南京大学-晶体生长课件-Chapter 6-晶体生长理论

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南京大学晶体生长课件Chapter晶体生长动力学演示文稿

南京大学晶体生长课件Chapter晶体生长动力学演示文稿

47种几何单形
• 一般说来,对于一个单形的描述,要注意晶面的数目、形状、 相互关系、晶面与对称要素的相对位置及单形的横切面等。
• 单形的晶面数目、形状(包括晶面、横切面的形状)常是命名 的主要依据。
• 记住一些单形名称的方法:
• 1、面类
等轴晶系:
2、柱类
1、四面体组
3、单锥类
2、八面体组
4、双锥类
and c are the FFT patterns of the corresponding HRTEM images, and inset in Fig. d is the SAED pattern taken from the [010]-zone axis. The {100} and (101) facets are indicated in Fig. c, and surface steps lying on the {100} planes are indicated in Fig. d.
第三十三页,共126页。
第三十四页,共126页。
HRTEM images of a single ZnZrO3 particle from the ZnZrO3 powders synthesized at different Zn/Zr molar ratios. (c) Zn/Zr = 3.0, and (d) Zn/Zr = 4.0. Insets in Figs. a
第五页,共126页。
第六页,共126页。
假想的某晶体截面图
在晶体中任意给定晶面(hkl)的生长速 度(在其垂直方向上的移动速率)Rhkl 与
该晶面的原子层间距 dhkl 成反比
第七页,共126页。
第八页,共126页。

晶体生长科学与技术6(11-12节课)PPT课件

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.
3
发射效率η改变
✓ ηs:随着hc的增大而迅速降低; ✓ 当hc为3厘米时,从曲线3可以看到,在离开固-液界面2厘米内,
晶体柱面上的发射效率为0。这就是说,由于埚壁裸露部分对晶 体的辐射,晶体的这一段根本无法通过辐射将热量由晶体表面(柱 面)耗散出去;
✓ 当hc为4厘米时,在离开固-液界面2.5厘米以内,晶体柱面上的
✓ 由前面晶体中的温场研究方法一节中,可以得到固-液界面上
晶体内沿轴的温度梯度TS/z=(Tm-T0)(2h/ra)1/2,其中T0为环境气 氛 晶温体度本身,的ra为热晶传体导的系半数径k之,比h=值ε/k,,;为晶体于环境的热交换系数ε与
✓ 如图(a)、(b)、(c),辐射屏显著地降低了晶体中的热弹应力,
由于热弹应力与位错的相关性,热弹应力(a)>(b)>(c),因此位错 密度: (a)>(b)>(c);
.
7
直径惯性和直径响应方程
✓ 类似于牛顿第二定律,同样大小的力产生加速度与质量的关系,
质量越大,加速度越小;
✓ 对生长系统而言,功率起伏∆Q(单位时间热量的起伏)引起的温
为了导出直径响应方程,引入温度边界层的概念;
✓ 在直拉法生长中,固-液界面的温度恒为凝固点Tm,熔体的平
均温度Tb高于Tm,即Tb>Tm;
✓温 那 流度么和如恒δ强图T就为迫,称对T假b为,流定温而)离;度在固边δ-T液之界界内层面(的0邻~厚δ近T度),一,温定取度深决逐度于渐,流降δ体T低之搅到下拌界(>的δ面T程)温,度度熔(自T体m然的,对 ✓ 在直拉法生长中,晶体旋转产生强迫对流,
发射效率<0,也即晶体耗散于环境中的热量小于埚壁和液面辐射 到晶体中的热量;

晶体生长的基本规律 PPT

晶体生长的基本规律 PPT

Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
1.气-固结晶作用
条件:气态物质具有足够低的蒸汽压、 处于较低的温度下。
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
夏威夷劳厄火山裂缝喷气孔附近的自然硫沉积
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
自然硫晶体
Crystallography
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
青海察尔汗盐湖中盐花结晶体
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
钟乳石
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
石钟乳、石笋、石柱
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
盐溶液的结晶实验
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
第二章 晶体生长的基本规律
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
主要教学内容
晶体生长的基本规律* 晶面发育的基本理论* 影响晶体生长的外部因素 晶体的人工合成技术简介

Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
2.1晶体的形成方式
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
天然熔体:岩浆
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
天然熔体:岩浆
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律
金伯利岩岩筒的形成
Crystallography
第二章 晶体生长的基本规律

晶体生长方法简介34页PPT

晶体生长方法简介34页PPT
6、法律的基础有两个,而且只有两个……公平和实用。——伯克 7、有两种和平的暴力,那就是法律和礼节。——歌德
8、法律就是秩序,有好的法律才有好的秩序。——亚里士多德 9、上帝把法律和公平凑合在一起,可是人类却把它拆开。——查·科尔顿 10、一切法律都是无用的,因为好人用不着它们,而坏人又不会因为它们而、只有永远躺在泥坑里的人,才不会再掉进坑里。——黑格尔 32、希望的灯一旦熄灭,生活刹那间变成了一片黑暗。——普列姆昌德 33、希望是人生的乳母。——科策布 34、形成天才的决定因素应该是勤奋。——郭沫若 35、学到很多东西的诀窍,就是一下子不要学很多。——洛克

晶体生长的基本规律PPT参考课件

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缺点:组分多,影响因素多,生长速度慢,周期长。
具体方法很多,比如降温法,蒸发法。
43
2、高温溶液法
• 原理:高温下从溶液或熔融盐溶剂中生长晶体,可以使 溶质相在远低于熔点的温度下进行。
• 优点(1)适用性强。只要找到适当的助熔剂,就能生长 晶体。
• (2)许多难熔化合物或在熔点极易挥发或高温有相变, 不能直接从熔体中生长优质单晶,助熔剂法由于温度低, 显示出独特的能力。
45
• 缓冷法 高温下,在晶体材料 全部熔融于助熔剂后, 缓慢降温冷却,使晶 体从饱和熔体中自发 成核并逐渐成长的方 法。
46
3、熔融法
• 从熔体中生长晶体是制备大单晶和特定形状单晶 最常用和最重要的一种方法。
• 原理:将生长晶体的原料熔化,在一定条件下使 其凝固,变成单晶。
• 优点:具有生长速度快,晶体的纯度和完整性高 等特点。
4)重结晶-小晶体长大的过程,有液体参与
5)脱玻化-非晶体自发地转化成晶体
6
§2.2晶核的形成
晶体形成的一般过程是先生成晶核,而后再逐渐长大。
晶核:从结晶母相中析出,并达到某个临界大 小,从而得以继续成长的结晶相微粒。
成核作用:形成晶核的过程。
7
以过饱和溶液情况为例,说明成核作用的过程
晶体成核过程示意图
饱和比等。 • 主要分为: • 物理气相沉积:用物理凝聚的方法将多晶原料经过气相转
为单晶,如升华法。 • 化学气相沉积:通过化学过程将多晶原料经过气相转为单
晶,气体合成法。
49
• 升华法: • 在高温区将材料升华,
然后输送到冷凝区成为 饱和蒸气,经过冷凝成 晶体。 • 升华法生长速度慢,应 用于生长小块晶体,薄 膜或晶须。

《晶体的生长》课件

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目录
• 晶体简介 • 晶体生长的原理 • 晶体生长的方法 • 晶体生长的实验技术 • 晶体生长的应用实例 • 未来展望与挑战
01 晶体简介
晶体的定义
晶体是由原子、分子 或离子按照一定的规 律排列而成的固体物 质。
晶体的内部原子或分 子的排列方式决定了 晶体的物理和化学性 质。
界面反应与扩散
界面过程涉及界面反应和 扩散过程,研究晶体生长 过程中界面物质交换和化 学反应的规律。
界面动力学与控制
界面过程还探讨界面动力 学与控制因素,分析不同 条件下界面形态变化的动 力学过程和机制。
03 晶体生长的方法
熔体生长法
总结词
通过将原料加热至熔化后进行冷却结晶的方法。
详细描述
熔体生长法是一种常见的晶体生长方法,通过将原料加热至熔化,然后控制冷却 速度和温度梯度,使熔体中的原子或分子重新排列成晶体结构。这种方法适用于 制备大尺寸、高质量的单晶材料,如硅单晶和锗单晶等。
LED晶体材料的生长与应用
总结词
LED晶体材料是制造LED灯的关键材料,具有高效、节能、环保等特点,广泛应用能够将电能转化为光能的半导体材料。通过控制LED晶体材料的生 长和掺杂过程,可以获得具有特定能带结构和光学性质的LED晶体。LED晶体在照明、
技术创新
通过技术创新,改进晶体生长设备、 工艺和流程,提高晶体生长效率和产 量。
自动化与智能化
引入自动化和智能化技术,实现晶体 生长过程的远程监控、自动调节和控 制,提高生产效率和产品质量。
环境友好型的晶体生长方法
环保意识
随着环保意识的提高,环境友好型的 晶体生长方法成为研究重点,以减少 对环境的负面影响。
晶体具有规则的几何 外形和内部结构,其 原子排列具有周期性 。

《晶体生长》PPT课件

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4
(2)液相生长:液体固体
• 溶液中生长
从溶液中结晶 当溶液达到过饱和时,才能析出晶体.
可在低于材料的熔点温度下生长晶体,因此它们特别适合于
制取那些熔点高,蒸汽压大,用熔体法不易生长的晶体和薄膜 ;
如GaAs液相外延(LPE-liquid phase epitaxy)
• 熔体中生长
从熔体中结晶 当温度低于熔点时,晶体开始析出,也就是说, 只有当熔体过冷却时晶体才能发生。
粗糙界面也称“非小晶面”或“非小平面”。
光滑界面:界面固相一侧的点阵位置几乎全部为固相原子所占满,只留下 少数空位或台阶,从而形成整体上平整光滑的界面结构。
光滑界面也称“小晶面”或“小平面”。
2021/4/25
34
四、晶体生长的两种主要理论(了解)
一 层生长理论
• 柯塞尔1927年首先提出,后来被斯特兰斯基加以发展
• 直拉法、区熔法生长单晶硅棒,外延法生长单晶 硅薄膜。
2021/4/25
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• 直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二 极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可 控制在Φ3~8英寸。
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结论:
过饱和度或过冷度越大,Δgv大, r*, ΔG*越小,晶核越
易形成,易形成多晶 生长单晶时, 过饱和度,过冷度要尽量的小,r*, ΔG*越
大,晶核越难形成,易形成单晶.
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2.多个晶核生长
1)成核率:单位体积,单位时间内形成的晶核数(I) 成长率:新相在单位时间内线性增长值
半导体材料
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1
第三章 晶体生长
3-1 晶体生长的理论基础

《晶体生长理论》ppt课件

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〔1〕正常凝固
○ 将一资料锭条全部熔化后,使其从一端向另一端逐渐凝固
○ 三点假设
凝固速度大于固相中分散速度,可忽略杂质在固体中的分散。
〔杂质在固体中的分散速度比其凝固速度慢得多,相差7-9个量级,此
假设能成立〕
2. 熔体中的分散速度大于凝固速度可以为杂质在熔体中的分布是均匀的。
〔搅拌,可到达均匀〕
3. 杂质分凝系数是常数。
如Cu-Ni相图 :
相图分析:2个点、2条线、3个区。
测定方法:热分析法〔最常用〕。
③二元合金相图的建立——热分析法建立相图的过程
▲配制系列成分的铜镍合金
▲测出它们的冷却曲线,得到临
界点
▲把这些点标在T—成分坐标上
▲将具有一样意义的点衔接成线,
标明各区域内所存在的相, 即得到
Cu-Ni合金相图
2、分凝景象与分凝系数
▼对于最后一个熔区 ,属于正常凝固,不服从一次区熔规律
一次区熔提纯与正常凝固后的杂质浓度分布的比较图〔K0=0.01〕
多次区熔与极限分布
● 一次区熔后,资料的纯度依然达不到半导体器件的
纯度要求,所以要进展多次区熔,使得各种杂质尽能够
的赶到锭条的两头,使中间部分到达要求的程度
?对于一个有限长度的锭,能否用区熔的方法无限
○ 区熔次数的阅历公式
n=(1~1.5)L/ l
n: 区熔次数
L: 锭长
l: 熔区长度
20 次左右为宜
④质量输运〔质量迁移〕
○ 景象:一头增粗,一头变细
○ 缘由:熔体与固体的密度不同
○ 对策:在程度区熔时,将锭料倾斜一个角度,〔阅历
阐明, 3-5度〕以重力作用消除输运效应。
CL0 →CL,Keff→K0

晶体学《晶体生长》课件

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第六章一、概念解释晶体生长学:研究晶体生长过程及其涉及的物理化学原理、实验设计等内容。

均匀成核:在体系内任何部位成核率相等。

非均匀成核:在体系中存在的外来质点(尘埃,固体颗粒,籽晶等),在外来质点上成核。

晶核:成为结晶生长中心的晶胚。

临界半径:体系自由能由升高到降低转变时所对应的晶核半径。

成核速度:在单位时间内,单位体积中所形成的核的数目称为成核速度。

二、填空题1、均匀成核是指在一个体系内,各处成核概率相等,这要克服相当大的表面势垒,即需要相当大的过冷度才能成核。

2、晶体形成的方式有气相转变为晶体、液相转变为晶体、固相转变为晶体。

3、影响晶体生长的外部因素有涡流、温度、杂质、结晶速度、粘度。

4、晶体的熔体生长过程中的热量输送主要包括辐射、传导、对流。

5、晶体在溶液中生长的质量输送方式为扩散,扩散的驱动力为溶液的浓度梯度。

6、晶体在溶液中生长的动量输送表现为流体的内部磨擦作用。

7、从熔体中生长单晶体的方式有直拉法、区熔法、外延法。

8、从低温溶液中生长单晶的方法有降温法、蒸发法、凝胶法。

三、论述题1、化学气相沉淀法的优缺点答:优点:(1)所得的薄膜或材料一般纯度很高,致密性好,且容易形成结晶定向好的材料、广范用于高纯材料和单晶材料的制备;(2)能在较低温度下制备难溶物质;(3)适应性广,便于制备各种单质或化合物材料以及各种复合材料。

缺点:(1)需在高温下反应,衬底温度高,沉积数率较低;(2)参加沉积反应的源和反应后的余气都有一定的毒性,因此应用不如真空蒸发镀膜和溅射镀膜广泛。

2、为什么再杂质容器壁上容易成核答:成核是一种相变过程,即母液中形成固相小晶芽的过程。

成核需要界面杂质和容器壁正好提供了界面,杂质越多,容器面越大,界面则越大。

成核过程也是越垒过程,越过垒才可以进行晶体生长,容器正是这个垒,所以在杂质、容器上更容易成核。

3、为什么人工合成晶体要放籽晶答:晶体需要晶核才能形成,籽晶正是晶体的晶核,晶体很小时表面能大于自由能,而籽晶能克服界面能,所以人工合成需要籽晶。

第六章 晶体生长理论基础

第六章  晶体生长理论基础

得溶液生长系统中单个分子相变驱动力f为:
f
kT S
In(C
/ C0 )

kT S
In
kT

S
(5.17)
(5.17)式表明,溶液生长系统中结晶驱动力是与溶液的过饱和度成正比。
6.3.3 熔体生长系统中的相变驱动力
熔体和晶体的吉布斯自由能与温度(或压力)的关 系曲线如图5—2所示。熔体的吉布斯自由能曲线 与晶体的吉布斯自由能曲线 在T=Tm处相交。从 曲线上可以看出当T=Tm时,熔体相与结晶相保 持平衡,Tm即为平衡时的温度。
F F1 F2 ( p1V1 p2V2 ) V1( p1 p2 )
到达平衡时,自由能有最小值,即 F 0 ,于是得力学平 衡条件为: p1=p2
就是说,力学平衡的条件为系统各部分的压强相等。
6.3 结晶相变驱动力
晶体生长过程是一个相变过程,也可看作是 相界面的推移过程。在晶体生长过程中,或在界 面的推移过程中,要涉及到三个基本问题。其一: 相界面的驱动力(结晶驱动力)是什么?其二:在相 界面的推移过程中驱动力是否作功,或者说,在 晶体生长过程中,是否遵守能量守恒规律。其三: 既然需要驱动力,必然在推移界面过程中遇到阻 力,那么在晶体生长过程中的阻力是什么?
单元系相平衡条件:单元各组元在各相中的化学势相等。
多元复相系相平衡条件:系统各组元在各相中的化学势相等。可表示为:
kA kB kC ...... ......
……………………………

A i

iB

iC

由此可见,物质在系统内各相之间转移趋势是由化学势的高低来决定,而化学势的高低与体系的
假定温度T0不变,蒸汽压由p0 增加到p(p为过饱和蒸汽压),汽相的化学式

晶体生长基础课件 晶体生长热力学基础

晶体生长基础课件  晶体生长热力学基础

内容简介
➢ 相平衡 ➢ 相律及热力学推导 ➢ 相图分析 ➢ 相图在晶体生长中的应用 ➢ 相图测定方法
2021/1/2
Dr. Hui Zhang
晶体生长基础
State Key Lab of Silicon Material Science
热力学平衡
系统的宏观性质不随时间发生变化
多相体系相平衡
研究人工晶体生长和金属冶炼 过程,用适当的方法如溶解、 蒸馏、结晶、萃取、凝结等从 各种天然资源中分离出所需要 的成分,在这些过程中都需要 有关相平衡的知识。
2021/1/2
Dr. Hui Zhang
晶体生长基础
State Key Lab of Silicon Material Science
相律的热力学推导
多元复相系:C个组元,P个相
每个相中有C个独立组元时,则只要任意制定(C-1) 个独立组元的浓度,就可表明该相的浓度
因此,需要指定P(C-1)个浓度,才能确定系统 中各个相的浓度;平衡系统中温度,压力相等,表 明系统状态所需的变量数:
C=3-1=2?
分解产物均为气相,存在xHCl(g)= xNH3(g) 的关系( R ),该体系的组分数为:
C = S - R - R
=3 - 1- 1 =1
C = S - R - R
S为组分数,R为独立的化学平衡关系式的
个数, R为其它浓度限制条件数
2021/1/2
Dr. Hui Zhang
晶体生长基础
对于固体,一般是一个固体便有一个相, 而不论它们的质量和大小。
一块整CaCO3的结晶是一个相,如果把它们粉碎为 数百个小颗粒,它们是多少相?为什么?
2021/1/2
Dr. Hui Zhang

晶体生长模型ppt课件

晶体生长模型ppt课件

a.纯水中石盐晶形的影响
16
4.粘度
粘度的加大,会防碍涡流 的产生,溶质的供给只能通过扩 散的方式来进行,造成物质供给 不足。产生骸晶。
石盐的骸晶
17
5. 结晶速度 结晶速度大,则结晶中心增多,晶体长的 细小,且往往长成针状、树枝状。反之,结晶速 度小,晶体长得粗大。
6.生长顺序与生长空间
18
第五节 歪晶与面角守恒定 律
1.歪晶 偏离理想形态的晶体。
a
b
石英的理想晶体 石英的歪晶
19
2.面角守恒定律
r ∧ m =141.47° r∧z =133°44′ m∧m =120° a b
石英的理想晶体 石英的歪晶
“同种晶体之间, 对应晶面间的夹角恒等”
20
注意:晶面夹角与面角(晶面法线的夹角)的区别! 它们互为补角!
21
思考题
1.简述晶体生长的“层生长”理论。由此可以解 释 哪些晶体生长现象。
2.布拉维法则的内容是什么?
3.晶体颗粒越大,晶面越多,对吗?
22
斯里兰卡蓝宝石中的环带
9
4)
阶梯状生长
10
2.螺旋生长理论
石墨表面的 生长螺纹 晶体中存在螺旋位错,形成二面凹角
生长台阶围绕螺旋位错轴线螺旋状前进
11
第三节 晶面发育理论
一、布拉维法则
实际晶体的晶面常常平行于面网结点密度最大的 面网。 为什么?
面网密度: AB>DC>BC 生长速度: AB<DC<BC
火山玻璃脱玻化形成的雏晶
石墨
金刚石
非晶质体向晶体的 转变
同质多象转变
5
第二节
晶体的生长理论

《晶体生长基础》精选课件

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图2-3晶面消失过程
一般显露在外面的晶面其法向生长速度的是比较慢的。
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2020/1/3
实际上晶体外形常由简单面指数的晶面如 (100)、(110)、 (111)等包围。晶体形态除与晶体结构有关外,还与生长环境密切 相关。
(1)过饱和度的影响: 溶液过饱和度超过某一临界值时,晶体的形态就会发生变化
例如:人工降雨就是在饱和比不大又不能均匀成核 的云层中,撒入碘化银细小微粒,就能形成雨滴。
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2020/1/3
2、非均匀成核
在区熔法制备单晶的过程中,固液界面的形状对杂散晶核 的形成产生一定的影响。
固态在接近器壁处温度较内部低,固液界面凸向固方,θ< 90 ℃,非均匀成核的杂散晶核容易形成,单晶生长被干扰。θ↓ ,界面越凸向固方,干扰↑。为生长优质单晶,必须抑制杂散晶 核的产生,使单晶生长占主导地位,θ应大于或等于90 ℃,界 面呈平直状或凸向液方。
(2)PH值的影响: 生长磷酸二氢胺时,PH↓,晶体细长,PH↑,晶体短粗
(3)杂质的影响: 晶面吸附杂质后单位表面能发生变化,使晶体法向生长速度 发生变化,从而引起晶体形态的变化。
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2020/1/3
6.1.3 完整晶面生长
晶体生长的实质
生长的质点从环境相中 不断的通过界面而进人 晶格的过程。
△F极大
△F(自由能)
r0
r
自由能变化与
胚芽半径的关系
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2020/1/3
2、非均匀成核
据均匀成核理论计算,水汽凝华的临界饱和比为 4.4,水凝固的临界过冷度为40℃,某些金属凝固的 临界过冷度达100~110 ℃。
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第六章 晶体生长理论模型
§6.1. 晶体生长理论简介
1669年丹麦学者斯蒂诺(N.Steno) 发表了《论固体中自然含有的固体》,自此以来,开始了 晶体生长理论探索的篇章。经过各国科学家的精心研究,晶体生长理论已经有了长足的发展, 出现了各种各样的不同理论及模型。如晶体平衡形态理论、界面生长理论、PBC理论和负离子 配位多面体生长基元模型4个阶段,目前又出现了界面相理论模型等新的理论模型。现代晶体 生长技术、晶体生长理论以及晶体生长实践相互影响,使人们越来越接近于揭开晶体生长的神 秘面纱。
从晶体平衡形态理论到负离子配位多面体生长基元模型,晶体生长理论在不断地发展并趋 于完善,主要体现在以下几个方面:从宏观到微观,从经验统计分析到定性预测,从考虑晶体 相到考虑环境相,从考虑单一的晶体相到考虑晶体相和环境相。晶体生长的定量化,并综合考 虑晶体和环境相,以及微观与宏观之间的相互关系是今后晶体生长理论的发展方向。
(1)布拉维法则:法国晶体学家A.Bravais于1850年利用群论推导出具有一定对称性的空间点阵 只有14种,分属于7大晶系;1866年,Bravais又论述了实际晶面与空间格子构造中面网之间的关系, 提出实际晶体的晶面常常平行网面结点密度最大的面网,这就是布拉维法则。布拉维法则阐明了晶 面发育的基本规,但是它只能预测同种晶体的一种形态, 即晶体的理想生长形态, 无法解释同种晶体 在不同生长条件下可具有不同的生长形态的实验事实。布拉维法法则只给出了晶体内部结构与生长 形态之间的关系, 完全忽略了生长条件对生长形态的作用。
该定律给出了晶体生长形态具体求解方法虽然, 运动学理论能够通过定量计算给出晶体的生 长形态但有一个重要的假设, 即某一生长系统中驱动力场是均匀的这实质上忽视了环境相和生长 条件对晶体生长形态的作用另一方面, 应用运动学定律, 通过计算得出晶体的生长形态, 必须首先 得到法向生长速率与晶面取向的关系, 这实际上是十分困难的从而大大限制了理论的实际应用利 用该定律能够定量计算出晶体的生长形态。
(4)Frank运动学理论:1958年,F.C.Frank在应用运动学理论描述晶体生长或溶解过程中不同时 刻的晶体外形,提出了两条基本定律,即所谓的运动学第一定律和运动学第二定律。运动学第一定 律指出若晶面法向生长速率只是某倾角的函数, 则对给定倾角的晶面, 在生长或溶解过程中具有直 线轨迹;运动学第二定律的主要内容是作晶面法线方向生长速率倒数的极图, 则倾角为的晶面生长 轨迹平行于该方向极图的法线方向。
(2)Gibbs-Wulff晶体生长定律:1878年,J.W.吉布斯发表的著名论文《论复相物质的平衡》奠定了热力学理论 的基础。Gibbs从热力学出发,提出了晶体生长最小表面能原理,即晶体在恒温和等容的条件下,如果晶体的总 表面能最小,则相应的形态为晶体的平衡形态。当晶体趋向于平衡态时,它将调整自己的形态,使其总表面自 由能最小;反之,就不会形成平衡形态。由此可知某一晶面族的线性生长速率与该晶面族比表面自由能有关, 这一关系称为Gibbs-Wulff晶体生长定律。
在同一晶体中,原子排列密度越大的晶面和晶向其晶 面间距和晶向间距也越大
晶面生长速度与面网密度关系
3 A a
B
1 面网密度小
A
B
C
生长速度
2
C
D晶面消失快;
面网密度大生长速度慢,易保留下来成为晶面。
理想状态,不考虑外界条件
BC D
C
B
D
A
E
A
A
E
B
晶面交角和生长速度对晶面发育的约束
晶体上所有晶面的表面能之和最小的形态最稳定(晶体生长的平衡形态应具有最小表面能)
n
σ S =最小 这优一点原:理从实表际面应能用出。发,考虑了晶体和介质两个i方面i。但是由于实际晶体常都未能达到平衡形态,从而影响了 i 1
Gibbs-Wulff晶体生长定律,把周围介质看成是均匀一致, 各个晶面的表面自由能取决于晶体内部结 构面网密度, 面网密度大的晶面, 表面自由能小, 生长速度慢, 在晶体最终形态中显露,这实质上与 Bravais法则是完全一致的。
Gibbs-Wulff晶体生长定律在实际应用中, 由于表面自由能难以知道, 计算十分困难, 而且它只适用 于处于接近平衡态时的较小线度的晶体生长形态的预测。而对于较大线度的晶体来说, 由于存在着过 饱和度的差异, 难以趋向于平衡形态此外, 这一定律同样也不能解释晶体形态多样性。
(3)BFDH法则:1937年,Friedel. Donnay和Harker等人对Bravais法则作了进一步的完善,特别考虑了 晶体结构中螺旋轴和滑移面对其最终形态的影响,形成了BFDH法则(或称为Donnay-Harker原理),指 出,晶体的最终外形应为面网密度最大的晶面所包围,晶面的法线方向生长速率反比于面网间距, 生长速率快的晶面族在最终形态中消失。
Cabrera进一步发展了运动学理论, 提出了台阶运动理论, 成功地解释了台阶的并合现象在他 的理论中, 注意到了环境相的影响如认为杂质在界面上吸附使得台阶群运动速度减慢, 导致台阶并 合但理论仍不能预测界面上何处将吸附杂质, 不能预测环境相的变化对晶体形态的影响, 只能根据 晶体外形的变化来推测产生的可能原因.
布拉维法则 ( Law of Bravais )
晶体上的实际晶面往往平行于面网密度大的面网 。 根据:晶体上不同晶面的相对生长速度与网面上结点的密度成反比。为什
么?
面网密度大—面网间距大—对生长质点吸引力小— 生长速度慢—在晶形上保留
面网密度小—面网间距小—对生长质点吸引力 大— 生长速度快—消失
下面简单介绍一下晶体生长理论
晶体平衡形态理论
主要包括布拉维法则(Law of Bravais)、Gibbs—Wulff生长定律、BFDH法则(或称为Donnay-Harker原理)以 及Frank运动学理论等。晶体平衡形态理论从晶体内部结构出发, 应用晶体学、热力学的基本原理, 导出晶体理 想平衡生长形态, 得到了若干实验结果的证实。它们共同的局限性是基本不考虑外部因素(环境相和生长条件) 变化对晶体生长的影响, 无法解释晶体生长形态的多样性,是晶体的宏观生长理论。
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