SI65-120中文资料

合集下载

元素周期表中英文对照

元素周期表中英文对照

Ce
praseodymium neodymium promethium
140.91
Xe.6s2.4f3
Pr
Nd
Pm
[145]
samarium
150.36
Xe.6s2.4f6
Sm
europium
151.96
Xe.6s2.4f7
Eu
gadolinium
157.25
Xe.6s2.4f7.5d1
Gd
terbium
132.905
Xe.6s1
Cs
barium
137.327
Xe.6s2
Ba
lutetium
174.97
Xe.6s2.4f14.5d1
Lu
hafnium
178.49
Xe.6s2.4f14.5d2
Hf
tantalum
180.95
Xe.6s2.4f14.5d3
Ta
tungsten
183.84
Xe.6s2.4f14.5d4
Yb
144.24
Xe.6s2.4f4
Xe.6s2.4f5
89
錒 90
釷 91
鏷 92
鈾 93
鎿 94
鈈 95
鎇 96
鋦 97
錇 98
鐦 99
鎄 100
鐨 101
鍆 102

actinoids 錒系元素
139-152
actinium
[227]
Rn.7s2.6d1
Ac
thorium
232.04
Rn.7s2.6d2
Unquadtrium Unquadquadium Unquadpentium Unquadhexium Unquadseptium Unquadoctium Unquadennium

电力设备技术规格书

电力设备技术规格书

新建铁路哈罗线哈密南至罗中段电力设备技术规格书中铁第一勘察设计院集团有限公司2011年03月西安目录第一章总则ﻩ错误!未定义书签。

第二章技术规格共同条款....................... 错误!未定义书签。

第三章电力设备材料技术规格................... 错误!未定义书签。

第一节变压器ﻩ错误!未定义书签。

第二节变配电所高压开关柜...................... 错误!未定义书签。

第三节配电所保护综合自动化设备ﻩ错误!未定义书签。

第四节交直流电源屏.......................... 错误!未定义书签。

第五节动态无功补偿装置及可调电抗器ﻩ错误!未定义书签。

第六节 10kV箱式变电站 ....................... 错误!未定义书签。

第七节低压配电开关柜ﻩ错误!未定义书签。

第八节双电源切换及变台配电箱................. 错误!未定义书签。

第九节隔离开关ﻩ错误!未定义书签。

第十节无人监控安防系统ﻩ错误!未定义书签。

第十一节柴油发电站.......................... 错误!未定义书签。

第十二节光伏发电站.......................... 错误!未定义书签。

第十三节UPS电源 .......................... 错误!未定义书签。

第十四节电力远动系统ﻩ错误!未定义书签。

第十五节线路分段开关监控装置ﻩ错误!未定义书签。

电力设备技术规格书附图ﻩ错误!未定义书签。

第一章总则1.1总则说明1.1.1投标人应仔细阅读招标书中所有条款,包括各项技术规格,并且应逐条做出应答,应答不能以“明白”“符合”“满足”等单词进行简答或复制招标书。

投标人提供的设备、器材性能应满足本技术规格书的要求,产品的技术规格应相当于或超过本技术规格书中的技术要求,如有偏差,必须提供详细的技术规格偏差表。

医疗器械常用词汇中英文对照

医疗器械常用词汇中英文对照

55
680707
Ⅱ类
胸腔心血管外科用吸引器 thoracic cavity cardiovascular surgical aspirator
56 6808
腹部外科手术器械 abdominal surgical operation instruments
57
680802
Ⅰ类
腹部外科用剪 abdominal surgical scissors
2
680101
Ⅱ类
医用缝合针(不带线) medical suture needle (without thread)
3
680102
Ⅰ类
基础外科用刀 basic surgical knife
4
680103
Ⅰ类
基础外科用剪 basic surgical scissors
5
680104
Ⅰ类
基础外科用钳 basic surgical clamp
医疗器械产品分类目 Medical Equipment Classific
监管类
序 号 Ser ial NO.
分类 编码 Class ifica tion Code
别 Superv ision
& Admini strati
on
Level
名称 Name
1 6801
基础外科手术器械 basic surgical operation instruments
83
681202
Ⅰ类
妇产科用剪 obsteric and gynecologic scissors
84
681203
Ⅰ类
妇产科用钳 obsteric and gynecologic forceps

物理资料库

物理资料库

SI基本单位国际单位制以下表中的七个单位为基础,这七个单位称为SI基本单位。

SI基本单位的定义米:光在真空中(1/299 792 458)s时间间隔内所经过路径的长度。

[第17届国际计量大会(1983)]千克:国际千克原器的质量。

[第1届国际计量大会(1889)和第3届国际计量大会(1901)]秒:铯-133原子基态的两个超精细能级之间跃迁所对应的辐射的9 192 631 770个周期的持续时间。

[第13届国际计量大会(1967),决议1]安培:在真空中,截面积可忽略的两根相距1 m的无限长平行圆直导线内通以等量恒定电流时,若导线间相互作用力在每米长度上为2³10-7N,则每根导线中的电流为1 A。

[国际计量委员会(1946)决议2。

第9届国际计量大会(1948)批准]开尔文:水三相点热力学温度的1/273.16。

[第13届国际计量大会(1967),决议4]摩尔:是一系统的物质的量,该系统中所包含的基本单元(原子、分子、离子、电子及其他粒子,或这些粒子的特定组合)数与0.012 kg碳-12的原子数目相等。

[第14届国际计量大会(1971),决议3]坎德拉:是一光源在给定方向上的发光强度,该光源发出频率为540³1012 Hz的单色辐射,且在此方向上的辐射强度为(1/683)W/sr。

[第16届国际计量大会(1979),决议3]SI导出单位导出单位是用基本单位以代数形式表示的单位。

这种单位符号中的乘和除采用数学符号。

如速度的SI 单位为米每秒(m/s)。

术语这种形式的单位称为组合单位。

对某些SI导出单位,国际计量大会通过了专门的名称和符号(见下表)。

使用这些专门名称以及用它们表示其他导出单位,往往更为方便、明确。

SI单位弧度和球面度称为SI辅助单位,它们是具有专门名称和符号的量纲一的量的导出单位。

在许多实际情况中,用专门名称弧度和球面度分别代替数字1是方便的。

例如角速度的SI单位可写成弧度每秒(rad/s)。

SIHLR120中文资料

SIHLR120中文资料

Power MOSFETIRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120Vishay SiliconixFEATURES•Dynamic dV/dt Rating •Repetitive Avalanche Rated •Surface Mount (IRLR120/SiHLR120)•Straight Lead (IRLU120/SiHLU120)•Available in Tape and Reel•Logic-Level Gate Drive•R DS(on) Specified at V GS = 4 V and 5 V •Lead (Pb)-free AvailableDESCRIPTIONThird generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRLU/SiH LU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.Notea.See device orientation.Notesa.Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).b.V DD = 25 V, starting T J = 25 °C, L = 5.3 mH, R G = 25 Ω, I AS = 7.7 A (see fig. 12).c.I SD ≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 110 A/µs, V DD ≤ V DS , T J ≤ 150 °C.d. 1.6 mm from case.e.When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).PRODUCT SUMMARYV DS (V)100R DS(on) (Ω)V GS = 5.0 V0.27Q g (Max.) (nC)12Q gs (nC) 3.0Q gd (nC)7.1ConfigurationSingleORDERING INFORMATIONPackage DPAK (TO-252)DPAK (TO-252)DPAK (TO-252)DPAK (TO-252)IPAK (TO-251)Lead (Pb)-free IRLR120PbF IRLR120TRLPbF a IRLR120TRPbF a IRLR120TRRPbF a IRLU120PbF SiHLR120-E3SiHLR120TL-E3a SiHLR120T-E3a SiHLR120TR-E3a SiHLU120-E3SnPbIRLR120IRLR120TRL a IRLR120TR a --SiHLR120SiHLR120TL aSiHLR120T a--ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise notedPARA ETER SY M BOL LI MIT UNIT Drain-Source Voltage V DS 100VGate-Source Voltage V GS ±10 Continuous Drain Current V GS at 5.0 V T C = 25 °C I D7.7AT C = 100 °C 4.9Pulsed Drain Currenta I DM 31Linear Derating Factor 0.33W/°CLinear Derating Factor (PCB Mount)e0.020Single Pulse Avalanche Energy bE AS 210mJ Repetitive Avalanche Currenta I AR 7.7 A Repetitive Avalanche Energy aE AR 4.2mJ Maximum Power Dissipation T C = 25 °CP D 42W Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e T A = 25 °C 2.5Peak Diode Recovery dV/dt cdV/dt 5.5V/ns Operating Junction and Storage Temperature Range T J , T stg- 55 to + 150 °CSoldering Recommendations (Peak Temperature)for 10 s 260dIRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120Vishay SiliconixNotea.When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).Notesa.Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).b.Pulse width ≤ 300 µs; duty cycle ≤ 2 %.THERMAL RESISTANCE RATINGSPARA ETER SYBOL IN.TYP.AX.UNITMaximum Junction-to-Ambient R thJA --110°C/W Maximum Junction-to-Ambient (PCB Mount)aR thJA --50Maximum Junction-to-Case (Drain)R thJC-- 3.0IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120Vishay Siliconix TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise notedIRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120Vishay SiliconixFig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source VoltageFig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward VoltageFig. 8 - Maximum Safe Operating AreaIRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120Vishay SiliconixFig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig. 10a - Switching Time Test Circuit Fig. 10b - Switching Time WaveformsIRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120Vishay SiliconixFig. 12b - Unclamped Inductive WaveformsFig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain CurrentFig. 13a - Basic Gate Charge WaveformFig. 13b - Gate Charge Test CircuitIRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120Vishay Siliconix Array Fig. 14 - For N-ChannelVishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, andreliability data, see /ppg?91324.Disclaimer Legal Disclaimer NoticeVishayAll product specifications and data are subject to change without notice.Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively, “Vishay”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained herein or in any other disclosure relating to any product.Vishay disclaims any and all liability arising out of the use or application of any product described herein or of any information provided herein to the maximum extent permitted by law. The product specifications do not expand or otherwise modify Vishay’s terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein, which apply to these products.No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document or by any conduct of Vishay.The products shown herein are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications unless otherwise expressly indicated. Customers using or selling Vishay products not expressly indicated for use in such applications do so entirely at their own risk and agree to fully indemnify Vishay for any damages arising or resulting from such use or sale. Please contact authorized Vishay personnel to obtain written terms and conditions regarding products designed for such applications.Product names and markings noted herein may be trademarks of their respective owners.元器件交易网。

ASSIC码对照表

ASSIC码对照表

ASSIC码对照表编码对应字符:✔:\u2714✘:\u2718<script type="text/javascript">var aaa = "\u2718";document.write(aaa);</script>测试ASCII码的⽅法:在记事本中,按住ALT键,同时⽤⼩键盘输⼊⼗进制的ASCII码,然后松⼿,就可以看到效果了!ASCII值控制字符ASCII值控制字符ASCII值控制字符ASCII值控制字符0NUT32(space)64@96、1SOH33!65A97a2STX34”66B98b3ETX35#67C99c4EOT36$68D100d5ENQ37%69E101e6ACK38&70F102f7BEL39,71G103g8BS40(72H104h9HT41)73I105i10LF42*74J106j11VT43+75K107k12FF44,76L108l13CR45-77M109m14SO46.78N110n15SI47/79O111o16DLE48080P112p17DCI49181Q113q18DC250282R114r19DC351383S115s20DC452484T116t21NAK53585U117u22SYN54686V118v23TB55787W119w24CAN56888X120x25EM57989Y121y26SUB58:90Z122z27ESC59;91[123{28FS60<92\124|29GS61=93]125}30RS62>94^126~31US63?95—127DELNUL VT 垂直制表SYN 空转同步SOH 标题开始FF ⾛纸控制ETB 信息组传送结束STX 正⽂开始CR 回车CAN 作废ETX 正⽂结束SO 移位输出EM 纸尽EOY 传输结束SI 移位输⼊SUB 换置ENQ 询问字符DLE 空格ESC 换码ACK 承认DC1 设备控制1FS ⽂字分隔符BEL 报警DC2 设备控制2GS 组分隔符BS 退⼀格DC3 设备控制3RS 记录分隔符HT 横向列表DC4 设备控制4US 单元分隔符LF 换⾏NAK 否定DEL 删除键盘常⽤ASCII码ESC键VK_ESCAPE (27)回车键:VK_RETURN (13)TAB键:VK_TAB (9)Caps Lock键:VK_CAPITAL (20)Shift键:VK_SHIFT ($10)Ctrl键:VK_CONTROL (17)Alt键:VK_MENU (18)空格键:VK_SPACE ($20/32)退格键:VK_BACK (8)左徽标键:VK_LWIN (91)右徽标键:VK_LWIN (92)⿏标右键快捷键:VK_APPS (93)Insert键:VK_INSERT (45)Home键:VK_HOME (36)Page Up:VK_PRIOR (33) PageDown:VK_NEXT (34)End键:VK_END (35)Delete键:VK_DELETE (46)⽅向键(←):VK_LEFT (37)⽅向键(↑):VK_UP (38)⽅向键(→):VK_RIGHT (39)⽅向键(↓):VK_DOWN (40)F1键:VK_F1 (112)F2键:VK_F2 (113)F3键:VK_F3 (114)F4键:VK_F4 (115)F5键:VK_F5 (116)F6键:VK_F6 (117)F7键:VK_F7 (118)F8键:VK_F8 (119)F9键:VK_F9 (120)F10键:VK_F10 (121)F11键:VK_F11 (122)F12键:VK_F12 (123)Num Lock键:VK_NUMLOCK (144)⼩键盘0:VK_NUMPAD0 (96)⼩键盘1:VK_NUMPAD0 (97)⼩键盘2:VK_NUMPAD0 (98)⼩键盘3:VK_NUMPAD0 (99)⼩键盘4:VK_NUMPAD0 (100)⼩键盘5:VK_NUMPAD0 (101)⼩键盘5:VK_NUMPAD0 (101)⼩键盘6:VK_NUMPAD0 (102)⼩键盘7:VK_NUMPAD0 (103)⼩键盘8:VK_NUMPAD0 (104)⼩键盘9:VK_NUMPAD0 (105)⼩键盘.:VK_DECIMAL (110)⼩键盘*:VK_MULTIPLY (106)⼩键盘+:VK_MULTIPLY (107)⼩键盘-:VK_SUBTRACT (109)⼩键盘/:VK_DIVIDE (111)Pause Break键:VK_PAUSE (19)Scroll Lock键:VK_SCROLL (145)ASCII码中:第0~32号及第127号是控制字符,常见的控制符如:007 = 07 = U+0007 : BELL 转义符:\a 响铃 008 = 08 = U+0008 : BACKSPACE 转义符:\b 退格键 009 = 09 = U+0009 : HORIZONTAL TABULATION 转义符:\t Tab键 010 = 0A =U+000A : LINE FEED 转义符:\n 换⾏符 011 = 0B = U+000B : VERTICALTABULATION 转义符:\v 垂直 Tab 符 012 = 0C = U+000C : FORMFEED 转义符:\f 换页符 013 = 0D = U+000D : CARRIAGERETURN 转义符:\r 回车键 027 = 1B = U+001B : ESCAPE 转义符:\e Esc 键第33~126号是字符,其中第48~57号为0~9⼗个阿拉伯数字;65~90号为26个⼤写英⽂字母,97~122号为26个⼩写英⽂字母,其余的是⼀些标点符号、运算符号等。

工厂常用中英文对照

工厂常用中英文对照

制程统计管制
1 Total Quality Assurance
全面质量保证
1 Underwriter's Laboratories
美国安全协会认证
1 Zero Defects
零缺点
1 Trouble - Shooting
检修
1 Review
审查
1 Audit
积核
1 Burn-In
烘烧
1 Quality Cost
质量保证
1 Quality Control
质量控制
1 Quality Vendor List
合格厂商名单
1 Quality Audit
质量监察
1 Return Material Authorized
核可退回
1 Standard Inspection Procedure
标准检验指导书
1 Statistical Prcess Control
技术应用部门
6 Marketing Require Specification 市场需求规格
6 Pilot Run
试做
6 Research& Dwvelopment
研究开发
6 Test Support Department
技术支援单位
6 Version
版本
6 Release
解除/出版
6 Project Plan
备忘录
5 Management Information System 资料管理系统
5 Mass Production
量产
5 Mass Production Schedule
主生产排程
5 Material Require Planning

AT45DB321D-SU;AT45DB321D-SU-2.5;AT45DB321D-MU;AT45DB321D-TU;AT45DB321D-MWU;中文规格书,Datasheet资料

AT45DB321D-SU;AT45DB321D-SU-2.5;AT45DB321D-MU;AT45DB321D-TU;AT45DB321D-MWU;中文规格书,Datasheet资料
All programming and erase cycles are self timed.
Figure 1-1. Pin configurations and pinouts.
MLF(1) (VDFN) Top View
SI 1 SCK 2 RESET 3
CS 4
8 SO 7 GND 6 VCC 5 WP
To allow for simple, in-system reprogrammability, the AT45DB321D does not require high input voltages for programming. The device operates from a single power supply, 2.7V to 3.6V, for both the program and read operations. The AT45DB321D is enabled through the chip select pin (CS) and accessed via a three-wire interface consisting of the serial input (SI), serial output (SO), and serial clock (SCK) lines.
Note:
TSOP package is not recommended for new designs. Future die shrinks will support 8-pin packages only.
/
Atmel AT45DB321D
2
3597Q–DFLASH–6/11
A NC NC NC NC
B NC SCK GND VCC NC

AISI钢等级

AISI钢等级

AISI钢等级美国钢铁学院规范化编号AISI钢等级包括以下:内容∙ 1 碳钢和低合金钢∙ 2 不锈钢∙ 3 其他钢∙ 4 参考∙ 5 参见碳钢和低合金钢碳钢并且低合金钢由一个四位数数字选定,前二个数字表明合金元件和前二个数字表明相当数量碳,在一百分之的百由重量。

例如,1060钢是包含0.60 wt % C.的简单的碳钢。

不锈钢主要文章:不锈钢∙200系列:奥氏体的铬镍锰合金∙300系列:奥氏体的铬镍合金o类型301 :高度柔软,为被形成的产品。

在机械工作期间,并且迅速地硬化。

o类型303 :通过硫磺的加法释放机器版本的304o类型304 :最共同; 经典18/8不锈钢。

o类型316 :下最共同性; 为食物并且外科不锈钢用途; 钼的合金加法防止腐蚀的具体形式。

316钢是抗性对腐蚀比18-8不锈钢。

316钢用于处理某一食物和药品,经常需要它为了使金属污秽减到最小。

316钢亦称“海洋成绩”不锈钢归结于它增加的能力抵抗盐水腐蚀与类型304比较。

SS316为大厦是常用的核再加工植物。

∙400系列:铁素体和martensitic铬合金o类型408 :抗热; 恶劣的耐腐蚀性; 11%铬,8%镍。

o类型409 :最便宜的类型; 使用为汽车尾气; 铁素体(仅铁或铬)。

o类型410 :martensitic (高强度铁或铬)。

o类型416 :最可用机器做不锈钢; 由减少耐腐蚀性额外硫磺的加法达到。

常用为“不锈的”步枪桶o类型420 :“利器等级” martensitic; 相似于Brearley的原始的“不锈钢”。

亦称“外科钢”。

o类型430 :装饰,即,为汽车修剪; 铁素体。

o类型440 :利器钢高级,与更多碳在它,考虑到好边缘保留,当钢是适当地被对待的热。

∙500系列:耐热铬合金∙600系列:martensitic 降雨雪硬化合金o类型630 :多数共同的酸碱度不锈,著名作为17-4; 17%铬,4%镍其他钢标准组织ASTM国际导致标准为结构钢使用在建筑业。

65%Si电工钢的特性及应用

65%Si电工钢的特性及应用

2 6. 5 %Si 电工钢的特性
2. 1 磁性特性 6. 5 %Si 电工钢与现有电工钢磁性的比较见表 1 。
表 1 6. 5 %Si 电工钢 、现有电工钢磁性的比较
材料
板厚 mm 磁通密度 B8 (T) W10/ 15
铁损 (w/ kg) W10/ 400 W10/ 1K W10/ 5K
最大导磁率 磁致伸缩 (10 - 6) W05/ 10K
硅钢片亦称硅钢薄板或电工钢板 ,是电力和电讯工业用以制造发电机 、电动机 、变压器 、继电器 、互感器 以及其它电器仪表的重要磁性材料 。众所周知 ,硅钢片中的硅含量对其产品的特性 (磁感和铁损) 影响很 大 。现有研究表明 ,随着硅量的增加 ,钢材中固有阻抗增大 ,而涡流损耗降低 ,表现出优良的磁性 。
高硅硅钢板的拉伸断裂状况也呈现不同的特征 。65R - B 不仅在断烈近旁发生塑性滑移 ,而且在板厚方 向也发生局部收缩 。但是 80R - B 的断烈则呈沿晶断裂和穿晶断裂的混合状态 。它从多个微裂纹的复合直 至引起整体断裂 ,呈现为脆性折断的模样 ,所以当把高硅钢板作为高强度材料使用时 ,必须充分考虑到此一 状况 。
450 ()
3238. 0. 5
479. 5
35. 1
900 (C)
319. 7
471. 7
45. 2
从表 2 中看出 ,65R - B 、80R - B 的 0. 2 %屈服强度分别为 50A400 的 3. 9 和 2. 2 倍 ;抗拉强度则分别为 2. 8 和 1. 6 倍 ,经退火处理 ,强度有所下降 ,但是也比一般的硅钢板高许多 。另外 ,50A400 材强度顺序为 900 µ 00 µ 450 。高硅硅钢板的断烈延伸率为 50A400 的 1/ 10 以下 ,尤其是经退火处理过的 80R - B 最低 。

进口国产各大品牌电子元器件中英文名对照表

进口国产各大品牌电子元器件中英文名对照表
MURATA
STE SHM / WANMING / SHIHENG DAE HYUN TATEYAMA QAWELL RAYCHEM PAK HENG LAIFU KOA TA-I /
国家(总部)
网址
德国 美国 台湾 日本 台湾 日本 日本 日本 日本 日本 台湾 日本 中国 日本 中国 日本 台湾 台湾 中国 日本 日本 日本 美国
/
序号
24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38
39
40
41
42 43 44
45
46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61
各电子元器件品牌中英文名对照表
中文简称
芯科
ST(STMICRO)
PROTEK CP-CLARE
FUJI SILAN SISEMI TAKCHEONG ATMEL APEC SPSEMI(SPS) MOTOROLA SIYU EIC MICRO AUK MAGNACHIP WISDOM BYD BURR-BROWN POWERINT(PI) NUVOTON SILICON LABS
欧洲
美国 美国 日本 中国 中国 中国 美国 台湾 中国 美国 中国 美国 中国 韩国 韩国 韩国 中国 美国 美国 台湾 美国

/
/ /cn
54
日通工
55
三能
56
三宝
半导体类
1
美台
2
可瑞
3
思佳讯
4
亿光
5
强茂
6
格瑞斯通
7
长电
8
星海
9
国半

dynamo全部节点中文翻译

dynamo全部节点中文翻译
Origin (['ɒrɪdʒɪn]原点、起源) normal (['nɔrml]正常、法线、标准) Intersect ([ɪntə'sekt]相交、交叉、交集) Indices (['ɪndɪsiːz]目录、索引、指数)
Cuboid (['kjubɔɪd]立方体)
Curtain (['kɝtn]窗帘、幕墙)
Curve ([kɝv]n. 曲线;弯曲)
Cylinder (['sɪlɪndə]n. 圆筒;圆柱)
Data (['detə]数据(datum的复数);资料)
Date ([det]:日期)
Daylighting (daylight['delaɪt]:白天;日光;黎明;公开。
Delaunay 三角网
)采光
60 Directory ([daɪ'rɛktəri]目录) 43 Display ([dɪ'sple]n. 显示;表现;炫耀。vt. 显示;表现) 105 Divided ([dɪ'vaɪdɪd]分开、分离、分割) 29 division ([də'vɪʒən]除法,分割,分格) 18 Document (['dɒkjʊm(ə)nt]:文档、文件) 136 Drafting (['drɑːftɪŋ]起草、制图、工程图) 70 Edge ([ɛdʒ]边线) 96 element (['ɛləmənt]图元、要素、元素、成分) 112 Elevation ([,elɪ'veɪʃ(ə)n]高地、海拔、高程、立面图) 71 Ellipse ([ɪ'lɪps]椭圆) 15 Environment ([ɪn'vaɪrənmənt]:环境) 25 Equal (['ikwəl]平等的,相等的) 47 Evaluate ([ɪ'væljʊ'et]评价) 17 Export ([ˈekspɔːrt;ɪkˈ-]:输出、出口) 3 Extensions ([ɪk'stɛnʃən]扩展、扩张) 72 Face ([fes]面) 59 File ([faɪl]n. 文件;档案) 109 Floor ([flɔː]楼板、地面、楼层) 35 foot ([fʊt]n. 脚;英尺) 123 Footing (['fʊtɪŋ]基础) 110 Form ([fɔːm]形式、形状、表格) 48 Formula (['fɔrmjələ]n. [数] 公式,准则;配方) 119 Framing (['fremɪŋ]框架、设计) 44 Geometry ([dʒɪ'ɑmətri]n. 几何学,几何结构) 30 grid ([ɡrɪd]n. 网格;格子,栅格;输电网) 75 group ([gruːp]组) 38 Height ([haɪt]高度) 73 Helix (['hilɪks]螺旋) 92 Hull ([hʌl]外壳) 13 Illuminance ([ɪ'lumɪnəns]照明度) 34 image (['ɪmɪdʒ]n. 影像;想象) 111 Import (['ɪmpɔt]输入、导入) 74 Index (['ɪndeks]索引) 39 information ([ɪnfə'meɪʃ(ə)n]信息) 49 Input (['ɪn'pʊt]输入) 107 Instance (['ɪnstəns]实例、实体) 11 Job ([dʒɒb]:工作) 4 Label (Label['lebl]:标签、标注)

[欢迎来北方]中文字幕.Bienvenue.chez.les.Ch'tis.2008.Blu-ray.RE.X264.720.DTS.SiluHD

[欢迎来北方]中文字幕.Bienvenue.chez.les.Ch'tis.2008.Blu-ray.RE.X264.720.DTS.SiluHD

32
00:03:04,894 --> 00:03:06,004
Mais je ne m'énerve pas
33
00:03:06,004 --> 00:03:07,177
我急了吗?Est-ce que je m'énerve là ?
34
00:03:07,519 --> 00:03:08,317
主任想见您。
93
00:05:21,888 --> 00:05:23,417
嗯?为什么?
94
00:05:23,417 --> 00:05:24,711
就是想见您。
95
00:05:26,011 --> 00:05:27,436 --> 00:05:29,813
00:03:47,718 --> 00:03:48,441
我要的不是假期去海边。
54
00:03:48,846 --> 00:03:50,152
你当时说我们会住在海边。
55
00:03:50,152 --> 00:03:52,367
为了换岗,你拼命加班,我们都见不上面。
56
00:03:52,988 --> 00:03:55,319
你疯啦?跟这儿干鸡毛呢?
64
00:04:33,078 --> 00:04:33,841
有人跟着你吗?
65
00:04:35,513 --> 00:04:36,826
有人看见你进我的办公室了吗?
66
00:04:38,998 --> 00:04:40,008

心理测量一览表

心理测量一览表

心理测验量表一览表韦氏成人智力测验(WAIS-RC)编制:韦克斯勒于1955年编制修订:龚耀先11个量表可一次或分次完成言语量表(6个):知识、领悟、算术、相似性、数字广度、词汇操作量表(5个):数字符号、图画填充、木块图、图片排列、图形拼凑16岁以上。

分农村和城市两种版式个别实测对于有时间限制的项目,以反应的速度和正确性作为评分的依据。

不限时间的项目,则按反应的质量给予不同的分数。

有的项目通过记1分,未通过记0分;有的项目按回答的质量分别记0、1、2分。

标准二十分(平均数10,标准差3).原始分转化成平均数为10,标准差为3的量表分。

分别将言语测验和操作测验的量表分相加,便可得到言语量表分和操作量表分。

再将二者相加,便可得到全量表分。

根据相应用表换算成言语智商、操作智商和总智商。

智力等级 IQ的范围(占%)极超常≥130超常 120-129高于平常 110-119平常90-109 低于平常80-89边界70-79 智力缺陷≤69(轻度) 50-69(中度) 35-49(重度) 20-34(极重度) 0-19联合型瑞文测验(CRT)以智力的二因素理论为基础, 非文字智力测验瑞文(J. C. Raven)修订:李丹、王栋等(1989年)72个测题。

40分钟交卷。

在20和30分钟完成的答案下做记号。

幼儿及弱智个别施测另有要求(见P163)分六个单元(A、AB、B、C、D、E),每单元12题,前三单元为彩色,后三单元为黑白。

要求按顺序进行。

5至75岁。

团体施测:三年级以上,65岁以下,以不超过50人为限;幼儿、弱智、书写困难的老人个别测验。

本测验题一律为二级评分,即答对给1分,答错为0分。

被试在这个测验上的总得分就是他通过的题数,即测验的原始分数。

量表分数是先将被试的原始分数换算为相应的百分等级,再将百分等级转化为IQ分数。

极优≥130优秀120-129中上(聪明)110-119中等(一般) 90-109中下(迟钝) 80-89边缘 70-79弱智轻度 55-69 (弱智弱智中度 40-54 共占弱智重度 25-39 2,2)弱智极重≤24中国比内测验吴天敏教授1982年完成的中文版第三次修订本51个试题各题有时限要求。

轴承对照表

轴承对照表

规格 国产代用型号 20-42-12 6004-2RS 40-68-15 6008 55-90-18 6011-2RS 60-95-18 6012 75-115-20 6015 30-62-16 6206 45-85-19 6209-2RS 50-90-20 6210 65-120-23 6213-ZZ 40-90-23 6308 55/56-100-21 1211K 50-55/57-36.5 60-110-24 1212 85/87-150-28 1217K 75-85/87.5-49.6 50-110-27 1310 65/67-120-31 2213K 60-65/68-49.7 50-70-14 51110 35-52-15 7205BTN 30-62-24 3206ATN 35-72-27 3207ATN 40-80-30 3208ATN 45-100-25 21309CA 50-90-23 22210CA/W33 60-110-28 22212CA/W33 65-120-31 22213CA./W33 70-125-31 22214CA/W33 75-130-31 22215CA/W33 80-140-33 22216CA/W33 85-150-36 22217CA/.W33 90-160-40 22218CA/W33 110/113.5-170-45 23022CAK/C3W33 100-110/114.5-76.5 H322 65-90-8 65-90-5 67-90-5 30-47-22 GE30ES 40-62-28 GE40ES 150-80-45 SI30ES 40-55-30 NKI40/30 50-68-35 NKI50/35 12-24-13 NA4901 30-47-30 NA6906 50-72-40 NA6910 30-37-12 HK3012 40-62-23 NA4908-2RS 50-68-25 NKI50/25 42-57-20 35-50-30 NKI35/30 50-110-32 NUTR50110 48-55-12 45-68-40 NA6909

硅锰合金成分含量65si

硅锰合金成分含量65si

硅锰合金成分含量65si以硅锰合金成分含量65si为标题,我们将探讨硅锰合金的基本介绍、应用领域、生产工艺和市场前景等方面的内容。

硅锰合金是一种重要的合金材料,其主要成分为硅和锰,其中硅的含量为65%,锰的含量则根据不同的需求而有所变化。

硅锰合金具有良好的热稳定性和机械性能,被广泛应用于冶金、化工、建筑等行业。

在冶金行业中,硅锰合金主要用于钢铁冶炼过程中的脱氧剂和合金添加剂。

由于硅锰合金中含有丰富的硅和锰元素,可以有效地脱除钢铁中的氧和硫等杂质,提高钢铁的纯度和质量。

同时,硅锰合金还能够增加钢铁的硬度和韧性,提高其耐磨性和耐蚀性,提高钢铁的使用寿命。

在化工行业中,硅锰合金常被用作有机合成和催化剂的原料。

硅锰合金中的硅元素可以作为有机合成反应的催化剂,促使反应顺利进行。

此外,硅锰合金中的锰元素也可以作为催化剂,参与氧化反应和还原反应,从而实现有机物的合成和转化。

在建筑行业中,硅锰合金常被用作耐火材料和建筑材料的添加剂。

硅锰合金中的硅元素具有良好的耐高温性能,可以提高耐火材料的耐火温度和耐火时间,增加其使用寿命。

此外,硅锰合金还能够提高建筑材料的强度和硬度,改善其抗压性能和耐久性。

硅锰合金的生产工艺一般为电炉熔炼法。

首先,将硅锰矿石和其他辅助原料按一定比例混合,然后放入电炉中进行熔炼。

在高温下,矿石中的硅和锰元素将与其他杂质发生化学反应,生成硅锰合金。

最后,将熔炼好的硅锰合金进行冷却、破碎和筛分,得到所需的产品。

随着钢铁、化工和建筑行业的发展,硅锰合金的市场前景非常广阔。

钢铁行业是硅锰合金的主要应用领域,随着国内外钢铁需求的不断增长,硅锰合金的市场需求也在不断扩大。

此外,随着环保意识的提升,对钢铁质量的要求也越来越高,硅锰合金作为一种重要的合金添加剂,将在钢铁生产中发挥更大的作用。

硅锰合金是一种重要的合金材料,具有广泛的应用领域和市场前景。

其成分含量中硅的含量为65%,可根据需求进行调整。

硅锰合金的生产工艺主要为电炉熔炼法,具有良好的生产效率和质量稳定性。

inconel各类焊材简介

inconel各类焊材简介

Nickel 141 焊条Nickel 141 焊条主要用于Nickel 200、Nickel 201合金的药皮焊条电弧焊,和镀镍钢材在镀镍层一侧的焊接,也可用于钢的堆焊。

焊缝金属中钛和碳产生反应使游离态的碳降到比较低的水平,因此这种焊条可以用于低碳镍合金(Nickel 201)的焊接。

焊缝金属具有优异的耐蚀性能,特别是耐碱金属腐蚀的能力。

这种焊条也可用于异种材料的焊接,包括Nickel 200合金和Nickel 201合金之间的焊接以及各种铁基和镍基合金的焊接。

Nickel 141 焊条适用于全位置焊接。

能量供给:直流反接规格AWS A , ENi-1 UNS W82141ASMEⅡ, , ENi-1 Werkstoff Nr.ASME IX, ISO ENi2061DIN 1736 EL-NiTi3 Europe ENiTi3VdTüV化学成分Ni+Co…….. 最少Cu…………最多范围C………….. 最多Al………….. 最多Mn…………最多Ti………….....Fe………….最多P…………最多S……….….最多其它………最多Si……….….最多最低机械拉伸强度,psi 60,000性能Mpa 414延伸率,(4d) % 20本册所列出的数据是关于典型产品及其性能的描述,不适于作为产品的说明书。

INCONEL, MONEL, INCOLOY, INCO-WELD, INCOFLUX, INCO-CORED, NI-ROD, NILO, 686CPT和725NDUR 都是超合金国际集团公司的商标。

Page 3MONEL 190焊条可应用于MONEL400,R-405和K-500合金的手工电弧焊中,也可用于钢的表面堆焊。

这种金属可抵抗海水,盐类以及还原酸性物质的侵蚀。

用这种焊条形成的焊缝能满足苛刻的X射线照相探伤要求。

需要说明的是,虽然用这种焊条焊接MONEL K-500合金可形成性能优异的接头,但与母材不同的是,焊缝填充金属不能产生时效硬化效果,所以相对强度较低。

百家姓的姓氏英文对照

百家姓的姓氏英文对照

Shao Chan Wang Chi Mao Yu Ti Mi Pei Ming Tsang Chi Fu Cheng Tai Tan Sung Mao Pang
Siu / Shiu Sio Cham Wong Kei Mo Yu Tik Mai Pui Ming Chong Kai Fuk Shing Sing Tai Tam Sung Mau Pong / Kai Fok Seng Tai Tam Song Mao Pong Mou U Tek Mai Pui Meng Vong Wong /
Yao
Yiu
Io
Yeo
102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120
邵 湛 汪 祁 毛 禹 狄 米 贝 明 臧 计 伏 成 戴 谈 宋 茅 庞
Shao Zhan Wang Qi Mao Yu Di Mi Bei Ming Zang Ji Fu Cheng Dai Tan Song Mao Pang

Tang
Tang
Tong
Tong
Thang / Thong / Tang / Duong Tong / Thong
65 66 67 68
費 廉 岑 薛
Fei Lian Cen Xue
Fei Lien Tsen Hsueh
Fai Lim Sum Shum Sit
Fai Lim / Sam Sit Sim Sik / Sit / Silk Lui / Looi / Lewe / Lei Hor/Hoo Geh / Nga Thong / Tang / Thang
Tang Yan Law / Lo But Kok Wu On Sheung

BS EN ISO 3651-2中文翻译

BS EN ISO 3651-2中文翻译

不锈钢耐晶间腐蚀的测定第2部分:铁素体、奥氏体、铁素体-奥氏体(二相)不锈钢.含有硫酸的介质中的腐蚀试验3 敏化处理3.1 敏化热处理有必要对稳定钢和低碳钢(C≤0.03%)进行敏化热处理。

敏化热处理可以是:——T1:水冷却后在700℃±10℃加热试样30分钟——T1:水冷却后在650℃±10℃加热试样10分钟以上处理仅适用于奥氏体和双相钢。

敏化热处理的类型应在产品标准或订单中定义。

如果没有指定,热处理T1适用。

3.2 敏化焊接焊接式样的敏化在协议双方是可在3.1中选择的。

焊后未经固溶退火的试样应在焊态测试。

不应进行额外的敏化热处理。

敏化焊接适用于ISO3651这部分涵盖的所有不锈钢。

4 腐蚀试验4.1 原理按4.2和4.3规定准备的试样,根据方法A,B或C浸入溶液中一段指定时间。

然后试样进行弯曲试验。

弯后检查试样凸面是为了显示出由晶间腐蚀引起的任何裂纹。

对于60mm小直径管(管的直径应与装溶液的瓶孔径相配),做压扁试验而不是弯曲试验。

4.2 试样4.2.1 尺寸大小试样总表面面积应有15到35cm²。

至于厚度大于6mm的片材,试样最大厚度为6mm,保留一个轧制面。

从产品标准中定义的产品中选取试样,如有争议,一个平的试样应使用下列尺寸。

这些试样应使用于弯曲试验:——厚度2到6mm之间——宽度至少10mm——长度至少50mm4.2.2 焊接试样对于平面产品,长约100mm和宽约50mm的两件焊接在一起并按图1切。

对于有环形焊缝的管件,试样按图2切割当四块焊接在一起形成一个交叉焊缝,第一条焊缝应在试样的纵向方向如图3所示。

如果材料厚度>6毫米的试样应从一边加工到6 mm。

弯后保留面应形成凸边。

对于焊接管的外径超过60毫米,试样长度至少50毫米和宽度至少20毫米,如图4制备。

对于60毫米外径的焊接管,试样应是管的一个完整截面,做压扁试验。

图1——对焊的板材和带材的试样图2——对焊的管件试样图3——板材和带材交叉对焊试样图4——焊接管纵向焊缝试样6 试验方法6.1 A法:16%硫酸/硫酸铜测试(施特劳斯测试)6.1.1 腐蚀溶液试验溶液应当使用如下使用质量分析试剂。

65si2mna材料标准

65si2mna材料标准

65si2mna材料标准材料标准是在各行业生产中起着重要作用的文件。

它们确保生产的材料质量符合特定的要求,并提供了检验和评估的准则。

对于材料制造商和使用者来说,遵守材料标准是确保产品质量和安全性的重要手段。

65si2mna是一种常用的钢材,常用于制造机械零件和工具。

对于65si2mna材料的标准,一般会涉及以下几个方面:1. 化学成分要求:对于65si2mna材料来说,其化学成分的要求是非常关键的。

标准通常会规定材料中各元素的含量范围,以保证材料的强度、韧性和耐腐蚀性能。

例如,标准可能要求碳含量在0.62-0.70%之间,硅含量在1.50-2.00%之间,锰含量在0.60-0.90%之间,等等。

2. 机械性能要求:标准会规定65si2mna材料的机械性能要求,例如抗拉强度、屈服强度、延伸率等。

这些要求是根据材料的使用环境和要求来确定的。

通过对这些机械性能进行测试和评估,可以确保材料在使用过程中具有足够的强度和可靠性。

3. 尺寸和外观要求:标准还会规定65si2mna材料的尺寸和外观要求,以确保材料符合制造和加工的需要。

这些要求可能包括材料的直径、长度、平直度、表面光洁度等。

通过严格控制材料的尺寸和外观,可以保证材料在生产和使用过程中的可加工性和外观质量。

4. 检验方法和标准:材料标准通常还会详细描述对于65si2mna材料的检验方法和评估标准。

这些方法和标准可以用于确定材料是否符合标准的要求。

例如,标准可能要求对材料进行化学成分分析、机械性能测试、尺寸测量等。

通过使用统一的检验方法和标准,可以保证材料的质量和一致性。

遵守65si2mna材料标准的好处是显而易见的。

首先,它可以确保生产的材料符合特定的要求,具有一定的质量和性能。

这对于制造商来说,可以减少产品的质量问题和召回风险,提高产品的可靠性和安全性。

其次,材料标准还可以为使用者提供选择材料的依据,确保他们购买到合适的材料,以满足他们的需求。

此外,材料标准还有助于促进行业间的交流和合作,提高整个行业的技术水平和竞争力。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
相关文档
最新文档