字滤波器？说明你的理由。
9． 如何保证所设计的FIR 数字滤波器具有线性相位？10． 分别给出序列线性卷积、圆周卷积和周期卷积的定义，并指出它们间的联系。
二．（25分）考虑一个离散时间LTI 系统，当其输入为)1(21)()(-+=N n n x δδ相应的输出为)()21()(n u n y n=1.（10分）用时域法求此系统的单位抽样响应)(n h ； 2．（10分）用z 变换法求此系统的单位抽样响应)(n h ； 3．（5分）给出描述此系统的差分方程，并画出模拟框图。
三．（25分）考虑一个输入、输出分别为)(t f 和)(t y 的连续时间系统，其系统函数为14)(22--=s s s H1．（3分）画出)(s H 的极点和零点图；2． （5分）假定)(s H 是稳定的，确定其收敛域，并求系统的单位冲激响应)(t h ； 3．（5分）求描述此系统的线性常系数微分方程，并画出其直接II 型框图； 4．（5分）若输入)5.0exp()(t t f -=，对全部t ，求系统输出)(t y ；5． （7分）确定描述此系统的状态方程和输出方程，并求状态转移矩阵)(t ϕ。
北工大半导体物理历年真题
历年真题第一章1、Si、GaAs半导体材料的导带底、价带顶分别在k空间什么位置？其晶体结构和解理面分别是什么？哪个是直接带隙,哪个是间接带隙？（2006）2、对于金刚石结构的硅Si和闪锌矿结构的砷化镓GaAs,在(111）晶面上，其原子面密度和面间距都是最大,为什么Si的解理面是（111)，而GaAs不是？（2007)3、半导体材料的禁带宽度Eg、N型半导体杂质激活能△Ed以及亲和势X分别表示半导体电子的什么状态特性？(2009年简答题7分)4、与真空电子运动相比,半导体中电子的运动有何不同?（2009年简答题7分）（1-9题63分,每小题7分(2010））Array 5、如图是一个半导体能带结构的E–k关系；1）哪个能带具有x方向更小的有效质量？2)考虑两个电子分别位于两个能带中的十字线处,哪个电子的速度更大些？6、写出硅（Si）和砷化镓(GaAs)的晶体结构、禁带宽度和解理面.?(2011年简答题6分）第二章3、高阻的本征半导体材料和高阻的高度补偿的半导体材料的区别是什么?(2006）• 1 深能级杂质和浅能级杂质概念（西交大)•1以硅为例，举例说明掺入浅能级和深能级杂质的目的和作用?（西电）• 2.什么是浅能级杂质?什么是深能级杂质?列举出半导体硅中各一种杂质元素的例子。
半导体中掺入这些杂质分别起什么作用? (2011）第三章•11、定性画出N型半导体样品，载流子浓度n随温度变化的曲线(全温区),讨论各段的物理意义，并标出本征激发随温度的曲线。
设该样品的掺杂浓度为ND。
比较两曲线，论述宽带隙半导体材料器件工作温度范围更宽。
（2006-20分）• ４、室温下,一N 型样品掺杂浓度为Nd ，全部电离。
当温度升高后,其费米能级如何变化？为什么？一本征半导体，其费米能级随温度升高如何变化？为什么？(2007）• 4、一块N 型半导体，随温度升高，载流子浓度如何变化?费米能级如何变化？（2009）• 7、定性说明掺杂半导体费米能级与掺杂浓度和温度的关系是怎样的？（2010）• 10、（20分）设某一种半导体材料室温下（300 K ）本征载流子浓度为1。
北京工业大学机械工程(专业学位)专业-812材料力学I考研复习全书-真题-大纲-华文考研
北京工业大学机械工程（专业学位）专业-812材料力学I考研复习全书-真题-大纲-华文考研报考北京工业大学机械工程（专业学位）专业考研专业课资料的重要性根据考研网的统计，87.3%以上报考北京工业大学机械工程（专业学位）专业考研成功的考生，尤其是那些跨学校的考研人，他们大多都在第一时间获取了北京工业大学机械工程（专业学位）专业考研专业课指定的教材和非指定的北京工业大学机械工程（专业学位）专业内部权威复习资料，精准确定专业课考核范围和考点重点，才确保了自己的专业课高分，进而才才最后考研成功的。
如果咱们仔细的研究下问题的本质，不难发现因为非统考专业课的真题均是由北京工业大学机械工程（专业学位）专业自主命题和阅卷，对于跨校考研同学而言，初试和复试命题的重点、考点、范围、趋势、规律和阅卷的方式等关键信息都是很难获取的。
所以第一时间获取了北京工业大学机械工程（专业学位）专业考研专业课指定的教材和非指定的北京工业大学机械工程（专业学位）专业内部权威复习资料的考生，就占得了专业课复习的先机。
专业课得高分便不难理解。
那么怎么样才能顺利的考入北京工业大学机械工程（专业学位）专业呢？为了有把握的的取得专业课的高分，确保考研专业课真正意义上的成功，考研专业课复习的首要工作便是全面搜集北京工业大学机械工程（专业学位）专业的内部权威专业课资料和考研信息，建议大家做到以下两点：1、快速消除跨学校考研的信息方面的劣势。
这要求大家查询好考研的招生信息，给大家推/shop/2、确定最合适的考研专业课复习资料，明确专业课的复习方法策略，并且制定详细的复习计划，并且将复习计划较好的贯彻执行。
北京工业大学812材料力学I从基础到强化考研复习全书包括两部分。
第一部分：北京工业大学812材料力学I考研复习重点讲义。
由考研网请北京工业大学机械工程（专业学位）专业的多名研究生参与编写（均为考研网的考研高分学员），重点参考了北京工业大学机械工程（专业学位）专业812材料力学I历年真题，并找北京工业大学机械工程（专业学位）专业最权威的导师咨询考点范围。
新版北京工业大学物理学考研经验考研参考书考研真题
回想起去年这个时候，自己还在犹豫是不是要遵从自己的梦想，为了考研奋斗一次。
当初考虑犹豫了很久，想象过所有的可能性，但是最后还是决定放手一搏。
为什么呢？有一个重要的考量，那就是对知识的渴望，这话听来可能过于空洞吧，但事实却是如此。
大家也都可以看到，当今社会的局势，浮躁，变动，不稳定，所以我经常会陷入一种对未来的恐慌中，那如何消除这种恐慌，个人认为便是充实自己的内在，才不至于被一股股混乱的潮流倾翻。
而考研是一条相对比较便捷且回报明显的路，所以最终选择考研。
所幸的是结局很好，也算是没有白费自己将近一年的努力，没有让自己浑浑噩噩的度过大学。
在准备备考的时候，我根据自己的学习习惯，做了一份复习时间规划。
并且要求自己严格按照计划进行复习。
给大家一个小的建议，大家复习的时候一定要踏踏实实的打好我们的基础，复习比较晚的同学也不要觉得时间不够，因为最后的成绩不在于你复习了多少遍，而是在于你复习的效率有多高，所以在复习的时候一定要坚持，调整好心态，保证自己每天都能够有一个好的学习状态，不要让任何事情影响到你，做好自己！在此提醒大家，本文篇幅较长，因为想讲的话实在蛮多的，全部是我这一年奋战过程中的想法、经验以及走过的弯路，希望大家看完可以有所帮助。
最后结尾处会有我在备考中收集到的详细资料，可供各位下载，请大家耐心阅读。
北京工业大学物理学的初试科目为：(101)思想政治理论和(201)英语一(662)普通物理Ⅰ和(861)量子力学参考书目为：1.张三慧，《大学物理学(第三版)-力学、热学》，《大学物理学(第三版)-电磁学》，清华大学出版社，2008 年9 月第3 版;2.程守洙、江之永，《普通物理学》(第六版)上、下册，高等教育出版社，2006 年12 月第6 版。
3.《量子力学导论》，曾瑾言著，北京大学出版社，2008年以后出版4.《量子力学概论》，D. J. Griffiths，机械工业出版社，2005年出版关于英语其实我的英语基础还是比较差的，起码在考研之前，这让我在英语学习中有一个非常大的坎要过，不过好在只要过了这个坎，英语成绩一定会有一个大幅度的提升，为了度过这个坎，我用了整整两个月的时间去看英语，用到的资料就是木糖英语的真题和单词，什么娱乐活动都没有，就只是看英语不停的坎，付出了读文章读到恶心的代价，虽然当时觉得真的很痛苦，但是实际上现在想来还是值得的，毕竟英语的分数已经超乎我的想象。
北京工业大学2012年硕士研究生入学考试自命题科目内容及范围说明
建筑快速设计为公共、居住等类型建筑设计
505专业设计基础
考试工具由考生自备；不指定考试范围
506造型基础
考试工具由考生自备；不指定考试范围
610基础英语
相当于英语专业8级水平考试的：
1、词汇用法
2、阅读理解
3、短文英汉互译
4、根据所给题目及要求写议论文
619基础理论Ⅰ
考试工具由考生自备；不指定考试范围
8、单稳态触发器、多谐振荡器、施密特触发器的基本功能。
804经济学原理
包括微观经济学和宏观经济学2部分。要求学生掌握现代宏微观经济学的基本概念与基本理论，掌握宏微观经济学所运用的基本分析方法。
805数据库技术与应用
1、关系数据库概念与原理
2、存储与检索数据
3、SQL语言基础
4、SQL语言脚本及编程
5、数据库安全管理
6、数据库备份与恢复
7、数据库规范化与E-R模型
806电子技术
1、基本放大电路分析及性能的实验检测
2、多级放大及反馈电路分析
3、集成运算放大电路及信号的运算处理分析
4、信号产生电路、功率放大电路和直流电源分析
5、组合逻辑电路的分析与设计
6、时序逻辑电路的分析与设计
7、脉冲波形产生和整形电路的分析
810资源环境经济学
2012年硕士研究生入学考试自命题科目内容及范围说明
考试科目代码及名称
考试内容及范围说明
261二外日语
1、日语基础语法
2、助词基本用法
3、日语基础阅读
262二外法语
1、基础语法
2、常用词汇
3、动词基本用法
4、阅读理解
5、法汉互译
337工业设计工程
2012年-2013年中国科学院大学半导体物理考研真题试题试卷汇编
一、 （共 50 分，每题 5 分）解释下列名词或概念 1. 载流子有效质量； 2. 电子的费米分布函数； 3. 费米能级； 5. 非平衡载流子寿命； 7. 塞贝克效应； 9. 半导体超晶格； 4. 电导有效质量； 6. 齐纳击穿； 8. 达姆表面态； 10. 受激辐射。
二、 （共 20 分，每题 10 分）简答题 1. 简述杂质能带和禁带变窄效应。 2. 简述 pn 结的扩散电容和势垒电容。在 pn 结反偏及加高频信号时，哪种电容 为主？
三、 （20 分）对一种施主浓度为 ND 的非简并半导体，在 300K 下禁带宽度为 Eg， 导带和价带的有效态密度分别为 Nc 和 Nv，证明由掺杂状态到本征状态的转折温 度为 Td =
Eg N c ⋅ N v Td 3 ⋅ k0 ln 2 N D 300
科目名称：半导体物理
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五、 （20 分）n 型硅片表面受均匀恒定的光照射，在表面注入的非平衡少数载流 子浓度为 5 1011 / cm3 ，设少子寿命为 10 s ，迁移率为 500cm 2 /(V s ) ,计算室温下 （1） 非平衡少数载流子的扩散长度； （2） 在距离表面二倍扩散长度处少子的净复合率； （3） 求距离表面二倍扩散长度处少子的扩散电流密度。 (室温下 k0T 0.026eV ,自然对数之底近似取为 2.71， 电子电量 q 1.6 10 19 C )
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中国科学院研究生院 2012 年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题 科目名称：半导体物理
北京工业大学半导体物理823考研真题(1998-2013)
北京工业大学1998年硕士研究生招生考试试题科目代码823科目名称:半导体物理
北京工业大学2001年硕士研究生招生考试试题科目代码823科目名称:半导体物理
假定纵轴（E）上一个刻度等于4
E
g
6）示意图画出电场强度分布图（ε~X）；
7）示意画出电势分布图（V~X），假定纵轴（V）上一个刻度等于1/4的g E/q；
8）用g E表达出此pn结的自建电势bi V的大小。
六、（15分）一金属与N型硅构成的理想MOS结构，
9）画出此结构的高频C-V特性曲线，并标出反型区、耗尽区和积累区；
10）画出对应与反型区、耗尽区和积累区的能带图；
11）画出对应与反型区、耗尽区和积累区的电荷密度分布图。
七、（10分）一N型半导体与金属形成的理想Schottky二级管，当半导体的摻杂浓度D
N提高时，
12）半导体的功函数s W如何变化，说明原因；
13）此二极管的自建电势bi v会如何变化，并解释原因。
北京工业大学2002年硕士研究生招生考试试题科目代码823科目名称:半导体物理
图一、300k时si材料中的载流子迁移率和摻杂浓度的关系。
2012北京工业大学流体力学试题与答案
科目代码832 科目名称水力学I 北京工业大学2012年硕士研究生入学考试试题一、概念（每题1分，共10分）1、连续介质：把流体看做是全部充满、内部没有任何空隙的质点所组成的连续体。
2、真空压强：负的相对压强又称负压，其绝对值称真空压强。
3、有势流：无旋流（无旋流的流速矢量总存在势函数）4、量纲和谐原理：只有量纲相同的物理量才能相加减，所以正确的物理量关系式中各加和项的量纲必须是相同的，等式两边的量纲也必然是相同的。
5、粗糙壁面：粘性底层掩盖不住粗糙凸出高度，壁面粗糙对流动阻力、能量损失影响甚大，这样的壁面称粗糙壁面，若为管道则称粗糙管6、卡门涡街：从Re=65开始，大尺度涡旋会从柱面两侧周期性地交替脱落下来，这些涡体进入尾流区，交错式排成两列，各涡体以常速度向下游移动，这种尾流漩涡称卡门涡街。
7、环状管网：由多条管段互相连接成闭合形状的管道系统（枝状管网：由多条管段串连而成的干管和与干管相联的多条支管所组成的管道系统）8、临界水深：流量及断面形状、尺寸一定的条件下，相应的断面能量最小时的水深是临界水深9、渠道允许流速：不冲流速与不淤流速之间的流速10、堰流：水流受到堰体或两侧边墙束窄的阻碍，上游水位壅高，水流从堰顶自由下泄，水面线为一条连续的降落曲线，这种水流现象称为堰顶溢流，简称堰流。
二、选择或填空（每空1分，共30分）1、水的粘度随温度升高而减小，空气的粘度随温度升高而增大。
，2、与牛顿内摩擦定律有关的因素 b 。
3、边界层分离的必要条件是。
（b ）0p x∂>∂ 4、图示两块无限大平行平板间的流动，速度分布为抛物线，A 、B 、C三点的切应力最大的是 C 点，最小的是 A 点。
5、如图所示，容器内液体密度1ρ，容器左侧和底部各连接测压管，其中液体密度为2ρ，试问A-A,B-B,C-C ，水平面是否是等压面？A-A 、C-C 是，B-B 不是 。
连通器原理：在静止、连通的同一种流体中，任意两点的压强差仅取决于两点的高差，而与容器的形状无关。
北工大_考研范围_半导体物理
学院（系所）名称：电子信息与控制工程学院423半导体物理——北京工业大学2007年硕士研究生入学考试大纲200092科目代码：423专正门参考书：（书名、作者、出版社、出版年份）112室刘恩科等，“半导体物理学”国防工业出版社，1989课业内容：彰武一、半导体的晶体结构和缺陷彰武常见半导体材料（Si、Ge和GaAs）的晶体结构和物理性质；半导体材料中的常见点、线、面缺陷。
济二、半导体中的电子状态济布洛赫定理；空穴、电子速度、加速度和有效质量；满带与不满带的电子性质；表面存在对电子态的影响；常见半导体材料（Si、Ge和GaAs）能带结构的特点；电子回旋共振实验和回旋共振有效质量；施主和受主，补偿，深能级及其影响。
院三、平衡载流子浓度专态密度有效质量；非简并掺杂半导体室温附近的载流子浓度；掺杂半导体载流子浓度与温度的关系；掺杂半导体费米能级与掺杂浓度和温度的关系；简并情况及其特点。
112室四、半导体的导电性336260 37常见半导体材料中主要的载流子散射机构与掺杂浓度和温度的关系；电导率；迁移率；电导率有效质量；迁移率随温度和掺杂浓度的变化；霍尔效应。
业五、非平衡载流子正门确定常用半导体材料中过剩载流子寿命的主要复合机构；常用半导体材料中过剩载流子寿命与掺杂浓度及温度的关系；描述载流子运动的基本方程；准费米能级；爱因斯坦关系。
网络督察六、同质pn结专突变结、缓变结、接触电势差；空间耗尽层；理想pn结IV特性；正反偏置理想pn结能带图、载流子分布图；实际pn结、理想pn结IV特性的差别及原因；势垒电容；pn结击穿的主要机制。
kaoyangj七、MOS结构48号Si－SiO2系统中主要电荷和电子态；表面电场效应；理想MOS的CV特性、功函数差；PMOS和NMOS在不同栅压下，表面的状态能带图和表面势条件；氧化层电荷；界面态对CV特性的影响；阈值电压。
八、金属－半导体接触和异质结阻挡层与反阻挡层；表面态对金属－半导体接触的影响；肖特基整流接触的特点；金属－半导体欧姆接触；异质结的结构的能带图。
全国名校材料科学基础考研真题汇编(含部分答案)
1．清华大学材料科学基础历年考研真题及详解2009年清华大学材料科学基础（与物理化学或固体物理）考研真题及详解2008年清华大学材料科学基础（与物理化学或固体物理）考研真题及详解2007年清华大学材料科学基础（与物理化学或固体物理）考研真题及详解清华大学2007年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：材料科学基础（与物理化学或固体物理）适用专业：材料科学与工程一、（5分）证明：对于立方晶系，有二、（10分）画出下述物质的一个晶胞：金刚石 NaCl 闪锌矿纤锌矿石墨三、（10分）请导出摩尔分数为x A、x B的二元系中的综合扩散系数D与分扩散系数D A、D B之间的关系。
四、（10分）根据图1-1所示的铁碳平衡相图，回答以下问题：1．写出在1495℃、1154℃、1148℃、738℃和727℃发生的三相平衡反应的反应式。
2．画出含碳量的过共析钢在室温下的平衡组织，并计算其中二次渗碳体的百分数。
3．含碳量的亚共晶白口铸铁在从液相平衡冷却到室温时会发生什么三相平衡反应和两相平衡反应（可用热分析曲线表示）？室温下该成分的铸铁中有没有二次渗碳体？如有的话，计算其百分数。
五、（10分）1．解释冷变形金属加热时回复、再结晶的过程及特点。
2．已知Cu-30％Zn合金的再结晶激活能为250kJ/mol，此合金在400℃的恒温下完成再结晶需要1h，试求此合金在390℃的恒温下完成再结晶需要多少小时。
六、（15分）沿铝（A1）单晶的方向拉伸，使其发生塑性变形，请确定：1．画出立方晶系的标准投影，并由此确定初始滑移系统。
2．转动规律和转轴。
图1-1 第四题图3．双滑移系统。
4．双滑移开始时晶体的取向和切变量。
5．双滑移过程中晶体的转动规律和转轴。
6．晶体的最终取向。
七、（15分）有一面心立方单晶体，在（111）面滑移的柏氏矢量为的右螺型位错，与在面上滑移的柏氏矢量为的另一右螺型位错相遇于此两滑移面交线，并形成一个新的全位错。
(NEW)北京大学半导体物理历年考研真题汇编
2009年北京大学半导体物理考研真题（回忆版）
2010年北京大学半导体物理考研真题（回忆版）
说明：以下试题均来自网络的回忆版，仅供借鉴参考！
一、名词解释
1．有效质量近似
2．E-K关系
3．迁移率
4．过剩载流子
5．简并半导体
6．异质结
二、有一非均匀掺杂的N型半导体，其掺杂浓度随距表面的深度满足关 系式为：N(x)＝N0x/L，其中L为半导体的厚度。试画出该半导体在平衡 状态下的能带图，并求该半导体的形成的自建势。
四、一半导体存在两种掺杂杂质，施主杂质浓度和受主杂质浓度分别为 ND，NA，并且ND＞NA，试求出在低温下和本征情形下费米能级在禁 带中的位置和随温度变化的趋势。
五、有一突变型PN结，结两边掺杂浓度为N0。
（1）在耗尽近似下，试求出在反向偏置电压VR下PN结势垒电容；
（2）在正向电压V下求出PN结边界处的载流子浓度；
五30分设nmospis衬底结构的栅氧化层厚度为ost氧化层的介电常数为os?金属栅和半导体功函数相同即ms???is的费米势??fifeeq???其中fe和ie分别为is的费米能级和本征费米能级
目 录
2007年北京大学半导体物理考研真题
2008年北京大学半导体物理考研真题
2009年北京大学半导体物理考研真题 （回忆版）
（2）假设N型 的掺杂浓度为 ，写出该半导体的电中性条件表达式。 在热平衡和完全电离条件下，分别写出电子和空穴浓度的表达式。
三、（30分）已知N型半导体和P型半导体均为非简并半导体，其掺杂 浓度分别是 和 。
（1）在完全电离条件下，写出平衡PN结的自建势表达式；
（2）在突变结耗尽近似条件下，推导出PN结耗尽电容的C-V关系；