模电康华光思考题题
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 vi＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（Vth ＝ V，rD＝200Ω）分析输出电压 vo的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|Vi |＜时，D1、D2均截止，vo＝vi；当vi≥时；D1导通，D2截止，vo＝0.7V；当vi ≤时，D2导通，D1截止，vo＝－0．7V。
vi与voth ＝0．5V，rD＝200Ω。
当0＜|Vi|＜0．5 V时，D1，D2均截止，vo=vi； vi≥0．5V时，D 1导通，D2截止。
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 v i＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（V th＝ V，r D＝200Ω）分析输出电压 v o的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|V i|＜时，D1、D2均截止，v o＝v i；当v i≥时；D1导通，D2截止，v o＝0.7V；当v i≤时，D2导通，D1截止，v o＝－0．7V。
v i与v o＝0．5V，r D＝200Ω。
当0＜|V i|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，v o=v i； v i≥0．5V th时，D1导通，D2截止。
模拟电子技能技术总结 课后习题答案 康华光等编
精心整理模拟电子技术习题答案第二章2.4.1D 和V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1T ＝300K 。
当r d1=r d2O v 2.4.3AO 解图a V AO =–6V 图b ：图c 15V ，故D 2图d －6V ．故2.4.4解图a D 图b ：将D 图c D 2.4.71，解（1当0＜|V i 0. 7V （2D 2均截止，v o=v i ；v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
v i ≤－0.5V 时，D 2导通，D 1截止。
因此，当v i ≥0．5V 时有 同理，v i ≤－0.5V 时，可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2．4．7c 所示。
2.4.8二极管电路如图题2．4．8a 所示，设输入电压v I （t ）波形如图b 所示，在0＜t ＜5ms 的时间间隔内，试绘出v o （t ）的波形，设二极管是理想的。
解v I （t ）＜6V 时，D 截止，v o （t ）＝6V ；v I （t ）≥6V 时，D 导通 电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。
（a ）画出它的传输特性；（b ）若输入电压v I =v i =20sin ωtV ，试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o 的波形。
解（a ）画传输特性0＜v I ＜12V 时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≥12V 时，D 1导通，D 2截止－10V ＜v I ＜0时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≤－10V 时，D 2导通，D 1截止传输特性如图解2．413中a 所示。
（b ）当v o ＝v I =20sin ωtV 时，v o 波形如图解2．4．13b 所示。
2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。
模拟电子技术习题解答(康华光版)
3. C位置：发射结反偏，截止，IC=0。
习题3.3.2
• (a)：放大。 • (b)：放大。 • (c)：饱和。 • (d)：截止。 • (e)：饱和。
习题3.3.6
2. AV≈1, Ri=Rb//(rbe+51Re//RL)≈90K, Ro=Re//[(RS//Rb+rbe)/(1+β)]=39Ω
3. Vo=[Ri/(Ri+Ro)]×Av× Vs≈200mV
习题3.7.1
1. |AVM|=60db=1000 (倍), fL=100Hz, fH=100MHz
2. f=fH=fL时，|AVM|=57db
IC3=1mA, VB3=9V, VC2=8.3V, IE=2IC2=0.74mA, IC2=0.37mA, VCEQ3=－9V, VCEQ2=9V, Re2=5.27K, rbe1=rbe2=300+26×(1+β)/2=3.9K,
rbe3=2.4K, ri3=rbe3+(1+β)Re3=245K
(a)
(b)
习题7.1.4
21. .拆R去f1R引f2虽入然电可流提串高联输负入电反阻馈，，但使整r体if提性高能，下降， 解R决f2的引办入法电是压将并Rf2联的负左端反改馈接，到使T2r集if降电低极。。
习题7.1.5
• (a): 不可能，因为是正反馈，应交 换运放正负极。
• (b)：不能，应交换R 和RL
1. VCC=6V, IBQ=20µA, ICQ=1mA, VCE=3V;
2. Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K)， RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被反偏而截止。
图c ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被正偏而导通。
，D 2为硅二极管，当 v i ＝ 6 sin ωtV 时，试用恒压降模型和 折线模型（V th ＝ V ，r D ＝200Ω）分析输出电压 v o 的波形。
解 （1）恒压降等效电路法当0＜|V i |＜时，D 1、D 2均截止，v o ＝v i ；当v i ≥时；D 1导通，D 2截止，v o ＝ 0. 7V ；当v i ≤时，D 2导通，D 1截止，v o ＝－0．7V 。
v i 与v oth ＝0．5V ，r D ＝200Ω。
当0＜|V i |＜0．5 V 时，D 1，D 2均截止，v o=v i ； v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题
第四章部分习题解答4．1．3某BJT的极限参数ICM=100mA，PCM=150mW，V（BR）CEO=30V，若它的工作电压V CE=10V，则工作电流IC不得超过多大？若工作电流I C=1mA，则工作电压的极限值应为多少？解:BJT工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。
当工作电压V CE确定时，应根据P CM及I即应满足ICV CE≤PCM及IC≤ICM。
当V CE=10V时，CM确定工作电流IC，I P CMC15VCEm A此值小于I CM=100mA，故此时工作电流不超过15mA即可。
同理，当工作电流I c确定时，应根据I CV CE≤P CM及V CE≤V（BR）CEO确定工作电压VCE的大小。
当IC=1mA时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V。
4．3．3若将图题3.3.1所示输出特性的BJT接成图题3.3.3所示电路，并设V CC=12V，R C=1kΩ，在基极电路中用V BB=2.2V和R b=50kΩ串联以代替电流源i B。
求该电路中的I B、I C和V CE的值，设V BE=0.7V。
图题3.3.1图题3.3.3解:由题3.3.1已求得β=200，故I VV BBBEB0.03mARbI C=βI B=200×0.03mA=6mAV CE=V CC-I C R c=6V4.3.5图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压VCC，静态电流IB、I压降VCE的值；（2）电阻R b、R e的值；（3）输出电压的最大不失真幅C和管度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？图题3.3.6解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC值的大小，故V CC=6V。
由Q点的位置可知，IB=20μA，IC=1mA，V CE=3V。
（2）由基极回路得VccR b300IBk由集-射极回路得Rc V VCCCE3k IC（3）求输出电压的最大不失真幅度由交流负载线与输出特性的交点可知，在输入信号的正半周，输出电压v CE从3V到0.8V，变化范围为2.2V；在输入信号的负半周，输出电压v CE从3V到4.6V，变化范围为1.6V。
模电实验思考题
实验准备1,使用函数信号发生器及直流稳压电源是应注意什么？答：应注意正确将函数信号发生器和直流稳压电源要注意要接地。
2，如何用示波器测量正弦波信号的频率和电压大小？答:看示波器的“v/div”和“T/div”对应示波器上的格子，读出电压的峰峰值U和周期，求出电压和频率。
3双踪示波器的“断续”和“交替”工作方式之间的差别是什么？4，晶体管毫伏表测出的是正弦波的什么值？如果波形不是正弦波，是否采用晶体管毫伏管来测量器电压值？答：测出的是正弦波的有效值，能。
5．晶体毫伏表与万用表的交流表电压档有何不同？答：晶体毫伏表测出的是电压的有效值。
交流表电压档测出的是电路中的瞬时电压。
实验一1测量静态工作点用何仪表？测量放大倍数用何仪表？答：测量静态工作点用万用表，测量放大倍数用晶体毫伏表。
2．如何正确选择放大电路的静态工作点，在调试中应注意什么？答：不断减小输出频率，和调节R调出正弦波，并调出最大不失真。
3测量R档数值，不断开于基极的连线，行吗？为什么？答：不行，因为会影响R的数值。
4．放大器的非线性失真在那些情况下可能出现？5．负载电阻R8变化时对放大器电路的静态工作点Q有误影响？对放大倍数Au有无影响？答：对静态工作点Q有影响，对放大倍数Au有影响。
实验二1．第二级的接入给第一级的电压放大倍数带来什么影响？为什么？答：减小了第一级的放大倍数2．二级单独工作是测出的电压放大倍数的乘积是否等于二级连接工作测得的总的电压放大倍数?答：不等于3．第一级的输出不经耦合电容C2，而直接接到第二级的基极，对电路的静态工作点有何影响？第二级有无负载对第一级的输出以及第一，第二级的静态工作点有无影响？答:会使第一级与第二级的静态工作点相互影响，第一级的集电极与第二级的基极等电势。
无影响4．为什么放大器在频率较低或较高时，电压放大倍数均要下降？答:放大器都有其放大的频率范围。
实验三：负反馈放大电路1·本实验属于什么类型的反馈？作用如何？答：电流并联负反馈2·如果要在实验三上的基础上（不增加放大倍数的级数）构成并联电流负反馈，应如何连线？实验四：差动放大电路1·差动放大器的差模输出电压是与输入电压的差还是和成正比例？答：与差成正比例2·当加到差动放大器两管基极的输入信号幅值相等，相位相同时，理想情况下的双端输出电压等于多少？答：输出电压为零3·差动放大器对差模输入信号起放大作用，还是起抑制作用？对共模信号呢？答：对差模信号起放大作用，对共模信号起抑制作用。
康华光模电第五章习题答案
康华光模电第五章习题答案康华光模电第五章习题答案在学习电子技术的过程中，习题是检验自己理解和掌握程度的重要方式。
康华光模电第五章的习题涵盖了多个方面的知识点，通过解答这些习题，可以进一步巩固和应用所学的理论知识。
下面将为大家提供康华光模电第五章习题的答案。
1. 电容器的电容量是多少？答：电容器的电容量是指在单位电压下，储存的电荷量。
它的计量单位是法拉（F）。
2. 请解释电容器的电容量与其尺寸的关系。
答：电容器的电容量与其尺寸有直接的关系。
一般来说，电容器的电容量与其极板的面积成正比，与极板之间的距离成反比。
也就是说，面积越大，距离越小，电容量越大。
3. 请解释电容器的介质对其电容量的影响。
答：电容器的介质对其电容量有很大的影响。
不同的介质具有不同的介电常数，而介电常数是介质在电场中的相对响应能力。
介电常数越大，电容器的电容量越大。
4. 什么是电容器的电压？答：电容器的电压是指电容器两极之间的电势差，也可以理解为电容器所能承受的最大电压。
5. 请解释电容器的充电和放电过程。
答：电容器的充电过程是指在外加电压的作用下，电容器两极之间储存电荷的过程。
放电过程是指当外加电压移除后，电容器两极之间释放电荷的过程。
6. 请解释电容器的串联和并联。
答：电容器的串联是指将多个电容器的正极和负极相连，形成一个串联电路。
串联电容器的总电容量等于各个电容器电容量的倒数之和。
电容器的并联是指将多个电容器的正极和负极分别相连，形成一个并联电路。
并联电容器的总电容量等于各个电容器电容量之和。
7. 什么是电感？答：电感是指导体中由于电流变化而产生的电磁感应现象。
它的计量单位是亨利（H）。
8. 请解释电感对交流电的阻抗的影响。
答：电感对交流电的阻抗有很大的影响。
电感对交流电的阻抗与频率成正比，也就是说，频率越高，电感对交流电的阻抗越大。
9. 请解释电感的自感现象。
答：电感的自感现象是指导体中的电流变化会产生自感电动势，阻碍电流的变化。
康华光模拟电子技术基础课后答案全解
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
电子技术基础-模拟电路 (康华光)第五章习题
电子技术基础-模拟电路 （康华光）第五章习题.doc P220—222 5.5.1：在输入正弦信号的一个周期中，通过三极管的集电极电流C i 不出现截止状态（即导通角=θπ2）的称为“甲类”；在输入正弦信号的一个周期中，三极管只有半个周期导通（=θπ）的称为“乙类”；在输入正弦信号的一个周期中，三极管的导通时间大于半周而小于全周（πθπ2 ）的称为“甲乙类”。
其中，工作于“乙类”放大电路的效率最高，在双电源互补对称电路中，理想情况下的最高效率为78.5%。
5.2.2：解：该电路属于“双电源乙类互补对称放大电路（OCL ）”。
（1）输出功率：CC om L V P .W R ==2452（2）每管允许的功耗：CM om P .P .W ≥=0209（3）每管的耐压：(BR )CEO CC V V V ≥=2245.2.4：解：（1）Vi=10 V 时。
im i v om v im V V A V A V V ===∴==14114输出功率：om cem o L L V V P .W R R ===⨯=22211412252228每管的管耗；CC om om T T L V V V P P ().W R π==-≈21215024两管的管耗：T T T P =P P =.W =12221004电源的供给功率：V o T P P P =12.25+10.04=22.29W =+效率：oVP =%.%P η⨯≈1005496（2）Vim=Vcc=20V 时。
v om v im A V A V V=∴==120输出功率：om CC o om cem L L V V P WV V R R ===⨯==222120252228每管的管耗；CC om om CC CC T T L L V V V V V P P ()().W R R ππ==-=-≈222121134344两管的管耗：T T T P =P P .W =≈1222685电源的供给功率：V o T P P P =25+6.85=31.85W =+效率：oVP =%.%P η⨯≈100785 5.3.1：解：由CC AB CC om L L LCC V V V P ,R R R V V===≥2222222824（）（）（）（OTL）5.3.3：解：（1）静态时，电容C 2两端电压应为：C CC V V V ==2162，调整R 1、R 3可满族这一要求。
模拟电子技术复习思考题.docx
模拟电子技术复习思考题.docx模拟电子技术复习思考题1.杂质半导体有哪两种?P型，n型在木征半导体屮掺入几阶元素杂质才能形成P型半导体3或N型半导体5? P型半导体和N型半导体中的多数载流了空穴自由电了和少数载流子口由电了空穴各是什么?PN结的主要特性是什么？单向导通性。
2.二极管的主要特性是什么?正向导通性熟悉二极管的伏安特性曲线，了解二极管的各个工作区。
硅、错二极管的死区电压是多少？正向导通压降是多少？怎样在特性llh线上读出击穿电压？如何根据特性曲线判断是硅管还是餡管？3.稳压管工作于哪个区？怎样使稳压管工作于击穿区而不被损坏加限流电阻？稳压管的稳定电压为6V,最大允许功耗为0. 5W,则该稳压管中允许的最大电流是多少？4.正确画出光电二极管、发光二极管、普通二极管、稳压二极管、PNP型三极管、NPN型三极管、增强型N沟道M0S管，P沟道结型FET的符号。
5.什么是三极管的共发射极电流放人倍数？三极管有哪几个工作区？各自的条件和特点是什么？NPN型硅三极管工作于放大区要满足怎样的电压关系？两个PN 结工作状态如何？如果一个NPN 型硅三极管各电极的电压为Uc=6V, U B=6. 3V, U E二5.6V则该三极管工作于什么状态？如果一个三极管的三个电极的电位分别是U.= 3V；U2=9V；"2.3V,则该判断该三极管的类型、电极、材料。
6.场效应管有那些类型？工作特点是什么？什么是跨导？什么是开启电压或夹断电压？如何才能使结型场效应管和增强型M0S管工作于恒流区？了解各种场效应管的特性曲线，了解如何在特性曲线上找到Ut, U P, I DSS等参数。
如何根据转移特性曲线确定场效应管的类型？7.共发射极基本放大电路中输入和输出端的电容是什么电容？其作用是什么？什么是直流通路和交流通路？什么是基本放大电路的静态工作点？如何用估算法求共射基本放大电路和分压式偏迸静态工作点稳定电路的静态工作点？&如何用微变等效电路求共射、共集基木放人电路的电压放人倍数、输入电阻和输出电阻？9.放大电路的失真冇儿种？波形怎样？原因是什么？如何纠正？如何计算放大电路的最大不失真输出电压?10.基本放大电路的各种组态中，哪种貝有电压放大和电流放大倍数均较大的特点？哪种组态电压放人倍数小于1,但具有输入阻抗高输出阻抗低的特性？11.多级放人电路有哪几种耦合方式？各自的特点是什么？结构简单，静态工作点相互独立的是哪一种？适合集成化，能放大缓慢信号的是哪一种？12.掌握差动放大电路的电路结构与组成，会分析长尾形和恒流源差动放大电路的放大倍数和输入输出电阻。
模电复习思考题部分答案 康华光
模电复习思考题部分答案第三章2.1 集成电路运算放大器2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo 很大，直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+V om=V+,-V om=V-。
2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。
2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。
由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。
2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，V o等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了，电压增益Av=V o/Vi变小了。
模电课后(康华光版)习题答案2.docx
11 & II R 2l +5° 51 227.5 H ----- 20 + 7.5 Y6—叫51+扁叫4第二章部分习题解答2.4.6加减运算电路如图题8. 1. 3所求，求输岀电压仏的表达式。
解:方法一：应用虚短概念和叠加原理。
R、 s=_# 叫 1 _2 匕2再令沧二％2二0,则v n = ------- ——+ ------ :--- -- 评 4 卩比+瞌II 心心+心II 心12 ---- v 10 + 12 61将％和％叠加便得到总的输出电压, ” 5 c 51 51%=%+%= _ 才叫1 _ 2 比2 + —叫 3 + —人 4 方法二：用虚断列节点方程叫/ _ J | 叫 2 —V N J N_JR] R2 ~ R f叫3 - J叫4 _ J V p1 = i?3 R4 只5令％二加联立求解上述方程，结果与方法一相同。
2. 4. 2图题8. 1. 7为一增益线性调节运放电路，试推导该电路A厂—比—的电压增益V（勺1一勺2）的表达式。
解：A】、《是电压跟随器，有V ol = V Il^V o2 = V/2图题8. 1. 78利用虚短和虚断概念，有cVol ~ VN3 R\%2 _ 二彷3 _ 仏4尽R 2Vo4 = VN3 = V p3将上述方程组联立求解，得Ay =VI\ _ VI22.4.1 一高输入电阻的桥式放大电路如图题8.1.8所示，试写%^2V ol ~ ^2V o2 ~出^=f(5)的表达式I图题8. 1.8解:A 】、佻为电压跟随器，有VjR1怙=一険—2 ^~V B~2R +6R V I ~2 + 6V]丿。
1、卩。
2为差分式运算电路As 的输入信号电压，即有8. 3. 1用对数、反对数、加法或减法运算电路，设计岀vxV x V VVo\ = V x V r > V o2 =——％3 = ---------"和匚 的原理框图。
Vo\ ~ V X V Y^ 解：对于式，可写成如下关系式： v o] = V X V Y=exp(l/Wx + lw y ) v xv o2 - ---- = exp(biv x - lnvy)叫3 1VyVy = ------ =exp(lnv x + lnv Y - 1/iv.)尹据上述关系式可设计岀电路的原理框图，如图解8. 3. la> b 、 c 所示。
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第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大，直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。
2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。
2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。
由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。
2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
由于虚地是由于一端接地，而且存在负反馈，所以才有Vp≈Vn=0.2.3.3答：同相放大电路：1.存在虚短和虚断现象。
2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1，至少等于1。
3.输入电阻接近无穷大，出电阻接近于零。
反相放大电路：1.存在虚地现象。
2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。
3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。
电路的不同：1.参考P28和P32的两个图。
2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。
2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。
2.3.5 答：电路的电压增益约为1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。
2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用2.4.1各个图参考 P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。
2.4.2成炜：最后一道题不会做，你们房间把它算下吧。
谢了！(*^__^*) 嘻嘻……第三章二极管3.2.1答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。
因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说耗尽了，因此有称耗尽区。
扩散使空间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也称为势垒区。
3.2.2答：使PN结外加电压VF的正端接P区，负端接N区，外加电场与PN结内电场方向相反，此时PN出于正向偏置。
3.2.3答：增加。
因为在外加反向电压产生的电场作用下，P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度增加。
3.2.4答：只有在外加电压是才能显示出来。
3.2.5答：P67页。
3.3.1答：P71页3.3.23.3.4答：P71页3.3.5答：P71页3.4.1答：P73页3.4.2答：P74，76页3.4.3答：P83页第四章4.1.1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。
4.1.2 不行。
内部结构不同。
4.1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏。
反偏，都正偏。
4.1.4 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流IE。
IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO4.1.5（p106)第一问没有找到；BJT输入电流Ic（或IE）正比于输入电流IE(或Ib)。
如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。
第四章4.1.1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。
4.1.2 不行。
内部结构不同。
4.1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏。
反偏，都正偏。
4.1.4 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流IE。
IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO4.1.5（p106)第一问没有找到；BJT输入电流Ic（或IE）正比于输入电流IE(或Ib)。
如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。
4.1.6 (VCE=常熟) a=D IC / D IE(VCB=常熟)4.1.8 IC,IE,VCE4.1.9 IC,IE b上升4.2.1 微弱电信号放大，信号源，外加直流电源VCC4.2.2（p119）4.2.3（p117）4.2.4 不能 IC, a上升4.3.1 P1204.3.2 P1234.3.3 改变Vcc的极性（自己判断是否正确）；截止失真4.3.4 输入信号电压幅值比较小的条件下，P1284.3.5 找不到，个人理解：放大电路工作可看成是静态工作电路（即直流电路）和交流通路的叠加，所以看成是先将直流通路短路处理，作为交流的地电位。
4.3.6 P130公式(4.3.7B) P111公式（4.1.11A）不是4.3.7 P126 P1324.4.1 电源电压的波动，元件参数的分散姓及元件的老化，环境温度4.4.2 基极分压式射极偏置电路（理由见P135），含有双电源的射极偏置电路，含有恒流的射极偏置电路（理由见P139）4.4.3 不能（答案不确定）4.4.4 不能，Ce对静态工作点没有影响，对动态工作情况会产生影响，即对电阻Re上的电流信号电压有旁路作用4.5.1 有共射，共基和共集；判断方法P147，4.5.34.5.2 P147，4.5.3的24.5.3 P141的4.5.1的2.动态分析4.5.4 可以，根据式(4.4.1）-（4.4.4），可见静态电流Icq只与直流电压及电阻Re有关，以此温度变化时，Icq基本不变。
4.7.1书上155页第一段，这主要是由BJT的极间电容、耦合电容和旁路电容的开路和短路引起。
4.7.2 频带宽度BW是等于上限截止频率减去下限截止频率，数学表达式是：BW=f（H）-f（L）4.7.3 低频时，1/wc不可忽略，所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素。
高频是不会4.7.4 直接耦合可以把原信号不作改变地放大，所以可以改善低频响应；共基极放大电路中不存在密勒电容效应，所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性。
4.7.54.7.6书上176第五章5.1.1答：二氧化硅是绝缘体5.1.2答：P2375.1.3答：P2375.1.4答：P2075.2.1答：P226 JFET 不能BJT不能P205耗尽型MOSFET 可以答案在P205画波浪线处5.3.4答：P237 a图为BJT5.3.5答：P237第六章6.1.1 257页第1段5行起6.1.2图6.1.1 ，6.1.2 ，6.1.3 微电流源微电流源6.1.3 259页最后一段6.2.1 263页6.2.2 100微安， 0， 100微伏，1000微伏6.2.3 Vo=AvdVid+AvcVic得出6.2.4 温度6.2.5 264页最后两；，ro越大，即电流源Io越接近理想情况，Avc1越小，说明他抑制共模信号的能力越强；ro 差模短路，共模2ro6.2.6 Kcmr=|Avd/Avc|,268页第一段，6.2.7 266页波浪线6.2.8 课件33 、34页6.2.9 275页中间段；276第一段；10的9次方；10的5到6次方6.3.1 （P277）(1) 当vi1-vi2=vid=0时，vo1=vo2=Vcc-（Io/2）Rc，电路处于静态工作状态，。
（2）Vid在0~±VT范围内，vo1、vo2与vid间呈线性关系，放大电路工作在放大区。
（3）vid在VT~4VT间和- VT~ 4VT间，vo1、vo2与vid间呈非线性。
电路工作在非线性区。
（4）vid<- VT和vid> +VT，曲线趋于平坦。
Vid的范围书上没说，只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性，即范围很大。
6.3.2等于差分放大电路的差模电压增益Avd1=-1/2gmRc，Avd2=1/2gmRc6．4．1由源极耦合差分放大输入级，输入级偏置电流源，共源放大输出级构成。
作用：输入级：输入级差分放大输入信号。
电流源：为差分放大输入级提供直流偏置。
输出级：放大输出信号6．4．2由输入级，偏置电路，中间级，输出级组成。
电流源作用：1)主偏置电路中的T11 和T10 组成微电流源电路，由Ic10 供给输入级中T3,T4 的偏置电流。
2）T8和T9组成镜像电流源，供给输入级T1,T2 的工作电流。
3）T12和T13构成双端输出的镜像电流源，一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载，另一路供给输出级的偏置电流。
6．4．3输入级，电压放大级和输出级电路的基本形式分别是：差分式放大电路，共集电极电路和共射集放大电路，互补对称电路。
保护电路有:T15,T21,T22,T23,T24B6.5.1答：在室温（25°C）及标准电源电压下，输入电压为零时，为了使集成运放的输出电压为零，在输入端加的补偿电压叫做失调电压Vio，其大小反映了运放制造中电路的对称程度和电位配合情况，其值愈大说明电路的对称程度愈差。
输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值，从使用角度来看，偏置电流愈小由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也愈小，故它是重要的技术指标。
输入失调电流是指Iio是指当输入电压为零时流入放大器两输入端的静态基极电流之差，Iio愈小愈好，它反映了输入级差分对管的不对称程度。
6.5.2答：要求输入失调电压和输入失调电流都比较小，可采用调零电位器的方法减小输出端的误差电压。
不能用外接人工调零电路的方法完全抵消。
6.5.3 (1) LM741等一般运放（2）高输入电阻的运放。
（3）输入失调电压Vio小的运放（4）失调电压电流小的运放6.5.4转换速率的大小与许多因素有关，主要与运放所加的补偿电容、运放本身各级BJT的级间电容、以及放大电路提供的充电电流等因素有关，通常要求运放的SR大于信号变化斜率的绝对值。