武汉科技大学811无机材料科学基础19年真题
2017年武汉科技大学考研真题811无机材料科学基础A卷参考答案
第 1 页 共 4 页姓名：报考专业： 准考证号码：密封线内不要写题2017年攻读硕士学位研究生入学考试试题科目名称：无机材料科学基础（A 卷□B 卷）科目代码：811□√考试时间：3小时 满分 150分可使用的常用工具：□无 计算器 直尺 □圆规（请在使用工具前打√）□√□√注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。
一、名词解释(共 3 小题，每小题 10 分，共 30分)1. 四面体空隙与八面体空隙(处于四个球体包围之中的空隙，四个球体中心的连线恰好成一个四面体的形状称为四面体空隙；处于六个球体包围之中的空隙，六个球体中心的连线恰好成一个八面体的形状称为八面体空隙)2. 肖特基缺陷与弗伦克尔缺陷(如果原子能量足够大，离开平衡位置，挤到正常晶格的间隙位置，形成间隙质点，在原来位置留下空位，这种缺陷称为弗伦克耳缺陷；如果原子移动到晶体的表面，内部留下空位，该缺陷称为肖特基缺陷。
)3. 晶粒生长与二次再结晶(无应变的材料在热处理过程中，平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下连续长大的过程称为晶粒生长；在细晶消耗时，以大晶粒为成核基体成核长大形成少数巨大晶粒的过程称为二次再结晶)二、简答题(共 3 小题，每小题 10 分，共 30分)1. 简述划分平行六面体的四条原则。
1）所选平行六面体的对称性应该符合整个空间点阵的对称性；2）在不违反对称的条件下，应选择棱与棱之间指教关系最多的平行六面体；3）在前两条前提下，所选的平行六面体的体积最小；4）当对称性规定棱间交角不为直角时，在遵循前三条的前提下，应选择结点间距小的行列作为平行六面体的棱，且棱间交角接近于直角的平行六面体。
2. 玻璃结构参数之间的关系和物理意义是什么？X+Y ＝Z ；X ＝2R-Z X 表示多面体中非桥氧离子平均数，Y 表示多面体中桥氧离子平均数，Z 表示每个多面体中氧离子平均总数，R 表示玻璃中氧离子总数与网络形成离子总数之比。
武汉科技大学考研历年初试真题之810材料科学基础2004--2014(2005--2009_2011
姓名：报考专业：准考证号码：密封线内不要写题2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题 科目名称：材料科学基础（□A 卷■B 卷）科目代码：810 考试时间：3小时 满分 150 分 可使用的常用工具：□无 ■计算器 ■直尺 □圆规（请在使用工具前打√） 注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。
一、填空题（共8小题，每空1分，共26分） 1、在一定条件下，铜和铁素体的晶体结构分别为 和体心立方结构，其点阵常数分别为0.362nm 和0.286nm ，相应的原子直径为 和 。
2、纯金属结晶是在 温度下进行的，原因是 。
纯金属凝固时，形核的驱动力是 ，形核的阻力是 。
3、金属结晶时的过冷度越大，结晶驱动力 ，临界晶核尺寸 ，临界形核功 ，形核率 ，结晶后的晶粒尺寸 ，金属强度 。
4、填入适当的相结构名称，碳钢中的铁素体为 ，高速钢中的VC 为 ，不锈钢中的Cr 23C 6为 。
5、固溶体合金，在铸造条件下，容易产生 偏析，用 处理可以消除。
6、热形变加工与冷形变加工的一般分界限为 温度，但该温度随形变量的增大而 ，所以严格地说，形变加工时产生加工硬化的为 ，而不产生加工硬化的为 。
7、菲克第一定律的表达式为 ，式中扩散系数与温度之间关系的表达式为 。
8、置换固溶体的扩散激活能包括 和 。
二、判断题（共８小题，每小题3分，共24分） 1、晶体结构有无限多种，而空间点阵只有14种。
2、在实际金属和合金中，自发形核常常起着优先和主导的作用。
3、一个合金的室温组织为α+βII +（α+β），它由三相组成。
4、铁素体的本质是碳在α-Fe 中的间隙相。
5、在晶体滑移过程中，由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少。
6、孪生变形所需的切应力比滑移变形所需的小得多。
7、形变织构和再结晶织构都会使金属材料具有各向异性。
8、晶界上原子排列混乱，不存在空位，所以空位机制扩散的原子在晶界处无法扩散。
武汉科技大学2020年《811无机材料科学基础》考研专业课真题试卷
第 1 页 共 4 页 考生姓名：报考专业：准考证号码：密封线内不要写题2020年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题 （ B 卷)参考答案 科目代码： 811 科目名称： 无机材料科学基础 注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。
一、单项选择题(共10小题，每小题2分，共 20分) 1、宏观晶体中可能存在的对称型有（ C ）种。
A 、7 B 、14 C 、32 D 、230 2、由n 个等径球体紧密堆积时，则有（ C ）个四面体空隙。
A 、1/2n B 、n C 、2n D 、3n 3、NaCl 晶体结构属于（A ）晶系。
A 、立方 B 、四方 C 、六方 D 、三方 4、绿宝石晶体结构类型属于（ B ）结构。
A 、岛状 B 、组群状 C 、链状 D 、层状 5、连线规则是用来判断相图（ C ）。
A 、界线的性质 B 、无变量点的性质 C 、界线温度走向 D 、化合物性质 6、单健强＞335kJ/mol 的氧化物为（ A ）。
A 、玻璃网络形成体 B 、网络变性体 C 、网络中间体 D 、晶体 7、在离子晶体中，晶界是（ D ）快速扩散的通道。
A 、阳离子 B 、所有离子 C 、原子 D 、阴离子 8、单元系统平衡共存的相最多有（ C ）个。
A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 9、粒子由高浓度向低浓度方向扩散称为（ A ）扩散。
A 、正 B 、逆 C 、稳定 D 、不稳定 10、相变按热力学可分类为（ C ）。
A 、固－固相变与固－液相变 B 、固－固相变与固－气相变 C 、一级相变与二级相变 D 、成核生长相变与不稳分解相变二、名词解释(共4小题，每小题10 分，共 40分)1、弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷如果原子能量足够大，离开平衡位置，挤到正常晶格的间隙位置，形成间隙质点，在原来位置留下空位，这种缺陷称为弗伦克耳缺陷；如果原子移动到晶体的表面，内部留下空位，该缺陷称为肖特基缺陷。
武汉科技大学811无机材料科学基础2017(A卷答案)年考研真题答案
△Go2= -232.5-0.168T (kJ/mol) △Go3= -43.07-0.0322T (kJ/mol)
当[Al]在Fe液中浓度为0.025％时，试求Al2O3(在P外总＝105Pa)与碳
发生激烈反应的温度？
解：根据以上三个反应式，3×（2）＋4×（3）－（1）得反应式（4）：
6C(s)+2Al2O3(s)=4[Al]1%+6CO(g) （4） (也可以是3C(s)+Al2O3(s)=2[Al]1%+3CO(g)) △Go4=3×△Go2+4×△Go3-△Go1=2490.02-1.2748T (kJ/mol) 假定碳和Al2O3为纯物质，则C和Al2O3的活度为1，则有下式： △G4=△Go4+RT ln pCO 6 [ Al]4 （5）
以1%稀溶为标准，则α[Al]=0.025; 而PCO=1，且当△G4=0时，有下式： （2490.02-1.2748T）×1000+8.314T×4ln(0.025)=0
得T=1781.8K
2、非化学计量化物FexO中，Fe3+/Fe2+＝0.1，求FexO中空位浓度及x 值。
解：非化学计量化物FexO，可以认为是a（mol）的Fe2O3溶入FeO中，缺陷反
注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律
无效；考完后试题随答题纸交回。
一、名词解释(共 3 小题，每小题 10 分，共 30分)
1. 四面体空隙与八面体空隙(处于四个球体包围之中的空隙，四个球体中 心的连线恰好成一个四面体的形状称为四面体空隙；处于六个球体包围 之中的空隙，六个球体中心的连线恰好成一个八面体的形状称为八面 体空隙) 2. 肖特基缺陷与弗伦克尔缺陷(如果原子能量足够大，离开平衡位置，挤 到正常晶格的间隙位置，形成间隙质点，在原来位置留下空位，这种缺 陷称为弗伦克耳缺陷；如果原子移动到晶体的表面，内部留下空位，该 缺陷称为肖特基缺陷。) 3. 晶粒生长与二次再结晶(无应变的材料在热处理过程中，平均晶粒尺寸 在不改变其分布的情况下连续长大的过程称为晶粒生长；在细晶消耗时 ，以大晶粒为成核基体成核长大形成少数巨大晶粒的过程称为二次再 结晶)
2021年武汉科技大学硕士研究生招生考试初试自命题试题：无机材料科学基础B卷
姓名： 报考专业： 准考证号码：密封线内不要写题2021年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题科目名称：无机材料科学基础（□A 卷□√B 卷）科目代码：811 考试时间：3小时 满分 150分可使用的常用工具：□无 □√计算器 □√直尺 □圆规（请在使用工具前打√） 注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。
一、名词解释(共 3 小题，每小题 10 分，共 30分)1. 晶体结构（说明和空间点阵区别）2. 非化学计量化合物（举例说明）3. 非本征扩散二、填空题（每空1分，共 15分）1. 粘土分别吸附Sr 2+、Mg 2+、 NH 4+、K +这四种不同阳离子后的性能变化规律为：离子置换能力 （1） ，泥浆的稳定性 （2） ，泥团的滤水性（3） ，泥浆的流动性（4） 。
（请填写增大或减小）2. 凝聚系统的相律为：(5)。
3. 镁橄榄石中Mg 2+离子的配位数是（6） ，占据（7）空隙，Si 4+配位数是（8），占据 (9) 空隙。
4. 固态反应包括界面化学反应和反应物通过产物层的扩散等过程，若化学反应速率远小于扩散速率，则动力学上处于（10）范围。
5. 析晶过程包含（11）和（12）两 个过程。
6. 在相同条件下，碳在体心立方铁中的扩散系数比在面心立方铁中的（ 13 ）。
7. 每增加单位的表面积时，体系自由能的增量为 （14） 。
8.随着Na 2O 的增加，熔体的黏度是（15）。
三、简答题(共 3 小题，每小题 10 分，共 30分)1. 在面心立方和体心立方中，最密排平面的米氏符号是什么?2. 将少量的MgO 外加到ZrO 2中生成固溶体，试写出所有可能的缺陷反应方程及相应的固溶分子式，并说明如何鉴别其固溶体类型。
3. 简述外加剂在烧结中的作用。
四、计算题(共 3小题，每小题 15 分，共 45分)1. 一种玻璃的组成是33 mol%的Na 2O 和64mol%的SiO 2，请计算该玻璃的结构参数及非桥氧的体积分数。
2013年武汉科技大学考研试题无机材料科学基础A卷和标准答案
二O 一三年招收硕士研究生入学考试试题 考试科目代码及科目名称： 811 无机材料科学基础 可使用的常用工具： 计算器，直尺或三角板 除第六题作图部分直接在原图上绘制，其它答题内容写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效考完后试题随答题纸交回。
考试时间3小时，总分值 150 分。
姓名： 报考专业： 准考证号码： 密封线内不要写题
二O 一三年招收硕士研究生入学考试试题（参考答案） 考试科目代码及科目名称： 811 无机材料科学基础 可使用的常用工具： 计算器，直尺或三角板 除第六题作图部分直接在原图上绘制，其它答题内容写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效考完后试题随答题纸交回。
考试时间3小时，总分值 150 分。
姓名： 报考专业： 准考证号码： 密封线内不要写题
c d
2。
2016年武汉科技大学考研真题811 无机材料科学基础-(B卷答案)
在 1650℃氧化铝坩埚中盛有含有 Al 为 0.012％（质量分数）的铁液，试问 在该铁液中氧含量是多少？
解：反应方程为：Al2O3(s)＝2[Al]1%+3[O]1%
△Go=△Go1+2△Go2+△Go3＝1205090-387.73T 当 T＝1923K，△Go=459485J/mol
G G 0 RT ln k 0 ln k 28.73 ；
Di Ci Bi i / Ci Bi i / ln Ci
⑹
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因为 Ci/C＝N，dlnCi=dlnNi,故有： Di Bi i / ln N i 又因为： i i0 (T , P ) RT ln i i0 RT (ln N i ln i ) 则：i / ln N i RT (1 ln i / ln N i ) 将(8)带入(7)得： Di RTBi (1 ln i / ln N i )
图 4-1 例题 4-3 附图
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由题意
(a) γ S S 2γ S O cos(112 / 2) (c) γOO 2γ S O cos(100 / 2) 112 100 γOO / cos 2 2 γ γ S S OO cos56 0.78J/m 2 cos50 γ S O γ S S / 2 cos56 0.70J/m 2 γ S S / cos
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内）共轭位（处于三角形某个顶角的外侧，且在形成此顶角的两条边的延长线范 围内的点，所处的位置称为共轭位）
5. 晶粒生长与二次再结晶（无应变的材料在热处理过程中，平均晶粒尺寸在不
改变其分布的情况下连续长大的过程称为晶粒生长；在细晶消耗时，以大晶粒为 成核基体成核长大形成少数巨大晶粒的过程称为二次再结晶）
2012年武汉科技大学考研试题811无机材料科学基础及答案
第 1 页 共 7 页二O 一二年招收硕士研究生入学考试试题考试科目及代码： 无机材料科学基础 811 适用专业： 材料科学与工程可使用的常用工具：计算器。
答题内容写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效。
考完后试题随答题纸交回。
考试时间3小时，总分值 150 分。
姓名： 报考学科、专业： 准考证号码：密封线内不要写题六、凝聚系统相图测定方法有静态法和动态法两种，说明这两种方法的基本原理，并扼要阐述相图中等温线的获得方法。
（20分）七、试述铝矾土（主要成分为：高岭石Al2O3·2SiO2·2H2O和水铝石Al2O3·H2O）从室温加热到1600℃烧结过程中的所有物理化学变化，并写出有关的反应方程式。
（15分）第 2 页共 7 页考试科目及代码： 无机材料科学基础 811适用专业： 材料科学与工程可使用的常用工具：计算器。
答题内容写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效。
考完后试题随答题纸交回。
考试时间3小时，总分值 150 分。
一、名词解释（40分）1. 液相独立析晶（如果冷却速度不是快到使液相完全失去析晶能力，但也不是慢到足以使它能够和系统中其它晶相保持原有相平衡关系，则此时液相犹如一个原始配料高温熔体那样独立析晶，重新建立一个新的平衡体系，不受系统中已经存在的其它晶相的制约）2. 本征扩散与非本征扩散（由于原子本征热振动产生的扩散称为本征扩散；由外来原子或离子进入晶体而产生缺陷导致的扩散称为非本征扩散）3. 组份数与独立组份数（具有独立的化学组成和晶体结构的物质的数量；构成平衡物系所有各相组成所需要的最小组份数为独立组份数）4. 类质同晶与同质多晶（物质结晶时，晶体结构位置上的某些离子或原子的位置部分或全部地被介质中性质相近的其他离子或原子所置换，共同结晶成的均匀的、呈单一相的混合晶体，而不改变晶体结构和键性发生质变，只引起晶胞参数微小变化的现象为类质同晶；化学组成相同的物质在不同的热力学条件下结晶成结构不同的晶体的现象称为同质多晶）5. 热压烧结与活化烧结（在烧结的同时加上一定的外压力称为热压烧结；采用物理的或者化学处理使烧结温度降低，烧结速度加快，或使烧结体的密度和其他性能提高的烧结方法为活化烧结。
无机材料科学基础教程考试题库完整
无机材料科学基础试卷7一、名词解释（20分）1、正尖晶石、反尖晶石；2、线缺陷、面缺陷；3、晶子学说、无规则网络学说；4、可塑性、晶胞参数；二、选择题（10分）1、下列性质中（）不是晶体的基本性质。
A、自限性B、最小内能性C、有限性D、各向异性2、晶体在三结晶轴上的截距分别为2a、3b、6c。
该晶面的晶面指数为（）。
A、（236）B、（326）C、（321）D、（123）3、依据等径球体的堆积原理得出，六方密堆积的堆积系数（）立方密堆积的堆积系数。
A、大于B、小于C、等于D、不确定4、某晶体AB，A—的电荷数为1，A—B键的S=1/6，则A+的配位数为（）。
A、4B、12C、8D、65、在单位晶胞的CaF2晶体中，其八面体空隙和四面体空隙的数量分别为（）。
A、4，8B、8，4C、1，2D、2，46、在ABO3(钙钛矿)型结构中，B离子占有（）。
A、四面体空隙B、八面体空隙C、立方体空隙D、三方柱空隙晶体7、在硅酸盐熔体中，当R=O/Si减小时，相应熔体组成和性质发生变化，熔体析晶能力（），熔体的黏度（），低聚物数量（）。
A、增大B、减小C、不变D、不确定8、当固体表面能为1.2J/m2，液体表面能为0.9 J/m2，液固界面能为1.1 J/m2时，降低固体表面粗糙度，（）润湿性能。
A、降低B、改善C、不影响9、一种玻璃的组成为32.8%CaO，6.0 Al2O3%，61.2 SiO2%，此玻璃中的Al3+可视为网络（），玻璃结构参数Y=（）。
A、变性离子，3.26B、形成离子，3.26C、变性离子，2.34D、形成离子，2.3410、黏土泥浆胶溶必须使介质呈（）。
A、酸性B、碱性C、中性11、可以根据3T曲线求出熔体的临界冷却速率。
熔体的临界冷却速率越小，就（）形成玻璃。
A、越难B、越容易C、很快D、缓慢12、晶体结构中一切对称要素的集合称为（）。
A、对称型B、点群C、微观对称的要素的集合D、空间群三、填空（15分）1、a=b≠c α=β= 900，γ=1200的晶体属（）晶系。
武汉科技大学812材料加工科学基础2015--2017(都有答案)考研真题+答案
姓名：报考专业：准考证号码：密封线内不要写题年攻读硕士学位研究生入学考试试题科目名称：材料加工科学基础（■A 卷 □B 卷）科目代码：考试时间：3小时 满分 150 分 ■计算器 ■直尺 □圆规（请在使用工具前打√）所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。
共 5 小题，每小题 4 分，共 20 成分过冷 形变织构 短路扩散 6 小题，每空 1 分，共 20 分) 、面心立方结构的单位晶胞原子数为 ，其致密度为∆变化与晶胚尺寸r的关系图1 自由能G2、解释间隙固溶体和间隙相的含义，并加以比较。
（8分）3、同样形状和大小的两块铁碳合金，其中一块是低碳钢，一块是白口铸铁。
试姓名：报考专业：准考证号码：密封线内不要写题年攻读硕士学位研究生入学考试试题（参考答案） 科目名称：材料加工科学基础（■A 卷 □B 卷）科目代码：考试时间：3小时 满分 150 分 ■计算器 ■直尺 □圆规（请在使用工具前打√）所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。
共 5 小题，每小题 4 分，共 20 点阵畸变：在局部范围内，原子偏离其正常的点阵平衡位置，造成点阵畸变。
结构起伏：液态材料中出现的短程有序原子集团时隐时现的现象。
共 6 小题，共 70 分)r 的晶胚时，其总自由能的变化为：343V r G π∆ T由上图（a ）可见，123G G G ∆>∆>∆，即T ∆越大，G ∆也越大，这不符合晶核形成时的自由能变化规律。
所以，该图是错误的。
而在图（b ）中123G G G ∆<∆<∆，即T ∆越大，G ∆越小，符合晶核形成时的自由能变化规律，可见图（b ）是正确的。
姓名：报考专业：准考证号码：密封线内不要写题年攻读硕士学位研究生入学考试试题科目名称：材料加工科学基础（□A 卷■B 卷）科目代码：考试时间：3小时 满分 150 分 ■计算器 ■直尺 □圆规（请在使用工具前打√）所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。
武汉科技大学811无机材料科学基础2008,2013--2017(2013--2017有答案)考研真题+答案
＋
－
t
x
y
z
21. （23）一级相变； （24）二级相变 22. （25）间隙 23. （26）假设球形颗粒反应截面积始终不变； （27）反应产物厚度随时间向中 心推进 24. （28）蒸发-凝聚传质 25. （29）烧结 26. （15 分）
已知某硅酸盐熔体在 727℃时是 108dPa∙s,在 1156℃时是 104dPa∙s，在什么温 度下它使 107dPa∙s？并求该熔体的黏性流动活化能？
2、（10 分）
电熔棕刚玉是以高铝矾土轻烧料为主要原料，在电弧炉中熔炼得到的，为了 除去其中的 SiO2 与 Fe2O3 等杂质，往往需要加入少量炭及铁屑。试从热力学角度 分析除去杂质的机理，并写出反应方程式。
密 封 线 内 不 要 写 题
14. 15. 16. 17. 18. 19. 20.
（1)配位数；(2)半径比,或 r /r ； （3）6 (4)架状;(5)组群状;(6)层状 （7）重建型相变； （8）位移型相变 （9）点缺陷； （10）线缺陷 ； （11）面缺陷 （12）不等价置换； （13）掺杂数量； （14）固溶度 （15）伯格斯矢量（16）滑移方向； （17）韧型位错； （18）螺旋型位错。 （ 19 ） 扩 散 质 点 浓 度 不 随 时 间 和 距 离 变 化 的 稳 定 扩 散 问 题 ； （ 20 ） （21）扩散质点浓度随时间变化的 J=-Dc D(ic / x jc / y kc / z) ；
2015 年攻读硕士学位研究生入学考试试题
科目名称：无机材料科学基础（■A 卷□B 卷）科目代码：811 考试时间：3 小时 满分 150 分
武汉科技大学810金属材料科学基础考研真题答案
1一、名词解释(共6个，每个3 分，共 18分)配位数：晶体结构中，与任一原子最近邻且等距离的原子数。
堆垛层错: 晶体中不全位错扫过的晶面，该晶面两侧原子面生产错排，使得该原子层面出现错误的堆垛，这称为堆垛层错位错密度：单位体积晶体中位错线的总长度。
晶内偏析：因合金中溶质在凝固时候发生再分配，从而导致晶粒内部成分不均匀的现象称为晶内偏析。
成分过冷：合金结晶时由于溶液中溶质分布的变化，使得低熔点组元在结晶固相前沿富集，并改变了此区域的熔点，使结晶前沿液相过冷度随着离开其距离而变化，这种因液相成分变化所引起过冷称为成分过冷。
离异共晶：当合金成分偏离共晶成分很远时，先共晶结晶完后，所发生的共晶不平衡凝固，形成两相分离的组织，称为离异共晶。
二、填空题(共10空，每空1分，共10分)1. {111}、<110>、0.74；2. 切过、奥罗万绕过机制；3. 台阶、割阶4. 化学位梯度、冷变形产生的储存能、晶粒长大前后的界面能差三、辨析题，小题中有错误则改正 (共5小题，每小题6分，共30分)1、错，面心立方结构晶体的（111）晶面的正常堆垛次序为ABCABCABC……。
2、错，液体结晶为，固态相变32443V G r G r ππσ∆=∆+323244433V G r G r r E ππσπε∆=∆++3、对4、错，在晶体滑移过程中，由于位错不断移出滑移面，同时位错源开动产生更多位错，位错密度随形变量的增加而增加。
5、错，溶质原子的扩散一般是由浓度高的部位向浓度低的部位进行，但在溶质化学位驱动下也向高浓度处向低浓度扩散。
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报考专业：
姓名：
1. 在面心立方和体心立方中，最密排平面的米氏符号是什么?
在面心立方堆积中，由（100）、（010）和（001）三个面的对角线所构成的平面是最密排 面，其米氏符号为（111）. (5 分) 在体心立方密堆中，由（001）面的对角线和 c 轴构成的平面是最密排面，其米氏符号为 （110）。（5 分） 2. 将少量的 MgO 外加到 ZrO2 中生成固溶体，试写出所有可能的缺陷反应方程及相应的
二、填空题（每空 1 分，共 15 分）
1. 粘土分别吸附 Sr2+、Mg2+、 NH4+、K+这四种不同阳离子后的性能变化规律为：离子置 换能力 （1） ，泥浆的稳定性 （2） ，泥团的滤水性（3） ，泥浆的流动性（4） 。（请 填写增大或减小） （1）减小、（2）增大、(3) 减小、(4) 增大 2. 凝聚系统的相律为：(5)。（5）F=C-P+n（或 F=C-P+2 亦可） 3. 镁橄榄石中 Mg2+离子的配位数是（6） ，占据（7）空隙，Si4+配位数是（8），占据 (9) 空隙。（6）6、（7）八面体、(8) 4、(9) 四面体 4. 固态反应包括界面化学反应和反应物通过产物层的扩散等过程，若化学反应速率远小 于扩散速率，则动力学上处于（10）范围。（10）化学反应动力学 5. 析晶过程包含（11）和（12）两 个过程。（11）成核 、（12）长大 6. 在相同条件下，碳在体心立方铁中的扩散系数比在面心立方铁中的（ 13 ）。（13）大 7. 每增加单位的表面积时，体系自由能的增量为 （14） 。（14）表面能 8.随着 Na2O 的增加，熔体的黏度是（15）。（15）降低（或减小）
三、简答题(共 3 小题，每小题 10 分，共 30 分)
1. 在面心立方和体心立方中，最密排平面的米氏符号是什么? 2. 将少量的 MgO 外加到 ZrO2 中生成固溶体，试写出所有可能的缺陷反应方程及相应的 固溶分子式，并说明如何鉴别其固溶体类型。
3. 简述外加剂在烧结中的作用。
四、计算题(共 3 小题，每小题 15 分，共 45 分)
五、相图分析( 30 分)（画图请作于答题册上！）
有一三元相图如图所示： 1． 划分副三角形，标明初晶区； 2． 标出图中各条界线上温度下降方向； 3． 判断各无变点的性质，并写出相平衡方程； 4． 指出化合物 AmBn 的性质，高温下发生什么反应？ 5． 分析图中点 1 和 2 的析晶路线，并在图中作图进行标明。
准考证号码： 密封线内不要写题
2019 年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题
科目名称：无机材料科学基础（□A 卷 □√ B 卷）科目代码：811 考试时间：3 小时 满分 150 分
可使用的常用工具：□无 □√ 计算器 □√ 直尺 □圆规（请在使用工具前打√）
注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考 完后试题随答题纸交回。
固溶分子式，并说明如何鉴别其固溶体类型。
答：
CaO
ZrO2
Ca
'' Zr
Vo
Oo
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ห้องสมุดไป่ตู้
2019 年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题
科目名称：无机材料科学基础（□A 卷 □√ B 卷）科目代码：811 考试时间：3 小时 满分 150 分
可使用的常用工具：□无 □√ 计算器 □√ 直尺 □圆规（请在使用工具前打√）
注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考 完后试题随答题纸交回。
1. 一种玻璃的组成是 33 mol%的 Na2O 和 64mol%的 SiO2，请计算该玻璃的结构参数及非
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桥氧的体积分数。 2. 金属铝的冶炼温度为 1250℃，试分析是否可以用 MgO 材料做冶炼金属铝的内衬，已 知有如下反应且 Mg(g)易挥发易氧化。
4/3Al(l)+O2(g)=2/3Al2O3(s) △Go1= -1119404+214.0T (J/mol) 2Mg(g)+O2(g)=2MgO(s) △Go2=-1427470+387.1T(J/mol) 3. 如在液相中形成边长为 a 的立方体晶核时，求出“临界核胚”立方体边长 a 和ΔG。为 什么立方体的ΔG 大于球形ΔG?
一、名词解释(共 3 小题，每小题 10 分，共 30 分)
1. 晶体结构（说明和空间点阵区别） 2. 非化学计量化合物（举例说明） 3. 非本征扩散
二、填空题（每空 1 分，共 15 分）
1. 粘土分别吸附 Sr2+、Mg2+、 NH4+、K+这四种不同阳离子后的性能变化规律为：离子置 换能力 （1） ，泥浆的稳定性 （2） ，泥团的滤水性（3） ，泥浆的流动性（4） 。（请 填写增大或减小） 2. 凝聚系统的相律为：(5)。 3. 镁橄榄石中 Mg2+离子的配位数是（6） ，占据（7）空隙，Si4+配位数是（8），占据 (9) 空隙。 4. 固态反应包括界面化学反应和反应物通过产物层的扩散等过程，若化学反应速率远小 于扩散速率，则动力学上处于（10）范围。 5. 析晶过程包含（11）和（12）两 个过程。 6. 在相同条件下，碳在体心立方铁中的扩散系数比在面心立方铁中的（ 13 ）。 7. 每增加单位的表面积时，体系自由能的增量为 （14） 。 8.随着 Na2O 的增加，熔体的黏度是（15）。
一、名词解释(共 3 小题，每小题 10 分，共 30 分)
1. 晶体结构（和空间点阵区别） 晶体中原子（离子或分子）在三维空间的重复排列构成晶体结构。空间点阵是晶体结构的 具体抽象，点阵结点位置放置具体原子（离子或分子）即构成晶体结构。 2. 非化学计量化合物（举例说明） 实际中一些化合物不遵守定比定律，出现小数情况，即为非化学计量化合物。如 TiO2 在 缺氧条件下失去部分氧形成氧离子空位型非化学计量化合物 TiO2-x。 3. 非本征扩散 由于掺入与晶体中离子不等价的杂质离子而产生的掺杂点缺陷引起的扩散。