扩散原理及技术介绍

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扩散工艺知识

扩散工艺知识

第三章 扩散工艺在前面“材料工艺”一章,我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺,那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散.这样的同质高浓度扩散,在晶体管制造中还常用来作欧姆接触,如做在基极电极引出处以降低接触电阻.除了改变杂质浓度,扩散的另一个也是更主要的一个作用,是在硅平面工艺中用来改变导电类型,制造PN 结。

第一节 扩散原理扩散是一种普通的自然现象,有浓度梯度就有扩散。

扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果.在一定温度下杂质原子具有一定的能量,能够克服某种阻力进入半导体,并在其中作缓慢的迁移运动。

一.扩散定义在高温条件下,利用物质从高浓度向低浓度运动的特性,将杂质原子以一定的可控性掺入到半导体中,改变半导体基片或已扩散过的区域的导电类型或表面杂质浓度的半导体制造技术,称为扩散工艺。

二.扩散机构杂质向半导体扩散主要以两种形式进行:1.替位式扩散一定温度下构成晶体的原子围绕着自己的平衡位置不停地运动。

其中总有一些原子振动得较厉害,有足够的能量克服周围原子对它的束缚,跑到其它地方,而在原处留下一个“空位".这时如有杂质原子进来,就会沿着这些空位进行扩散,这叫替位式扩散。

硼(B )、磷(P )、砷(As )等属此种扩散。

2.间隙式扩散构成晶体的原子间往往存在着很大间隙,有些杂质原子进入晶体后,就从这个原子间隙进入到另一个原子间隙,逐次跳跃前进.这种扩散称间隙式扩散.金、铜、银等属此种扩散。

三. 扩散方程扩散运动总是从浓度高处向浓度低处移动。

运动的快慢与温度、浓度梯度等有关。

其运动规律可用扩散方程表示,具体数学表达式为:N D tN 2∇=∂∂ (3—1) 在一维情况下,即为: 22xN D t N ∂∂=∂∂ (3-2) 式中:D 为扩散系数,是描述杂质扩散运动快慢的一种物理量;N 为杂质浓度;t 为扩散时间;x 为扩散到硅中的距离。

四.扩散系数杂质原子扩散的速度同扩散杂质的种类和扩散温度有关.为了定量描述杂质扩散速度,引入扩散系数D 这个物理量,D 越大扩散越快。

环境污染原理及其治理技术

环境污染原理及其治理技术

环境污染原理及其治理技术环境污染是指人类活动所导致的大气、水体和土地等环境资源的不可逆转损害。

随着工业化和城市化的快速发展,环境污染问题日益突出,对人类健康和生态平衡造成了巨大威胁。

本文将介绍环境污染的原理以及常用的治理技术。

一、环境污染的原理环境污染主要有三个原理:排放原理、扩散原理和积累原理。

1. 排放原理排放原理是指工业生产、交通运输等活动产生的废气、废水和固体废弃物等被释放到环境中的过程。

工厂的烟囱排放废气、河流中的废水排放、垃圾焚烧产生的废气等都是排放原理的具体表现。

2. 扩散原理扩散原理是指排放到环境中的污染物会通过空气、水体或土壤的流动扩散到周围环境中,从而影响更广阔的范围。

例如,排放到大气中的污染物会随着风的吹动扩散到更远的地区,污染水体中的有害物质会随着水流扩散到更大的范围。

3. 积累原理积累原理是指污染物在环境中会积累和富集,对生态环境和人类健康造成慢性损害。

一些有毒化学物质,如重金属和农药,在环境中难以分解,会逐渐积累在土壤和水体中,进而进入食物链,对生物体产生毒害。

二、环境污染的治理技术为了解决环境污染问题,各国采取了一系列的治理技术,主要包括预防治理、终端治理和资源化利用。

1. 预防治理预防治理是通过控制和限制环境污染物的产生和排放,预防污染问题的发生。

例如,加强工业企业的环境管理,推广清洁生产技术,提高能源利用效率等。

此外,还可以加强环境监测和评估,及时发现和解决潜在的环境风险。

2. 终端治理终端治理是指在废气、废水和固体废弃物等排放口对污染物进行处理和净化,以达到环境排放标准。

常见的终端治理技术包括烟气脱硫、废水处理和固体废弃物焚烧等。

3. 资源化利用资源化利用是指将污染物转化为可再利用的资源,减少其对环境的负面影响。

例如,利用废水中的有机物质进行生物发酵产生能源,将废旧塑料进行回收再利用等。

三、环境污染治理的挑战与未来发展方向尽管有各种治理技术的存在,但环境污染治理仍面临许多挑战。

简要说明琼脂扩散技术的原理

简要说明琼脂扩散技术的原理

简要说明琼脂扩散技术的原理琼脂扩散技术是一种常用的分子生物学实验技术,用于分离和检测蛋白质或核酸的动态扩散行为。

其原理基于琼脂凝胶的特性以及扩散分子的运动与分子量之间的关系。

琼脂凝胶是一种水合胶体,主要由水、多糖或蛋白质组成,呈现为一种半固体凝胶状。

琼脂凝胶中的多糖或蛋白质具有一定的孔隙结构,可以使分子在其中进行扩散。

琼脂凝胶的孔隙大小和凝胶电荷性质可以通过改变凝胶制备条件来调节,以适应不同分子的扩散。

琼脂扩散技术通常使用琼脂凝胶电泳板来进行实验。

首先,将琼脂粉末溶解在缓冲液中,通过加热、搅拌等步骤制备成凝胶溶液。

然后,将凝胶溶液倒入模具中,静置使其凝固。

形成的凝胶板上有一系列凹槽,称为孔槽。

待凝胶固化完成后,将孔槽中填充检测分子样品,如蛋白质或核酸。

接下来,让分子在琼脂凝胶中进行扩散。

扩散过程中,分子会从初始点向外侧扩散。

扩散速率取决于分子的分子量,通常情况下,分子量越小,扩散速度越快。

在扩散过程中,分子会与凝胶中的孔隙发生相互作用,使其速度逐渐减慢。

根据分子的扩散速度,可以计算出其扩散系数,从而了解分子的大小和性质。

为了观察分子的扩散行为,常常在琼脂凝胶上添加染料或显色试剂。

分子扩散到染料或试剂的位置后,会与其发生化学反应,形成显色物或染色产物。

通过观察显色的扩散圈或带状图案,可以确定分子的扩散行为。

琼脂扩散技术广泛应用于生物学研究中,例如蛋白质电泳,通过检测蛋白质的扩散系数来判断蛋白质纯度和分子量;亲和层析,用于研究分子间的相互作用;DNA分子量标准的制备等。

总结来说,琼脂扩散技术利用琼脂凝胶的孔隙结构和分子的扩散行为,通过观察分子的扩散速度和行为来分析和测定分子的大小、形态及其他性质。

该技术简单易行,并且可以在非常规实验室条件下进行,因此被广泛应用于生物科学研究和实验中。

高中生物扩散原理教案全套

高中生物扩散原理教案全套

高中生物扩散原理教案全套一、教学目标1.了解扩散的定义和原理。

2.掌握扩散在生物学中的应用和意义。

3.了解生物体内扩散的过程及其调节机制。

二、教学重点1.扩散的定义和原理。

2.生物体内扩散的过程及其调节机制。

三、教学难点1.生物体内扩散的调节机制。

2.扩散与浓度梯度的关系。

四、教学准备1.教案、课件。

2.实验设备:玻璃管、葡萄糖溶液、尿素溶液、示波器等。

五、教学内容与步骤1.扩散的定义和原理(15分钟)- 定义:扩散是指物质在混合物中由高浓度向低浓度自发传播的过程。

- 原理:扩散是由于分子无序热运动而引起的。

分子间碰撞会导致物质从高浓度区域向低浓度区域传播,直到达到平衡。

2.扩散在生物学中的应用和意义(15分钟)- 生物体内的氧气、营养物质等都是通过扩散来进行传递和吸收的。

- 生物体内氧气、二氧化碳、水等物质的扩散过程,维持了生物体内的内环境稳定。

3.生物体内扩散的过程及其调节机制(30分钟)- 生物体内扩散的过程通常通过细胞膜进行。

- 细胞膜上的通透蛋白可以选择性地调节物质的进出。

- 细胞膜的扩散速率受到温度、浓度梯度、表面积等因素的影响。

4.实验演示(20分钟)- 利用玻璃管装满葡萄糖溶液和尿素溶液,浸入葡萄糖溶液中,并利用示波器显示葡萄糖和尿素的扩散过程。

- 观察并分析实验结果,探讨扩散速率与浓度梯度的关系。

六、教学总结与评价1.扩散是体内生物活动中重要的传输方式,对维持生物体内环境稳定起着重要的作用。

2.生物体内的扩散过程受到多种因素的影响,了解这些因素有助于我们更好地理解生物体内的运作机理。

3.通过本节课的学习,希望学生们能够深刻理解扩散原理及其在生物学中的应用,为后续学习打下坚实的基础。

物理冶金原理:5-扩散

物理冶金原理:5-扩散
D = Do × e-Q/RT Ln D = ln Do-Q/RT
Ln Do 斜率 k = Q/R 求出Q
Ln D
1/T
几种典型扩散现象
• 下坡扩散Down-Hill Diffusion : • 上坡扩散 Up-Hill Diffusion:
•Down-Hill Diffusion
DA, DB
Vacancy Mechanism:
Diffusion of Substitutional Solute Atoms
空位机制:置换式溶质原子
(置换式原子的扩散就是空位的反向运动)
空位机制:置换式溶质原子
(置换式原子的扩散就是空位的反向运动)
间隙机制:间隙溶质原子 Interstitial Mechanism:
元素原子自扩散激活能与元素熔点的关系 Q = k . Tm
元素原子自扩散激活能与元素熔点的关系 Q = k . Tm
晶 体 结 构 的 影 响
影响扩散的因素
• 晶体缺陷密度: 空位浓度: 过饱和空位(固溶后不能停留太长时间) 位错及层错密度:是扩散的快速通道 晶界(晶粒尺寸): 纳米材料(表面纳米化-渗氮) 相界:
• 温度足够高:能量起伏、热激活 • 时间足够长:大量原子微观上无规
则跃迁、物质的定向传输 • 存在驱动力(浓度梯度、化学位梯
度、应变能梯度、表面能梯度)
扩散对材料科学与工程的意义
材料合成、制备、加工、使用过程都是控制 扩散的过程:
• 固态相变与热处理过程: • 凝固加工(铸造、焊接、…….) • 成形热加工(热锻、热轧、热挤压, ……) • 高温力学行为及氧化、腐蚀等性能: • 粉末冶金烧结: • 表面化学热处理与表面渗工艺, • 扩散连接, …….

扩散结晶技术原理

扩散结晶技术原理

扩散结晶技术原理一、扩散原理扩散结晶技术是一种通过控制物质在溶液中的扩散和传递过程,实现晶体生长和制备的技术。

扩散是物质传递的一种重要方式,是指物质在浓度梯度的作用下,从高浓度区域向低浓度区域迁移的过程。

在扩散结晶过程中,溶质在溶液中的扩散是关键步骤之一,溶质的扩散速度决定了晶体生长的速率和形态。

二、结晶原理结晶是指物质从液态或气态转变为固态的过程,这个过程通常伴随着物质分子或离子的重新排列。

结晶过程可以分为成核和生长两个阶段。

成核是指新的晶体核形成的过程,这个过程需要一定的能量和过饱和度;生长是指晶体核逐渐长大的过程,这个过程需要溶质不断向晶体表面扩散并吸附。

三、成核与生长在结晶过程中,成核和生长是两个密切相关的过程。

成核是指新的晶体核形成的阶段,而生长是指晶体核逐渐长大的过程。

在扩散结晶技术中,控制成核和生长的过程对于获得所需的晶体形态和性能至关重要。

可以通过控制溶液的浓度、温度、pH值等参数来调节成核和生长的过程。

四、扩散速度控制在扩散结晶技术中,溶质的扩散速度对晶体生长的速率和形态有着重要的影响。

通过控制扩散速度,可以调控晶体的生长速率和形貌。

通常可以采用搅拌、加热等方法来加速溶质的扩散。

另外,可以通过调节溶液的浓度梯度来控制扩散速度,进而影响晶体的生长速率和形态。

五、结晶形态调控结晶形态是指晶体的大小、形状、晶面结构等特征。

在扩散结晶技术中,通过控制结晶条件可以调控晶体的形态。

例如,通过调节溶液的浓度、温度、pH值等参数可以影响晶体的生长速率和形貌;通过加入不同的添加剂可以影响晶体内部的缺陷结构和晶体表面形貌;通过采用不同的技术手段,如温度梯度法、电场诱导法等可以控制晶体的结晶取向和生长形貌。

这些调控手段有助于制备出具有所需性能和形态的晶体材料,应用于各种领域,如光学、电子、生物医学等。

总的来说,通过扩散结晶技术,我们可以通过调控溶质的扩散速度、结晶条件等参数来制备具有特定性能和形态的晶体材料。

2、半导体工艺原理-扩散

2、半导体工艺原理-扩散
结深:当用与衬底导电类型相反的杂质进行扩散时,在硅片内扩散杂质浓度 与衬底原有杂质浓度相等的地方就形成了pn结,结距扩散表面的距离叫结深。
薄层电阻Rs(方块电阻) 表面浓度:扩散层表面的杂质浓度。
扩散层质量参数
方块电阻
方块电阻是标志扩散层质量的另一个重要参数, 一般用R□或Rs表示,单位是Ω/□ 。
2、恒定杂质总量扩散
扩散开始时,表面放入一定量的杂质源,而在以后的扩散
过程中不再有杂质加入。假定扩散开始时硅片表面极薄一层内
单位面积的杂质总量为 QT ,杂质的扩散长度远大于该层厚度,
则杂质的初始分布可取为 函数,扩散方程的初始条件和边界
条件为
0 N (x, t)dx QT
N (,t) 0
2 NS1
D1t1 D2t2
exp
x
2 j
4 D2t2
NB
即可解得
xj 2
D2t2
ln
2 NS1
NB
1
D1t1 D2t2
2
A
D2t2
掺杂分布控制:
3.3 简单理论的修正
前面得出的扩散后的杂质分布是采用理想化假设的结果, 而实际分布与理论分布之间存在着一定的差异,主要有:
1、二维扩散(横向扩散) 实际扩散中,杂质在通过窗口垂直向硅中扩散的同时,也 将在窗口边缘沿表面进行横向扩散。考虑到横向扩散后,要得 到实际的杂质分布,必须求解二维或三维扩散方程。横向扩散 的距离约为纵向扩散距离的 75% ~ 80% 。由于横向扩散的存在, 实际扩散区域大于由掩模版决定的尺寸,此效应将直接影响到 VLSI 的集成度。
2、杂质浓度对扩散系数的影响
前面的讨论假定扩散系数与杂质浓度无关。实际上只有当 杂质浓度比扩散温度下的本征载流子浓度 ni(T) 低时,才可认 为扩散系数与掺杂浓度无关。在高掺杂浓度下各种空位增多, 扩散系数应为各种电荷态空位的扩散系数的总和。

扩散工艺知识

扩散工艺知识

第三章扩散工艺在前面“材料工艺”一章,我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺,那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散。

这样的同质高浓度扩散,在晶体管制造中还常用来作欧姆接触,如做在基极电极引出处以降低接触电阻。

除了改变杂质浓度,扩散的另一个也是更主要的一个作用,是在硅平面工艺中用来改变导电类型,制造PN 结。

第一节 扩散原理扩散是一种普通的自然现象,有浓度梯度就有扩散。

扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果。

在一定温度下杂质原子具有一定的能量,能够克服某种阻力进入半导体,并在其中作缓称为扩As )t 为扩散时间;x 为扩散到硅中的距离。

四.扩散系数杂质原子扩散的速度同扩散杂质的种类和扩散温度有关。

为了定量描述杂质扩散速度,引入扩散系数D 这个物理量,D 越大扩散越快。

其表达式为:KT Ee D D ∆-=0(3-3)这里:D 0——当温度为无穷大时,D 的表现值,通常为常数;K ——玻尔兹曼常数,其值为8.023×10-5ev/o K ;T ——绝对温度,单位用“o K ”表示;E ∆——有关扩散过程的激活能,实际上就是杂质原子扩散时所必须克服的某种势垒。

扩散系数除与杂质种类、扩散温度有关,还与扩散气氛、衬底晶向、晶格完整性、衬底材料、本体掺杂浓度N B 及扩散杂质的表面浓度N S 等有关。

五.扩散杂质分布在半导体器件制造中,虽然采用的扩散工艺各有不同,但都可以分为一步法扩散和二步法扩散。

二步法扩散分预沉积和再分布两步。

一步法与二步法中的预沉积属恒定表面源扩散。

而二步法中的再扩散属限定表面源扩散。

由于恒定源和限定源扩散两者的边界和初始条件不同,因而扩散方程有不同的解,杂质在硅中的分布状况也就不同。

1.恒定源扩散在恒定源扩散过程中,硅片的表面与浓度始终不变的杂质(气相或固相)相接触,即在整个扩散过程中硅片的表面浓度N S 保持恒定,故称为恒定源扩散。

恒定源扩散的杂质浓度分布的表达式是:t 三个式中的e Dt x 42-为高斯函数,故这种杂质分布也叫高斯分布。

半导体制造工艺扩散上

半导体制造工艺扩散上

半导体制造工艺扩散上半导体制造工艺中的扩散技术是一种基础性的工艺技术,它具有极高的重要性。

扩散技术主要用于控制半导体材料中杂质浓度及其分布,以及基本材料参数(例如,导电性、PN结绝缘等等),这对于制造优质半导体芯片来说是不可或缺的。

扩散技术的原理“扩散”一词意为“分散”或“分布”。

在半导体领域中,“扩散”指的是杂质(或原子)从一个区域逐渐分散到另一个区域的的过程。

扩散过程主要是基于热力学原理发生的,其发生的基本原理是高浓度区域向低浓度区域传输,这种传输是一种自然趋势。

扩散过程需要满足Fick’s定律,即杂质或原子的扩散迁移率与它在材料中的浓度梯度成正比,与温度和材料阻力成反比。

扩散技术在半导体材料制备过程中的应用扩散技术是半导体制造中最为基础并且也是最为普遍应用的技术之一。

它可以应用于制备许多不同种类的器件,例如:1.PN结制备扩散技术在PN结制备中是不可或缺的。

通过对半导体硅晶片进行扩散掺杂,可以在硅晶片表面形成浓度梯度,从而在P型区域和N型区域形成硅晶片的PN结。

2.表面功能化和通道控制在面向晶圆的制造工艺中,扩散技术通常用于表面功能化和通道控制。

通过半导体材料表面的扩散工艺,可以轻松地在晶圆表面形成氧化物层、硅类材料层等功能性层,还可以通过扩散工艺控制通道的形状和尺寸。

3.金属接触制备扩散技术通常可以与金属联系在一起,制备金属与半导体之间的接触点。

在该过程中,原子从金属的表面逐渐进入半导体材料,并将金属与半导体之间形成硬接结,这是许多器件的耐久性和稳定性的基础。

扩散技术的技术调优当人们在制造半导体器件时,对于扩散技术的选择,需要根据具体细节和设备要求进行调优。

以下是扩散技术的技术调优方法:1.涂覆层厚度和材料的选择在很多情况下,使用涂覆材料可以帮助控制扩散过程。

经典的例子是硅胶片,它在半导体晶体片制造过程中通常用作覆盖层。

通过合理地选择涂覆层的厚度和材料,制造人员以期望的方式控制扩散过程,从而缩小半导体器件的尺寸并控制制造纯度。

简要说明琼脂扩散技术的原理

简要说明琼脂扩散技术的原理

简要说明琼脂扩散技术的原理
琼脂扩散技术是一种将支架基质物质在不同溶液中进行广泛扩散的实验流程,是一种简单、有效、可靠的实验技术。

它可以用来在学习材料之间传播诸如磷酸根、核酸或某些其他高效的分子结构(可以携带基因片段,多糖体以及其他基因修饰)。

它在生物分子实验室中得到了广泛的应用。

琼脂扩散实验的运作原理是:先让一块支架的琼脂片被植入不同的溶液,在结构上它就像一块海绵一样。

琼脂与溶液接触时产生吸湿作用,从而穿越支架层给外部空间注入萃取物。

然后,收集到的溶液中会含有支架层中分散的基质,从而实现琼脂板中基质物质的广泛扩散。

琼脂扩散技术在植物学、微生物学、病毒学和其他生物学领域应用较广,尤其是在生物应用领域,它可以用来测量无机、有机、非大分子和大分子的萃取物,使用它可以检测和评价多种生物学系统的调节状态及活性,以及小分子化合物的扩散性。

它还可以测量多种特定分子或抗原的相互作用,这使得它能够用于对比和寻找不同类型的分子差异。

琼脂扩散技术的优点在于,它可以用来获得实时的、大量的及可靠的信息,可以被用于量化和解释监测系统。

在实验过程中,也可以减少排放至环境中的物质量和较少的试剂,该技术也具有可重复性、效率高等优点。

琼脂技术在临床实验和分子抗原方面被人们用来检测分子特性及抗原性能,因此它可能会在未来得到进一步的发展。

总之,琼脂扩散技术为研究生物及其他分子系统提供了有用的数据分析和提炼手段,是一项重要的生物学研究工具。

半导体制造工艺之扩散原理

半导体制造工艺之扩散原理

半导体制造工艺之扩散原理引言半导体制造工艺中的扩散是一种重要的步骤,用于在半导体材料中引入或控制杂质的浓度分布。

扩散过程是通过高温下将杂质分子在半导体晶体中的自由扩散实现的。

本文将介绍半导体制造工艺中的扩散原理以及相关的技术和应用。

扩散原理扩散是指在固体中,不同的原子或分子由于热运动而互相转移的过程。

在半导体制造工艺中,常见的扩散过程是通过高温下将杂质原子引入半导体晶体中,从而改变其导电性能。

扩散过程中,杂质原子会从高浓度区域向低浓度区域扩散,不断地向晶体内部转移。

扩散速度取决于杂质原子的浓度梯度,扩散系数和材料的温度。

半导体晶体的晶格结构和杂质原子的尺寸也会影响到扩散速度。

扩散技术热扩散热扩散是半导体制造中最常用的扩散技术,它是通过高温处理将杂质原子引入晶体中。

常见的扩散设备包括扩散炉和扩散蒸发器。

在热扩散过程中,将半导体晶体和源材料一同放入扩散炉中,通过控制炉温和扩散时间来调整杂质原子的浓度分布。

离子注入离子注入是一种直接将高能量离子注入到半导体晶体中的扩散技术。

在离子注入过程中,通过控制加速电压和注入剂量来控制离子的能量和浓度分布。

离子注入在制造MOSFET器件和深结构规模集成电路中广泛应用。

分子束外延分子束外延是一种高真空技术,通过热蒸发或分子束淀积将杂质原子沉积在半导体晶体表面。

通过控制杂质的分子束强度和沉积速度,可以实现对杂质浓度和分布的高精度调控。

分子束外延常用于制备薄膜和高性能器件。

扩散应用掺杂形成PN结在半导体器件中,通过控制杂质的扩散可以形成PN结,这是半导体器件中常见的结构。

PN结具有整流特性,在半导体器件中起到了关键作用。

控制扩散过程可以调整PN结的深度和浓度分布,从而优化器件的性能。

温度传感器扩散过程中的温度影响着扩散速度,因此扩散过程可以用于制造温度传感器。

通过测量扩散速度,可以间接得到环境的温度信息。

晶体管制造扩散过程在晶体管制造中也扮演着重要的角色。

通过控制杂质原子的扩散,可以形成晶体管的掺杂区域,从而实现对晶体管性能的调控。

扩散器简介介绍

扩散器简介介绍

THANKS
感谢观看
定的差异。
02
按结构分类
根据结构特点的不同,扩散器可分为单出口扩散器、多出口扩散器、旋
流式扩散器等。不同结构的扩散器在气体或液体的分散效果和均匀性上
存在差异。
03
按材质分类
根据使用材质的不同,扩散器可分为金属扩散器、塑料扩散器、陶瓷扩
散器等。不同材质的扩散器在耐腐蚀性、耐磨性和使用寿命上存在差异

扩散器的发展历程
扩散器一般配备控制系统,以调节输入输出 两端压力、流量等参数。
03
扩散器的应用领域
工业领域
01
02
03
化工行业
扩散器广泛应用于化工行 业中,用于混合、搅拌、 反应等过程,提高生产效 率和产品质量。
机械制造
在机械制造行业中,扩散 器可用于冷却、润滑、气 体输送等,提高设备性能 和生产效率。
食品加工
数越小。
温度与压力
扩散系数还受到温度和压力的影 响,温度越高、压力越低时,扩
散系数越大。
工作流程
输入端
扩散器的输入端通常为气体或液体管道,提 供物质来源。
输出端
扩散器的输出端通常为气体或液体管道,输 出传递后的物质。
扩散层
扩散器内部具有一层或多层扩散层,扩散层 通常由具有高扩散系数的材料制成。
控制系统
研究趋势
随着技术的发展,研究者利用先进的测量技术和数值模拟方法,深入研究扩散器的 内部流动和传热特性,以进一步优化其性能。
目前,针对扩散器的研究多集中于实验和数值模拟方面,未来研究者可以进一步开 展理论分析研究,探究扩散器内部流动和传热的本质规律。
随着绿色能源需求的增加,研究者可以开展新型高效、低能耗的扩散器研究,以满 足环保和节能要求。

扩散原理名词解释

扩散原理名词解释

扩散原理名词解释
扩散原理是一种广泛用于多种物理现象的描述的理论,包括物质、能量和信息等的传递。

它主要阐述了在一个均质的系统中,由于某种原因导致系统内某些质点在空间中分布不均匀,通过一段时间后,这种分布的不均匀性会逐渐消失的过程。

具体来说,扩散是指分子从高浓度区向低浓度区运动,同时不断与外界交换热量和质量的行为。

这个过程类似于物理学中的热对流的现象,但是其驱动力来自于微观粒子之间的相互作用力而不是温度差。

扩散的方向则取决于粒子本身的可移动性和浓度的差异程度。

在实际应用上,扩散原理可以应用于化工工程中的传质过程中,如气体吸收、蒸馏等;催化剂制备过程中的颗粒大小及分散度控制;材料科学中的缺陷控制等等方面都有重要的指导意义。

电池扩散技术原理及应用

电池扩散技术原理及应用

电池扩散技术原理及应用电池的扩散技术是一种将电池中的物质扩散至电池的一侧或另一侧的技术。

其原理是利用封装好的电池内部的化学反应来产生电流,而电池扩散技术则是通过扩散物质的方式来增加电池内部化学反应的效率,从而提高电池的性能和使用寿命。

首先,电池扩散技术的应用之一是在锂离子电池中。

锂离子电池是目前最常用的可充电电池之一,其具有高能量密度、长循环寿命和低自放电率等优点。

然而,锂离子电池的性能还有一定的限制,如充放电速率低、容量衰减等问题。

通过电池扩散技术,可以改善锂离子电池的性能。

例如,通过扩散锂离子的方式,可以增加电池的充放电速率,提高电池的输出能力。

此外,电池扩散技术还可以用于改善电池的容量衰减问题,延长电池的使用寿命。

另一个应用电池扩散技术的领域是电池材料的研究与开发。

在电池的研发过程中,往往需要研究新的电池材料,以提高电池的性能和使用寿命。

电池扩散技术可以用于研究电池材料的性质和反应机理。

例如,通过扩散某种物质到电池的一侧,可以研究该物质与电池材料的相互作用,从而了解其对电池性能的影响。

此外,电池扩散技术还可以用于制备新的电池材料。

通过将不同材料扩散到电池中,可以制备具有不同性能的电池材料,从而满足不同应用需求。

同时,电池扩散技术还可以应用于电池的制备和改良过程中。

在电池的制备过程中,往往需要将各种材料组装在一起,并确保它们之间的良好接触和均匀分布。

通过电池扩散技术,可以实现材料间的均匀分布和接触,从而提高电池的性能和稳定性。

此外,电池扩散技术还可以用于改善电池的循环性能和耐久性。

通过扩散一些特定的物质,可以增加电池的循环寿命和抗击穿性能,延长电池的使用寿命。

综上所述,电池扩散技术是一种通过扩散物质来改善电池性能和应用的技术。

它可以应用于锂离子电池和电池材料的研发,用于电池制备过程中的材料分布和接触,以及改善电池的循环性能和耐久性等方面。

电池扩散技术的应用可以优化电池的性能和使用寿命,推动电池科技的发展和应用的广泛普及。

点扩散技术

点扩散技术

点扩散技术全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:点扩散技术(Point Diffusion Technology)是一种用于提高声音的清晰度和均匀性的技术。

它通过在音频信号的特定点进行微小干扰,从而使声音扩散到整个空间中,达到更加自然且立体的音效。

在影视、音乐、广播等领域都有着广泛的应用。

要了解点扩散技术的原理,首先需要了解声音在空间中的行为。

声音是通过空气中的震动来传播的,当声音源向各个方向散射时,会受到反射、吸收和折射等影响,导致声音在空间中产生不均匀的分布。

而点扩散技术则通过对声音信号进行处理,使声音在空间中更加均匀地传播,提高整体声音质量。

点扩散技术的实现方式有多种,其中最常见的是通过数字信号处理器(DSP)来实现。

DSP可以根据声音信号的特性,对声音进行精确的处理,包括延迟、滤波、混响等。

通过在声音信号的特定点进行微小的延迟、补偿和增强处理,可以实现声音的扩散效果。

在影视制作中,点扩散技术被广泛应用于电影配音、特效音效的制作等方面。

通过点扩散技术,可以使得影片中的声音更加生动和真实,增强观众的沉浸感。

在音乐制作中,点扩散技术可以使得音乐更加立体和自然,提高音乐的质感和表现力。

在广播领域,点扩散技术可以改善广播节目的音质和声场,提高听众的听觉体验。

尽管点扩散技术在声音处理领域具有重要的作用,但是也存在一些挑战和限制。

点扩散技术需要专业的设备和软件支持,对于普通用户来说并不容易实现。

点扩散技术的效果受到环境和声音源的影响,需要在实际场景中进行调试和优化。

点扩散技术是一种用于提高声音清晰度和均匀性的重要技术。

通过在声音信号的特定点进行精确的处理,可以实现更加立体和自然的声音效果,提高声音的表现力和逼真度。

随着科技的不断发展,点扩散技术将会在音频领域发挥越来越重要的作用,为人们带来更加优质的听觉体验。

第二篇示例:点扩散技术是一种应用于化学和生物领域的先进技术,通过这种技术,可以实现对微小区域内某种物质的高灵敏度检测和定量分析。

DWI原理和应用

DWI原理和应用

DWI原理和应用一、DWI的概念 1.定义:弥散又称扩散,是指分子从周围环境的热能中获取运动能量而使分子发生的一连串的、小的、随机的位移现象并相互碰撞,也称分子的热运动或布朗运动。

2. DWI技术就是检测扩散运动的方法之一,由于一般人体MR成像的对象是质子,主要是水分子中的质子,因此DWI 技术实际上是通过检测人体组织中水分子扩散运动受限制的方向和程度等信息间接反映组织微观结构的变化。

3. 生物组织内的水分子的扩散分为三大类:细胞外扩散,细胞内扩散,跨膜扩散,且扩散运动受到组织结构、细胞内细胞器和组织大分子的影响。

4. 影响水分子弥散的因素:膜结构的阻挡,大分子蛋白物质的吸附,微血管内流动血液的影响(?)。

5. DWI中的水分子:1)无创探测活体组织中水分子扩散的唯一方法 2)信号来源于组织中的自由水 3)结合水尽管运动受限,但仍不能产生信号 4)不同组织对自由水扩散限制程度不同 5)产生DWI对比 6)检测组织中自由水限制性扩散的程度 6. 常规DWI,主要对细胞外自由水运动敏感 T2WI基础上,施加扩散梯度,组织信号衰减 1)自由水扩散越自由=信号丢失多,DWI信号越低 2)自由水扩散越受限=信号丢失少,DWI信号越高 7. 在均匀介质中,任何方向的弥散系数都相等,这种弥散称为各向同性扩散(eg.脑脊液);在非均匀介质中,各方向的弥散系数不等,这种弥散称为各向异性扩散(eg.脑白质纤维素)。

各向异性扩散在人体组织中是普遍存在的,其中最典型的是脑白质神经纤维束。

水分子在神经纤维长轴方向上扩散运动相对自由,而在垂直于神经纤维长轴的方向上,水分子的扩散运动将明显受到细胞膜和髓鞘的限制。

二、 DWI的原理 1.以SE-EPI序列来介绍DWI的基本原理。

射频脉冲使体素内质子的相位一致,射频脉冲关闭后,由于组织的T2弛豫和主磁场不均匀将造成质子逐渐失相位,从而造成宏观横向磁化矢量的衰减。

除了上述两种因素以外,我们在某个方向上施加一个扩散梯度场,人为在该方向上制造磁场不均匀,造成体素内质子群失相位,然后在施加一个强度与持续时间完全相同的反向扩散梯度场,则会出现两种情况:在该方向上没有位移的质子不会受两次梯度场强的影响而失相位,而移动的质子因两次梯度场引起的相位变化不能相互抵消,而失相位信号衰减。

扩散原理及技术介绍

扩散原理及技术介绍
11
1.3 晶体中的扩散
晶体中原子的扩散涉及到具体的扩散机制以及晶体结构,因此需要对公式 X 2 = 6Dt 做一些修正。
以面心立方晶格的空位机制为例。如右图 所示,晶格中的空位A可能跃迁的有12个方向 矢量,这12个方向矢量是等价的,其跃迁的几 率相等。
对于某特定的跃迁矢量,必定有另一个方 向相反大小相等的跃迁矢量,所以有:
则有,在左面,流量 J x dydz 是流 入,在右面流量 J x+dx dydz 则是流出。
( ) ( ) 净流入量= J x −J x+dx dydz = − J x+dx − J x dydz
又 J = −D ∂C ,所以上式为: ∂X
= − ∂J dxdydz dx
净流入量=

∂J dx
dxdydz=
12
12
∑ ∑ sis j = s2 cosθij = 0
j =1
j =1
12
所以,在空位扩散机制和面心立方格子中,下式中第二项为零。
n
n−1 n
∑ ∑ ∑ X
2 i
=
( s1
+
s2
+
+ sn )2 =
s2j + 2
s j sk
j =1
j=1 k = j+1
即 考虑到
n
∑ ( ) X
2 i
=
s1 + s2 +
在晶格中原子每次跃迁的距离就是该方向上的原子间距a。一个原子经过多次 跃迁才出现一个净位移,如下图所示。但单位时间内原子跃迁的次数愈多造成较大 净位移的可能性愈大,或者说回到原来位置的可能性愈小。 所以可以认为单位时间内的净位移愈大,表征布朗运动愈 强烈。这种净位移的大小与浓度梯度的存在与否无关。没 有浓度梯度时原子的布朗运动照样存在,只是不出现定向 扩散流。

扩散技术

扩散技术

自由电子或者空穴。在高温工艺中通过所 谓的扩散过程这些杂质原子的深度剖面分
图 3-1 硅中的替位和填隙原子
布将会发生变化。杂质原子的再分布可以是有意的“推进”,也可以是高温氧化、
沉积或者退火过程的无意结果。
空位扩散:一个替位原子与空位交换晶格位置,这个过程要求空位的存在。
图 3-2 中大圆圈代表占据平衡晶格位置的基质原子,而小圆圈代表掺杂原子。在
(3-2)
在扩散工艺中,硼、磷等杂质的扩散通常都分成预沉积和再分布两步进行。
在预沉积过程中,扩散是在恒定表面浓度的条件下进行。在此条件下,解扩散方
程得到的扩散分布是一种余误差函数,表达式为
∫ ⎡
C(x,t) = CS ⎢⎢1 − ⎣
2 π
2 0
x ( Dt )predep
e−ξ dξ
⎤ ⎥ ⎥ ⎦
=
上,荷电掺杂原子也会受到硅中电场的影响。在固体中,加速的原子将会很快地
碰撞上其他原子,并且由于弹性散射的原因导致移动的方向是随机的。最终浓度
梯度导致的扩散流量与电场导致的扩散流量之和为
jtot
=
−D ∂C ∂x
+
µCE
(3-14)
式中,第二项就是电场引起的扩散流;μ 为迁移率;E 为电场强度。
3.1.3 磷扩散的原理
腐蚀掉表面的氧化层,然后进行推进工
艺,也就是再分布过程。在再分布过程
中,扩散是在扩散源总量恒定的条件下
进行的。整个扩散过程的杂质源,局限
于扩散前积累在硅片表面有限薄层内的 杂质总量 Q,没有外来杂质补充。此时 扩散原子的初始条件为
图 3-4 无限源扩散情况下的掺杂 原子的浓度剖面分布[2]

C(x,

什么东西是扩散原理的应用

什么东西是扩散原理的应用

什么东西是扩散原理的应用第一部分:扩散原理概述•扩散原理是指物质在高浓度区域向低浓度区域自发传播的过程。

在自然界和人造系统中,扩散现象普遍存在,并且在许多领域中得到广泛应用。

•扩散原理是由于粒子之间的热运动使得高浓度区域的粒子向低浓度区域运动,以达到平衡状态。

•扩散现象可以在气体、液体和固体中发生,但发生的速率和方式有所不同。

第二部分:扩散原理的应用领域1.生物学领域–细胞膜的运输过程是通过扩散实现的,例如氧气和二氧化碳的交换。

–在生物体内,许多物质的运输依赖于扩散,例如荷尔蒙、营养物质等。

2.化学工业–在化学反应中,扩散可以促进反应物与溶液中的其他物质之间的交互作用,从而增强反应效率。

–在燃烧过程中,气体中的氧气通过扩散与燃料接触,从而支持燃烧反应。

3.材料科学–将外加剂通过扩散添加到材料中,可以改变材料的性质。

–通过控制扩散速率,可以实现不同区域的材料组分均匀分布。

4.环境工程–大气中的污染物通过扩散与大气进行交换,影响大气质量。

–土壤和地下水中的污染物也可以通过扩散进行迁移。

5.物理学领域–在凝聚态物理学中,扩散是实现原子和分子之间相互交换的重要机制。

–扩散在电子器件中也起着关键作用,例如半导体中的离子扩散。

第三部分:扩散原理的应用举例1.工业制造中的扩散–在半导体制造过程中,通过控制扩散过程,可以形成不同特性的区域,用于制造集成电路中的PN结和电阻器等。

–在金属加工过程中,通过控制热处理中的扩散,可以改变材料的晶格结构和性质。

2.医学应用中的扩散–扩散在医学诊断中有重要应用,例如通过血液或尿液中物质的扩散速率来判断身体的健康状况。

–药物递送系统中利用扩散原理,将药物通过皮肤、黏膜等渗透到人体内部,实现治疗目的。

3.环境监测中的扩散–通过监测大气中有限物质的扩散范围和速率,可以判断大气污染的程度和来源。

–在地下水污染调查中,利用污染物的扩散特性,可以确定污染源和迁移路径。

第四部分:扩散原理的未来发展•随着科学技术的不断进步,扩散原理的应用将越来越广泛。

电池片扩散原理

电池片扩散原理

电池片扩散原理一、引言电池片是太阳能光伏发电系统中的核心组件,其转化太阳能为电能的效率直接影响着太阳能发电系统的性能和经济性。

而电池片的扩散过程是影响其性能的重要环节之一。

本文将着重介绍电池片扩散原理及其对电池片性能的影响。

二、电池片扩散原理电池片扩散是指通过在单晶硅或多晶硅片上进行高温热处理,使掺杂物在硅片中自由扩散,并形成p-n结构的过程。

其中,p型掺杂物和n型掺杂物的扩散过程是分开进行的。

1. p型掺杂物扩散在p型掺杂物的扩散过程中,通常使用的掺杂物是硼(B)。

首先,将硅片表面涂覆一层硼化物(B2H6)源液,然后在高温(约800℃)下进行热处理。

在这个过程中,硼化物中的硼原子会渗透到硅片中,取代部分硅原子的位置,形成p型掺杂层。

这样,p型掺杂层和未掺杂的硅片之间就形成了p-n结构。

2. n型掺杂物扩散在n型掺杂物的扩散过程中,常用的掺杂物是磷(P)。

类似于p型掺杂,首先在硅片表面涂覆一层磷化物(PH3)源液,然后在高温下进行热处理。

在这个过程中,磷化物中的磷原子会渗透到硅片中,形成n型掺杂层。

与p型掺杂类似,n型掺杂层和未掺杂的硅片之间也形成了p-n结构。

三、电池片性能影响电池片的扩散过程直接影响着其性能和效率。

1. 光吸收能力电池片的p-n结构在光照下会产生光生电子和空穴对,从而形成电流。

扩散过程中形成的p-n结构可以提高光子在电池片中的吸收率,提高光生电荷对的产生率,进而提高电池片的光电转换效率。

2. 导电性能扩散过程中形成的p-n结构不仅影响光吸收能力,还对电池片的导电性能有着重要影响。

p型掺杂层和n型掺杂层之间的p-n结构形成了一个电势差,使电流能够顺利传导。

同时,掺杂物的浓度和扩散深度也会影响电池片的电导率,进而影响电池片的输出功率。

3. 电池片效率电池片的扩散过程还影响着其效率。

扩散过程中,掺杂物的扩散深度和浓度决定了p-n结构的形成情况,进而影响着电池片的效率。

过浓或过深的掺杂会导致电池片吸收光子的能力降低,从而降低光电转换效率。

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12
12
∑ ∑ sis j = s2 cosθij = 0
j =1
j =1
12
所以,在空位扩散机制和面心立方格子中,下式中第二项为零。
n
n−1 n
∑ ∑ ∑ X
2 i
=
( s1
+
s2
+
+ sn )2 =
s2j + 2
s j sk
j =1
j=1 k = j+1
即 考虑到
n
∑ ( ) X
2 i
=
s1 + s2 +
9
空位机制
某个占有正常格点位置的原子跃迁到近邻的空位上,这个原子就可以说是空 位机制的扩散。空位机制的扩散也要克服一定的势垒。空位机制要求的畸变能并 不大,这种机制目前是在各种离子化合物和氧化物及合金中占有支配地位。
10
环形机制
两个最近邻的原子进行简单的位置交换而进行扩散的机制在1930年提出,由 于这种位置交换可能引起较大的局域畸变,并没有被多数人接受。到1950年, Zener指出,如果3个到4个原子作为一组进行旋转,这样引起的局部畸变将比简单 的两个原子的位置交换要小。人们把这种利用一组原子旋转来进行的扩散称作环 形扩散机制。
+∞ ⎧⎡ 1
−∞ ⎨⎩⎢⎣ 2π
+∞ −∞
ϕ

)
cos
λξ

⎤ ⎥⎦
cos
λ
x
+
⎡ ⎢⎣
1

+∞ −∞
ϕ

)
sin
λξ

⎤ ⎥⎦
sin
λ
x
⎬⎫d ⎭
λ

∫ A = 1 +∞ϕ (ξ ) cos λξ dξ
2π −∞
∫ B = 1 +∞ϕ (ξ )sin λξ dξ
2π −∞ 29
代入通解并经过积分换元得
∂x 2
⎟ ⎠
=
0
的通解是
取各种不同值的线性叠加。即

∑ C(x,t) = e−Dλ2t ( Acos λ x + B sin λ x) λ =−∞
由于在无限物体的情况下没有边界条件限制, λ 取值完全任意,所以可用
积分来代替求和。得
∫ C(x,t) = +∞ e−Dλ2t ( Acos λ x + B sin λ x)dλ −∞
28
为了确定A和B的值,我们利用初始条件C(x,0)=ψ(x)
∫ C(x,0) = ϕ ( x) = +∞ e−Dλ2 0 ( Acos λ x + B sin λ x)dλ −∞
∫ ∫ = +∞ Acos λ xdλ + +∞ B sin λ xdλ
−∞
−∞
将上式展开成傅立叶积分的形式:
∫ ∫ ∫ ϕ ( x) =
2 i
=
( s1
+
s2
+
+ sn )2 =
s2j + 2
s j sk
j =1
j=1 k = j+1
上式中,
s
2 j
不可能为零,所以n愈大,
X
2 i
愈大,即
X 2 的大小反映了布朗
运动的强弱。
5
设有 φ1 个原子具有X1的位移量, φ2个原子具有X2的位移量,……则平均平
方位移为:
X
2
=
φ1 X12
∫ ∫ ( ) ( ) C x,t = 1

+∞ϕ ξ
−∞
⎡ ⎢⎣
+∞ −∞
e


2t
iei


x
)
λ
d
λ
⎤⎥⎦dξ
引用定积分公式
∫ λ e e d +∞ −Dλ2t i(ξ −x)λ = −∞
π (ξ −x)2 − e 4Dt
Dt

∫ C(x,t) = 1
( ) +∞
−(ξ −x)2
ϕ ξ e 4Dt dξ

∂ dx
⎛⎜⎝D∂∂Cx ⎞⎟⎠
dxdydz
22
于是得到
∂C ∂t
=
净流入量 dxdydz
=

∂ dx
⎛⎜⎝D∂∂Cx ⎞⎟⎠
当扩散系数为常数时有:
∂C ⎛ ∂2C⎞
∂t
=D ⎜ ⎝
∂x 2
⎟ ⎠

∂C ∂t
-D
⎛ ⎜ ⎝
∂ 2C⎞
∂x 2
⎟ ⎠
=
0
上式就是一维的扩散方程,又称菲克第二定律。
23
根据实验结果,在一维情况下,扩散强度J(单位时间里通过单位横截面的
原子或分子数)与浓度梯度 ∂C 存在如下关系: ∂X
J = −D ∂C ∂X
式中D为扩散系数,负号表示扩散转移的方向与浓度梯度相反。此方程称为菲克 第一定律。
21
在一维问题中,假设扩散只沿x方向进行,扩散流并不穿过前后和上下四 面,只穿过左右两面,如图所示。
+ sn 2 =
s
2 j
=
ns2
j =1
X 2 = 6Dt
可得到
D = ns2 6t
13
式中 n t
是单位时间内空位跃迁次数,它与空位相邻的可供跃迁的结点数z
以及原子跃迁到邻近空位的跃迁频率v有关,故有:
n = zv t
对于面心格子,z=12,s是跃迁距离,且有 s = 2 a ,a为晶胞参数。这 2
4
平均平方位移
各原子净位移,从统计观点看,由于有正有负,加起来为零。为了表征布 朗运动的强弱,特引入平均平方位移。
平均平方位移的计算方法为:把每个杂质原子净位移的平方加起来再除以 杂质原子总数。表示如下:
X2
=
X
2 1
+
X
2 2
+
N
+
X
2 N
每个杂质原子平方位移和每次跃迁的关系式为:
n
n−1 n
∑ ∑ ∑ X
扩散原理及技术介绍
袁泽锐 2011.01.17
主要内容
扩散的微观规律 扩散的宏观规律 扩散对电性能的影响 扩散对晶体缺陷的影响
2
一、扩散的微观规律
扩散和布朗运动 扩散机制 晶体中的扩散 晶格原子的扩散 影响扩散系数的因素
3
1.1 扩散和布朗运动
布朗运动又称热运动,不仅在气体和液体中有,在固体中也同样存在;在固体 中原子不断地从一个平衡位置跃迁到另一个平衡位置。例如,1223K时碳原子在 γ-Fe中每秒钟要跃迁1010次。
在晶格中原子每次跃迁的距离就是该方向上的原子间距a。一个原子经过多次 跃迁才出现一个净位移,如下图所示。但单位时间内原子跃迁的次数愈多造成较大 净位移的可能性愈大,或者说回到原来位置的可能性愈小。 所以可以认为单位时间内的净位移愈大,表征布朗运动愈 强烈。这种净位移的大小与浓度梯度的存在与否无关。没 有浓度梯度时原子的布朗运动照样存在,只是不出现定向 扩散流。
11
1.3 晶体中的扩散
晶体中原子的扩散涉及到具体的扩散机制以及晶体结构,因此需要对公式 X 2 = 6Dt 做一些修正。
以面心立方晶格的空位机制为例。如右图 所示,晶格中的空位A可能跃迁的有12个方向 矢量,这12个方向矢量是等价的,其跃迁的几 率相等。
对于某特定的跃迁矢量,必定有另一个方 向相反大小相等的跃迁矢量,所以有:
C(x,t) = X ( x)T (t ) = γ e−Dλ2t (α cos λ x + β sin λ x)
令 A = γα , B = γβ
C(x,t) = X ( x)T (t ) = e−Dλ2t ( Acos λ x + B sin λ x)
27
λ 偏微分方程
∂C ∂t
-D
⎛ ⎜ ⎝
∂ 2C⎞
19
二、扩散的宏观规律
扩散方程 在无限物体下扩散方程的通解 限定源扩散方程的解 恒定源扩散方程的解
20
2.1 扩散方程的建立
在较普遍的条件下,出现定向扩散流的条件是在煤质中存在化学位梯度,在 接近理想的情况下,扩散的驱动力是浓度梯度。本部分内容也只讨论以浓度梯度 为推动力的扩散方程。
X ∂T -D ∂2 X T = 0
∂t
∂x2
25
等式两边同时除以DXT得:
∂T ∂2 X ∂t = ∂x2 DT X

1 DT
dT dt
= −λ2
1 X
d2X dx2
= −λ2
26
于是,方程一的解为: T=γ e−Dλ2t
方程二的解为: X= (α cos λ x + β sin λ x) 将上述两解代入 C(x,t) = X ( x)T (t ) 得:
2 π Dt −∞
30
∫ C(x,t) = 1
( ) +∞
−(ξ −x)2
ϕ ξ e 4Dt dξ
2 π Dt −∞
上式就是各向同性无限物体扩散方程之通解。利用此式可以求出在t时刻,x为某一
确定值的位置上的杂质浓度。显然这数值必与最初杂质沿x方向的分布 C(x,0) = ϕ ( x) 有关。这里两种若都用x表示容易引起混乱,故一个用 ξ ,一个用x表示。
X
2
=
C
(
x1
,
t
)
dxX
2 1
+
C
(
x2
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