电子束辐照对GaN基蓝光LED特性参数影响
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项 参数 采 用远 方Ｐ －０ Ｖｌ 色 电参 数 测 试仪 进 ＭＳ ８ 一 光 行 测 试 。 测试 的 环 境 温 度 为 ２ ．℃ ，环 境 湿 度 为 ５３ ６ ％， 测试 的 正 向 电 流Ｉ为 ３ ０ ５ ｆ ５ ｍＡ， 向 电压 ＶＦ 正 为
３２Ｖ ．
． ＿ ｕ ａ ｉｔｄ — ＿ ｎｒ ｄ ａｅ
为２ ．１ 光通 量 衰 减 了近 ３ ％。如 图８ 示 ，蓝 光 １ ｍ， ２ ０ 所
甸 化
３ 结论
采 用 地 那 米 加 速 器 产 生 的 低 能 电 子 束 对 Ｇａ Ｎ
基 蓝 光 Ｌ Ｄ进 行 辐 照 ，通 过 对 比 辐 照 前 后 颜 色 参 Ｅ 数 和 光 度 参 数 ，发现 Ｌ Ｄ的 主 波 长 发 生 了漂 移 ， Ｅ 色 纯 度 提 高 ， 光通 量 、 光 效 都 有 所 降 低 ， 电子 束 辐 照 会 引起 Ｌ Ｄ芯 片量 子 阱 中 的 原 子 位 移 ，非 复 Ｅ
图 １ＩＧ Ｎ 蓝 光Ｌ Ｄ芯 片 外 形 结 构 图 ｎ ａ Ｅ
Ｐ—ｔ ｅｅ ｔ ｏｄ ｙｐｅ ｌｃ ｒ ｅ ｍｅｔ ｌ ｕｒ ｅ ｔ ｓ ｅ ｉ ｌ ｙ ｒ ａ ｃ ｒ ｎ ｐｒ ａｄ ｎｇ ａ ｅ
ａ ｎ
。 Ｇ 。
ｍ ｅａｌ ｔ
—
ｅｔｅ ｌｒ ｅｏ ｃｄ
。
—
图２ 单 面 双 电极 结 构 图
ｄ ｔａ ｎｇ ａｉ ｉｍｅｌ ｎ ｒ
功 率 型 蓝 光 Ｌ Ｄ为 核 心 的半 导 体 照 明 光 源 ，被 认 Ｅ
为是 继 白炽灯 和 荧 光灯之 后的 第三 代照 明光 源 。
１ ＬＤ Ｅ 芯片及辐照参 数的确定
１１ Ｅ ． Ｌ Ｄ芯 片 的选取
Ｄｏｉ １ ３ ６ ／ ． ｓ １ ０ －０ ４． ０ ． （Ｉ）． ２ ： ９ ９ Ｊ ｉ ｎ． ０ ９ １ ０． ｓ ３ ２１ ３ － ３ ２
０ 引言
电子束 辐照 加工 技 术具 有生 产率高 ，能耗 低 ， 控制 性 好 ，无环 保 问题 等优 点 ，是一种 清 洁 的加 工 技 术 。８ 年 代 以来 ，我 国辐 照加 工技 术得 到迅 速发 ０ 展 ，应 用 电子束 对半 导体 二极 管 、开 关 晶体管 、快 速 可控 硅辐 照取 得 了令人 满意 的效 果…。 半 导 体 发 光 二 极 管 （ ＥＤ— ｇ ｔＥｍｉｔｎ Ｌ Ｌｉ ｈ ｔｉ ｇ Ｄｉｄ ）是 一种 新 型 的 发光 体 ，具 有 电光 转 换 效率 ｏｅ 高 、体 积 小 、 寿命 长 、 电压 低 、节 能 、环 保 等 优 点 ，是 下 一 代 理 想 的 照 明器 件 。Ｇａ Ｎ作 为 宽 带 隙 第 三 代 半 导 体 材 料 的 代 表 ，具 有 禁 带 宽 、发 光 效 率 高 、热 导 率 高 、 击 穿 电压 大 、 电子 漂 移 和 饱 和
（ 桂林 电子科技大学 机 电工程 学院 ，桂林 ５ １ ０ ４ ０ ４） 摘
・
Ｌ Ｕ Ｈａ－ ｎ ， Ｉ ｉａ ｇ ＺＨＡＮＧ ｉ ｉ ＨＵＡＮＧ ． ｉｇ ｌ Ｒｕ— ｎ。 ｂ Ｙｉ ｎ ｐ
要 ：本文利用 能量为１ ３ Ｖ、最大功率为９ Ｋ — Ｍｅ ０ Ｗ的工业用地那米型电子加速器产 生的低能电子 束对
电子 对 电子 束 的能 量 的吸 收 ，原子 移位 引 起ＩＧ Ｎ ｎ ａ 量子 阱 区的 富Ｉ量 子点变 得 更大 ，更 少 ，使得 量 子 ｎ 点 处 的 Ｉ 组 分 更 大 ，所 以 引起 了主 波长 发 生 了 漂 ｎ 移 。 由于 色纯 度 是 主 波 长描 述 颜色 时 的 辅 助 表 示 ，因而 主波长 的发 生变化 导致 色纯 度的变 化 。
速 度 大 、 介 电 常数 小 等 特 点 ，是 制 造 半 导 体 器 件 的理 想材 料 ，被 广泛 用 于Ｌ Ｄ的 制造 中， 以Ｇ Ｎ Ｅ ａ 基
Ｌ Ｄ单 面 双 电极 结构 ，如 图２ 示 。它 以透 明 导 电 Ｅ 所
层 作 为Ｐ Ｇａ — Ｎ之 欧 姆 接 触 层 ，并 以 Ａ 金 属 层 作 为 ｕ 焊 线 电极 。
ｗｉ ｄ ｗ ｉｅ ｎ ｏ ｓｚ
ｂｅ ｍ ｎｈｏ ｏ ｅ ｉｙ ｅ ｄｓ ａ ｉ ｍ ｇ ｎｅ ｔ ｌ ａ
ｉ ｓ ａ ｉ ｔ ｔ ａ ｌ±５ ｎ ｔ ｂｌ ｙ ｉ ｈｌ ％ ｎ ｏ ｍｏ ｅ ｔ ｎ ５ ｒ ｈａ ＋ ％
图 ４ Ｓ Ｄ 装 的灯 珠 Ｍ 封
ｔ ｔ ｉ ｏ ｈｅ ｗ ｎｄｏｗ
电 位 场 被 加 速 ，被 加 速 的 电子 通 过 电磁 透 镜 聚 焦
中广 泛 使 用 的芯 片 ，其 中 包括 Ｉ Ｇａ Ｇａ 子 阱 ｎ Ｎ／ Ｎ量
结构 。图 １ 示为 ＩＧａ 蓝 光Ｌ Ｄ芯 片 外形 结 构 所 ｎ Ｎ Ｅ 图 ，此 种芯 片 采 用 的是标 准 的蓝 宝 石基 板 之ＩＧａ ｎ Ｎ
参 考 文献 ：
［】谢 婉 玲 ． Ｇａ １ ｎ Ｎ肖特 基 势 垒 二 极 管 的 高 温 电 子 辐 照 效 应 — 【 ． Ｄ】 成都 ： 川 大 学 ．０ ６８ｌ ． 四 ２０ ． ４ 一 ［】方 志 烈 ． 导 体 照 明 技 术 『 ． 京 ： 子 工 业 出版 社 ． ０ ： ２ 半 Ｍ】 北 电 ２ ９ ０
宣ｃ ＼ 罟 暑 每 喇 Ｉ 口 ｕ 吕０ ４ ４ ｍ， 移 了近 １ ｎ ９ｎ 漂 ｍ。如 图６ ｌ 所示 ，蓝光Ｌ Ｄ的色 Ｅ
２ 电子束辐照 实验及 结果 分析
２１ 电子 束辐 照 实验 ．
辐 照 试 验 是 在 某 单 位 的小 车 辐 照 装 置 （ 图 如 ３ 示 ）上 进 行 的 ，将 要辐 照 的Ｌ Ｄ芯 片放 在 辐 照 所 Ｅ 小 车 上 ，小 车 通 过 传 送 带 被 送 至地 那 米 加 速 器 的
表 １ 电子束辐照装 置性能参数
ｅ ｅ ｔ ｏｎ ｌｃｒ １ ３ ｅ — Ｍ Ｖ ｅ ｒ ｎｅ ｇＹ ｒ ｎ ａ ａ ｉ ｍ ｘ ｍ ｕｍ ９ ０Ｋ Ｗ Ｐｏ ｅ ｗ ｒ ｌａ ｎｇ ｅ ｄｉ １ ００ ０ ｉ ｔ ｂｉｉｙ ｔ ｎ 士 ５ ｎｓ ａ ｌｔ ｈａ ％ ｂａ ｅｍ ｎＯ ｍ ＯＩ ｅ － ｂｅ ａｍ ｅ ｒ Ｙ ｎｅ ｇ ｎＯ ｍ ＯＩ ｅ ． ｍ ａ ｍ ｕｍ ｘｉ ４ ｍ Ａ ０
合 型 复 合 ， 降 低 少子 寿 命 。 这 对 进 一 步 研 究 电子
Ｌ Ｄ的 光效 率 的 平均 值 由辐 照前 的２ ．ｍ／ 为 辐 Ｅ ７１ ｗ变
照 后 的 １ ．１ ｗ。 ， 些 光 度参 数 的 衰 减 原 因 是 由 ８８ｍ／ 这
于 电 子 束 辐 照 在 量 子 阱 区 引起 了 晶体 缺 陷 ， 进 而 产 生 非 辐 射 复 合 中心 ， 引起 非 辐 射 型 复合 ，使 少
ｌ Ｇｖ ｒ ｄ ａ ｅ ｋ ａ ｉｔ ｄ
图５辐 照 前 后 主 波 长 的变 化
— —
・ ｕ ｒ ｄ ａｅ — １ Ｇｙ ｒ ｄ ａ ｅ 一 ｎ ａ ｉｔｄ Ｉｎ ｋ ａ ｉ ｔｄ
２
４
６
８
１ ０
图６ 辐 照 前 后 色 纯 度 的 变 化
图３小车辐照装置
—
量 的 电 子束 辐 照 ， 标号 为＃ 未经 过 辐 照加 工 的 芯 Ｂ， 片 标 号 为＃ Ａ。辐 照 实 验技 术结 束 后 ，将２ 颗 芯 片 Ｏ 进 行表 面贴 装 器件 （ＭＤ— ｕｆｃ ｕ ｔｄＤｅ ｉ ｓ Ｓ Ｓ ｒ ｅＭｏ ｎｅ ｖｃ ） ａ ｅ 封 装 ［】 ４ 。封 装 成 型 的灯 珠 如 图４ 示 ，灯 珠 的 各 所
辐 照 所 用 的Ｇａ Ｎ基 蓝 光 芯 片 是 当今 Ｌ Ｄ产 业 Ｅ
１２ 电子 束辐 照 实验 参 数 的确定 ．
辐 照 装 置 选 用 的是 我 国 辐 照 工 业 上 普 遍 使 用
的 地 那 米 （ 频 高 压 型 ）加 速 器 ， 主 要 部 件 包 高 括 ：加 速 管 ， 高 频 变 压 器 ，整 流 倍 压 系统 ， 高 频 振 荡 器 ，扫 描 装置 ，控制 系统 。工作 原 理 ： 电子 枪 发 射 的 电 子 在 加 速 管 内通 过 高压 整 流 器 建 立 的
收稿 日期 ：２ １ － ６ ５ ０ １ ０ －１
基 金 项 目 ：广 西 制 造 系 统 与 先 进 制 造 技 术 重 点 实 验 室 主 任 基 金 项 目 （ ９０ ７０ — １ ） ０ —０ —５ ０ ４ 作者简介 ：刘海 浪 （９ ８ １７ 一），女 ，讲师 ，主要从事机 电一体 化技术方面的研究 。
束 辐 照对 Ｌ Ｄ的 改性 以 及 对研 究Ｌ Ｄ器 件 的 抗 辐 Ｅ Ｅ
射加 固具 有一 定 的指导 意义 。
子 的 寿 命 降 低 。复 合 时 可 以通 过 能 隙 中许 多 能 量
间 隔 小 的 能 级 作 发 射 多声 子 的跃 迁 ，这 就 是 非 辐
射 复 合 中心 的复 合 过 程 。 在 纯 的Ｇａ Ｎ材 料 中 ， 低
２２ 辐 照 前后 Ｌ Ｄ 色参 数对 比分 析 ． Ｅ 颜
对 蓝 光Ｌ Ｄ进行 辐 照 加工 后 ，如 图５ 示 ，发 Ｅ 所 现 蓝 光 Ｌ Ｄ的 主 波 长 发 生 了变 化 ，主 波 长 的 平 均 Ｅ 值 由辐 照前 的 为 ５ ５ ｍ， 少 到 了 受 ｌ Ｇｙ 照 后 的 ０ｎ 减 ｋ 辐
［ ０ ］ 第３ 卷 １ ２ ４
第３ 期
２１— ３上 ） ０２０（
ｌ
到 引 出装 置 中 ， 由扫 描 系统 将 电子 束 打 开 ，通 过 钛 箔 扫 描 到 束 下 装 置 的被 照 物体 上 ， 电 子 束 的 能
訇 化
量 ，束 流等 参数 是通 过控 制 系统调 节 ，达到 不 同辐 照剂 量 的要 求 。电子束 辐卷 ４
第３ 期
２ １ — ３ 上 ） ［０ １ ０ ２ ０ （ １ ３
Ｉ
２３ 辐照前后Ｌ Ｄ ． Ｅ 光度参数对 比分析 由 图７ 以 看 出 ， 辐 照 前 的 蓝 光ＬＥ 可 Ｄ光 通 量 的平 均值 为３ ．１ 辐 照 后 的Ｌ Ｄ光 通 量 的 平 均值 ０４ｍ， Ｅ
电子 束 辐 照对 Ｇａ 蓝 光 Ｌ Ｄ 性 参 数 影 响 Ｎ基 Ｅ 特
Ｔｈｅ ｐａｒ ａｍ ｅｔ ｎｆｕｅｎｃｅ ｅｃｔ ｏｎ ｂｅａｍ ｒ ａｄｉ ｉ ｅｒ ｉ ｌ ｏｆ ｅｌ ｒ ｉｒ ａｔ ｏｎ
ｏｎ ＧａＮ ｂａｓ ｅｄ ｕｅ ＬＥＤ ｂｌ
刘 海 浪 ，张瑞 宾 ，黄 以 平
ＧＮ ａ 基蓝光Ｌ Ｄ Ｅ 进行 了电子束辐 照实验 ，对 比了辐 照前后的Ｌ Ｄ 色参 数 ，光度参 数的变化 ， Ｅ颜 同时对实验结果进行分析和讨 论。结果表明 ，在 电子束辐照下 ，Ｌ Ｄ Ｅ 的主波 长发生了漂移 ，色 纯度 提高 ，光通量 、光效都有 所降低 ，并且发现 电子束辐照会 引起Ｌ Ｄ 片量子阱中的原子位 Ｅ芯 移 ，非复 合型复合 ，降低 少子寿命 。 关键词 ：电子 束辐 照 ；Ｌ Ｄ；Ｇ Ｎ；特性参数 Ｅ ａ 中图分类号 ：Ｔ ５ Ｌ５ 文献标识码 ：Ａ 文章 编号 ：１ ０ —０ ３ （ ０ ） ３上 ） １ ２ ３ ９ １ ４ ２ １ ０ （ 一０ —０ ０ ２ ０
下 方 ， 经过 加 速 器 下 方 的过 程 中 ，芯 片 受 到 了 电 在
纯 度 的 平均 值 由辐 照前 的 ７６ ．％增加 到 了受 ｌ喜 辐 ｋ Ｇｙ ｝
照 后 的 １ ．％。 电子束 辐 照 引起 了Ｌ Ｄ芯 片量 子 阱 ０２ Ｅ 中的原子 的移 位 ，产 生原子 移位 是 由于量子 阱 中的
子 束 的 辐 照 ，辐 照 过程 中的 小 车 传 送 速 度 以及 辐 照 的 剂 量 都 是 由计 算机 进 行 控 制 的 。试 验 样 品采 用 同一 批 次 的Ｇ Ｎ基蓝 光Ｌ Ｄ芯 片 ，一共 ２ 颗 ，平 ａ Ｅ Ｏ
均 分成 ２ ，每 ｌ 颗 为一 组 ，其 中一 组 给予 ｌＧｙ Ｕ 组 ０ ｋ ￣
３２Ｖ ．
． ＿ ｕ ａ ｉｔｄ — ＿ ｎｒ ｄ ａｅ
为２ ．１ 光通 量 衰 减 了近 ３ ％。如 图８ 示 ，蓝 光 １ ｍ， ２ ０ 所
甸 化
３ 结论
采 用 地 那 米 加 速 器 产 生 的 低 能 电 子 束 对 Ｇａ Ｎ
基 蓝 光 Ｌ Ｄ进 行 辐 照 ，通 过 对 比 辐 照 前 后 颜 色 参 Ｅ 数 和 光 度 参 数 ，发现 Ｌ Ｄ的 主 波 长 发 生 了漂 移 ， Ｅ 色 纯 度 提 高 ， 光通 量 、 光 效 都 有 所 降 低 ， 电子 束 辐 照 会 引起 Ｌ Ｄ芯 片量 子 阱 中 的 原 子 位 移 ，非 复 Ｅ
图 １ＩＧ Ｎ 蓝 光Ｌ Ｄ芯 片 外 形 结 构 图 ｎ ａ Ｅ
Ｐ—ｔ ｅｅ ｔ ｏｄ ｙｐｅ ｌｃ ｒ ｅ ｍｅｔ ｌ ｕｒ ｅ ｔ ｓ ｅ ｉ ｌ ｙ ｒ ａ ｃ ｒ ｎ ｐｒ ａｄ ｎｇ ａ ｅ
ａ ｎ
。 Ｇ 。
ｍ ｅａｌ ｔ
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ｅｔｅ ｌｒ ｅｏ ｃｄ
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图２ 单 面 双 电极 结 构 图
ｄ ｔａ ｎｇ ａｉ ｉｍｅｌ ｎ ｒ
功 率 型 蓝 光 Ｌ Ｄ为 核 心 的半 导 体 照 明 光 源 ，被 认 Ｅ
为是 继 白炽灯 和 荧 光灯之 后的 第三 代照 明光 源 。
１ ＬＤ Ｅ 芯片及辐照参 数的确定
１１ Ｅ ． Ｌ Ｄ芯 片 的选取
Ｄｏｉ １ ３ ６ ／ ． ｓ １ ０ －０ ４． ０ ． （Ｉ）． ２ ： ９ ９ Ｊ ｉ ｎ． ０ ９ １ ０． ｓ ３ ２１ ３ － ３ ２
０ 引言
电子束 辐照 加工 技 术具 有生 产率高 ，能耗 低 ， 控制 性 好 ，无环 保 问题 等优 点 ，是一种 清 洁 的加 工 技 术 。８ 年 代 以来 ，我 国辐 照加 工技 术得 到迅 速发 ０ 展 ，应 用 电子束 对半 导体 二极 管 、开 关 晶体管 、快 速 可控 硅辐 照取 得 了令人 满意 的效 果…。 半 导 体 发 光 二 极 管 （ ＥＤ— ｇ ｔＥｍｉｔｎ Ｌ Ｌｉ ｈ ｔｉ ｇ Ｄｉｄ ）是 一种 新 型 的 发光 体 ，具 有 电光 转 换 效率 ｏｅ 高 、体 积 小 、 寿命 长 、 电压 低 、节 能 、环 保 等 优 点 ，是 下 一 代 理 想 的 照 明器 件 。Ｇａ Ｎ作 为 宽 带 隙 第 三 代 半 导 体 材 料 的 代 表 ，具 有 禁 带 宽 、发 光 效 率 高 、热 导 率 高 、 击 穿 电压 大 、 电子 漂 移 和 饱 和
（ 桂林 电子科技大学 机 电工程 学院 ，桂林 ５ １ ０ ４ ０ ４） 摘
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要 ：本文利用 能量为１ ３ Ｖ、最大功率为９ Ｋ — Ｍｅ ０ Ｗ的工业用地那米型电子加速器产 生的低能电子 束对
电子 对 电子 束 的能 量 的吸 收 ，原子 移位 引 起ＩＧ Ｎ ｎ ａ 量子 阱 区的 富Ｉ量 子点变 得 更大 ，更 少 ，使得 量 子 ｎ 点 处 的 Ｉ 组 分 更 大 ，所 以 引起 了主 波长 发 生 了 漂 ｎ 移 。 由于 色纯 度 是 主 波 长描 述 颜色 时 的 辅 助 表 示 ，因而 主波长 的发 生变化 导致 色纯 度的变 化 。
速 度 大 、 介 电 常数 小 等 特 点 ，是 制 造 半 导 体 器 件 的理 想材 料 ，被 广泛 用 于Ｌ Ｄ的 制造 中， 以Ｇ Ｎ Ｅ ａ 基
Ｌ Ｄ单 面 双 电极 结构 ，如 图２ 示 。它 以透 明 导 电 Ｅ 所
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图 ４ Ｓ Ｄ 装 的灯 珠 Ｍ 封
ｔ ｔ ｉ ｏ ｈｅ ｗ ｎｄｏｗ
电 位 场 被 加 速 ，被 加 速 的 电子 通 过 电磁 透 镜 聚 焦
中广 泛 使 用 的芯 片 ，其 中 包括 Ｉ Ｇａ Ｇａ 子 阱 ｎ Ｎ／ Ｎ量
结构 。图 １ 示为 ＩＧａ 蓝 光Ｌ Ｄ芯 片 外形 结 构 所 ｎ Ｎ Ｅ 图 ，此 种芯 片 采 用 的是标 准 的蓝 宝 石基 板 之ＩＧａ ｎ Ｎ
参 考 文献 ：
［】谢 婉 玲 ． Ｇａ １ ｎ Ｎ肖特 基 势 垒 二 极 管 的 高 温 电 子 辐 照 效 应 — 【 ． Ｄ】 成都 ： 川 大 学 ．０ ６８ｌ ． 四 ２０ ． ４ 一 ［】方 志 烈 ． 导 体 照 明 技 术 『 ． 京 ： 子 工 业 出版 社 ． ０ ： ２ 半 Ｍ】 北 电 ２ ９ ０
宣ｃ ＼ 罟 暑 每 喇 Ｉ 口 ｕ 吕０ ４ ４ ｍ， 移 了近 １ ｎ ９ｎ 漂 ｍ。如 图６ ｌ 所示 ，蓝光Ｌ Ｄ的色 Ｅ
２ 电子束辐照 实验及 结果 分析
２１ 电子 束辐 照 实验 ．
辐 照 试 验 是 在 某 单 位 的小 车 辐 照 装 置 （ 图 如 ３ 示 ）上 进 行 的 ，将 要辐 照 的Ｌ Ｄ芯 片放 在 辐 照 所 Ｅ 小 车 上 ，小 车 通 过 传 送 带 被 送 至地 那 米 加 速 器 的
表 １ 电子束辐照装 置性能参数
ｅ ｅ ｔ ｏｎ ｌｃｒ １ ３ ｅ — Ｍ Ｖ ｅ ｒ ｎｅ ｇＹ ｒ ｎ ａ ａ ｉ ｍ ｘ ｍ ｕｍ ９ ０Ｋ Ｗ Ｐｏ ｅ ｗ ｒ ｌａ ｎｇ ｅ ｄｉ １ ００ ０ ｉ ｔ ｂｉｉｙ ｔ ｎ 士 ５ ｎｓ ａ ｌｔ ｈａ ％ ｂａ ｅｍ ｎＯ ｍ ＯＩ ｅ － ｂｅ ａｍ ｅ ｒ Ｙ ｎｅ ｇ ｎＯ ｍ ＯＩ ｅ ． ｍ ａ ｍ ｕｍ ｘｉ ４ ｍ Ａ ０
合 型 复 合 ， 降 低 少子 寿 命 。 这 对 进 一 步 研 究 电子
Ｌ Ｄ的 光效 率 的 平均 值 由辐 照前 的２ ．ｍ／ 为 辐 Ｅ ７１ ｗ变
照 后 的 １ ．１ ｗ。 ， 些 光 度参 数 的 衰 减 原 因 是 由 ８８ｍ／ 这
于 电 子 束 辐 照 在 量 子 阱 区 引起 了 晶体 缺 陷 ， 进 而 产 生 非 辐 射 复 合 中心 ， 引起 非 辐 射 型 复合 ，使 少
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图５辐 照 前 后 主 波 长 的变 化
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・ ｕ ｒ ｄ ａｅ — １ Ｇｙ ｒ ｄ ａ ｅ 一 ｎ ａ ｉｔｄ Ｉｎ ｋ ａ ｉ ｔｄ
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图６ 辐 照 前 后 色 纯 度 的 变 化
图３小车辐照装置
—
量 的 电 子束 辐 照 ， 标号 为＃ 未经 过 辐 照加 工 的 芯 Ｂ， 片 标 号 为＃ Ａ。辐 照 实 验技 术结 束 后 ，将２ 颗 芯 片 Ｏ 进 行表 面贴 装 器件 （ＭＤ— ｕｆｃ ｕ ｔｄＤｅ ｉ ｓ Ｓ Ｓ ｒ ｅＭｏ ｎｅ ｖｃ ） ａ ｅ 封 装 ［】 ４ 。封 装 成 型 的灯 珠 如 图４ 示 ，灯 珠 的 各 所
辐 照 所 用 的Ｇａ Ｎ基 蓝 光 芯 片 是 当今 Ｌ Ｄ产 业 Ｅ
１２ 电子 束辐 照 实验 参 数 的确定 ．
辐 照 装 置 选 用 的是 我 国 辐 照 工 业 上 普 遍 使 用
的 地 那 米 （ 频 高 压 型 ）加 速 器 ， 主 要 部 件 包 高 括 ：加 速 管 ， 高 频 变 压 器 ，整 流 倍 压 系统 ， 高 频 振 荡 器 ，扫 描 装置 ，控制 系统 。工作 原 理 ： 电子 枪 发 射 的 电 子 在 加 速 管 内通 过 高压 整 流 器 建 立 的
收稿 日期 ：２ １ － ６ ５ ０ １ ０ －１
基 金 项 目 ：广 西 制 造 系 统 与 先 进 制 造 技 术 重 点 实 验 室 主 任 基 金 项 目 （ ９０ ７０ — １ ） ０ —０ —５ ０ ４ 作者简介 ：刘海 浪 （９ ８ １７ 一），女 ，讲师 ，主要从事机 电一体 化技术方面的研究 。
束 辐 照对 Ｌ Ｄ的 改性 以 及 对研 究Ｌ Ｄ器 件 的 抗 辐 Ｅ Ｅ
射加 固具 有一 定 的指导 意义 。
子 的 寿 命 降 低 。复 合 时 可 以通 过 能 隙 中许 多 能 量
间 隔 小 的 能 级 作 发 射 多声 子 的跃 迁 ，这 就 是 非 辐
射 复 合 中心 的复 合 过 程 。 在 纯 的Ｇａ Ｎ材 料 中 ， 低
２２ 辐 照 前后 Ｌ Ｄ 色参 数对 比分 析 ． Ｅ 颜
对 蓝 光Ｌ Ｄ进行 辐 照 加工 后 ，如 图５ 示 ，发 Ｅ 所 现 蓝 光 Ｌ Ｄ的 主 波 长 发 生 了变 化 ，主 波 长 的 平 均 Ｅ 值 由辐 照前 的 为 ５ ５ ｍ， 少 到 了 受 ｌ Ｇｙ 照 后 的 ０ｎ 减 ｋ 辐
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第３ 期
２１— ３上 ） ０２０（
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到 引 出装 置 中 ， 由扫 描 系统 将 电子 束 打 开 ，通 过 钛 箔 扫 描 到 束 下 装 置 的被 照 物体 上 ， 电 子 束 的 能
訇 化
量 ，束 流等 参数 是通 过控 制 系统调 节 ，达到 不 同辐 照剂 量 的要 求 。电子束 辐卷 ４
第３ 期
２ １ — ３ 上 ） ［０ １ ０ ２ ０ （ １ ３
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２３ 辐照前后Ｌ Ｄ ． Ｅ 光度参数对 比分析 由 图７ 以 看 出 ， 辐 照 前 的 蓝 光ＬＥ 可 Ｄ光 通 量 的平 均值 为３ ．１ 辐 照 后 的Ｌ Ｄ光 通 量 的 平 均值 ０４ｍ， Ｅ
电子 束 辐 照对 Ｇａ 蓝 光 Ｌ Ｄ 性 参 数 影 响 Ｎ基 Ｅ 特
Ｔｈｅ ｐａｒ ａｍ ｅｔ ｎｆｕｅｎｃｅ ｅｃｔ ｏｎ ｂｅａｍ ｒ ａｄｉ ｉ ｅｒ ｉ ｌ ｏｆ ｅｌ ｒ ｉｒ ａｔ ｏｎ
ｏｎ ＧａＮ ｂａｓ ｅｄ ｕｅ ＬＥＤ ｂｌ
刘 海 浪 ，张瑞 宾 ，黄 以 平
ＧＮ ａ 基蓝光Ｌ Ｄ Ｅ 进行 了电子束辐 照实验 ，对 比了辐 照前后的Ｌ Ｄ 色参 数 ，光度参 数的变化 ， Ｅ颜 同时对实验结果进行分析和讨 论。结果表明 ，在 电子束辐照下 ，Ｌ Ｄ Ｅ 的主波 长发生了漂移 ，色 纯度 提高 ，光通量 、光效都有 所降低 ，并且发现 电子束辐照会 引起Ｌ Ｄ 片量子阱中的原子位 Ｅ芯 移 ，非复 合型复合 ，降低 少子寿命 。 关键词 ：电子 束辐 照 ；Ｌ Ｄ；Ｇ Ｎ；特性参数 Ｅ ａ 中图分类号 ：Ｔ ５ Ｌ５ 文献标识码 ：Ａ 文章 编号 ：１ ０ —０ ３ （ ０ ） ３上 ） １ ２ ３ ９ １ ４ ２ １ ０ （ 一０ —０ ０ ２ ０
下 方 ， 经过 加 速 器 下 方 的过 程 中 ，芯 片 受 到 了 电 在
纯 度 的 平均 值 由辐 照前 的 ７６ ．％增加 到 了受 ｌ喜 辐 ｋ Ｇｙ ｝
照 后 的 １ ．％。 电子束 辐 照 引起 了Ｌ Ｄ芯 片量 子 阱 ０２ Ｅ 中的原子 的移 位 ，产 生原子 移位 是 由于量子 阱 中的
子 束 的 辐 照 ，辐 照 过程 中的 小 车 传 送 速 度 以及 辐 照 的 剂 量 都 是 由计 算机 进 行 控 制 的 。试 验 样 品采 用 同一 批 次 的Ｇ Ｎ基蓝 光Ｌ Ｄ芯 片 ，一共 ２ 颗 ，平 ａ Ｅ Ｏ
均 分成 ２ ，每 ｌ 颗 为一 组 ，其 中一 组 给予 ｌＧｙ Ｕ 组 ０ ｋ ￣