FOSAN富信电子 三级管 2SA1201-产品规格书
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安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
2SA1201
SOT-89Bipolar Transistor双极型三极管
▉Features特点
PNP High Voltage高压
▉Absolute Maximum Ratings最大额定值
Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位
Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO-120V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO-120V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO-5V Collector Current集电极电流I C-800mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)500mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA250℃/W
Junction and Storage Temperature
T J,T stg-55to+150℃
结温和储藏温度
■Device Marking产品打标
H FE80-160(O)120-240(Y)
Mark DO DY
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
2SA1201
■Electrical
Characteristics 电特性
(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage
集电极基极击穿电压(I C =-1mA ，I E =0)BV CBO -120——V Collector-Emitter Breakdown Voltage
集电极发射极击穿电压(I C =-10mA ，I B =0)BV CEO -120——V Emitter-Base Breakdown V oltage
发射极基极击穿电压(I E =-1mA ，I C =0)BV EBO -5——V Collector-Base Leakage Current
集电极基极漏电流(V CB =-120V ，I E =0)I CBO ——-100nA Emitter-Base Leakage Current
发射极基极漏电流(V EB =-5V ，I C =0)I EBO ——-100nA
DC Current Gain
直流电流增益(V CE =-5V ，I C =-100mA)H FE
80
—
240
Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =-500mA ，I B =-50mA)V CE(sat)——-1V
Base-Emitter Saturation V oltage
基极发射极饱和压降(I C =-500mA ，I B =-50mA)V BE(sat)——-1V Base-Emitter On Voltage
基极发射极导通电压(V CE =-5V ，I C =-500mA)V BE(on)
——-1V Transition Frequency
特征频率(V CE =-5V ，I C =-10mA)f T
—
120
—
MH Z
Output Capacitance
输出电容(V CB =-10V ，I E =0,f=1MH Z )
C ob
—30—pF
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2SA1201■Typical Characteristic Curve典型特性曲线
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2SA1201■Dimension外形封装尺寸。