高频电子线路习题及答案

高频电子线路习题
一、填空题
1.在单级单调谐振放大器中，谐振时的电压增益K v o= 有载
Q L= ，通频带BW0.7= ，矩形系数K0.1为。

2.n级同步单调谐振放大器级联时，n越大，则总增益越，通频带越，选择性
越。

3.工作在临界耦合状态的双调谐放大器和工作在临界偏调的双参差放大器的通频带
和矩形系数是相同的，和单级单调谐放大器相比，其通频带是其⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽倍，矩形系数则从减小到。

4.为了提高谐振放大器的稳定性，一是从晶体管本身想办法，即选C b’c⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽的晶
体管；二是从电路上设法消除晶体管的反向作用，具体采用法和⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽法。

5.单级单调谐放大器的谐振电压增益K vo=⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽，有载Q L=⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽，通频带
BW0.7=⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽。

6.晶体管在高频线性运用时，常采用两种等效电路分析，一种是⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽，
另一种是⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽。

前者的优缺点是⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽。

7.晶体管低频小信号放大器和高频小信号放大器都是线性放大器，它们的区别是
⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽。

8.为了提高谐振放大器的稳定性，在电路中可以采用⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽法和⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽法，消
除或削弱晶体管的内部反馈作用。

9.晶体管的Y参数等效电路中，Y re的定义是⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽，称为⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽，它的意义
是表示⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽的控制作用。

10.晶体管的Y参数等效电路，共有4个参数，Y参数的优点是便于测量。

其中Y fe
的意义是表示⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽。

11.晶体管高频小信号放大器与低频小信号放大器都是⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽放大器，结构上的区别
是前者包含有后者没有的，具有带通特性的⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽。

12.对小信号调谐放大器的要求是⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽高、⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽好。

13.丙类高频功率放大器又称为____________功率放大器，常在广播发射系统中用作
____________级。

θ<90︒的高14.按照通角θC来分类，θC=180︒的高频功率放大器称为_____类功放；
C 频功率放大器称为_____类功放。

15.功率放大器的工作状态按照集电极电流的通角θC的不同可分为四类：当θC=
______时，为_____类：当θC=_____时，为_____类；当θC<____时为____类；当____<θC<____时，为_____类。

（该工作状态系指甲、乙、丙类。

下同）为了提高谐振功率放大器的功率，常使它工作在____类。

16.线性功放适用于放大__________信号，谐振功放适合于放大单频信号和调频
__________信号等。

17.分析、设计高频功放的最终目的是保证放大器件安全工作，在允许的_____范围内
_____地输出足够大的信号功率。

18.若谐振功放的输入电压U be为余弦波，其集电极电流i C是_______脉冲，但放大器
输出回路的电压仍为_______。

19.谐振功放工作于非线性状态，i C，i B是U be，U ce的_______函数，工程上可采用
______________近似分析法。

θ=_______；若20.谐振功率放大器集电极电流的通角θC与E b，U b，E'b的关系是：
C 谐振功放原工作在乙类状态时，当输入信号电压振幅U b减小，则放大器工作于____类；当E b增加到一定值时，则可使放大器工作于_____类。

21.若谐振功率放大器集电极谐振阻抗为R P，尖顶脉冲电流的高为i cmax，通角为θC，
则：电源E c提供的直流功率P0=______；输出功率P1=________。

放大器能量转换效率ηC=________；θC越小效率______，但输出功率_____。

为此常选θC约为_______左右为宜。

22.欠压工作状态是指晶体管在输入信号的全周期内都工作在特性曲线的_______；过
压工作状态是指在信号周期内部分时间晶体管工作于_______区。

23.若满足u cemin u ces，则高频功放工作在欠压状态；若满足u cemin u ces，则
高频功放工作在过压状态。

24.若工作于临界状态的谐振功放，在E C、E b、U b不变时，增加谐振电阻R P，则将进
入________状态，动态特性曲线的斜率将________。

25.放大器工作在欠压状态，若使E C、E b、U b不变。

当负载谐振电阻R P增加而向临界
状态过渡时，则动态特性曲线的斜率将____，放大器交流输出电压U c将________,集电极耗散功率P c将_____,集电极直流供给功率将_____。

效率ηC将_____。

26.当R P、E b、U b不变时，增大E C，谐振功放的工作状态将从原来的临界状态进入
_______状态，则直流供给功率将______，交流输出功率将______，集电极耗散功率将______。

27.当R P、E b、U b不变时，增大E C，谐振功放的工作状态将从原来的临界状态进入
_______状态，若要实现集电极调幅，应使放大器工作在______。

28.当E C、E b、R P不变，增大U b时，谐振功放将从原来的临界状态进入____，则直流
供给功率_______，交流输出功率______，集电极耗散功率______。

29.谐振功率放大器，若要求输出电压平稳，则工作状态选择在______；若要求输出功
率最大，则工作状态选择在______；若要求效率最高，则选择在_____；若要求兼顾输出功率与效率则选择在_______；若进行基极调幅时，则选择在_____；若进行集电极调幅时，则选择在______。

30.从谐振功放的负载特性曲线来看，集电极耗散功率P C的最大值是在R P=_______
时，所以谐振功放应避免负载_______。

31.高频功率放大器常用的直流馈电电路有____________馈电和并联馈电，馈电电路应
滤除______谐波分量。

二、单项选择题
1、 单级单调谐放大器的通频带BW 0.7为__________。

(1)Q L f 0 (2)f 0/Q L (3)f 0/2Q L (4)
02
1f Q L 其矩形系数K 0.1约为_________
（1）1 （2）5 （3）10 （4）100
2、 LC 并联谐振回路两端并上一个电阻可以_______。

（1）增加谐振电阻值 （2）提高回路品质因数
（3）提高谐振频率 （4）加宽频带
3、 单级单调谐放大器的通频带BW 0.7_________。

(1)等于空载LC 调谐回路的通频带 （2）大于空载LC 调谐回路的通频带
(3)小于空载LC 调谐回路的通频带 （4）以上情形都可能
4、 为了展宽单调谐放大器的通频带，可以________。

（1）在负载回路两端并联电阻
（2）增大负载回路谐振电阻
（3）负载回路与晶体管之间采用阻抗变换电路
（4）降低晶体管的工作电流
5、 多级放大器中的每一级都是完全相同的单调谐放大器，这种多级放大器与其中每
一级比________。

（1） 总增益提高了，通频带却变窄了
（2） 总增益提高了，选择性变坏了
（3） 总增益、通频带、矩形系数都增大了
（4） 总增益提高，通频带变宽，所以选择性变好了
6、 高频功率放大器，集电极负载采用_____。

（1）电阻 （2）电感 （3）电容 （4）LC 并联谐振电路
其集电极电流通角θC 越小，则_____
（1）失真越小 （2）效率越高
（3）输出功率越大 （4）集电极峰值电流越小
减小通角的方法可采用_____。

（1）增大U b （2）增大E b
（3）减小E b 或从正值向负值变化 （4）以上方法都正确
7、 谐振功率放大器集电极电流是_____
（1）直流电源 （2）正弦电流
（3）余弦脉冲电流 （4）矩形脉冲电流
其集电极电压的波形是______
（1）正（余）弦波形（2）尖顶脉冲序列（3）方波（4）直流信号
8、高频谐振功率放大器的负载谐振电阻R P由小变大，则放大器工作状态的变化趋势
（其他条件不变）为______
（1）欠压→临界→过压（2）过压→临界→欠压
（3）甲类→乙类→丙类（4）丙类→乙类→甲类
当R P由最佳值（临界值）减小时，则功率和效率的变化趋势是______
（1）P1↓，P C↓，η↑（2）P1↓，P C↑，η↓
（3）P1↑，P C↑，η↑（4）P1↑，Pc↑，η↓
9、若使谐振功放对等幅信号进行不失真地放大，则应选择工作状态为_____
（1）临界状态（2）过压状态（3）欠压状态（4）乙类状态
谐振功放用作限幅器时，则应选______
（1）临界状态（2）过压状态（3）欠压状态（4）乙类状态
10、若利用功放放大振幅调制信号时，应选择功放的工作状态为_____
（1）临界状态（2）过压状态（3）欠压状态（4）乙类状态
11、谐振功放工作在临界状态，其他条件不变，V CC增加时，则_____
（1）P1明显增大（2）I c1明显增大
（3）I c0明显增大（4）P C明显增大
若其它条件不变，Vcc减小时，则_____
（1）I c0减小（2）I c1不变（3）P1不变（4）P0稍有变化
12、谐振功率放大器工作在临界状态，若其它条件不变，U b增大时，则____
（1）P1显著增大（2）P0显著增大（3）P C变化很小（4）ηC↑
若E C，U b，R P不变，使｜E b｜↑时，则_____
（1）I c0↓（2）I c1↓（3）P1↓（4）以上情况都正确
13、高频功放用于发射机末级，其工作状态应选______
（1）临界状态（2）过压状态（3）欠压状态（4）任意状态
而用于集电极调幅.应选______
（1）临界状态（2）过压状态（3）欠压状态（4）任意状态
用于基极调幅，则选____
（1）临界状态（2）过压状态（3）欠压状态（4）任意状态
13、丙类高频功放又称为______
（1）甲类高频功放（2）谐振功放（3）线性功放（4）推挽功放
高频功放常用在广播发射系统中用作______
（1）输入级（2）中间级（3）输出级（4）任意
14、在谐振功放中，减小通角θC的方法可采用______
（1）增大U b（2）增大E b
（3）减小E b或从正值向负值变化（4）以上方法都正确
15、串馈的优点是______处于高频地电位，分布电容不影响回路
（1）L b（2）C b（3）V CC（4）V CC, L b, C b
并馈的优点是回路一端处于直流地电位，____元件一端可以接地，安装方便。

（1）L b（2）C b（3）L, C （4）L b, C b, L, C
16、在谐振功放中，集电极电压利用系数ξ=U c/E C，一般选择在______
（1）0.5左右（2）0.8左右（3）0.9左右（4）1
合理选择通角θC可以提高______。

（1）ηC（2）U c（3）U b（4）P C
17、从谐振功放的负载特性看，在临界状态时，______最大
（1）P1(2)ηC(3)P C(4)P0
在弱过压状态下，______最高
（1）P1(2)ηC(3)P C(4)P0
三、判断题
1、高频小信号放大器由于输入信号较弱，晶体管一般工作在特性曲线的线性区，所
以是线性放大器。

2、晶体管的h参数、混π参数和Y参数等效电路都是用来分析小信号放大器的有效
方法，但其中h参数不宜用作高频放大器的分析计算。

3、在实际应用中，常在调谐放大器的调谐回路两端跨接一个电容，目的是扩展通频
带、提高增益。

4、谐振放大器的选择性是由谐振回路的品质因数决定的。

例如，一个回路的空载品
质因素Q01=150，另一回路为Q02=100，则前一回路的放大器选择性就一定比后者好，而与晶体管无关。

5、丙类高频功率放大器的导通角θC小于90︒。

6、丙类高频功率放大器只适合于放大调幅信号。

7、甲类高频功放的功率转换效率最大值为50%。

8、乙类高频功放的功率转换效率最大值为78.5%。

9、丙类高频功放的功率转换效率的最大值比甲类、乙类的都低。

10、谐振功放中的集电极电流波形为尖顶余弦脉冲。

11、在谐振功放中，虽然i b、i C相对于输入信号均产生了失真，但输出电压v ce仍不失
真。

12、在谐振功放中，反映电路工作的动态负载线不是直线。

13、在谐振功放中，集电极电压利用系数ξ=U C/E C，一般选择在0.8左右。

14、从谐振功放的负载特性来看，在临界状态时，输出功率最大，功率转换效率最高。

15、如果需要将谐振功放用作限幅器时，则采用欠压状态下工作。

16、放大器用作基极调幅电路时，放大器应工作于欠压区。

17、放大器用作集电极调幅电路时，放大器应工作于欠压区。

18、所谓串馈是指直流电源、匹配网络和功率管在电路形式上串接。

19、所谓并馈是指直流电源、匹配网络和功率管在电路形式上并接。

四、分析计算题
1、三级同步单调谐。

中心工作频率f0=10.7MHz。

若使总的通频带BW0.7=100kHz。

每级放大器的通频带BW1应是多少？每个回路Q L 为多少？每级放大后，失谐在±200kHz 的信号衰减为多少分贝？三级放大后共衰减多少分贝？ 2、
设有两级单调谐中频放大器。

每级的增益Au 01=10，通频带BW 1=4MHz 。

试问此两级中放的总增益和总通频带为多少？若要求级联后的总通频带为4MHz 。

问每级放大器应怎样改动？ 3、
如图1所示单级单调谐放大器工作频率f 0=30MHz ，回路电感L =0.8μH ，其中N 1=14匝，N 2=6匝，阻尼电阻R =10k Ω。

当晶体管I E =2mA 时，测得g ie =1.5mS, C ie =12pF, g oe =0.4mS, C oe =9.5pF, Y fe =58∠22︒mS 。

求：(1)画出放大器的Y 参数等效电路；(2)回路有载品质因数Q L 和通频带BW 0.7；(3)谐振电压增益K v 0；(4)回路电容C 。

4、
单调谐放大器如图2所示，设下级与本级相同，已知放大器的中心频率f 0=10.7MHz ，回路线圈电感L 13=4μH ，Q =100，匝数N 13=20匝，N 12=5匝，N 45=5匝，晶体管U CE =6V ，I E =2mA 时的Y 参数为：g ie =2mS ，C ie =18pF ，g oe =200μS ，C oe =7pF ，|Y fe |=45mS 。

试求：该放大器的谐振电压增益和功率增益、通频带以及回路外接电容C 。

5、 单调谐放大器如图2所示，设下级与本级相同，已知放大器的中心频率f 0=30MHz ，
回路线圈电感L 13=1.4μH ，Q =100，p 1=0.5，p 2=0.29，晶体管U CE =6V ，I E =2mA 时的Y 参数为：g ie =1.19mS ，C ie =12pF ，g oe =0.4mS ，C oe =9.5pF ，|Y fe |=58.3mS 。

试求：该放大器的谐振电压增益和功率增益、通频带、插入损耗以及回路外接电容C 。

6、 已知谐振功放的输出功率P 1=10W ，集电极供电电压E C =20V ，若使集电极效率
ηC =80%。

试求：P 0和P C =？
7、 已知谐振功放E C =24V ，θC =90°，P 1=5W ，ηC =55%。

求：①P C =？②I c0=？③ξ
=U c /E C =?④R P =?(查表可知：cos90︒=0，α0(90︒)=0.319，α1(90︒)=0.5，γ1(90︒)=α1(θ)/α0(θ)=1.57)
8、 已知高频功放E C =12V ，谐振电阻R P =130Ω，ηC =74.5%，P 1=500mW ，θC =90︒。

为
图2
了提高效率，在E C，R P，P1不变的情况下，将θC减小到60︒，并使放大器工作在临界状态。

试求：（1）放大器原来工作在什么状态？（2）提高后的效率η'C=？（3）集电极耗散功率减小值△P C=？（4）采用什么措施才能达到上述目的？
（已知：γ1(90︒)=1.57，γ1(60︒)=1.80）
9、已知谐振功放的输出功率P1=10W，集电极供电电压E C=20V，若效率ηC=80%，试
求P0和P C。

10、已知集电极电流余弦脉冲i cmax=100mA，试求通角θ=120︒、70︒时集电极电流的直
流分量I c0和基波分量I c1；若U c=0.95E C，求两种情况下放大器的效率各为多少？
11、已知谐振功率放大器的E C=24V，I c0=250mA，P1=5W，U C=0.9E C，试求：该放大
器的P0、P C、η以及I c1、i cmax、θ。

12、一谐振功率放大器，E C=30V，测得I c0=100mA，U c=28V，θ=70︒，试求该放大器
的R L、P1、η。

13、某高频谐振功率放大器，当选择A、B、C三种不同的工作状态时，集电极效率分
别是ηA=50%、ηB=75%、ηC=85%，（1）当输出功率P1=5W时，三种工作状态下晶体管集电极损耗功率P C各为多少？（2）若晶体管的P C=1W保持不变，三种状态下放大器的输出功率各为多少？
14、设某晶体管谐振功率放大器工作在临界状态。

已知电源电压E C=36V，集电极电流
导通角θ=70︒，I C中的直流分量I c0=100mA，谐振回路的谐振电阻R L=200Ω，求放大器的输出功率P1、效率η。

15、谐振功率放大器的集电极电流导通角θ分别为180︒、90︒、60︒时，都工作在临界状
态，并且三种情况下的E C、I c也都相同。

计算三种通角θ情况下效率的表达式、输出功率P1的表达式。

16、*某丙类高频功放工作于临界状态。

已知E C＝18V，θ＝80︒，输出特性曲线中临界
饱和线的斜率g cr=0.6A/V，要求P1=1.8W。

试求：P0，P C，ηC和R P之值。

（查表得α0(80︒)=0.286，α1(80︒)=0.472，cos80︒=0.174）
17、*谐振功放原工作在临界状态，并已知θ＝70︒，P1=3W，ηC＝60％。

现发现放大
器性能发生变化，P1明显下降，而ηC却增加到68％，不过这时E C，U c，U bemax都未改变。

试问：(1)这时放大器工作在什么状态？(2)θ'值为多大？(3)变化后的P'1＝？(4)分析状态变化的原因？
（已知电流分解系数简表）
18、谐振功放原工作在欠压状态，现在为了提高P1，将放大器调到临界，试分析：（1）
可分别改变那些量来实现？（2）当改变不同量调到临界时，放大器的输出功率P1是否都是一样大？作定性分析。

19、 两个具有相同电路元件参数的谐振功放，输出功率P 1分别为1Ｗ和0.6Ｗ，现在为
了增加P 1而提高两个放大器的供给电源电压E C ，结果发现P 1＝1Ｗ放大器的功率增加不明显，而原来P 1＝0.6Ｗ放大器的功率却有明显增加。

试分析：（1）原来两放大器的工作状态。

（2）若要提高原来P 1＝1Ｗ放大器的输出功率，还应同时采取什么措施？
20、 谐振功放原来工作在临界状态，后来发现放大器性能发生变化，P 0明显下降，而
ηC 却略有增加，不过此时V CC ，V cm ，Ｖbemax 都未改变。

试分析：（1）此时放大器工作在什么状态？（2）分析状态变化的原因。

21、 谐振功放工作在临界状态，其外接负载为天线，等效阻抗近似为纯阻。

若天线突
然短路，试分析：（1）电路工作状态如何变化？（2）晶体管工作是否安全？
22、 谐振功放原来正常工作于临界状态，若集电极回路稍有失谐，晶体管的I c0，I c1将
如何变化？P C 如何变化？
高频电子线路习题答案
一、填空题 1. ∑g y p p fe
21，∑Lg 01ω，L
Q f 0 ，1095.9或≈ 2. 大，窄，好 3.
2，9.95，3.15 4. 小，中和，失配 5. ∑g y p p fe
21，∑Lg 01ω，L
Q f 0 6. 混∏参数等效电路 优点：参数在很宽的频率范围内与频率无关。

缺点：参数多，难测量。

y 参数等效电路 优点：参数少，测量容易，都是导纳量纲，适于分析小信号谐振放大器。

7. 低频小信号放大器没有带通特性的选频网络。

8. 中和 失配 9. 0
=b U ce b
V I ，反向传输导纳，输出电压对输入电流
10. 输入电压对输出电流的控制作用，表明晶体管的放大能力。

11. 线性，选频网络 12. 增益，选择性 13. 谐振，输出 14. A C
15. ︒180，A ；︒90，B ；︒90，C ；︒90，︒
180，AB;C
16. 调幅，等幅 17. 失真，高效 18. 尖顶余弦，余弦波 19. 非线性，折线 20. b
b b U E E -'arccos C A 21. co b
c I E P =0 2112
1c p I R P = ()()ξθαθαη0121=c 高，将减小。

︒︒75~65（ ()θαo c co i I max =， ()θα1max 1c c i I =， c
p c c c E R I E U 1==ξ ） 22. 放大，饱和 24. 过压，下降
25. 减小，增加，减小，缓慢下降，增大
26. 欠压，略有增加，基本不变，增加 27. 欠压，过压
28. 过压，略有增加，略有增加，基本不变
29. 过压 ，临界，弱过压，临界，欠压，过压
30. 0 ，短路 31. 串联，高次
二、单项选择题
1.（2）(3)
2.（4）
3.（2）
4.（1）
5.（1）
6.（4）（2）（3）
7.（3）（1）
8.（1）（2）
9.（3）（2）
10.（4）（1） 11.（3）（4） 12.（1）（3）（2） 13.（2）（3）
14.（3） 15.（4）（3） 16.（3）（1） 17.（1）（2）
三、判断题
1、（√）
2、（√）
3、（×）
4、（×）
5、（√）
6、（×）
7、（√）
8、（√）
9、（×）10、（√）11、（√）12、（√）13、（×）14、（×）15、（×）16、（√）17、（×）18、（√）
19、（√）
四、分析计算题
1、 解：∵B ∑ =B 1231-1 ∴B 1=B Σ/123
1-≈196KHz Q L =fo/B 1=54.6 △f =200KHz 2)2(11
fo f QL ∆+≈0.44 20lg0.44≈－7.13dB
3×(－7.13)= －21.4dB
2、 解： Kv =Kv 1*Kv 2=100 B Σ=121
12B -=2.57MHz
若 MHz 4'=∑B 则'1B ='
∑B /1221
-≈6.2MHz ∵Kv 1B 1=常数（不变） ∴'1
11'1*B B Kv
K v == 6.24
10⨯
=6.4
3、解: (1) P 1=1, P 2= 2
12N N N +=206=0.3
02'01
U P U = 2ie L g g =
g ∑=g oe +R 1
+'22L g P =0.4+23.0101
+×1.5≈0.64ms
2
221ie oe C p C C C ++=∑ (2) 4.101
0≈=∑L g Q L ω M H z Q f B L
88.20
7.0≈= (3) 2.271064.010583.0133
21≈⨯⨯⨯⨯=
=--∑g y p p K fe vo (4) pF L
f
C 2.35)2(120≈=∑π
pF C p C C C ie oe 6.2422
21≈--=∑
4解：25.025.013
4521312
1====
N N P N N P s L
Q g s g p g ms g p g o ie oe oe oe μωμ371,5.12,125.00022
2'211'≈=
≈===
MHZ Q f B Q g g L
g Q pF C P C P C C C P C C p C C C C pF f
C g Y p p K s
g g g g L
o
o
L ie oe ie oe ie oe fe v ie oe 51.0,2.2114.53,55)
2(1,
165.1747.00022212
2
2121'2'12
0210'
20'1=
==
=
=--=∴++=++=≈=
≈=
=++=∑
∑∑∑∑∑
∑ωπμ
谐振时，等效电路如图所示。

25616)()
()(
)(
)
())((22
22112
221'2
2
12
''22'0222
'22202
1===========∑
∑
∑
vo fe i o po
ie i fe ie i fe O ie ie O
ie i ie i K g Y p p P P G g p U g y P g
U g y P U g U p p g U g P U g P 功率的增益为
5解: ∑
=
g y P P K fe
V 210, 22
201021ie e g P g g P g ++=∑
22
2121ie oe C P C C P C ++=∑
s L Q g μω38113
000≈=
ms g 24.0≈∑
5.350=∴v K 1261)(2
00==v P K G
8.1510013
0==
=
∑
∑Q g g L g Q L ω M H z Q f
B L 88.107.0==∴
pF L f C 20)2(1
13
2
0==
∑π pF C P C P C C ie e 6.16)(22
21021=+-=∑
插入损耗 dB Q Q L 3)1lg(202
-≈-
6解: 01P P =
η W P
P c
5.1210==∴η W P P P c 5.210=-= 7解:① W P P c 1.4)11
(
1=-=η
②c c E I P 00= A E P I c c 379.000==
∴ ③ξη)90(2
1
01r = 7.0=∴ξ ④L c R Ic U 1= Ω=∴2.28L R 8解:欠压↑↓→动态特性斜率θ
不变，
不变，不变，又不变，而）（C
C C C L C
P E U E U R U P R P =∴∴=ξ2
1121,2 %5.74902
10==）（ξγηc
%4.85906060210
0101==∴=）（）（）（’‘γγηηξγηC C C。

，）（’
‘
W P P W P P C
C
671.0585.031
01
0==
==
ηη
W P P P W P P P W P P P C C C C 086
.0085.0171.01010=-=∆∴=-==-=‘
’‘，9．解：21
p p c =
η W p p c 5.1210==∴η W p p c c 5.2111=⎪⎪⎭
⎫ ⎝⎛-=η %
7.62216.536.40120.1001100==
===c
c
c c c C C E U I I mA I mA I ηθ，，时，解：%9.816.433.2570''1'
0====c c co mA I mA I ηθ，，时，
%3.8316.110
1
1000==
=-===P P W P P P W Ec I P c c η，，解： 又
A Uc
P I U I P c c c 463.02,21
1111==∴=
01150,85.1)()(21
==∴=
θθγθγη查表得c
c E U A I i c c 37.1)
50(011
max ==
∴α
12、解：A I i W E I P c c c c 4.0)
70(,30
00
max 00≈=
==α A i I c c 174.0)70(01max 1≈=α
Ω==
1651c c L I U R %80,38.221
111====P P w U I P c c η 13解：)11
(
)1(1-=η
P P c
%50=∴A η时W P C 5=
W P c B 67.1%75==时，η
%85=c η时，W P C 88.0=
（2） %50=A η时，W P P A
C
1)
11(1=-=
η
时，
%75=B ηW P P B
C
3)
11(1=-=η
%85=c η时，W P P C
C
7.5)
11(1≈-=
η
14．解：查表得436.0)70(0
1=α 所以 A I i co
c 396.0)
70(00max ==
α
mA i I c c 7.172)70(0
1max 1==α W R I P L c 98.22
12
11==
W E I P c c 6.300== %830
1
==
P P η 15．解：0
180=θ (
)()
c
c
c E U 020*********ααη= c c C
E U 21=η ()
max 01max 114
1
1802121c c c c c c i V V i V I p ===
α 090=θ及060=θ时同理可计算得。

16．解： c
C c cr U E i g -=
max
)(max c C cr c U E g i -=∴ ①
又c c c c U i U I P )(2
1
211max 11θα==
② 已知W P 8.11=，472.0)180(0
1=α，
V A g cr /6.0=，V E c 18=
由①②解得V U c 26.17=（0.75V 舍去） 将U c 代入①式，有A i c 444.0max =，
A i I c c 127.0)180(0
1max 0==α
W E I P c co 28.20≈=，
W P P P c 48.010=-=
9.7801
==P P η%，Ω≈=8.8221
2
P U R C p
17．解：（1）弱过压 （2）)(211θγηc c E U =
)(21'1'θγηc
c
E U = c E 、c U 不变 96.1)()(1''
1==∴θγη
ηθγ 查表得0
'25=θ
（3）)(max 01θαηηηo c c co c i E I E P P === )('
m a x ''1θαηo c c i E P
= W P P 2.1)
()
(10'0''1
==∴θηαθαη
（4）)(max b b be U E U += 不变，又b
b
b U E E -='arccos θ可知，θ变小的原因是：↓
b U
的同时b E 向负值方向变化，此状态变化的主要原因是负载谐振电阻L R 增大。

18.答：（1）为了提高1P ，可使↑L R ，↑b U 或↑b E （2）↑L R 时，L c R I P 2
112
1=
，在欠压状态下，I c1具有近似恒流特性,∴P 1与R L 成正比，↑b U 或↑b E ，)(max b b be U E U += ∴↑b U →U bemax ↑→Ic 1↑→P 1与2
1C I 成正比，
P 1↑；同时，↑b U →θ↑→α1(θ)↑，∴总的来说，P 1的变化明显。

可见提高b b E U 或比提高L R 更明显。

19.答：（1）W P 11=的功放原工作在临界，而W P 6.01=的功放原工作在过压状态。

（2）可同时提高L R 或提高b V 或向b E 正值方向变化。

20．答（1）弱过压
（2）)(max b b be U E U += 不变，而b
b b U E E -='
arccos θ )2sin 2(2θθπ
--=L d R g 所以
是在b U 减小的同时b E 向负值方向变化，使θ减小，又c U 不变，所以此时状态变化的主要原因是负载特性的谐振电阻L R 增大引起的。

21、解：（1）由负载特性，当R L ↓时，工作状态将从临界状态变化到欠压状态。

（2）此时晶体管工作不安全，因为P C 急剧增加。

22、答：由调谐特性知，R L ↓→I CO 、I C1↑，P C 急剧增加。