理解MOSFET额定电压BVDss
MOSFET_MOS管特性参数的理解
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SW两端施加的电压
电路比较
(1) 以往产品(无抗雪崩保证)的电路必须有吸收电路 以保证瞬间峰值电压不会超过VDSS。
吸吸收收电电路路
VDSS额定值
VD：电源电压
VD：电源电压
漏极／源极之间电压波形
VDS（Park)
ID
ID
吸收电路
VDS
VDS
稳压二极管
漏极电流波形
导通期间 关断期间
(2) 有抗雪崩能力保证的产品，MOSFET 自身可以 吸收瞬间峰值电压而无需附加吸收电路
PT = 100 (W)
因此
Rth(ch-c) =
=
Tch(max) - Tc PT (Tc=25-deg C)
150 25 100
= 1.25 （℃/W）
例2 ：计算2SK3740沟道／环境之间的热阻 2SK3740的额定功耗PT (Ta= 25℃)
PT = 1.5 (W)
因此
R Tch(max) - TA
ID(Pulse) : 漏极允许通过的最大脉冲电流值 此值还受到脉冲宽度和占空比等的制约
=
ton
D : 占空比
Ton : 导通时间
T : 周期
＋ ：MOSFET的 额定电流
－ ：寄生二极管 的额定电流
1.3 额定功耗
PT : 芯片所能承受的最大功耗。其测定条件有以下两种
TC=25 ℃ 的条件…… 紧接无限大放热板，封装 C : Case 的简写 背面温度为25 ℃ (图1)
Ｃ线 … 额定功耗限制
A线
Ｄ线 … 额定电压限制
Ｅ线 … 二次击穿限制 ※
※有些的产品有二次击穿, 有些产品无二次击穿。
MOSFET参数及其测试方法
参数类别（物理特征）：1、漏源电压系列1.1、V(BR)DSS：漏源击穿电压1.2、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数1.3、VSD：二极管正向（源漏）电压1.4、dV/dt：二极管恢复电压上升速率2、栅源电压系列2.1、VGS(TH)：开启电压2.2、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数2.3、V(BR)GSS：漏源短路时栅源击穿电压2.4、VGSR：反向栅源电压3、其它电压系列3.1、Vn：噪声电压3.2、VGD：栅漏电压3.3、Vsu：源衬底电压3.4、Vdu：漏衬底电压3.5、Vgu：栅衬底电压二、电流类参数1、漏源电流系列1.1、ID：最大DS电流1.2、IDM：最大单脉冲DS电流1.3、IAR：最大雪崩电流1.4、IS：最大连续续流电流1.5、ISM：最大单脉冲续流电流1.6、IDSS：漏源漏电流2、栅极电流系列2.1、IGSS：栅极驱动（漏）电流2.2、IGM：栅极脉冲电流2.3、IGP：栅极峰值电流三、电荷类参数1、Qg：栅极总充电电量2、Qgs：栅源充电电量3、Qgd：栅漏充电电量4、Qrr：反向恢复充电电量5、Ciss：输入电容=Cgs+Cgd6、Coss：输出电容=Cds+Cgd7、Crss：反向传输电容=Cgd四、时间类参数1、tr：漏源电流上升时间2、tf：漏源电流下降时间3、td-on：漏源导通延时时间4、td-off：漏源关断延时时间5、trr：反向恢复时间五、能量类参数1、PD：最大耗散功率2、dPD/dTJ：最大耗散功率温度系数3、EAR：重复雪崩能量4、EAS：单脉冲雪崩能量六、温度类参数1、RJC：结到封装的热阻2、RCS：封装到散热片的热阻3、RJA：结到环境的热阻4、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数5、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数七、等效参数1、RDSON：导通电阻2、Gfs：跨导=dID/dVGS3、LD：漏极引线电感4、LS：源极引线电感参数详解1.1、V（BR）DSS：漏源击穿电压（也称BVDSS、VDSS）定义：在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。
MOSFET参数理解及测试项目方法解读
Test Condition：
VGS=0，VDS=10V or 15V or 25
f=1.0MHZ
动态参数
MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程， 这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。 Qg ：栅极总充电电量。 Test Condition ： Qgs ：栅源充电电量。 VDD=80%Rated VDS, ID= Rated ID, VGS=4.5V(VGS ≤12V)or 10V, RG=10Ω Qgd ：栅漏充电电量。
也常常因此承担雪崩击穿带来的对器件的影响。
EAS：单脉冲雪崩能量 IAS： 电感峰值电流 IAR： 单脉冲雪崩电流
雪崩特性参数
雪崩特性波形图（一）
IAS=12.6A tp =2ms
BVDSS=744V
雪崩特性参数
雪崩特性波形图（二）
IAS=15A tp =2.5ms
BVDSS=768V
动态参数
Tjmax：MOS 最大结点工作温度150℃ RθJC：封装热阻 TC： Case 表面温度为25℃
Tj ： 最大工作结温。通常为 150 ℃ TSTG ：存储温度范围。通常为-55℃～150℃
静态参数
1. V(BR)DSS ：漏源（D-S）击穿电压，它具有正温度特性。 Test Condition： VGS=0，ID=250uA
流的大小由RDS（ON）和封装形式决定，其计算公式如下：
TJmax ： MOS 最大结点工作温度150℃ RθJC ： 封装热阻（节点-外壳） TC： Case 表面温度为25℃
mos管 参数
mos管参数MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor），即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常见的半导体器件，具有许多重要的参数。
以下是MOS管的主要参数：1.额定电压VRMS：指管子所能承受的高直流电压值。
2.额定电流IS：指管子所能承载的大直流电流值。
3.高耐压VSSS：指管子能够承受的高交流电压峰值。
4.小通态压降VDIF：指大允许泄漏量。
5.正向电阻rds（only）：正向导电性。
6.反向电阻rdg（only）：反向导电性。
7.导通延迟tdi（only）：正向偏置下导通的延迟。
8.截止频率ftoff ：截止状态下导通的小周期数。
9.阈值电压threshold voltage（including threshold voltages and threshtrimmed gate volts）：当流过二极管的电流超过某一数值后晶体管开始饱和并逐渐减小到稳定状态时的临界电压。
10.阈值功率threshold power ：当流过二极管的电流超过某一数值时晶体管开始饱和并逐渐减少到稳定状态时的临界功率。
11.存储温度范围TSTG：器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。
12.静态参数V(BR)DSS：漏源击穿电压，是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。
13.△V(BR)DSS/△Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃。
14.R DS(on)：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。
15.V GS(th)：开启电压（阀值电压），此参数一般会随结温度的上升而有所降低。
16.I DSS：饱和漏源电流，栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。
以上是mos管的一些重要参数，不同的mos管参数可能会有所不同。
MOS测试
V(BR)DSS：漏-源击穿电压(破坏电压)V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。
这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。
V(BR)DSS是正温度系数，温度低时V(BR)DSS小于25℃时的漏源电压的最大额定值。
在-50℃,V(BR)DSS大约是25℃时最大漏源额定电压的90%。
VGS(th)，VGS(off)：阈值电压VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。
正常情况下，所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。
因此，VGS(th)的变化范围是规定好的。
VGS(th)是负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。
RDS(on)：导通电阻RDS(on)是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。
IDSS：零栅压漏极电流IDSS是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。
既然泄漏电流随着温度的增加而增大，IDSS在室温和高温下都有规定。
漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之间的电压计算，通常这部分功耗可以忽略不计。
IGSS ―栅源漏电流IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。
VDSS：栅源短接情况下，测试漏源耐电压VGS(th)：漏栅源短接情况下，测试阀值电压MOS管（MOSFET）的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别（1）从包装上区分由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. （2）用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同（均为几千欧）时,该两极分别为D、S极（在使用时,这两极可互换）,余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.简单方法检测IGBT模块的好坏：l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
MOSFET参数介绍
MOSFET 参数介绍VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。
因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。
区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。
这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。
考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。
MOSFET浅析
MOSFET简析极限值极限值即意味着器件能常受到及抵挡住的最大电压力和热压力。
这就需要在器件的设计系统中仔细考虑不能超出极限值和压力所施加在器件上造成期间的永久性的损坏。
BV DSS(V)：漏源电压BV DSS被外延片的电阻率和厚度所决定。
如图1中所示，BV DSS被测量在源极与栅极短接且漏极与源极为一个反向偏置的典型电路中。
与双极型晶体管不同，这里不存在有二次击穿效应。
一些应用中常用到高压MOSFET，MOSFET的BV DSS在一个时期的一定时间后可能下降，因此为了防止这种现象，设计系统可能被设计了足够的BV DSS的增益；另一种预防的办法是经常被使用的比BV DSS的电压低一个等级的钳位二极管。
当然结温度的升高也会引起BV DSS电压的增高。
I D(A)@25℃:漏极电流图1.N沟道BV DSS测试电路最大电流就是器件工作在环境温度为25摄氏度的值。
这个参量受以下参数的影响（如图2）①R DS(on)：导通电阻②Pd：最大的封装损耗功率③管芯尺寸④最大的结温度以SFP50N06（60V，50A）为例：其中，Rth(j-c)=1.15；Tc=环境温度；图2.漏极电流与环境温度图结温度(Tj)=150℃；Rds(on)=漏源间开启静态电阻在Tj=150℃时。
I DM(A):漏极脉冲电流I DM(A)被定义为器件在工作中受到不连续的250微秒脉冲冲击时的最大电流。
通常基于I D(A)的漏极脉冲电流有四次。
I DM(A)随着环境温度的变化而变化，它的特性被静态的V DS-I D转移曲线的数据段所显示。
I DM(A)受下列器件参数的影响：①Rds(on)②Pd(max)③焊线的线直径④管芯尺寸，最大的结温度V GS(V)：栅源电压栅极氧化层的隔离电压V GS通常在数据表中被定义在逻辑型为20伏以及标准型为30伏。
在实际应用中所提供的外加电压超过Vgs(V)将引起器件的失效，因此具有保护功能的器件必须加在栅极和源极之间例如附加的齐纳二极管。
MOSFET参数及其测试方法
参数类别(物理特征)1、漏源电压系列1.1、V(BR)DSS ：漏源击穿电压1.2、dV(BR)DSS/dTJ ：漏源击穿电压的温度系数1.3、VSD ：二极管正向(源漏)电压1.4、dV/dt ：二极管恢复电压上升速率2、栅源电压系列2.1、VGS(TH) ：开启电压2.2、dVGS(TH)/dTJ ：开启电压的温度系数2.3、V(BR)GSS ：漏源短路时栅源击穿电压2.4、VGSR ：反向栅源电压3、其它电压系列3.1、Vn ：噪声电压3.2、VGD ：栅漏电压3.3、Vsu :源衬底电压3.4、Vdu ：漏衬底电压3.5、Vgu :栅衬底电压二、电流类参数1、漏源电流系列1.1、ID :最大DS电流1.2、IDM :最大单脉冲DS 电流1.3、IAR :最大雪崩电流1.4、IS :最大连续续流电流1.5、ISM :最大单脉冲续流电流1.6、IDSS :漏源漏电流2、栅极电流系列2.1、IGSS:栅极驱动(漏)电流2.2、IGM :栅极脉冲电流2.3、IGP:栅极峰值电流三、电荷类参数1、Qg：栅极总充电电量2、Qgs:栅源充电电量3、Qgd:栅漏充电电量4、Qrr:反向恢复充电电量5、Ciss：输入电容=Cgs+Cgd6、Coss：输岀电容=Cds+Cgd7、Crss:反向传输电容=Cgd四、时间类参数1、tr：漏源电流上升时间2、tf:漏源电流下降时间3、td-on ：漏源导通延时时间4、td-off ：漏源关断延时时间5、trr ：反向恢复时间五、能量类参数1 、PD ：最大耗散功率2、dPD/dTJ ：最大耗散功率温度系数3、EAR ：重复雪崩能量4、EAS ：单脉冲雪崩能量六、温度类参数1、RJC:结到封装的热阻2、RCS :封装到散热片的热阻3、R JA :结到环境的热阻4、dV(BR)DSS/dTJ :漏源击穿电压的温度系数5、dVGS(TH)/dTJ :开启电压的温度系数七、等效参数1、RDSON :导通电阻2、Gfs :跨导=dlD/dVGS3、LD :漏极引线电感4、LS :源极引线电感参数详解1.1、V (BR ) DSS:漏源击穿电压(也称BVDSS、VDSS)定义：在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。
功率MOSFET关键参数解读
功率MOSFET关键参数解读功率MOSFET是一种常用于高功率电路中的电子器件，主要用于驱动电动机、变换器、电源等系统。
对于功率MOSFET来说，有一些关键参数需要被关注和解读，这些参数直接影响着功率MOSFET的性能和使用范围。
下面将对功率MOSFET的关键参数进行详细解读。
1. 额定电压（Vds）：额定电压是指在特定温度和控制条件下，MOSFET可以承受的最大电压。
这个参数决定了MOSFET能够工作的最大电压范围。
选择MOSFET时，需要根据应用的需求来确定所需的额定电压范围。
2.额定电流（Id）：额定电流是指MOSFET可以在特定温度和控制条件下承受的最大电流。
这个参数决定了MOSFET能够承受的最大功率。
选择MOSFET时，需要根据应用的需求来确定所需的额定电流范围。
3. 开关速度（Switching Speed）：开关速度指的是MOSFET从开启到关闭或从关闭到开启的切换时间。
速度快的MOSFET可以在高频率下工作，适用于需要快速响应速度的应用。
开关速度可以通过查询数据手册中的开关时间来了解。
4. 漏极电阻（Rds(on)）：漏极电阻是指在MOSFET完全开启状态下，漏极和源极之间的电阻。
漏极电阻越小，MOSFET在开启状态下会有更低的功耗和更低的温度升高。
通常情况下，低电阻的MOSFET可以提供更高的效率和更低的能耗。
5. 共射极-源电压（Vgs(th)）：共射极-源电压是指在MOSFET处于开启状态时，栅极和源极之间的电压。
这个参数决定了MOSFET开启的最低电压。
当栅极电压低于共射极-源电压时，MOSFET将关闭。
6. 最大漏极-源电压（Vds(max)）：最大漏极-源电压是MOSFET可以承受的最大电压，超过这个电压将会损坏器件。
这个参数决定了MOSFET能够承受的最大功率。
7. 启动耦合电容（Ciss）、漏极-源电容（Coss）和栅极-源电容（Crss）：这些电容是MOSFET内部结构的一部分，它们决定了MOSFET的高频特性和电压放大特性。
MOSFET参数解析(英飞凌)
ID-连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID额定值@TC=25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
IDM-脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。
因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。
区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。
这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。
考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。
单纯满足脉冲电流不超出IDM上限并不能保证结温不超过最大允许值。
可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论，来估计脉冲电流下结温的情况。
PD-容许沟道总功耗容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。
TJ,TSTG-工作温度和存储环境温度的范围这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。
设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。
如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。
EAS-单脉冲雪崩击穿能量如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。
MOSFET主要参数指标
Mosfet参数含义说明Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压.一般此电压有一定的余量.Rds(on)：DS的导致电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻.Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低.Absolute Maximum Ratings：Vds:见Features.Vgs:最大GS电压.一般为：-20V~+20V（要注意可能是负的，针对不同形式的MOSFET）Id:见Features.Idm:最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系.Pd:最大耗散功率.Tj:最大工作结温.通常为150度和175度.Tstg:最大存储温度.Iar:雪崩电流.Ear:重复雪崩击穿能量.Eas:单次脉冲雪崩击穿能量.Electrical Characteristics:BVdss：DS击穿电压.Idss:饱和DS电流.uA级的电流.Rds(on):见Features.Igss:GS驱动电流.nA级的电流.gfs:跨导.Qg:G总充电电量.Qgs:GS充电电量.Qgd:GD充电电量.Miller Effect.Td(on):导通延迟时间.从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间.Tr:上升时间。
输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间。
Td(off):关断延迟时间。
输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间。
Tf:下降时间。
输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。
Ciss:输入电容.Ciss=Cgd + Cgs.Coss:输出电容.Coss=Cds +Cgd.Crss:反向传输电容.Crss=Cgc.Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数） to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数） Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数。
mosfet bvdss计算公式
mosfet bvdss计算公式英文回答:The breakdown voltage (BVDSS) of a MOSFET is a crucial parameter that determines the maximum voltage the device can withstand before it breaks down. It is an important consideration in designing power electronics circuits to ensure reliable operation.To calculate the BVDSS of a MOSFET, we need to consider the device's physical characteristics and the materials used in its construction. The BVDSS value can be found in the MOSFET datasheet provided by the manufacturer. It is typically specified as a maximum value.The breakdown voltage can also be estimated using the following formula:BVDSS = BVGSS + |VTH|。
where BVGSS is the gate-source breakdown voltage and VTH is the threshold voltage. The threshold voltage is the voltage at which the MOSFET starts conducting current. It is usually specified in the datasheet as well.For example, let's consider a MOSFET with a BVGSS of30V and a VTH of 2V. In this case, the breakdown voltage (BVDSS) can be calculated as:BVDSS = 30V + |2V| = 32V.This means that the MOSFET can safely withstand a maximum voltage of 32V before it breaks down. It is important to note that operating the MOSFET close to its breakdown voltage can lead to reliability issues and should be avoided.中文回答：MOSFET的击穿电压（BVDSS）是一个关键参数，它决定了器件在发生击穿之前所能承受的最大电压。
mos管的bv击穿电压
mos管的bv击穿电压英文回答：BV (Breakdown Voltage) is a crucial parameter for MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) as it determines the maximum voltage that the device can handle before it enters the breakdown region and starts conducting heavily. It is essential to understand and consider the BV value when designing and selecting MOSFETs for specific applications.The BV value of a MOSFET is typically specified as BVdss (Drain-Source Breakdown Voltage) or BVgss (Gate-Source Breakdown Voltage), depending on the breakdown mechanism. BVdss refers to the voltage at which the drain-source junction breaks down, while BVgss refers to the voltage at which the gate-source junction breaks down.The BV value is crucial because exceeding it can leadto irreversible damage to the MOSFET. When the MOSFETenters the breakdown region, excessive current flows through the device, leading to overheating and potential destruction. Therefore, it is vital to operate the MOSFET within its specified BV limits to ensure reliable and safe operation.Let me give you an example to illustrate the importance of BV. Suppose you are designing a power supply circuitthat requires a MOSFET to handle a maximum voltage of 100V. You come across two MOSFET options: MOSFET A with a BVdss of 80V and MOSFET B with a BVdss of 120V. In this scenario, MOSFET B would be the better choice because its BVdss exceeds the required voltage, providing a safety margin and ensuring that the MOSFET operates within its specified limits. On the other hand, if you were to use MOSFET A, it would likely enter the breakdown region and fail when subjected to the maximum voltage of 100V.中文回答：BV（击穿电压）是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的一个关键参数，它决定了器件在进入击穿区域并开始大量导通之前能够承受的最大电压。
MOSFET参数解读
MOSFET参数解读首先介绍漏源击穿电压（BVDS）这个参数。
漏源击穿电压是指在MOSFET正常工作条件下，漏极与源极之间可以承受的最大电压。
当电压超过这个值时，会导致器件击穿，造成电流异常增大。
因此，选择具有较高BVDS值的MOSFET可以提高设备的稳定性和可靠性。
第二个参数是漏源电流（ID）。
漏源电流是指MOSFET的漏极到源极之间的电流。
这个参数决定了MOSFET的放大能力和驱动能力。
ID值越大，说明器件的放大能力越强，可以驱动更大的负载。
接下来是增益（gm）。
增益是指MOSFET的输出电流和输入电压之间的比例关系。
增益值越大，说明MOSFET具有更好的放大效果。
增益值可以通过gm公式计算得到，即gm = ID/VT，其中ID为漏源电流，VT为热压降，与温度相关。
导通电阻（RDSon）是指MOSFET导通状态下漏源之间的电阻。
导通电阻是MOSFET的一个重要参数，对于其在开关电路中的应用影响很大。
导通电阻越小，代表着MOSFET具有更好的导通性能，可以减小功耗和电压降。
最后是功耗。
功耗是指MOSFET在工作时消耗的电功率。
功耗与漏源电流以及导通电阻有关。
一般来说，功耗会随着漏源电流的增加而增加，以及随着导通电阻的增加而减小。
对于需要高效能耗的电子设备来说，低功耗的MOSFET是非常重要的。
除了上述参数外，还有一些其他的参数也是非常重要的。
例如，最大工作温度、漏源间电感、输入电容和输出电容等。
这些参数对于特定应用的选择和设计至关重要。
综上所述，MOSFET的这些参数对于电子设备的性能起着重要作用。
在选型和设计时，我们需要综合考虑这些参数，并结合具体的应用要求进行选择。
理解MOSFET额定电压BVDSS
理解MOSFET额定电压BVDSS
刘松
【期刊名称】《今日电子》
【年(卷),期】2017(0)7
【摘要】前言功率MOSFET的数据表中通常标出了耐压BVDSS的值，然而很多工程师并没有注意到数据表中BVDSS所对应的测量条件，当测量条件不同的时候，测量的结果会有很多的不同。
本文将讨论BVDSS的测量条件所隐藏的一些的细节，来理解这个参数所设定的合义。
【总页数】2页(P23-24)
【作者】刘松
【作者单位】万国半导体公司
【正文语种】中文
【相关文献】
1.理解功率MOSFET的热阻特性 [J], 刘松
2.理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性 [J], 葛小荣;刘松
3.理解功率MOSFET的电流 [J], 刘松;葛小荣
4.理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量 [J], 刘松;葛小荣
5.理解MOSFET时间相关及能量相关输出电容Coss(tr)和Coss(er) [J], 刘松
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MOS的基本参数要求
RA：当பைடு நூலகம்gate端加驱动电压时，电荷在N-的上表面积累，在通 道与JFET区之间形成电流。这个积累区的电阻就是RA。RA 受积累区的电荷和表面自由电子的转移速率影响。随栅极电
压增加而增加，可以增加其掺杂浓度以降低阻值。
RJ：N-区域和两个P-body区域构成JFET，JFET沟道即中间N-区域 的电阻就称为RJ。
IDSS：零栅压漏极电流，是指栅源电压为零时，在特定的漏源电压 下漏源之间泄露电流，泄漏电流随着温度的增加而增大，IDSS在室 温和高温下都有规定。漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之间 的电压计算，通常这部分功耗可以忽略不计。
RD：漂移层电阻，JFET区域下方N-区域的电阻。在高压MOS时， 是构成 RDS（on）的主要因素。RD也是限制MOS在高压领域 使用的主要因素
RS：指的是整个底层的电阻。在高压MOS时可以忽略，但是， 在低压MOS时，当击穿电压小于50V时，它就是构成RDS
（on）的一个主要因素。
Qg：是指特定栅极电压下MOS完全导通时输入电容的总电量。直 接影响着MOS的开关速度，开关损耗在频率提高时占据了主要 位置，降低Qg，可有效降低开关损耗。 降低Qg有三种方法：增加氧化层厚度；降低沟道区的掺杂浓 度；减少栅极面积
RDS(on) = R + + RCH + RA + Rj + RD + RS
RN+：是指source与N+间的电阻，与组成RDS(on)的其他电 阻相比很小，所以，在高压MOS时可以忽略。
RCH：是指通道电阻，在低压MOS时，是RDS（on）的主要组 成部分。受通道宽度和长度、gate oxide厚度、gate驱动电压
bvdss(源漏击穿电压)机理
bvdss(源漏击穿电压)机理BVDSS（源漏击穿电压）机理引言：BVDSS是指场效应管（MOSFET）或继电器等器件的源极和漏极之间的最大电压。
了解BVDSS的机理对于设计和选择合适的器件至关重要。
本文将探讨BVDSS的机理，以及影响BVDSS的因素和相关应用。
一、BVDSS的定义和意义：BVDSS是指在特定条件下，源极和漏极之间的最大可承受电压。
它是评估场效应管或继电器等器件耐压能力的重要参数。
当电压超过BVDSS时，器件可能发生源漏击穿现象，导致器件损坏或性能下降。
二、BVDSS机理：BVDSS的机理与器件内部结构和材料有关。
以场效应管为例，它由源极、栅极和漏极三个部分组成。
当栅极电压低于阈值电压时，场效应管处于截止状态，源极和漏极之间的电流非常小。
当栅极电压高于阈值电压时，场效应管进入导通状态，源极和漏极之间的电流增大。
BVDSS与场效应管的漏极结构有关。
漏极结构通常是由P型或N型材料形成的结，以提高耐压能力。
当电压超过BVDSS时，漏极结会发生击穿，形成漏极-源极之间的导电通路，导致电流急剧增大，从而损坏器件。
三、影响BVDSS的因素：1. 材料选择：不同材料的漏极结构具有不同的击穿特性，影响BVDSS的大小。
因此，在选择器件时，应根据具体应用需求，选择适合的材料。
2. 设计参数：器件的几何结构和电场分布也会影响BVDSS。
通常，增加漏极结与源极之间的距离或增加漏极宽度可以提高BVDSS。
3. 温度效应：温度的变化会影响材料的特性，从而影响BVDSS。
一般来说，随着温度的升高，BVDSS会下降。
四、BVDSS的应用：BVDSS的大小对于不同应用有不同的要求。
在电源管理电路中，场效应管通常用于开关电源和稳压电路，要求具有较高的BVDSS以确保稳定工作。
而在低压应用中，对BVDSS的要求相对较低。
BVDSS还可以用于故障检测和保护电路。
当电路中的电压超过BVDSS 时，可以触发保护机制，保护器件和电路不受损坏。
MOSFET参数解读
MOSFET参数解读Symbol Parameter中文描述应用系统关联参数解读R thjc Thermal resistance, Junction to case 结到封装的热阻该系列参数均表明在发热相同条件下器件散热能力的强弱，热阻越小散热越快。
R thcs Thermal resistance, Case to Sink封装到散热片的热阻R thja Thermal resistance, Junction to ambient结到空气热阻Symbol Parameter中文描述对电源系统的影响V DSS Drain to Source Voltage漏源电压标称值参考BV DSSI DContinuous Drain Current (@T C =25o C)漏源标称电流漏源间可承受的电流值，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP 、OLP 的过程中会引起电流击穿的风险。
Continuous Drain Current (@T C =100o C)I DMDrain current pulsed漏源最大单脉冲电流反应的是MOSFET 漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，电源系统在做OCP 或OLP 测试时，有电流击穿的风险。
V GS Gate to Source Voltage栅漏电压栅极可承受的最大电压范围，在任何条件下，必须保证其接入的电压必须在规格范围内。
M OSFET 的栅极也是MOSFET 最薄弱的地方。
E AS Single pulsed Avalanche Energy 单脉冲雪崩能量MOSFET漏源极可承受的最大单次或多次脉冲能量，该能量如果过小在做OCP 、OLP 、SU RGER 、耐压等测试项目时有失效的风险。
E ARRepetitive Avalanche Energy 重复雪崩能量dv/dt Peak diode Recovery dv/dt漏源寄生二极管恢复电压上升速率（1）dv/dt 反应的是器件承受电压变化速率的能力，越大越好。
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万 国 半 导 体 公 司 刘 松
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